显示装置的制作方法

本发明的示例性实施例涉及一种显示装置。

背景技术：

液晶显示器(“lcd”)是使用最广泛的平板显示器之一，lcd通常包括设置有诸如像素电极和共电极的场产生电极的一对面板以及插置在所述一对面板之间的液晶(“lc”)层。lcd通过分别向场产生电极施加电压以在lc层中产生确定其中的lc分子的取向的电场从而调整入射光的偏振来显示图像。

lcd可以包括已经开发的垂直取向(“va”)模式lcd，该垂直取向(“va”)模式lcd在不产生电场时将lc分子取向为使得lc分子的长轴垂直于所述一对面板。

在va模式lcd中，重要的是确保宽视角，为此目的，已经研究了通过将一个像素分成多个域并且使lc在每个域中倾斜所沿的方向不同来实现多域的方法。在每个域中，多个微分支在彼此不同的方向上延伸，并且lc的倾斜由多个微分支的延伸方向来确定。

技术实现要素：

微分支的位于每个像素的边缘处的端部具有控制液晶(“lc”)的较弱的力，因此存在端部会导致不期望的纹理问题的问题。

示例性实施例提供了一种通过在像素的边缘上改善lc的控制力来防止纹理的产生的显示装置。

根据示例性实施例的显示装置包括：基底；第一布线和第二布线，位于基底上；薄膜晶体管(“tft”)，连接到第一布线和第二布线；像素电极，连接到tft，所述像素电极包括横向分支部、纵向分支部、从横向分支部和纵向分支部延伸的微分支以及连接微分支的端部并且邻近于存储电极线的外侧分支部，其中，从外侧分支部的至少一侧的中心部到第一布线的至少一侧的最短距离与从外侧分支部的所述至少一侧的边缘部到第一布线的所述至少一侧的最短距离不同。

根据示例性实施例的显示装置还包括邻近于像素电极的外侧分支部的存储电极线，从外侧分支部的所述至少一侧的中心部到存储电极线的至少一侧的最短距离可以与从外侧分支部的所述至少一侧的边缘部到存储电极线的所述至少一侧的最短距离不同。

在示例性实施例中，存储电极线可以与第一布线叠置并且在平行于第一布线的方向上延伸。

在示例性实施例中，tft可以包括栅电极、源电极和漏电极，第一布线可以是连接到栅电极的栅极线，第二布线可以是连接到源电极的数据线。

在示例性实施例中，tft可以包括栅电极、源电极和漏电极，第一布线可以是连接到源电极的数据线，第二布线可以是连接到栅电极的栅极线。

在示例性实施例中，存储电极线的宽度可以是均匀的，外侧分支部的宽度可以从外侧分支部的中心部朝向外侧分支部的边缘部逐渐减小。

在示例性实施例中，外侧分支部可以包括邻近于存储电极线的第一侧和连接到微分支的第二侧，外侧分支部的第一侧与存储电极线之间的距离可以从外侧分支部的中心部朝向外侧分支部的边缘部逐渐增大。

在示例性实施例中，外侧分支部的第二侧与存储电极线之间的距离可以是均匀的。

在示例性实施例中，外侧分支部的第二侧与存储电极线之间的距离可以从外侧分支部的中心部朝向外侧分支部的边缘部逐渐减小。

在示例性实施例中，外侧分支部可以包括邻近于存储电极线的第一侧和连接到微分支的第二侧，外侧分支部的第二侧与存储电极线之间的距离可以从外侧分支部的中心部朝向外侧分支部的边缘部逐渐减小。

在示例性实施例中，外侧分支部的第一侧与存储电极线之间的距离可以是均匀的。

在示例性实施例中，还可以包括位于外侧分支部与存储电极线之间的虚设分支部，虚设分支部的宽度可以是均匀的，虚设分支部和外侧分支部可以延伸成平行。

在示例性实施例中，外侧分支部可以包括邻近于存储电极线的第一侧和连接到微分支的第二侧，外侧分支部的第一侧与存储电极线之间的距离可以从外侧分支部的中心部朝向外侧分支部的边缘部逐渐增大。

在示例性实施例中，外侧分支部的第二侧与存储电极线之间的距离可以是均匀的。

在示例性实施例中，外侧分支部的第二侧与存储电极线之间的距离可以从外侧分支部的中心部朝向外侧分支部的边缘部逐渐减小。

在示例性实施例中，外侧分支部可以包括邻近于存储电极线的第一侧和连接到微分支的第二侧，外侧分支部的第二侧与存储电极线之间的距离可以从外侧分支部的中心部朝向外侧分支部的边缘部逐渐减小。

在示例性实施例中，外侧分支部的第一侧与存储电极线之间的距离可以是均匀的。

在示例性实施例中，存储电极线的宽度可以从存储电极线的中心部朝向存储电极线的边缘部逐渐增大。

在示例性实施例中，外侧分支部的宽度可以从外侧分支部的中心部朝向外侧分支部的边缘部逐渐减小。

在示例性实施例中，外侧分支部与存储电极线之间的距离可以是均匀的。

在示例性实施例中，外侧分支部的宽度可以是均匀的，存储电极线的宽度可以从存储电极线的中心部朝向存储电极线的边缘部逐渐增大。

在示例性实施例中，外侧分支部与存储电极线之间的距离可以是均匀的。

在示例性实施例中，外侧分支部的宽度可以是均匀的，存储电极线的宽度可以是均匀的。

在示例性实施例中，外侧分支部与存储电极线之间的距离可以从外侧分支部的中心部朝向外侧分支部的边缘部逐渐增大。

根据示例性实施例的显示装置包括：基底；第一布线和第二布线，位于基底上；tft，连接到第一布线和第二布线；像素电极，连接到tft，其中，像素电极包括横向分支部、纵向分支部、从横向分支部和纵向分支部延伸的微分支、连接微分支的端部并且邻近于存储电极线的外侧分支部以及位于外侧分支部与存储电极线之间的虚设分支部，其中，从虚设分支部的至少一侧的中心部到第一布线的至少一侧的最短距离与从虚设分支部的所述至少一侧的边缘部到第一布线的所述至少一侧的最短距离不同。

在示例性实施例中，根据示例性实施例的显示装置还可以包括邻近于像素电极的外侧分支部的存储电极线，从虚设分支部的所述至少一侧的中心部到存储电极线的至少一侧的最短距离与从虚设分支部的所述至少一侧的边缘部到存储电极线的所述至少一侧的最短距离不同。

在示例性实施例中，存储电极线可以与第一布线叠置并且可以在平行于第一布线的方向上延长。

在示例性实施例中，tft可以包括栅电极、源电极和漏电极，第一布线可以是连接到栅电极的栅极线，第二布线可以是连接到源电极的数据线。

在示例性实施例中，tft可以包括栅电极、源电极和漏电极，第一布线可以是连接到源电极的数据线，第二布线可以是连接到栅电极的栅极线。

在示例性实施例中，存储电极线的宽度可以是均匀的，虚设分支部的宽度可以从虚设分支部的中心部朝向虚设分支部的边缘部逐渐减小。

在示例性实施例中，虚设分支部可以包括邻近于存储电极线的第一侧和面对第一侧的第二侧，虚设分支部的第一侧与存储电极线之间的距离可以从虚设分支部的中心部朝向虚设分支部的边缘部逐渐增大。

在示例性实施例中，虚设分支部的第二侧与存储电极线之间的距离可以是均匀的。

在示例性实施例中，虚设分支部的第二侧与存储电极线之间的距离可以从虚设分支部的中心部朝向虚设分支部的边缘部逐渐减小。

在示例性实施例中，虚设分支部可以包括邻近于存储电极线的第一侧和面对第一侧的第二侧，虚设分支部的第二侧与存储电极线之间的距离可以从虚设分支部的中心部朝向虚设分支部的边缘部逐渐减小。

在示例性实施例中，虚设分支部的第一侧与存储电极线之间的距离可以是均匀的。

在示例性实施例中，存储电极线的宽度可以从存储电极线的中心部朝向存储电极线的边缘部逐渐增大。

在示例性实施例中，虚设分支部的宽度可以是均匀的，外侧分支部的宽度可以从外侧分支部的中心部朝向外侧分支部的边缘部逐渐减小。

在示例性实施例中，虚设分支部与存储电极线之间的距离可以是均匀的，虚设分支部与外侧分支部之间的距离可以是均匀的。

在示例性实施例中，虚设分支部的宽度可以是均匀的，外侧分支部的宽度可以是均匀的，存储电极线的宽度可以从存储电极线的中心部朝向存储电极线的边缘部逐渐增大。

在示例性实施例中，虚设分支部与存储电极线之间的距离可以是均匀的，虚设分支部与外侧分支部之间的距离可以是均匀的。

在示例性实施例中，虚设分支部的宽度可以是均匀的，外侧分支部的宽度可以是均匀的，存储电极线的宽度可以是均匀的。

在示例性实施例中，虚设分支部与存储电极线之间的距离可以从虚设分支部的中心部朝向虚设分支部的边缘部逐渐增大。

在示例性实施例中，虚设分支部与外侧分支部之间的距离可以是均匀的。

根据示例性实施例的显示装置包括：基底；第一布线和第二布线，位于基底上；tft，连接到第一布线和第二布线；像素电极，连接到tft，其中，像素电极包括横向分支部、纵向分支部、从横向分支部和纵向分支部延伸的多个微分支以及连接多个微分支中的邻近于第一布线的一部分的端部的外侧分支部，多个微分支中的其余的端部不连接到外侧分支部。

在示例性实施例中，根据示例性实施例的显示装置还可以包括邻近于像素电极的外侧分支部的存储电极线。

在示例性实施例中，存储电极线可以与第一布线叠置并且可以在平行于第一布线的方向上延长。

在示例性实施例中，tft可以包括栅电极、源电极和漏电极，第一布线可以是连接到栅电极的栅极线，第二布线可以是连接到源电极的数据线。

在示例性实施例中，tft可以包括栅电极、源电极和漏电极，第一布线可以是连接到源电极的数据线，第二布线可以是连接到栅电极的栅极线。

在示例性实施例中，外侧分支部可以连接到邻近于纵向分支部的多个微分支。

在示例性实施例中，还可以包括位于外侧分支部与存储电极线之间的虚设分支部。

在示例性实施例中，外侧分支部可以连接到邻近于纵向分支部的多个微分支。

在示例性实施例中，虚设分支部可以连接到邻近于纵向分支部的多个微分支，外侧分支部可以与未连接到虚设分支部的多个微分支连接。

在示例性实施例中，从外侧分支部的至少一侧的中心部到存储电极线的至少一侧的最短距离可以与从外侧分支部的所述至少一侧的边缘部到存储电极线的所述至少一侧的最短距离不同。

在示例性实施例中，还可以包括位于外侧分支部与存储电极线之间的虚设分支部，从虚设分支部的至少一侧的中心部到存储电极线的至少一侧的最短距离可以与从虚设分支部的所述至少一侧的边缘部到存储电极线的所述至少一侧的最短距离不同。

在示例性实施例中，根据示例性实施例的显示装置包括：基底；第一布线和第二布线，位于基底上；tft，连接到第一布线和第二布线；像素电极，连接到tft，其中，像素电极包括横向分支部、纵向分支部、从横向分支部和纵向分支部延伸的微分支以及连接微分支的端部并且邻近于第一布线的外侧分支部，其中，横向分支部的中心部的宽度与横向分支部的边缘部的宽度不同。

在示例性实施例中，根据示例性实施例的显示装置还可以包括邻近于像素电极的外侧分支部的存储电极线。

在示例性实施例中，存储电极线可以与第一布线叠置并且可以在平行于第一布线的方向上延长。

在示例性实施例中，tft可以包括栅电极、源电极和漏电极，第一布线可以是连接到栅电极的栅极线，第二布线可以是连接到源电极的数据线。

在示例性实施例中，tft可以包括栅电极、源电极和漏电极，第一布线可以是连接到源电极的数据线，第二布线可以是连接到栅电极的栅极线。

在示例性实施例中，横向分支部的宽度可以从横向分支部的中心部朝向横向分支部的边缘部逐渐减小。

在示例性实施例中，纵向分支部的宽度可以从纵向分支部的中心部朝向纵向分支部的边缘部逐渐减小。

在示例性实施例中，纵向分支部的宽度可以从纵向分支部的中心部朝向纵向分支部的边缘部逐渐减小。

在示例性实施例中，横向分支部的宽度可以从横向分支部的中心部到位于横向分支部的中心部与边缘部之间的区域逐渐减小。

在示例性实施例中，纵向分支部的宽度可以从纵向分支部的中心部到位于纵向分支部的中心部与边缘部之间的区域逐渐减小。

在示例性实施例中，纵向分支部的宽度可以从纵向分支部的中心部到位于纵向分支部的中心部与边缘部之间的区域逐渐减小。

在示例性实施例中，从外侧分支部的至少一侧的中心部到存储电极线的至少一侧的最短距离可以与从外侧分支部的所述至少一侧的边缘部到存储电极线的所述至少一侧的最短距离不同。

在示例性实施例中，还可以包括位于外侧分支部与存储电极线之间的虚设分支部，从虚设分支部的至少一侧的中心部到存储电极线的至少一侧的最短距离可以与从虚设分支部的所述至少一侧的边缘部到存储电极线的所述至少一侧的最短距离不同。

根据示例性实施例，因为可以在像素的边缘上改善lc的控制力，所以可以防止纹理的产生。

附图说明

通过参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例，本公开的上述和其它的示例性实施例、优点和特征将变得更加清楚，在附图中：

图1是显示装置的示例性实施例的平面图。

图2是沿图1的线ii-ii和线ii'-ii'截取的剖视图。

图3是示出显示装置的示例性实施例的一个层的平面图。

图4是示出图3的部分区域的平面图。

图5是示出显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图6是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图7是示出显示装置的一个层的示例性实施例的平面图。

图8是图7的部分区域的示例性实施例的平面图。

图9是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图10是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图11是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图12是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图13是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图14是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图15是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图16是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图17是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图18是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图19是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图20是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图21是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图22是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图23是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图24是显示装置的部分层的部分区域的示例性实施例的平面图。

图25是显示装置的部分层的示例性实施例的平面图。

图26是显示装置的部分层的示例性实施例的平面图。

图27是显示装置的部分层的示例性实施例的平面图。

图28是显示装置的部分层的示例性实施例的平面图。

图29是显示装置的部分层的示例性实施例的平面图。

图30是显示装置的部分层的示例性实施例的平面图。

图31是显示装置的部分层的示例性实施例的平面图。

图32是显示装置的部分层的示例性实施例的平面图。

图33是显示装置的示例性实施例的平面图。

图34是显示装置的部分层的示例性实施例的平面图。

图35是显示装置的示例性实施例的平面图。

图36是显示装置的部分层的示例性实施例的平面图。

图37是显示装置的示例性实施例的平面图。

图38是显示装置的部分层的示例性实施例的平面图。

具体实施方式

在下文中将参照附图更充分地描述示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的是，可以以各种不同的形式来修改描述的实施例，而都不脱离本发明的精神或范围。

附图和说明在本质上被认为是说明性的而不是限制性的，在整个说明书中，同样的附图标记表示同样的元件。

在附图中，为了便于描述，任意示出了每个元件的尺寸和厚度，本发明不必受限于如附图中所示出的。在附图中，为清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了便于描述，夸大了层和区域的厚度。

将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上或者也可存在中间元件。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。此外，在说明书中，词语“在……上”或“在……上面”意为位于目标部分上或位于目标部分下，但不必意为基于重力方向位于目标部分的上侧上。

此外，除非明确地相反地描述，否则词语“包括”及其变型将被理解为意味着包含所述元件，但不排除任何其它元件。

另外，在本说明书中，短语“在平面上”意指从顶部观看目标部分，短语“在剖面上”意指从侧面观看通过竖直切割目标部分而形成的剖面。

将理解的是，虽然在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语所限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离在这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

这里使用的术语仅是出于描述特定实施例的目的，并非意图限制。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的“一个(种/者)”和“该/所述”(包括“至少一个(种/者)”)意图包括复数形式。“或”意指“和/或”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。

此外，可以在这里使用诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语，以描述如在图中所示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语意在包含装置的除了在附图中描绘的方位之外的不同方位。在示例性实施例中，当翻转附图之一中的装置时，描述为在其它元件的“下”侧上的元件将然后被定位为在其它元件的“上”侧上。因此，根据附图的具体方位，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”两种方位。相似地，当翻转附图之一中的装置时，描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件将然后被定位为“在”其它元件“上方”。示例性术语“在……下方”或“在……之下”可以因此包括上方和下方两种方位。

如在这里使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并意味着：考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，在如由本领域的普通技术人员确定的具体值的可接受的偏差范围之内。例如，“大约”可以意指在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％之内。

除非另有定义，否则这里使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在这里明确地如此定义，否则术语(诸如在通用的字典中定义的术语)应被解释为具有与相关领域的环境中和本发明中它们的意思一致的意思，并且将不以理想或过于形式化的含义来解释。

在这里参照作为理想化实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。如此，将预计由例如制造技术和/或公差导致的示出的形状的变化。因此，在这里描述的实施例不应被解释为局限于如在此示出的区域的具体形状，而将包括例如由制造引起的形状的偏差。在示例性实施例中，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以是倒圆的。因此，在图中示出的区域实际上是示意性的，其形状不意图示出区域的精确形状，且不意图限制权利要求的范围。

现在，将参照图1和图2以及其它附图描述根据示例性实施例的显示装置。

图1是根据示例性实施例的显示装置的平面图，图2是沿图1的线ii-ii和线ii'-ii'截取的剖视图。

如图1和图2所示，根据示例性实施例的显示装置包括彼此面对的显示面板(下面板)100和显示面板(上面板)200以及插置在两个显示面板100和200之间的液晶(“lc”)层3。

首先，将描述下面板100。

在示例性实施例中，栅极线121和从栅极线121突出的栅电极124位于包括例如透明玻璃或塑料的绝缘基底110上。

栅极线121传输栅极信号，并且主要在横向方向上延伸。在平面上，栅电极124从栅极线121向下突出，但本发明不限于此。栅极线121的延伸方向、栅电极124的突出方向以及栅极线121和栅电极124的形状可以进行各种改变。栅极线121和栅电极124可以包括低电阻金属材料。栅极线121和栅电极124位于同一层中并且可以被设置为单层或多层。

栅极绝缘层140位于栅极线121和栅电极124上。在示例性实施例中，栅极绝缘层140可以包括诸如氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)等的无机绝缘材料。

半导体层154位于栅极绝缘层140上。半导体层154与栅电极124叠置。在示例性实施例中，半导体层154可以包括例如非晶硅、多晶硅、金属氧化物等。

欧姆接触件(未示出)还可以位于半导体层154上。在示例性实施例中，欧姆接触件可以包括诸如硅化物或掺杂有高浓度n型杂质的n+氢化非晶硅的材料。

数据线171、从数据线171突出的源电极173以及与源电极173分隔开的漏电极175位于半导体层154和栅极绝缘层140上。

数据线171主要在纵向方向上延伸并且传输数据信号。数据线171可以与栅极线121交叉。源电极173在栅电极124上从数据线171突出。源电极173和漏电极175与栅电极124叠置。源电极173和漏电极175在栅电极124上彼此分隔开。源电极173可以弯曲为“u”形。漏电极175包括一个宽的端部和一个具有条形的端部。漏电极175的条形的端部可以被源电极173包围。数据线171的延伸方向以及源电极173和漏电极175的形状可以进行各种改变。数据线171、源电极173和漏电极175可以包括低电阻金属材料。数据线171、源电极173和漏电极175位于同一层中，并且可以被设置为单层或多层。

栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体层154一起形成一个薄膜晶体管(“tft”)。在这种情况下，tft的沟道设置在源电极173与漏电极175之间的半导体层154中。

钝化层180位于数据线171、源电极173、漏电极175和半导体层154上。钝化层180可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料，并且可以设置为单层或多层。

接触孔185被限定在钝化层180中。接触孔185与漏电极175的至少一部分叠置。具体地，接触孔185可以与漏电极175的宽的端部叠置。

滤色器230可以位于钝化层180与栅极绝缘层140之间。在示例性实施例中，滤色器230可以显示诸如红、绿和蓝的三原色的原色中的一种。然而，由滤色器230显示的颜色不限于红、绿和蓝的三原色，例如可以显示青、品红、黄和白色系颜色中的一种。

然而，示出的示例性实施例不限于此，滤色器230可以设置在上面板200中。在这种情况下，滤色器230可以位于基底210与覆盖件240之间。

存储电极线199和与存储电极线199分隔开的像素电极191位于钝化层180上。在示例性实施例中，存储电极线199和像素电极191可以包括诸如氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)等的透明金属氧化物。存储电极线199和像素电极191可以位于同一层中。

存储电极线199在横向方向和纵向方向上延伸，并且传输存储电压。存储电极线199可以与栅极线121和数据线171叠置。

像素电极191可以通过接触孔185物理地且电气地连接到漏电极175。当tft导通时，像素电极191通过漏电极175接收数据信号。

接下来，将参照图3和图4详细描述像素电极191的形状。

图3是示出根据示例性实施例的显示装置的一个层的平面图，图4是示出图3的部分区域的平面图。图3示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极和存储电极线。图4示出了部分lu，所述部分lu包括根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

像素电极191的整体形状是四边形，像素电极191包括彼此相交的横向分支部192和纵向分支部193以及从横向分支部192和纵向分支部193延伸的微分支部194。

横向分支部192可以在基本横向的方向(例如，图3中的水平方向)上延伸，并且可以平行于栅极线121，纵向分支部193可以在基本纵向的方向(例如，图3中的竖直方向)上延伸，并且可以平行于数据线171。像素电极191被横向分支部192和纵向分支部193划分成四个子区域。

微分支部194从横向分支部192和纵向分支部193倾斜地延伸，并且延伸方向可以相对于栅极线121或横向分支部192形成约45度或约135度的角度。在四个子区域中，微分支部194在一个子区域内从横向分支部192或者纵向分支部193沿左上方向倾斜地延伸，微分支部194在另一子区域内从横向分支部192或者纵向分支部193沿右上方向倾斜地延伸。另外，微分支部194在又一子区域内从横向分支部192或者纵向分支部193沿左下方向倾斜地延伸，微分支部194在最后的子区域内从横向分支部192或者纵向分支部193沿右下方向倾斜地延伸。两个相邻的子区域的微分支部194的延伸方向可以交叉。

像素电极191还可以包括连接微分支部194的端部的外侧分支部195。外侧分支部195可以主要沿横向方向延伸。因此，外侧分支部195可以位于像素电极191的上边缘和下边缘上。然而，本发明不限于此，外侧分支部195还可以位于像素电极191的左边缘和右边缘上，而位于像素电极191的左边缘和右边缘上的外侧分支部195可以沿纵向方向延伸。

外侧分支部195邻近于存储电极线199并与存储电极线199分隔开预定的间隔。从外侧分支部195的至少一侧的中心部到存储电极线199的至少一侧的距离与从外侧分支部195的所述至少一侧的边缘部到存储电极线199的所述至少一侧的距离不同。另外，沿横向方向，外侧分支部195的宽度是不均匀的，存储电极线199的宽度是均匀的。

外侧分支部195包括邻近于存储电极线199的第一侧195a和与第一侧195a面对的第二侧195b。第二侧195b连接到微分支部194，第二侧195b与微分支部194之间的边界由假想线表示。外侧分支部195与纵向分支部193交汇的位置可以是外侧分支部195的中心部。另外，沿横向方向距纵向分支部193最远的位置可以是外侧分支部195的边缘部。外侧分支部195的宽度意为第一侧195a与第二侧195b之间的距离。存储电极线199包括邻近于外侧分支部195的第一侧199a和面对第一侧199a的第二侧199b。存储电极线199的宽度意为第一侧199a与第二侧199b之间的距离。

从外侧分支部195的第一侧195a的中心部到存储电极线199的距离sco1c与从外侧分支部195的第一侧195a的边缘部到存储电极线199的距离seo1c不同。从外侧分支部195的第一侧195a的中心部到存储电极线199的距离sco1c意为从外侧分支部195的第一侧195a的中心部到存储电极线199的第一侧199a的最短距离。从外侧分支部195的第一侧195a的边缘部到存储电极线199的距离seo1c意为从外侧分支部195的第一侧195a的边缘部到存储电极线199的第一侧199a的最短距离。从外侧分支部195的第一侧195a的中心部到存储电极线199的距离sco1c比从外侧分支部195的第一侧195a的边缘部到存储电极线199的距离seo1c短。外侧分支部195的第一侧195a与存储电极线199之间的距离从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐增大。外侧分支部195的第一侧195a设置成相对于存储电极线199倾斜的形状。

从外侧分支部195的第二侧195b的中心部到存储电极线199的距离sco2c与从外侧分支部195的第二侧195b的边缘部到存储电极线199的距离seo2c基本相同。从外侧分支部195的第二侧195b的中心部到存储电极线199的距离sco2c意为从外侧分支部195的第二侧195b的中心部到存储电极线199的第一侧199a的最短距离。从外侧分支部195的第二侧195b的边缘部到存储电极线199的距离seo2c意为从外侧分支部195的第二侧195b的边缘部到存储电极线199的第一侧199a的最短距离。外侧分支部195的第二侧195b与存储电极线199之间的距离沿横向方向是均匀的。

外侧分支部195的中心部的宽度wco与外侧分支部195的边缘部的宽度weo不同。外侧分支部195的中心部的宽度wco大于外侧分支部195的边缘部的宽度weo。外侧分支部195的宽度从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。

在示出的示例性实施例中，由于外侧分支部195的宽度根据位置而不同，并且外侧分支部195的一侧具有相对于存储电极线199倾斜的形状，所以可以在外侧分支部195与存储电极线199之间产生横向方向的电场(侧向场)。因此，在微分支部194的端部上可以改善lc的控制力，并且在像素电极191的边缘上可以防止纹理。

存储电极线199可以与栅极线121叠置，并且可以延伸为在与栅极线121平行的方向上延长。存储电极线199可以设置成与栅极线121的形状大致相似的形状。因此，从外侧分支部195的至少一侧的中心部到栅极线121的至少一侧的最短距离可以与从外侧分支部195的所述至少一侧的边缘部到栅极线121的所述至少一侧的最短距离不同。在示例性实施例中，例如，从外侧分支部195的第一侧195a的中心部到栅极线121的距离可以比从外侧分支部195的第一侧195a的边缘部到栅极线121的距离短。外侧分支部195的第一侧195a与栅极线121之间的距离可以从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐增大。

接下来，将描述上面板200。

光阻挡构件220可以位于包括透明玻璃或塑料的绝缘基底210上。光阻挡构件220可以与像素电极191的边缘、tft、栅极线121和数据线171叠置。光阻挡构件220被称为黑矩阵并且防止光泄露。

覆盖件240位于光阻挡构件220上。覆盖件240使位于覆盖件240下的构成元件平坦化，并且抑制lc层3被流自构成元件的有机材料污染，从而防止在驱动期间可能产生的诸如余像的缺陷。

共电极270位于覆盖件240上。共电极270可以设置在基底210的整个表面上。在示例性实施例中，共电极270可以包括诸如ito、izo等的透明导电材料。共电压可以施加到共电极270。

取向层(未示出)可以设置在显示面板100和200的内表面上，并且可以是垂直取向层。

偏振器(未示出)设置在两个显示面板100和200的外表面上，两个偏振器的透射轴交叉，优选的是，一个透射轴平行于栅极线121。然而，偏振器可以仅设置在两个显示面板100和200的一个外表面处。

lc层3具有负介电各向异性，lc层3中的lc分子310可以取向为使得在没有电场的状态下它们的长轴相对于两个显示面板100和200的表面是垂直的。因此，在没有电场的状态下，入射光不会穿过交叉的偏振器而被阻挡。

lc层3和取向层中的至少一个可以包括光反应性材料，详细地说，反应性液晶原。

接下来，将参照图5描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图5中示出的示例性实施例的显示装置与根据图1至图4中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，外侧分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图5是示出根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图5示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图3)包括横向分支部192(参照图3)、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

从外侧分支部195的至少一侧的中心部到存储电极线199的至少一侧的距离与从外侧分支部195的所述至少一侧的边缘部到存储电极线199的所述至少一侧的距离不同。另外，沿横向方向，外侧分支部195的宽度是不均匀的，存储电极线199的宽度是均匀的。

从外侧分支部195的第一侧195a的中心部到存储电极线199的距离sco1c与从外侧分支部195的第一侧195a的边缘部到存储电极线199的距离seo1c不同。从外侧分支部195的第一侧195a的中心部到存储电极线199的距离sco1c比从外侧分支部195的第一侧195a的边缘部到存储电极线199的距离seo1c短。外侧分支部195的第一侧195a与存储电极线199之间的距离从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐增大。从外侧分支部195的第二侧195b的中心部到存储电极线199的距离sco2c与从外侧分支部195的第二侧195b的边缘部到存储电极线199的距离seo2c不同。从外侧分支部195的第二侧195b的中心部到存储电极线199的距离sco2c比从外侧分支部195的第二侧195b的边缘部到存储电极线199的距离seo2c长。外侧分支部195的第二侧195b与存储电极线199之间的距离从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。外侧分支部195的第一侧195a和第二侧195b设置成相对于存储电极线199倾斜的形状。

外侧分支部195的中心部的宽度wco与外侧分支部195的边缘部的宽度weo不同。外侧分支部195的中心部的宽度wco大于外侧分支部195的边缘部的宽度weo。外侧分支部195的宽度从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。

在示出的示例性实施例中，由于外侧分支部195的宽度沿横向方向根据位置而不同，并且外侧分支部195的两侧具有相对于存储电极线199倾斜的形状，所以可以在外侧分支部195与存储电极线199之间产生侧向场。因此，在微分支部194的端部上可以改善lc的控制力，并且可以在像素电极191的边缘上防止纹理。

存储电极线199可以与栅极线121叠置，并且可以延伸为在与栅极线121平行的方向上延长。存储电极线199可以设置成与栅极线121的形状大致相似的形状。因此，从外侧分支部195的至少一侧的中心部到栅极线121的至少一侧的最短距离可以与从外侧分支部195的所述至少一侧的边缘部到栅极线121的所述至少一侧的最短距离不同。在示例性实施例中，例如，从外侧分支部195的第一侧195a的中心部到栅极线121的距离可以比从外侧分支部195的第一侧195a的边缘部到栅极线121的距离短。外侧分支部195的第一侧195a与栅极线121之间的距离可以从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐增大。从外侧分支部195的第二侧195b的中心部到栅极线121的距离可以比从外侧分支部195的第二侧195b的边缘部到栅极线121的距离长。外侧分支部195的第二侧195b与栅极线121之间的距离可以从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。

接下来，将参照图6描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图6中示出的示例性实施例的显示装置与根据图1至图4中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，外侧分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图6是示出根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图6示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图3)包括横向分支部192(参照图3)、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

从外侧分支部195的至少一侧的中心部到存储电极线199的至少一侧的距离与从外侧分支部195的所述至少一侧的边缘部到存储电极线199的所述至少一侧的距离不同。另外，沿横向方向，外侧分支部195的宽度是不均匀的，存储电极线199的宽度是均匀的。

从外侧分支部195的第一侧195a的中心部到存储电极线199的距离sco1c与从外侧分支部195的第一侧195a的边缘部到存储电极线199的距离seo1c基本相同。外侧分支部195的第一侧195a与存储电极线199之间的距离沿横向方向是均匀的。从外侧分支部195的第二侧195b的中心部到存储电极线199的距离sco2c与从外侧分支部195的第二侧195b的边缘部到存储电极线199的距离seo2c不同。从外侧分支部195的第二侧195b的中心部到存储电极线199的距离sco2c比从外侧分支部195的第二侧195b的边缘部到存储电极线199的距离seo2c长。外侧分支部195的第二侧195b与存储电极线199之间的距离从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。外侧分支部195的第二侧195b设置成相对于存储电极线199倾斜的形状。

外侧分支部195的中心部的宽度wco与外侧分支部195的边缘部的宽度weo不同。外侧分支部195的中心部的宽度wco大于外侧分支部195的边缘部的宽度weo。外侧分支部195的宽度从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。

在示出的示例性实施例中，由于外侧分支部195的宽度根据位置而不同，并且外侧分支部195的一侧设置成相对于存储电极线199倾斜的形状，所以可以在外侧分支部195与存储电极线199之间产生侧向场。因此，在微分支部194的端部上可以改善lc的控制力，并且在像素电极191的边缘上可以防止纹理。

存储电极线199可以与栅极线121叠置，并且可以延伸为在与栅极线121平行的方向上延长。存储电极线199可以设置成与栅极线121的形状大致相似的形状。因此，从外侧分支部195的至少一侧的中心部到栅极线121的至少一侧的最短距离可以与从外侧分支部195的所述至少一侧的边缘部到栅极线121的所述至少一侧的最短距离不同。从外侧分支部195的第二侧195b的中心部到栅极线121的距离可以比从外侧分支部195的第二侧195b的边缘部到栅极线121的距离长。外侧分支部195的第二侧195b与栅极线121之间的距离可以从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。

接下来，将参照图7和图8描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图7和图8中示出的示例性实施例的显示装置与根据图1至图4中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，还包括虚设分支部的像素电极与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图7是示出根据示例性实施例的显示装置的一个层的平面图，图8是图7的部分区域的平面图。图7示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极和存储电极线。图8示出了部分lu，所述部分lu包括根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191包括横向分支部192、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

像素电极191还包括虚设分支部196。虚设分支部196位于外侧分支部195与存储电极线199之间。虚设分支部196可以主要沿横向方向延伸。因此，虚设分支部196可以位于像素电极191的上边缘和下边缘上。然而，本发明不限于此，虚设分支部196还可以位于像素电极191的左边缘和右边缘上，位于像素电极191的左边缘和右边缘上的虚设分支部196可以在纵向方向上延伸。

虚设分支部196的宽度可以是均匀的。虚设分支部196与存储电极线199之间的距离可以是均匀的。

从外侧分支部195的第一侧195a的中心部到存储电极线199的距离sco1c比从外侧分支部195的第一侧195a的边缘部到存储电极线199的距离seo1c短。外侧分支部195的第一侧195a与存储电极线199之间的距离从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐增大。因此，外侧分支部195的第一侧195a与虚设分支部196之间的距离从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐增大。从外侧分支部195的第二侧195b的中心部到存储电极线199的距离sco2c与从外侧分支部195的第二侧195b的边缘部到存储电极线199的距离seo2c基本相同。外侧分支部195的第二侧195b与存储电极线199之间的距离沿横向方向是均匀的。因此，外侧分支部195的第二侧195b与虚设分支部196之间的距离沿横向方向是均匀的。

外侧分支部195的中心部的宽度wco大于外侧分支部195的边缘部的宽度weo。外侧分支部195的宽度从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。

接下来，将参照图9描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图9中示出的示例性实施例的显示装置与根据图5中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，还包括虚设分支部的像素电极与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图9是根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图9示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图7)包括横向分支部192(参照图7)、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

像素电极191还包括虚设分支部196。虚设分支部196位于外侧分支部195与存储电极线199之间。虚设分支部196可以主要沿横向方向延伸。

虚设分支部196的宽度可以是均匀的。虚设分支部196与存储电极线199之间的距离可以是均匀的。

从外侧分支部195的第一侧195a的中心部到存储电极线199的距离sco1c比从外侧分支部195的第一侧195a的边缘部到存储电极线199的距离seo1c短。外侧分支部195的第一侧195a与存储电极线199之间的距离从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐增大。因此，外侧分支部195的第一侧195a与虚设分支部196之间的距离从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐增大。从外侧分支部195的第二侧195b的中心部到存储电极线199的距离sco2c比从外侧分支部195的第二侧195b的边缘部到存储电极线199的距离seo2c长。外侧分支部195的第二侧195b与存储电极线199之间的距离从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。因此，外侧分支部195的第二侧195b与虚设分支部196之间的距离从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。

外侧分支部195的中心部的宽度wco大于外侧分支部195的边缘部的宽度weo。外侧分支部195的宽度从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。

接下来，将参照图10描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图10中示出的示例性实施例的显示装置与根据图6中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，还包括虚设分支部的像素电极与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图10是根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图10示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图7)包括横向分支部192(参照图7)、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

像素电极191还包括虚设分支部196。虚设分支部196位于外侧分支部195与存储电极线199之间。虚设分支部196可以主要沿横向方向延伸。

虚设分支部196的宽度可以是均匀的。虚设分支部196与存储电极线199之间的距离可以是均匀的。

从外侧分支部195的第一侧195a的中心部到存储电极线199的距离sco1c与从外侧分支部195的第一侧195a的边缘部到存储电极线199的距离seo1c基本相同。外侧分支部195的第一侧195a与存储电极线199之间的距离沿横向方向是均匀的。因此，外侧分支部195的第一侧195a与虚设分支部196之间的距离沿横向方向是均匀的。从外侧分支部195的第二侧195b的中心部到存储电极线199的距离sco2c比从外侧分支部195的第二侧195b的边缘部到存储电极线199的距离seo2c长。外侧分支部195的第二侧195b与存储电极线199之间的距离从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。因此，外侧分支部195的第二侧195b与虚设分支部196之间的距离从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。

外侧分支部195的中心部的宽度wco大于外侧分支部195的边缘部的宽度weo。外侧分支部195的宽度从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。

接下来，将参照图11描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图11中示出的示例性实施例的显示装置与根据图1至图4中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，存储电极线的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图11是根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图11示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图7)包括横向分支部192(参照图7)、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

从外侧分支部195的至少一侧的中心部到存储电极线199的至少一侧的距离与从外侧分支部195的所述至少一侧的边缘部到存储电极线199的所述至少一侧的距离不同。另外，外侧分支部195的宽度是不均匀的，存储电极线199的宽度是不均匀的。

从外侧分支部195的第一侧195a的中心部到存储电极线199的距离sco1c与从外侧分支部195的第一侧195a的边缘部到存储电极线199的距离seo1c基本相同。从外侧分支部195的第二侧195b的中心部到存储电极线199的距离sco2c与从外侧分支部195的第二侧195b的边缘部到存储电极线199的距离seo2c不同。从外侧分支部195的第二侧195b的中心部到存储电极线199的距离sco2c比从外侧分支部195的第二侧195b的边缘部到存储电极线199的距离seo2c长。外侧分支部195的第二侧195b与存储电极线199之间的距离从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。

外侧分支部195的中心部的宽度wco与外侧分支部195的边缘部的宽度weo不同。外侧分支部195的中心部的宽度wco大于外侧分支部195的边缘部的宽度weo。外侧分支部195的宽度从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。

存储电极线199的中心部的宽度wcc与存储电极线199的边缘部的宽度wec不同。存储电极线199的中心部意为与外侧分支部195的中心部邻近的部分，存储电极线199的边缘部意为与外侧分支部195的边缘部邻近的部分。存储电极线199的中心部的宽度wcc小于存储电极线199的边缘部的宽度wec。存储电极线199的宽度从存储电极线199的中心部朝向存储电极线199的边缘部逐渐增大。

在示出的示例性实施例中，由于外侧分支部195的宽度和存储电极线199的宽度沿横向方向根据位置而不同，并且存储电极线199的一侧和外侧分支部195的一侧具有相对于存储电极线199的另一侧倾斜的形状，所以可以在外侧分支部195与存储电极线199之间产生侧向场。因此，在微分支部194的端部上可以改善lc的控制力，并且在像素电极191的边缘上可以防止纹理。

接下来，将参照图12描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图12中示出的示例性实施例的显示装置与根据图11中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，在横向方向上具有均匀宽度的外侧分支部与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图12是根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图12示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图7)包括横向分支部192(参照图7)、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

从外侧分支部195的至少一侧的中心部到存储电极线199的至少一侧的距离与从外侧分支部195的所述至少一侧的边缘部到存储电极线199的所述至少一侧的距离不同。另外，沿横向方向，外侧分支部195的宽度是均匀的，存储电极线199的宽度是不均匀的。

从外侧分支部195的中心部到存储电极线199的第一侧199a的距离scoc1与从外侧分支部195的边缘部到存储电极线199的第一侧199a的距离seoc1基本相同。从外侧分支部195的中心部到存储电极线199的第一侧199a的距离scoc1意为从外侧分支部195的第一侧195a的中心部到存储电极线199的第一侧199a的最短距离。从外侧分支部195的边缘部到存储电极线199的第一侧199a的距离seoc1意为从外侧分支部195的第一侧195a的边缘部到存储电极线199的第一侧199a的最短距离。外侧分支部195与存储电极线199的第一侧199a之间的距离沿横向方向是均匀的。

从外侧分支部195的中心部到存储电极线199的第二侧199b的距离scoc2与从外侧分支部195的边缘部到存储电极线199的第二侧199b的距离seoc2不同。从外侧分支部195的中心部到存储电极线199的第二侧199b的距离scoc2意为从外侧分支部195的第一侧195a的中心部到存储电极线199的第二侧199b的最短距离。从外侧分支部195的边缘部到存储电极线199的第二侧199b的距离seoc2意为从外侧分支部195的第一侧195a的边缘部到存储电极线199的第二侧199b的最短距离。从外侧分支部195的中心部到存储电极线199的第二侧199b的距离scoc2比从外侧分支部195的边缘部到存储电极线199的第二侧199b的距离seoc2短。外侧分支部195与存储电极线199的第二侧199b之间的距离从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐增大。外侧分支部195设置成相对于存储电极线199的第二侧199b倾斜的形状。

外侧分支部195的中心部的宽度wco与外侧分支部195的边缘部的宽度weo基本相同。外侧分支部195的宽度沿横向方向是均匀的。

存储电极线199的中心部的宽度wcc与存储电极线199的边缘部的宽度wec不同。存储电极线199的中心部的宽度wcc小于存储电极线199的边缘部的宽度wec。存储电极线199的宽度从存储电极线199的中心部朝向存储电极线199的边缘部逐渐增大。

在示出的示例性实施例中，由于存储电极线199的宽度沿横向方向根据位置而不同，并且外侧分支部195具有相对于存储电极线199的所述一侧倾斜的形状，所以可以在外侧分支部195与存储电极线199之间产生侧向场。因此，在微分支部194的端部上可以改善lc的控制力，并且在像素电极191的边缘上可以防止纹理。

接下来，将参照图13描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图13中示出的示例性实施例的显示装置与根据图12中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，存储电极线的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图13是根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图13示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图7)包括横向分支部192(参照图7)、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

从外侧分支部195的至少一侧的中心部到存储电极线199的至少一侧的距离与从外侧分支部195的所述至少一侧的边缘部到存储电极线199的所述至少一侧的距离不同。另外，沿横向方向，外侧分支部195的宽度是均匀的，存储电极线199的宽度是均匀的。

从外侧分支部195的中心部到存储电极线199的第一侧199a的距离scoc1与从外侧分支部195的边缘部到存储电极线199的第一侧199a的距离seoc1不同。从外侧分支部195的中心部到存储电极线199的第一侧199a的距离scoc1比从外侧分支部195的边缘部到存储电极线199的第一侧199a的距离seoc1短。外侧分支部195与存储电极线199的第一侧199a之间的距离从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐增大。外侧分支部195设置成相对于存储电极线199的第一侧199a倾斜的形状。

从外侧分支部195的中心部到存储电极线199的第二侧199b的距离scoc2与从外侧分支部195的边缘部到存储电极线199的第二侧199b的距离seoc2不同。从外侧分支部195的中心部到存储电极线199的第二侧199b的距离scoc2比从外侧分支部195的边缘部到存储电极线199的第二侧199b的距离seoc2短。外侧分支部195与存储电极线199的第二侧199b之间的距离从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐增大。外侧分支部195设置成相对于存储电极线199的第二侧199b倾斜的形状。

外侧分支部195的中心部的宽度wco与外侧分支部195的边缘部的宽度weo基本相同。外侧分支部195的宽度沿横向方向是均匀的。

存储电极线199的中心部的宽度wcc与存储电极线199的边缘部的宽度wec基本相同。存储电极线199的宽度沿横向方向是均匀的。

在示出的示例性实施例中，由于外侧分支部195具有相对于存储电极线199倾斜的形状，所以可以在外侧分支部195与存储电极线199之间产生侧向场。因此，在微分支部194的端部上可以改善lc的控制力，并且在像素电极191的边缘上可以防止纹理。

接下来，将参照图14描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图14中示出的示例性实施例的显示装置与根据图7和图8中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，外侧分支部和虚设分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图14是根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图14示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图7)包括横向分支部192(参照图7)、纵向分支部193、微分支部194、外侧分支部195和虚设分支部196。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

从虚设分支部196的至少一侧的中心部到存储电极线199的至少一侧的距离与从虚设分支部196的所述至少一侧的边缘部到存储电极线199的所述至少一侧的距离不同。另外，沿横向方向，外侧分支部195的宽度是均匀的，虚设分支部196的宽度是不均匀的，存储电极线199的宽度是均匀的。

虚设分支部196包括邻近于存储电极线199的第一侧196a和面对第一侧196a的第二侧196b。虚设分支部196的第二侧196b与外侧分支部195邻近。虚设分支部196与纵向分支部193交汇的位置可以是虚设分支部196的中心部。另外，沿横向方向距纵向分支部193最远的位置可以是虚设分支部196的边缘部。虚设分支部196的宽度意为第一侧196a与第二侧196b之间的距离。

从虚设分支部196的第一侧196a的中心部到存储电极线199的距离scd1c与从虚设分支部196的第一侧196a的边缘部到存储电极线199的距离sed1c不同。从虚设分支部196的第一侧196a的中心部到存储电极线199的距离scd1c意为从虚设分支部196的第一侧196a的中心部到存储电极线199的第一侧199a的最短距离。从虚设分支部196的第一侧196a的边缘部到存储电极线199的距离sed1c意为从虚设分支部196的第一侧196a的边缘部到存储电极线199的第一侧199a的最短距离。从虚设分支部196的第一侧196a的中心部到存储电极线199的距离scd1c比从虚设分支部196的第一侧196a的边缘部到存储电极线199的距离sed1c短。虚设分支部196的第一侧196a与存储电极线199之间的距离从虚设分支部196的中心部到虚设分支部196的边缘部逐渐增大。虚设分支部196的第一侧196a设置成相对于存储电极线199倾斜的形状。

从虚设分支部196的第二侧196b的中心部到存储电极线199的距离scd2c与从虚设分支部196的第二侧196b的边缘部到存储电极线199的距离sed2c基本相同。从虚设分支部196的第二侧196b的中心部到存储电极线199的距离scd2c意为从虚设分支部196的第二侧196b的中心部到存储电极线199的第一侧199a的最短距离。从虚设分支部196的第二侧196b的边缘部到存储电极线199的距离sed2c意为从虚设分支部196的第二侧196b的边缘部到存储电极线199的第一侧199a的最短距离。虚设分支部196的第二侧196b与存储电极线199之间的距离沿横向方向是均匀的。

虚设分支部196的中心部的宽度wcd与虚设分支部196的边缘部的宽度wed不同。虚设分支部196的中心部的宽度wcd大于虚设分支部196的边缘部的宽度wed。虚设分支部196的宽度从虚设分支部196的中心部朝向虚设分支部196的边缘部逐渐减小。

在示出的示例性实施例中，由于虚设分支部196的宽度沿横向方向根据位置而不同，并且虚设分支部196的一侧具有相对于存储电极线199倾斜的形状，所以可以在虚设分支部196与存储电极线199之间产生侧向场。因此，在微分支部194的端部上可以改善lc的控制力，并且在像素电极191的边缘上可以防止纹理。

存储电极线199可以与栅极线121叠置，并且可以延伸成在与栅极线121平行的方向上延长。存储电极线199可以设置成与栅极线121的形状基本相似的形状。因此，从虚设分支部196的至少一侧的中心部到栅极线121的至少一侧的最短距离可以与从虚设分支部196的所述至少一侧的边缘部到栅极线121的所述至少一侧的最短距离不同。在示例性实施例中，例如，从虚设分支部196的第一侧196a的中心部到栅极线121的距离可以比从虚设分支部196的第一侧196a的边缘部到栅极线121的距离短。虚设分支部196的第一侧196a与栅极线121之间的距离可以从虚设分支部196的中心部朝向虚设分支部196的边缘部逐渐增大。

接下来，将参照图15描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图15中示出的示例性实施例的显示装置与根据图14中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，虚设分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图15是根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图15示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图7)包括横向分支部192(参照图7)、纵向分支部193、微分支部194、外侧分支部195和虚设分支部196。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

从虚设分支部196的至少一侧的中心部到存储电极线199的至少一侧的距离与从虚设分支部196的所述至少一侧的边缘部到存储电极线199的所述至少一侧的距离不同。另外，沿横向方向，外侧分支部195的宽度是均匀的，虚设分支部196的宽度是不均匀的，存储电极线199的宽度是均匀的。

从虚设分支部196的第一侧196a的中心部到存储电极线199的距离scd1c与从虚设分支部196的第一侧196a的边缘部到存储电极线199的距离sed1c不同。从虚设分支部196的第一侧196a的中心部到存储电极线199的距离scd1c比从虚设分支部196的第一侧196a的边缘部到存储电极线199的距离sed1c短。虚设分支部196的第一侧196a与存储电极线199之间的距离从虚设分支部196的中心部到虚设分支部196的边缘部逐渐增大。虚设分支部196的第一侧196a设置成相对于存储电极线199倾斜的形状。

从虚设分支部196的第二侧196b的中心部到存储电极线199的距离scd2c与从虚设分支部196的第二侧196b的边缘部到存储电极线199的距离sed2c不同。从虚设分支部196的第二侧196b的中心部到存储电极线199的距离scd2c比从虚设分支部196的第二侧196b的边缘部到存储电极线199的距离sed2c长。虚设分支部196的第二侧196b与存储电极线199之间的距离从虚设分支部196的中心部朝向虚设分支部196的边缘部逐渐减小。虚设分支部196的第二侧196b设置成相对于存储电极线199倾斜的形状。

虚设分支部196的中心部的宽度wcd与虚设分支部196的边缘部的宽度wed不同。虚设分支部196的中心部的宽度wcd大于虚设分支部196的边缘部的宽度wed。虚设分支部196的宽度从虚设分支部196的中心部朝向虚设分支部196的边缘部逐渐减小。

在示出的示例性实施例中，由于虚设分支部196的宽度沿横向方向根据位置而不同，并且虚设分支部196的两侧具有相对于存储电极线199倾斜的形状，所以可以在虚设分支部196与存储电极线199之间产生侧向场。因此，在微分支部194的端部上可以改善lc的控制力，并且在像素电极191的边缘上可以防止纹理。

存储电极线199可以与栅极线121叠置，并且可以延伸成在与栅极线121平行的方向上延长。存储电极线199可以设置成与栅极线121的形状基本相似的形状。因此，从虚设分支部196的至少一侧的中心部到栅极线121的至少一侧的最短距离可以与从虚设分支部196的所述至少一侧的边缘部到栅极线121的所述至少一侧的最短距离不同。在示例性实施例中，例如，从虚设分支部196的第一侧196a的中心部到栅极线121的距离可以比从虚设分支部196的第一侧196a的边缘部到栅极线121的距离短。虚设分支部196的第一侧196a与栅极线121之间的距离可以从虚设分支部196的中心部朝向虚设分支部196的边缘部逐渐增大。从虚设分支部196的第二侧196b的中心部到栅极线121的距离可以比从虚设分支部196的第二侧196b的边缘部到栅极线121的距离长。虚设分支部196的第二侧196b与栅极线121之间的距离可以从虚设分支部196的中心部朝向虚设分支部196的边缘部逐渐减小。

接下来，将参照图16描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图16中示出的示例性实施例的显示装置与根据图14中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，虚设分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图16是根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图16示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图7)包括横向分支部192(参照图7)、纵向分支部193、微分支部194、外侧分支部195和虚设分支部196。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

从虚设分支部196的至少一侧的中心部到存储电极线199的至少一侧的距离与从虚设分支部196的所述至少一侧的边缘部到存储电极线199的所述至少一侧的距离不同。另外，沿横向方向，外侧分支部195的宽度是均匀的，虚设分支部196的宽度是不均匀的，存储电极线199的宽度是均匀的。

从虚设分支部196的第一侧196a的中心部到存储电极线199的距离scd1c与从虚设分支部196的第一侧196a的边缘部到存储电极线199的距离sed1c基本相同。虚设分支部196的第一侧196a与存储电极线199之间的距离沿横向方向是均匀的。

从虚设分支部196的第二侧196b的中心部到存储电极线199的距离scd2c与从虚设分支部196的第二侧196b的边缘部到存储电极线199的距离sed2c不同。从虚设分支部196的第二侧196b的中心部到存储电极线199的距离scd2c比从虚设分支部196的第二侧196b的边缘部到存储电极线199的距离sed2c长。虚设分支部196的第二侧196b与存储电极线199之间的距离从虚设分支部196的中心部朝向虚设分支部196的边缘部逐渐减小。虚设分支部196的第二侧196b设置成相对于存储电极线199倾斜的形状。

虚设分支部196的中心部的宽度wcd与虚设分支部196的边缘部的宽度wed不同。虚设分支部196的中心部的宽度wcd大于虚设分支部196的边缘部的宽度wed。虚设分支部196的宽度从虚设分支部196的中心部朝向虚设分支部196的边缘部逐渐减小。

在示出的示例性实施例中，由于虚设分支部196的宽度沿横向方向根据位置而不同，并且虚设分支部196的一侧具有相对于存储电极线199倾斜的形状，所以可以在虚设分支部196与存储电极线199之间产生侧向场。因此，在微分支部194的端部上可以改善lc的控制力，并且在像素电极191的边缘上可以防止纹理。

存储电极线199可以与栅极线121叠置，并且可以延伸成在与栅极线121平行的方向上延长。存储电极线199可以设置成与栅极线121的形状基本相似的形状。因此，从虚设分支部196的至少一侧的中心部到栅极线121的至少一侧的最短距离可以与从虚设分支部196的所述至少一侧的边缘部到栅极线121的所述至少一侧的最短距离不同。在示例性实施例中，例如，从虚设分支部196的第二侧196b的中心部到栅极线121的距离可以比从虚设分支部196的第二侧196b的边缘部到栅极线121的距离长。虚设分支部196的第二侧196b与栅极线121之间的距离可以从虚设分支部196的中心部朝向虚设分支部196的边缘部逐渐减小。

接下来，将参照图17描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图17中示出的示例性实施例的显示装置与根据图14中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，存储电极线、虚设分支部和外侧分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图17是根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图17示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图7)包括横向分支部192(参照图7)、纵向分支部193、微分支部194、外侧分支部195和虚设分支部196。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

从虚设分支部196的至少一侧的中心部到存储电极线199的至少一侧的距离与从虚设分支部196的所述至少一侧的边缘部到存储电极线199的所述至少一侧的距离不同。另外，沿横向方向，外侧分支部195的宽度是不均匀的，虚设分支部196的宽度是均匀的，存储电极线199的宽度是不均匀的。

从虚设分支部196的中心部到存储电极线199的第一侧199a的距离scdc1与从虚设分支部196的边缘部到存储电极线199的第一侧199a的距离sedc1基本相同。从虚设分支部196的中心部到存储电极线199的第一侧199a的距离scdc1意为从虚设分支部196的第一侧196a的中心部到存储电极线199的第一侧199a的最短距离。从虚设分支部196的边缘部到存储电极线199的第一侧199a的距离sedc1意为从虚设分支部196的第一侧196a的边缘部到存储电极线199的第一侧199a的最短距离。虚设分支部196与存储电极线199之间的距离沿横向方向是均匀的。

从虚设分支部196的中心部到存储电极线199的第二侧199b的距离scdc2与从虚设分支部196的边缘部到存储电极线199的第二侧199b的距离sedc2不同。从虚设分支部196的中心部到存储电极线199的第二侧199b的距离scdc2意为从虚设分支部196的第一侧196a的中心部到存储电极线199的第二侧199b的最短距离。从虚设分支部196的边缘部到存储电极线199的第二侧199b的距离sedc2意为从虚设分支部196的第一侧196a的边缘部到存储电极线199的第二侧199b的最短距离。从虚设分支部196的中心部到存储电极线199的第二侧199b的距离scdc2比从虚设分支部196的边缘部到存储电极线199的第二侧199b的距离sedc2短。虚设分支部196与存储电极线199的第二侧199b之间的距离从虚设分支部196的中心部朝向虚设分支部196的边缘部逐渐增大。虚设分支部196设置成相对于存储电极线199的第二侧199b倾斜的形状。

外侧分支部195的中心部的宽度wco与外侧分支部195的边缘部的宽度weo不同。外侧分支部195的中心部的宽度wco大于外侧分支部195的边缘部的宽度weo。外侧分支部195的宽度从外侧分支部195的中心部朝向外侧分支部195的边缘部逐渐减小。另外，外侧分支部195的第二侧195b设置成相对于存储电极线199的第一侧199a倾斜的形状。

虚设分支部196的宽度沿横向方向是均匀的。外侧分支部195与虚设分支部196之间的距离沿横向方向是均匀的。

存储电极线199的中心部的宽度wcc与存储电极线199的边缘部的宽度wec不同。存储电极线199的中心部的宽度wcc小于存储电极线199的边缘部的宽度wec。存储电极线199的宽度从存储电极线199的中心部朝向存储电极线199的边缘部逐渐增大。

在示出的示例性实施例中，由于存储电极线199的宽度和外侧分支部195的宽度沿横向方向根据位置而不同，虚设分支部196具有相对于存储电极线199的一侧倾斜的形状，外侧分支部195的一侧具有相对于存储电极线199的一侧倾斜的形状，所以可以在虚设分支部196与存储电极线199之间产生侧向场。因此，在微分支部194的端部上可以改善lc的控制力，并且在像素电极191的边缘上可以防止纹理。

接下来，将参照图18描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图18中示出的示例性实施例的显示装置与根据图17中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，外侧分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图18是根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图18示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图7)包括横向分支部192(参照图7)、纵向分支部193、微分支部194、外侧分支部195和虚设分支部196。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

从虚设分支部196的至少一侧的中心部到存储电极线199的至少一侧的距离与从虚设分支部196的所述至少一侧的边缘部到存储电极线199的所述至少一侧的距离不同。另外，外侧分支部195的宽度是均匀的，虚设分支部196的宽度是均匀的，存储电极线199的宽度是不均匀的。

从虚设分支部196的中心部到存储电极线199的第一侧199a的距离scdc1与从虚设分支部196的边缘部到存储电极线199的第一侧199a的距离sedc1基本相同。虚设分支部196与存储电极线199之间的距离沿横向方向是均匀的。

从虚设分支部196的中心部到存储电极线199的第二侧199b的距离scdc2与从虚设分支部196的边缘部到存储电极线199的第二侧199b的距离sedc2不同。从虚设分支部196的中心部到存储电极线199的第二侧199b的距离scdc2比从虚设分支部196的边缘部到存储电极线199的第二侧199b的距离sedc2短。虚设分支部196与存储电极线199的第二侧199b之间的距离从虚设分支部196的中心部朝向虚设分支部196的边缘部逐渐增大。虚设分支部196设置成相对于存储电极线199的第二侧199b倾斜的形状。

外侧分支部195的宽度沿横向方向是均匀的。外侧分支部195设置成相对于存储电极线199的第二侧199b倾斜的形状。

虚设分支部196的宽度沿横向方向是均匀的。外侧分支部195与虚设分支部196之间的距离沿横向方向是均匀的。

存储电极线199的中心部的宽度wcc与存储电极线199的边缘部的宽度wec不同。存储电极线199的中心部的宽度wcc小于存储电极线199的边缘部的宽度wec。存储电极线199的宽度从存储电极线199的中心部朝向存储电极线199的边缘部逐渐增大。

在示出的示例性实施例中，由于存储电极线199的宽度沿横向方向根据位置而不同，并且外侧分支部195和虚设分支部196具有相对于存储电极线199的一侧倾斜的形状，所以可以在虚设分支部196与存储电极线199之间产生侧向场。因此，在微分支部194的端部上可以改善lc的控制力，并且在像素电极191的边缘上可以防止纹理。

接下来，将参照图19描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图19中示出的示例性实施例的显示装置与根据图18中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，存储电极线和外侧分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图19是根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图19示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图7)包括横向分支部192(参照图7)、纵向分支部193、微分支部194、外侧分支部195和虚设分支部196。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

从虚设分支部196的至少一侧的中心部到存储电极线199的至少一侧的距离与从虚设分支部196的所述至少一侧的边缘部到存储电极线199的所述至少一侧的距离不同。另外，沿横向方向，外侧分支部195的宽度是均匀的，虚设分支部196的宽度是均匀的，存储电极线199的宽度是均匀的。

从虚设分支部196的中心部到存储电极线199的第一侧199a的距离scdc1与从虚设分支部196的边缘部到存储电极线199的第一侧199a的距离sedc1不同。从虚设分支部196的中心部到存储电极线199的第一侧199a的距离scdc1比从虚设分支部196的边缘部到存储电极线199的第一侧199a的距离sedc1短。虚设分支部196与存储电极线199之间的距离从虚设分支部196的中心部朝向虚设分支部196的边缘部逐渐增大。虚设分支部196设置成相对于存储电极线199倾斜的形状。

外侧分支部195的宽度沿横向方向是均匀的。外侧分支部195设置成相对于存储电极线199倾斜的形状。

虚设分支部196的宽度沿横向方向是均匀的。外侧分支部195与虚设分支部196之间的距离沿横向方向是均匀的。

存储电极线199的宽度沿横向方向是均匀的。

在示出的示例性实施例中，由于外侧分支部195和虚设分支部196具有相对于存储电极线199倾斜的形状，所以可以在虚设分支部196与存储电极线199之间产生侧向场。因此，在微分支部194的端部上可以改善lc的控制力，并且在像素电极191的边缘上可以防止纹理。

接下来，将参照图20描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图20中示出的示例性实施例的显示装置与根据图1至图4中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，外侧分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图20是根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图20示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图7)包括横向分支部192(参照图7)、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

像素电极191包括多个微分支部194，外侧分支部195连接多个微分支部194中的至少一些。

在前述示例性实施例中，外侧分支部195的长度与横向分支部192(参照图7)的长度对应，外侧分支部195连接位于像素电极191的上边缘上的全部微分支部194。在示出的示例性实施例中，外侧分支部195的长度与横向分支部192(参照图7)的长度的约一半对应，外侧分支部195连接位于像素电极191的上边缘上的一部分微分支部194。外侧分支部195不连接位于像素电极191的上边缘上的其余的微分支部194。即，外侧分支部195连接多个微分支部194中的与存储电极线199邻近的一部分微分支部194，而不连接其余的微分支部194。在示出的示例性实施例中，外侧分支部195连接微分支部194中的与纵向分支部193邻近的一部分。外侧分支部195位于像素电极191的上边缘的中心部上。

在示出的示例性实施例中，由于外侧分支部195被设置成不连接多个微分支部194中的与存储电极线199邻近的一些，所以可以在未连接到外侧分支部195的微分支部194与存储电极线199之间产生侧向场。因此，在微分支部194的端部上可以改善lc的控制力，并且在像素电极191的边缘上可以防止纹理。

接下来，将参照图21描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图21中示出的示例性实施例的显示装置与根据图20中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，外侧分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图21是根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图21示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图7)包括横向分支部192(参照图7)、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

外侧分支部195连接多个微分支部194中的与存储电极线199邻近的一部分微分支部194，而不连接其余的微分支部194。

在前述的图20的示例性实施例中，外侧分支部195的长度与横向分支部192(参照图7)的长度的约一半对应，而在示出的示例性实施例中，外侧分支部195的长度比前述的图20的示例性实施例中的长度长。

接下来，将参照图22描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图22中示出的示例性实施例的显示装置与根据图20中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，外侧分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图22是根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图22示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图7)包括横向分支部192(参照图7)、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

外侧分支部195连接多个微分支部194中的与存储电极线199邻近的一部分微分支部194，而不连接其余的微分支部194。

在前述的图20的示例性实施例中，外侧分支部195的长度与横向分支部192(参照图7)的长度的约一半对应，而在示出的示例性实施例中，外侧分支部195的长度比前述的图20的示例性实施例中的长度短。也就是说，外侧分支部195的长度可以进行各种改变。

接下来，将参照图23描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图23中示出的示例性实施例的显示装置与根据图20中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，外侧分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图23是根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图23示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图7)包括横向分支部192(参照图7)、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

外侧分支部195连接多个微分支部194中的与存储电极线199邻近的一部分微分支部194，而不连接其余的微分支部194。

像素电极191还包括虚设分支部196。虚设分支部196位于外侧分支部195与存储电极线199之间。虚设分支部196可以主要沿横向方向延伸。虚设分支部196的长度可以与横向分支部192(参照图7)的长度对应。然而，本发明不限于此，虚设分支部196的长度可以比示出的短，并且可以与外侧分支部195的长度对应。

接下来，将参照图24描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图24中示出的示例性实施例的显示装置与根据图23中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，外侧分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图24是根据示例性实施例的显示装置的部分层的部分区域的平面图。图24示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极的四个子区域中的位于左上侧处的子区域和与所述子区域相邻的存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191(参照图7)包括横向分支部192(参照图7)、纵向分支部193、微分支部194、外侧分支部195和虚设分支部196。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

外侧分支部195连接多个微分支部194中的与存储电极线199邻近的一部分微分支部194，而不连接其余的微分支部194。

在前述的示例性实施例中，外侧分支部195连接与纵向分支部193邻近的一部分微分支部194，且外侧分支部195位于像素电极191的上边缘的中心部处。在示出的示例性实施例中，外侧分支部195不连接微分支部194中的与纵向分支部193邻近的一部分，而连接微分支部194中的远离纵向分支部193的一部分。微分支部194中的与纵向分支部193邻近的一部分连接到虚设分支部196。多个微分支部194中的位于像素电极191的上边缘处的一部分微分支部194连接到外侧分支部195，其余的微分支部194连接到虚设分支部196。

根据图20至图24中示出的示例性实施例的显示装置示出了多个微分支部中的与存储电极线邻近的一部分微分支部不被外侧分支部连接的结构。在每个示例性实施例中，示出的是沿横向方向，外侧分支部和存储电极线的宽度是均匀的，外侧分支部与存储电极线之间的距离是均匀的。然而，本发明不限于此，并且与根据图1至图19中示出的示例性实施例的显示装置相似，从外侧分支部的至少一侧的中心部到存储电极线的至少一侧的距离可以与从外侧分支部的所述至少一侧的边缘部到存储电极线的所述至少一侧的距离不同。另外，外侧分支部的宽度可以是不均匀的，存储电极线的宽度可以是不均匀的。此外，从虚设分支部的至少一侧的中心部到存储电极线的至少一侧的距离可以与从虚设分支部的所述至少一侧的边缘部到存储电极线的所述至少一侧的距离不同。此外，虚设分支部的宽度可以是不均匀的。

接下来，将参照图25描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图25中示出的示例性实施例的显示装置与根据图1至图4中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，横向分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图25是根据示例性实施例的显示装置的部分层的平面图。图25示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极和存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191包括横向分支部192、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。从外侧分支部195的至少一侧的中心部到存储电极线199的至少一侧的距离与从外侧分支部195的所述至少一侧的边缘部到存储电极线199的所述至少一侧的距离不同。

在前述的示例性实施例中，横向分支部192沿横向方向具有均匀的宽度，而在示出的示例性实施例中，横向分支部192的宽度沿横向方向根据位置而不同。

横向分支部192在中心部上具有最宽的宽度，并且在边缘部上具有最窄的宽度。横向分支部192的中心部意为横向分支部192与纵向分支部193相交的部分。横向分支部192的边缘部意为沿横向方向位于离纵向分支部193最远的部分。宽度从横向分支部192的中心部朝向横向分支部192的边缘部逐渐减小。

在示出的示例性实施例中，由于横向分支部192的宽度沿横向方向根据位置而不同，所以可以改善微分支部194与横向分支部192之间的边界上的lc的控制力，并且可以防止纹理的产生。

接下来，将参照图26描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图26中示出的示例性实施例的显示装置与根据图25中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，纵向分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图26是根据示例性实施例的显示装置的部分层的平面图。图26示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极和存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191包括横向分支部192、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195，且横向分支部192的宽度沿横向方向根据位置而不同。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

在前述的示例性实施例中，纵向分支部193具有均匀的宽度，而在示出的示例性实施例中，纵向分支部193的宽度沿纵向方向根据位置而不同。

纵向分支部193在中心部上具有最宽的宽度，并且在边缘部上具有最窄的宽度。纵向分支部193的中心部意为纵向分支部193与横向分支部192相交的部分。纵向分支部193的边缘部意为沿纵向方向位于离横向分支部192最远的部分。宽度从纵向分支部193的中心部朝向纵向分支部193的边缘部逐渐减小。

在示出的示例性实施例中，由于横向分支部192的宽度和纵向分支部193的宽度分别沿横向方向和纵向方向根据位置而不同，所以可以在微分支部194与横向分支部192之间的边界以及微分支部194与纵向分支部193之间的边界上改善lc的控制力，并且可以防止纹理。

接下来，将参照图27描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图27中示出的示例性实施例的显示装置与根据图25中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，横向分支部和纵向分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图27是根据示例性实施例的显示装置的部分层的平面图。图27示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极和存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191包括横向分支部192、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

在前述的示例性实施例中，横向分支部192的宽度沿横向方向根据位置而不同，而在示出的示例性实施例中，横向分支部192沿横向方向具有均匀的宽度。

在前述的示例性实施例中，纵向分支部193具有均匀的宽度，而在示出的示例性实施例中，纵向分支部193的宽度沿纵向方向根据位置而不同。

纵向分支部193在中心部上具有最宽的宽度，并且在边缘部上具有最窄的宽度。宽度从纵向分支部193的中心部朝向纵向分支部193的边缘部逐渐减小。

在示出的示例性实施例中，由于纵向分支部193的宽度沿纵向方向根据位置而不同，所以可以在微分支部194与纵向分支部193之间的边界上改善lc的控制力，并且可以防止纹理。

接下来，将参照图28描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图28中示出的示例性实施例的显示装置与根据图25中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，横向分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图28是根据示例性实施例的显示装置的部分层的平面图。图28示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极和存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191包括横向分支部192、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

在前述的示例性实施例中，横向分支部192被设置成宽度从中心部朝向边缘部逐渐减小的形状，而在示出的示例性实施例中，横向分支部192被设置成宽度从中心部到位于中心部与边缘部之间的预定区域逐渐减小的形状。从位于横向分支部192的中心部与边缘部之间的预定区域到横向分支部192的边缘部设置成均匀的宽度。

示出了横向分支部192的中心部与边缘部之间的预定区域为中心部与边缘部之间的大致中心位置，但是本发明不限于此。预定区域可以更靠近中心部或者可以更靠近边缘部。

接下来，将参照图29描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图29中示出的示例性实施例的显示装置与根据图26中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，横向分支部和纵向分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图29是根据示例性实施例的显示装置的部分层的平面图。图29示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极和存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191包括横向分支部192、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

在前述的示例性实施例中，横向分支部192和纵向分支部193被设置成宽度从中心部朝向边缘部逐渐减小的形状。在示出的示例性实施例中，横向分支部192被设置成宽度从中心部到位于中心部与边缘部之间的预定区域逐渐减小的形状。从位于横向分支部192的中心部与边缘部之间的预定区域到横向分支部192的边缘部设置成均匀的宽度。纵向分支部193被设置成宽度从中心部到位于中心部与边缘部之间的预定区域逐渐减小的形状。从位于纵向分支部193的中心部与边缘部之间的预定区域到纵向分支部193的边缘部设置成均匀的宽度。

示出了纵向分支部193的中心部与边缘部之间的预定区域为中心部与边缘部之间的大致中心位置，但是本发明不限于此。预定区域可以更靠近中心部，或者可以更靠近边缘部。

接下来，将参照图30描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图30中示出的示例性实施例的显示装置与根据图27中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，纵向分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图30是根据示例性实施例的显示装置的部分层的平面图。图30示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极和存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191包括横向分支部192、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

在前述的示例性实施例中，纵向分支部193被设置成宽度从中心部朝向边缘部逐渐减小的形状，而在示出的示例性实施例中，纵向分支部193被设置成宽度沿纵向方向从中心部到位于中心部与边缘部之间的预定区域逐渐减小的形状。从位于纵向分支部193的中心部与边缘部之间的预定区域到纵向分支部193的边缘部设置成均匀的宽度。

示出了纵向分支部193的中心部与边缘部之间的预定区域为中心部与边缘部之间的大致中心位置，但是本发明不限于此。预定区域可以更靠近中心部，或者可以更靠近边缘部。

接下来，将参照图31描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图31中示出的示例性实施例的显示装置与根据图25中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，包括虚设分支部的像素电极与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图31是根据示例性实施例的显示装置的部分层的平面图。图31示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极和存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191包括横向分支部192、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195，且横向分支部192的宽度沿横向方向根据位置而不同。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。

像素电极191还包括虚设分支部196。虚设分支部196位于外侧分支部195与存储电极线199之间。虚设分支部196可以主要沿横向方向延伸。虚设分支部196可以位于像素电极191的上边缘和下边缘处。另外，虚设分支部196还可以位于像素电极191的左边缘和右边缘处，位于像素电极191的左边缘和右边缘处的虚设分支部196可以沿纵向方向延伸。

在示出的示例性实施例中，横向分支部192的宽度可以从中心部朝向边缘部逐渐减小，但本发明不限于此。如图26至图30的示例性实施例中所示，纵向分支部193的宽度可以改变，横向分支部192和纵向分支部193的宽度可以逐渐改变，并且在另一区域中可以是均匀的。

根据图25至图31中示出的示例性实施例的显示装置具有横向分支部和纵向分支部中的一个的宽度沿横向方向和纵向方向根据位置而不同的结构。在每个示例性实施例中，示出了外侧分支部的一侧具有相对于存储电极线的倾斜度。然而，本发明不限于此，如图5至图24中所示，外侧分支部和存储电极线的形状可以进行各种改变。另外，像素电极还可以包括虚设分支部，并且虚设分支部的形状可以进行各种改变。

接下来，将参照图32描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图32中示出的示例性实施例的显示装置与根据图1至图4中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，微分支部的平面形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图32是根据示例性实施例的显示装置的部分层的平面图。图32示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极和存储电极线。

与前述示例性实施例相似，像素电极191包括横向分支部192、纵向分支部193、微分支部194和外侧分支部195。存储电极线199布置成与像素电极191分隔开。从外侧分支部195的至少一侧的中心部到存储电极线199的至少一侧的距离与从外侧分支部195的所述至少一侧的边缘部到存储电极线199的所述至少一侧的距离不同。

像素电极191被横向分支部192和纵向分支部193划分成四个子区域。在前述的示例性实施例中，位于上侧处的两个子区域的微分支部194与位于下侧处的两个子区域的微分支部194是对称的。在示出的示例性实施例中，位于上侧处的两个子区域的微分支部194与位于下侧处的两个子区域的微分支部194是非对称的。位于上侧处的两个子区域的微分支部194和位于下侧处的两个子区域的微分支部194可被设置成错配。

在示出的示例性实施例中，示出了外侧分支部的一侧相对于存储电极线倾斜。然而，本发明不限于此，如图5至图24所示，外侧分支部和存储电极线的形状可以进行各种改变。另外，像素电极还可以包括虚设分支部，并且虚设分支部的形状可以进行各种改变。

接下来，将参照图33和图34描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图33和图34中示出的示例性实施例的显示装置与根据图1至图4中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，tft和像素电极的形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图33是根据示例性实施例的显示装置的平面图，图34是根据示例性实施例的显示装置的部分层的平面图。图34示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极。

栅极线121和数据线171交叉。设置了从栅极线121突出的第一栅电极124-1、第二栅电极124-2和第三栅电极124-3。设置了从数据线171突出的第一源电极173-1和第二源电极173-2，设置了与第一源电极173-1和第二源电极173-2分隔开的第一漏电极175-1和第二漏电极175-2。第一源电极173-1和第一漏电极175-1与第一栅电极124-1叠置，第二源电极173-2和第二漏电极175-2与第二栅电极124-2叠置。

存储电极线199平行于栅极线121，设置了连接到存储电极线199的第三源电极173-3。设置了与第三源电极173-3分隔开并且连接到第二漏电极175-2的第三漏电极175-3。第三源电极173-3和第三漏电极175-3与第三栅电极124-3叠置。

设置了连接到第一漏电极175-1的第一子像素电极191-1，设置了连接到第二漏电极175-2的第二子像素电极191-2。

第一子像素电极191-1基本设置为四边形，并且包括横向分支部192-1和纵向分支部193-1。第一子像素电极191-1还包括从横向分支部192-1和纵向分支部193-1延伸的微分支部194-1以及连接微分支部194-1的端部的外侧分支部195-1。

第二子像素电极191-2基本设置为四边形，并且包括横向分支部192-2和纵向分支部193-2。第二子像素电极191-2还包括从横向分支部192-2和纵向分支部193-2延伸的微分支部194-2以及连接微分支部194-2的端部的外侧分支部195-2。第二子像素电极191-2还包括位于外侧分支部195-2与存储电极线199之间的虚设分支部196-2。第二子像素电极191-2位于第一子像素电极191-1的两侧。

从外侧分支部195-1和195-2的至少一侧的中心部到存储电极线199的至少一侧的距离与从外侧分支部195-1和195-2的所述至少一侧的边缘部到存储电极线199的所述至少一侧的距离不同。外侧分支部195-1和195-2的宽度从中心部朝向边缘部逐渐减小。

在示出的示例性实施例中，示出了外侧分支部的一侧具有相对于存储电极线的倾斜度。然而，本发明不限于此，如图5至图24中所示，外侧分支部、虚设分支部和存储电极线的形状可以进行各种改变。

接下来，将参照图35和图36描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图35和图36中示出的示例性实施例的显示装置与根据图1至图4中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，tft和像素电极的形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图35是根据示例性实施例的显示装置的平面图，图36是根据示例性实施例的显示装置的部分层的平面图。图36示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极。

在前述的示例性实施例中，tft位于像素的左边缘处，而在示出的示例性实施例中，tft位于像素的下边缘处。在前述的示例性实施例中，像素电极191具有横向分支部192比纵向分支部193长的形状，而在示出的示例性实施例中，像素电极191具有横向分支部192比纵向分支部193短的形状。

从外侧分支部195的至少一侧的中心部到存储电极线199的至少一侧的距离与从外侧分支部195的所述至少一侧的边缘部到存储电极线199的所述至少一侧的距离不同。外侧分支部195的宽度从中心部朝向边缘部逐渐减小。

另外，从外侧分支部195的至少一侧的中心部到数据线171的至少一侧的最短距离与从外侧分支部195的所述至少一侧的边缘部到数据线171的所述至少一侧的最短距离不同。

在示出的示例性实施例中，示出了外侧分支部的一侧具有相对于存储电极线的倾斜度。然而，本发明不限于此，如图5至图24中所示，外侧分支部和存储电极线的形状可以进行各种改变。另外，像素电极还可以包括虚设分支部，并且虚设分支部的形状可以进行各种改变。

接下来，将参照图37和图38描述根据示例性实施例的显示装置。

根据图37和图38中示出的示例性实施例的显示装置与根据图1至图4中示出的示例性实施例的显示装置基本相同，从而省略其重复的描述。在示出的示例性实施例中，tft和像素电极的形状与前述的示例性实施例不同，将对此进行详细描述。

图37是根据示例性实施例的显示装置的平面图，图38是根据示例性实施例的显示装置的部分层的平面图。图38示出了根据示例性实施例的显示装置的像素电极。

栅极线121、123和数据线171交叉。设置了从栅极线121和123突出的第一栅电极124-1、第二栅电极124-2和第三栅电极124-3。第一半导体层154-1与第一栅电极124-1叠置，第二半导体层154-2与第二栅电极124-2叠置，第三半导体层154-3与第三栅电极124-3叠置。设置了从数据线171突出的第一源电极173-1和第二源电极173-2，设置了与第一源电极173-1和第二源电极173-2分隔开的第一漏电极175-1和第二漏电极175-2。第一源电极173-1和第一漏电极175-1与第一栅电极124-1叠置，第二源电极173-2和第二漏电极175-2与第二栅电极124-2叠置。设置了连接到第二漏电极175-2的第三源电极173-3，设置了与第三源电极173-3分隔开的第三漏电极175-3。第三源电极173-3和第三漏电极175-3与第三栅电极124-3叠置。

设置了通过接触孔185-1连接到第一漏电极175-1的第一子像素电极191-1，设置了通过接触孔185-2连接到第二漏电极175-2的第二子像素电极191-2。

第一子像素电极191-1基本设置为四边形，并且包括横向分支部192-1和纵向分支部193-1。第一子像素电极191-1还包括从横向分支部192-1和纵向分支部193-1延伸的微分支部194-1以及连接微分支部194-1的端部的外侧分支部195-1。

第二子像素电极191-2基本设置为四边形，并且包括横向分支部192-2和纵向分支部193-2。第二子像素电极191-2还包括从横向分支部192-2和纵向分支部193-2延伸的微分支部194-2以及连接微分支部194-2的端部的外侧分支部195-2。

第一存储电极线131设置在平行于栅极线121的方向上，设置了从第一存储电极线131突出以包围第一子像素电极191-1和第二子像素电极191-2的第二存储电极线135。

从外侧分支部195-1和外侧分支部195-2的至少一侧的中心部到第二存储电极线135的至少一侧的距离与从外侧分支部195-1和外侧分支部195-2的所述至少一侧的边缘部到第二存储电极线135的所述至少一侧的距离不同。外侧分支部195-1和外侧分支部195-2的宽度从中心部朝向边缘部逐渐减小。

另外，从外侧分支部195的至少一侧的中心部到数据线171的至少一侧的最短距离与从外侧分支部195的所述至少一侧的边缘部到数据线171的所述至少一侧的最短距离不同。

在示出的示例性实施例中，示出了外侧分支部的一侧具有相对于存储电极线的倾斜度。然而，本发明不限于此，如图5至图24中所示，外侧分支部和存储电极线的形状可以进行各种改变。另外，像素电极还可以包括虚设分支部，并且虚设分支部的形状可以进行各种改变。

设置了与数据线171叠置的屏蔽电极197，设置了将彼此邻近的屏蔽电极197连接的连接电极198。

虽然已经结合当前被认为是实际的示例性实施例描述了本发明，但是要理解的是，本发明不限于公开的实施例，而是相反，本发明意图覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。