阵列基板及具有该阵列基板的显示装置的制作方法

本实用新型涉及TFT-LCD显示器技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板及具有该阵列基板的显示装置。

背景技术：

全反射显示器需要高反射率的像素电极，在高世代薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)产线中，通常采用纯铝(AL)或纯铜(Cu)制程(电阻率低)。承上，在现有铝制程产线中，设计全反射显示产品，存在例如铝容易氧化、铝和氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称ITO)接触问题等工艺限制。如果采用现有工艺的“钼/铝/钼”的结构，即以钼(Mo)为反射面，则存在反射率低的问题，无法满足全反射显示器需要较高反射率的像素电极的要求。

技术实现要素：

本实用新型的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种克服现有工艺限制且金属像素电极反射率高的阵列基板。

本实用新型的另一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种具有上述阵列基板的显示装置。

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

根据本实用新型的一个方面，提供一种阵列基板，其包括透明衬底、绝缘介质层以及金属像素电极，所述绝缘介质层设于所述透明衬底一侧，所述金属像素电极包括第一层和第二层，且依次设于所述绝缘介质层的远离所述透明衬底的一侧，所述第二层的反射率大于所述第一层。

根据本实用新型的其中一个实施方式，所述金属像素电极的第一层材质为钼，第二层材质为铝。

根据本实用新型的其中一个实施方式，所述阵列基板还包括源极和漏极，所述源极和漏极与所述金属像素电极同层形成，而设于所述绝缘介质层的远离所述透明衬底的一侧。

根据本实用新型的其中一个实施方式，所述阵列基板还包括数据线，所述数据线设于所述绝缘介质层远离所述透明衬底的一侧，所述数据线具有连接端，所述连接端包括第一层和第二层，且依次设于所述绝缘介质层的远离所述透明衬底的一侧，所述第二层的反射率大于所述第一层。

根据本实用新型的其中一个实施方式，所述连接端的第一层材质为钼，第二层材质为铝。

根据本实用新型的其中一个实施方式，其还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层设于所述绝缘介质层远离所述透明衬底的一侧，且覆盖所述金属像素电极。

根据本实用新型的其中一个实施方式，所述阵列基板还包括数据线，所述数据线设于所述绝缘介质层远离所述透明衬底的一侧，所述数据线具有连接端，所述绝缘保护层上开设有对应于所述连接端的引线过孔，所述连接端包括第一层和第二层，且依次设于所述绝缘介质层的远离所述透明衬底的一侧，所述第二层的反射率大于所述第一层，所述引线过孔过度刻蚀于所述连接端的第二层，所述引线过孔设有导电膜。

根据本实用新型的其中一个实施方式，所述阵列基板还包括公共线，所述公共线设于所述透明衬底临近所述绝缘介质层的一侧，所述绝缘保护层上开设有对应于所述公共线的公共线过孔，所述公共线过孔过度刻蚀于所述公共线，所述公共线过孔设有导电膜。

根据本实用新型的其中一个实施方式，所述导电膜的材质为钼。

根据本实用新型的另一个方面，提供一种显示装置，其具有阵列基板，其中，所述显示装置的阵列基板所述的阵列基板。

由上述技术方案可知，本实用新型提出的阵列基板及具有该阵列基板的显示装置的优点和积极效果在于：

本实用新型提出一种阵列基板，通过其金属像素电极采用两层的结构，替代现有工艺的“钼/铝/钼”的结构，即利用反射率较高的第一层作为反射面，提升了金属像素电极的反射率，使其满足全反射显示器对其像素电极所需的高反射率的要求。同时，上述结构能够克服现有纯铝制程产线中存在的工艺限制，无需设置氧化铟锡层，避免氧化铟锡与铝的直接接触而导致的势垒大、电阻高的问题，使铝不易氧化，解决铝和氧化铟锡的接触问题。

附图说明

通过结合附图考虑以下对本实用新型的优选实施方式的详细说明，本实用新型的各种目标、特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本实用新型的示范性图解，并非一定是按比例绘制。在附图中，同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中：

图1是根据一示例性实施方式示出的一种阵列基板的局部平面视图；

图2a～图2g是图1示出的阵列基板的制造工艺流程示意图；

图3是根据一示例性实施方式示出的一种显示装置的局部剖视示意图。

其中，附图标记说明如下：

100.阵列基板；

110.透明衬底；

120.金属像素电极；

120’.源极；

130.公共线；

131.公共电极连接线；

140.栅线；

150.绝缘介质层；

160.有源层；

161.有源层孤岛；

170.绝缘保护层；

171.引线过孔；

172.公共线过孔；

173.导电膜；

180.数据线；

180’.漏极；

181.连接端；

200.引线；

300.CF基板。

具体实施方式

体现本实用新型特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本实用新型能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本实用新型的范围，且其中的说明及附图在本质上是作说明之用，而非用以限制本实用新型。

在对本实用新型的不同示例性实施方式的下面描述中，参照附图进行，所述附图形成本实用新型的一部分，并且其中以示例方式显示了可实现本实用新型的多个方面的不同示例性结构、系统和步骤。应理解，可以使用部件、结构、示例性装置、系统和步骤的其他特定方案，并且可在不偏离本实用新型范围的情况下进行结构和功能性修改。而且，虽然本说明书中可使用术语“底部”、“上方”、“之间”、“侧”等来描述本实用新型的不同示例性特征和元件，但是这些术语用于本文中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。本说明书中的任何内容都不应理解为需要结构的特定三维方向才落入本实用新型的范围内。

阵列基板实施方式

参阅图1，图1中代表性地示出了能够体现本实用新型的原理的阵列基板100的局部平面视图，且其具体表示出该阵列基板100的其中一个像素单元的平面结构。在该示例性实施方式中，本实用新型提出的阵列基板100是以TFT-LCD显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)为例进行说明的。本领域技术人员容易理解的是，为将该阵列基板100应用于其他类型的液晶显示器中，而对下述的具体实施方式做出多种改型、添加、替代、删除或其他变化，这些变化仍在本实用新型提出的阵列基板100的原理的范围内。

如图1所示，在本实施方式中，本实用新型提出的阵列基板100主要包括透明衬底110、多个金属像素电极120、多个源极120’和漏极180’、多条公共线130和栅线140、绝缘介质层150、有源层160、绝缘保护层170以及多条数据线180。配合参阅图2a～图2g所示，图2a～图2g中代表性地示出了能够体现本实用新型原理的阵列基板100的制造工艺流程示意图，其以局部剖视的方式示出阵列基板100上述各主要结构的布置方式或连接关系，但需说明的是，在图2a～图2g中，为了便于理解，部分位于不同方向的截面上的结构是于该图中的同一截面上示出的，例如公共线130和栅线140的截取方向与金属像素电极120和漏极180’的截取方向在平面视图中并不相同，大致呈90°夹角。以下，结合上述附图，对本实用新型提出的阵列基板100的各主要结构进行详细说明。

如图1和图2a～图2g所示，在本实施方式中，本实用新型提出的阵列基板100具有多个像素单元，这些像素单元是由多条数据线180和多条栅线140界定而成，且每个像素单元至少包括一个金属像素电极120。具体而言，多条栅线140和多条公共线130形成于透明衬底110一侧，绝缘介质层150设于透明衬底110的该侧，并同时覆盖上述栅线140和公共线130。绝缘介质层150远离透明衬底110的一侧形成有多个有源层孤岛161，源极120’和漏极180’分别连接于有源层孤岛161。具体而言，源极120’和漏极180’与金属像素电极120同层形成，而设于所述绝缘介质层150的远离透明衬底110的一侧，且源极120’与金属像素电极120一体连接，漏极180’与数据线180一体连接。另外，该有源层孤岛161是由设置在绝缘介质层150上的有源层160刻蚀而成，且每个像素单元具有至少一个有源层孤岛161。

如图1和图2a～图2g所示，在本实施方式中，金属像素电极120形成于绝缘介质层150远离透明衬底110的一侧，并通过源极120’连接于有源层孤岛161，多个金属像素电极120分别位于阵列的多个像素单元中。具体而言，每个金属像素电极120包括第一层和第二层，依次设于绝缘介质层150的远离透明衬底110的一侧，且第二层的材质的反射率大于第一层的材质的反射率。优选地，第一层的材质可选用钼，第二的材质可选用铝或铜。即，本实用新型的金属像素电极120采用双层结构，替代现有的“钼/铝/钼”的结构，提升了金属像素电极120的反射率，使其满足显示装置对其像素电极所需的高反射率的要求。

如图1和图2a～图2g所示，在本实施方式中，多条数据线180设于绝缘介质层150远离透明衬底110的一侧，每条数据线180连接于相对应的一个漏极180’，且各条数据线180的分别具有连接端181，数据线180通过该连接端181与外部电路的引线200连接，以供输入像素电压信号。需要说明的是，为了便于显示和理解，在各制造工艺流程示意图中，例如图2d，连接端181是以与数据线180平行间隔的方式示出的，然而图示的含义仅为示例性的，结合本实施方式的具体说明和图1所示，可知连接端181是属于数据线180的一部分，即两者为一体结构。因此，工艺流程示意图中示出的连接端181可以理解为，为了图示的便利，将一根数据线180的连接端181通过弯折变形，与该数据线180界定的像素单元的其他结构共同显示在同一个方向截取的视图中，特此说明。

进一步地，如图1和图2a～图2g所示，在本实施方式中，绝缘介质层150的远离透明衬底110的一侧设有绝缘保护层170，且该绝缘保护层170同时覆盖各金属像素电极120、源极120’、数据线180和漏极180’。据此，在提升金属像素电极120的反射率的同时，克服现有纯铝制程产线中存在的工艺限制。

优选地，在本实施方式中，上述绝缘保护层170的厚度可以选择为使绝缘保护层170在避免金属像素电极120的第二层受到氧化、划伤等不利影响的同时，进一步降低结构的厚度，适应显示器薄型化的要求。

如图1和图2g所示，在本实施方式中，181绝缘保护层170上还开设有多个公共线过孔172，分别对应于多根公共线130(或其延伸线)。以供相邻的公共线130通过公共电极连接线131连通。优选地，在本实施方式中，公共线过孔172过度刻蚀于公共线130，而使公共线130位于公共线过孔172的底部。另外，公共线过孔172设有导电膜，以实现公共线连接线131连接相邻的公共线130。

如图1和图2a～图2g所示，在本实施方式中，绝缘保护层170上还开设有多组引线过孔171，每组引线过孔171分别对应于一条数据线180的连接端181，以供引线200与数据线180导通。具体而言，每组引线过孔171的数量可以为多个(本实施方式中以三个为例)，例如图1示出的三个，且同组的引线过孔171对应于同一条数据线180的连接端181，以供引线200通过引线过孔171与数据线180的连接端181导通，即实现外部电路与数据线180的导通。优选地，在本实施方式中，引线过孔171过度刻蚀于连接端181，而使连接端181位于引线过孔171的底部。另外，引线过孔171设有导电膜173，以实现连接端181与引线200的导通。

进一步地，在本实施方式中，数据线180的连接端181可采用与金属像素电极120类似的双层结构。即，连接端181包括依次设于绝缘介质层150远离透明衬底110的一侧的第一层和第二层，且第二层的反射率大于第一层。其中，第一层的材质优选为钼，第二层的材质优选为铝或铜。如图2g所示，在本实施方式中，引线过孔171过度刻蚀于连接端181的第二层，而使连接端181位于引线过孔171的底部，以去除其第二层上可能存在的氧化层。

优选地，在本实施方式中，上述公共线过孔172和引线过孔171的导电膜173的材质可以选择为钼，或可选择其他材质，亦或选择不同的材质，并不以此为限。

另外，为了配合理解，如图2a～图2g所示，本实用新型提出的阵列基板的制作工艺流程大致如下：

如图2a所示，在透明衬底110上按常规工艺形成公共线130和栅线140；如图2b所示，依次镀膜，图中由下至上分别为绝缘介质层150和有源层160；如图2c所示，将有源层160刻蚀形成有源层孤岛161；如图2d所示，采用双层结构形成金属像素电极120，同时形成源极120’(与金属像素电极为一体结构)，并形成常规的数据线180和漏极180’(两者为一体结构)，且在数据线180的端部形成有连接端181；如图2e所示，形成绝缘保护层170；如图2f所示，于绝缘保护层170上刻蚀出引线过孔171和公共线过孔172，并过度刻蚀连接端181的第二层，去掉可能存在的氧化层；如图2g所示，在上述引线过孔171中形成有导电膜，实现引线200经由引线过孔171与连接端181的连接，即实现外部电路与数据线180的连接。同时，在上述公共线过孔172中形成有导电膜，实现公共线连接线131经由公共线过孔172连接相邻的两条公共线130。

在此应注意，附图中示出而且在本说明书中描述的阵列基板100仅仅是能够采用本实用新型原理的许多种阵列基板100中的一个示例。应当清楚地理解，本实用新型的原理绝非仅限于附图中示出或本说明书中描述的阵列基板100的任何细节或阵列基板100的任何部件。

显示装置实施方式

参阅图3，图3中代表性地示出了能够体现本实用新型的原理的显示装置的局部剖视示意图，并具体表示该显示装置的阵列基板100与CF基板300的组合结构。在该示例性实施方式中，本实用新型提出的显示装置是以TFT-LCD显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)为例进行说明的。本领域技术人员容易理解的是，在本实用新型提出的显示装置的原理基础上，对下述的具体实施方式做出的各种改型、添加、替代、删除或其他变化，均应在本实用新型提出的显示装置的原理的范围内。

如图3所示，在本实施方式中，本实用新型提出的显示装置主要包括阵列基板100和CF基板(Color Filter)，且该阵列基板100采用本实用新型提出的阵列基板100。综上所述，本实用新型提出的阵列基板，通过其金属像素电极采用双层结构，替代现有工艺的“钼/铝/钼”的结构，即利用金属像素电极第一层作为反射面，提升其反射率，使其满足全反射显示器对其像素电极所需的高反射率的要求。同时，上述结构能够克服现有纯铝制程产线中存在的工艺限制，无需设置氧化铟锡层，避免氧化铟锡与铝的直接接触而导致的势垒大、电阻高的问题，使铝不易氧化，解决铝和氧化铟锡的接触问题。另外，采用本实用新型提出的阵列基板，无需设计像素过孔，降低PI涂覆不良的发生概率。

以上详细地描述和/或图示了本实用新型提出的阵列基板及具有该阵列基板的显示装置的示例性实施方式。但本实用新型的实施方式不限于这里所描述的特定实施方式，相反，每个实施方式的组成部分和/或步骤可与这里所描述的其它组成部分和/或步骤独立和分开使用。一个实施方式的每个组成部分和/或每个步骤也可与其它实施方式的其它组成部分和/或步骤结合使用。在介绍这里所描述和/或图示的要素/组成部分/等时，用语“一个”、“一”和“上述”等用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等。术语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。

虽然已根据不同的特定实施例对本实用新型提出的阵列基板及具有该阵列基板的显示装置进行了描述，但本领域技术人员将会认识到可在权利要求的精神和范围内对本实用新型的实施进行改动。