一种新型偏光片的制作方法

本实用新型属于偏光片技术领域，尤其涉及一种新型偏光片。

背景技术：

3D显示器件的薄型化及轻量化已经成为未来的发展趋势，显示器件的薄 型化可以通过化学刻蚀工艺进行玻璃基板薄化，或者通过化学机械研磨实现显 示器面板薄化。但是化学刻蚀容易造成化学污染，还不容易控制玻璃基板的表 面均匀性，化学机械研磨又存在破坏面板内部结构的风险，而且在实际生产中 上述两种方法实现显示器件薄型化的生产效率较低，投入的成本较高。因此，现有技术中存在着3D显示器件薄型化及轻量化的生产成本高、效率低的技术问题。亟需一种操作简单，成本较低，效率较高的方法来实现3D显示器件的薄型化及轻量化。

技术实现要素：

本实用新型为解决公知技术存在的技术问题而提供一种新型偏光片。

本实用新型为解决公知技术存在的技术问题所采取的技术方案是：一种新型偏光片，包括偏光片层、第一保护层、第一粘合层、第一剥离层、第二保护层、第二粘合层和第二剥离层，所述第一保护层设置于偏光片层的上表面，所述第一粘合层设置于第一保护层的上表面，所述第一剥离层设置于第一粘合层的上表面，所述偏光片层的下表面设置有第二保护层，所述第二保护层的下表面设置有第二粘合层，所述第二粘合层的下表面设置有第二剥离层，所述第一剥离层的下表面设置有凹槽，所述凹槽上设置有多个隔条。

进一步的，所述隔条等间距设置于凹槽中，并且所述隔条的上端为圆弧形结构。

进一步的，所述偏光片层、第一保护层、第一粘合层、第一剥离层、第二保护层、第二粘合层和第二剥离层均为矩形结构，且大小完全相同。

进一步的，所述偏光片层的厚度大于第一保护层和第二保护层的厚度，所述第一保护层和第二保护层的厚度大于第一粘合层和第二粘合层的厚度，所述第一粘合层和第二粘合层的厚度大于第一剥离层和第二剥离层的厚度。

进一步的，所述第一粘合层和所述第二粘合层的材料为压敏粘合剂PSA或光学粘合剂OCA。

进一步的，所述隔条的上端与第一剥离层的下表面齐平。

本实用新型具有的优点和积极效果如下：

1. 本实用新型通过在第一剥离层的下表面设置凹槽，并在凹槽内设置多个等间距设置的隔条，使得第一剥离层与第一粘和层的接触面积减少，并且存在间隙，使得第一剥离层更易剥离，避免出现剥离时出现第一剥离层断裂等情况发生。

2.本实用新型通过设置隔条的上端设置为圆弧形结构，进一步降低第一剥离层与第一粘合层的接触面积，便于剥离。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的装置分层示意图；

图2是本实用新型实施例提供的装置截面示意图；

图3是本实用新型实施例提供的第一剥离层示意图；

图4是本实用新型实施例提供的第一剥离层剖视图。

图中：1、偏光片层；2、第一保护层；3、第一粘合层；4、第一剥离层；5、第二保护层；6、第二粘合层；7、第二剥离层；8、隔条；9、凹槽。

具体实施方式

为能进一步了解本实用新型的发明内容、特点及功效，兹列举以下实施例，并配合附图详细说明如下。

下面结合图1-4对本实用新型的新型偏光片的结构作详细的描述：一种新型偏光片，包括偏光片层1、第一保护层2、第一粘合层3、第一剥离层4、第二保护层5、第二粘合层6和第二剥离层7，所述第一保护层2设置于偏光片层1的上表面，所述第一粘合层3设置于第一保护层2的上表面，所述第一剥离层4设置于第一粘合层3的上表面，所述偏光片层1的下表面设置有第二保护层5，所述第二保护层5的下表面设置有第二粘合层6，所述第二粘合层6的下表面设置有第二剥离层7，所述第一剥离层4的下表面设置有凹槽9，该凹槽9上设置有多个隔条8，所述隔条8等间距设置于凹槽9中，并且所述隔条8的上端为圆弧形结构，所述偏光片层1、第一保护层2、第一粘合层3、第一剥离层4、第二保护层5、第二粘合层6和第二剥离层7均为矩形结构，且大小完全相同，所述偏光片层1的厚度大于第一保护层2和第二保护层5的厚度，所述第一保护层2和第二保护层5的厚度大于第一粘合层3和第二粘合层6的厚度，所述第一粘合层3和第二粘合层6的厚度大于第一剥离层4和第二剥离层7的厚度，所述第一粘合层4和所述第二粘合层7的材料为压敏粘合剂PSA或光学粘合 剂OCA，所述隔条8的上端与第一剥离层4的下表面齐平。

工作原理：使用时，撕掉下偏光片的第一剥离层4和第二剥离层7，直接将偏光片的第一粘合层3贴合在TFT玻璃靠近背光源的一侧的表面、将第二粘合层6贴合在图形反射结构远离背光源的一侧的表面上即可，本实用新型通过在第一剥离层的下表面设置凹槽，并在凹槽内设置多个等间距设置的隔条，使得第一剥离层与第一粘和层的接触面积减少，并且存在间隙，使得第一剥离层更易剥离，避免出现剥离时出现第一剥离层断裂等情况发生，本实用新型通过设置隔条的上端设置为圆弧形结构，进一步降低第一剥离层与第一粘合层的接触面积，便于剥离。

以上所述仅是对本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改，等同变化与修饰，均属于本实用新型技术方案的范围内。