一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置的制作方法

文档序号:16063450发布日期:2018-11-24 12:25阅读:122来源:国知局

本发明涉及显示技术领域,尤指一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。

背景技术

现有技术中的液晶显示面板按所提供光源的形式可分为透射式、反射式和半反半透式,其中,反射式无需设置背光源,半反半透式仅需在透射区域设置背光源,通过减少背光源的设置可以大大的减小液晶显示面板的功耗,因此,反射式和半反半透式液晶显示面板越来越受到人们的关注。

然而,半反半透式液晶显示面板中反射区域和透射区域的面积比通常40%至60%,在反射显示模式下,反射显示的效果不及反射式液晶显示面板。

目前的液晶显示面板中,反射式的液晶显示面板在外界光照不足的情况下,其显示亮度不够,影响显示效果。为缓解上述问题,采用在像素区域的中间位置设置透过区,或者在栅线延伸方向上像素子区域的两个边界处设置透过区,通过透过区的设置为液晶显示面板的亮度做补偿。但是,通过上述方式设置透过区占用了存储电容面积,使存储电容的各电极的面积会有所减小,导致存储电容的值会受到很大的影响,从而影响显示效果。

因此,如何在保证存储电容值不受影响的情况下为液晶显示面板的亮度做补偿是本领域技术人员亟待解决的问题。



技术实现要素:

本发明实施例提供一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置,用以解决现有技术中通过设置透过区为液晶显示面板的亮度做补偿影响存储电容值的技术问题。

本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:衬底基板,设置在所述衬底基板上的数据线和扫描线;以及多个呈阵列排布的像素区域,每个所述像素区域包括设置有第一像素电极的第一子像素区域和设置有第二像素电极的第二子像素区域;

所述第一子像素区域包括第一存储电容子区域,所述第二子像素区域包括第二存储电容子区域;所述第一存储电容子区域和所述第二存储电容子区域沿所述数据线的延伸方向排列,用于驱动所述第一像素电极和所述第二像素电极的所述扫描线位于所述第一存储电容子区域与所述第二存储电容子区域之间,其中,所述第一存储电容子区域设置有第一存储电容,所述第二存储电容子区域设置有第二存储电容;

还包括透光区域,所述透光区域位于所述第一存储电容子区域和所述第二存储电容子区域之间。

另一方面,本发明实施例还提供了一种液晶显示面板,包括本发明实施例提供的上述阵列基板、对向基板以及位于所述阵列基板与所述对向基板之间的液晶层;

所述对向基板包括色阻区域,且所述色阻区域在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述透光区域在所述衬底基板上的正投影。

另一方面,本发明实施例还提供一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述液晶显示面板。

本发明有益效果如下:

本发明实施例提供的一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置,该阵列基板包括:衬底基板,设置在所述衬底基板上的数据线和扫描线;以及多个呈阵列排布的像素区域,每个所述像素区域包括设置有第一像素电极的第一子像素区域和设置有第二像素电极的第二子像素区域;所述第一子像素区域包括第一存储电容子区域,所述第二子像素区域包括第二存储电容子区域;所述第一存储电容子区域和所述第二存储电容子区域沿所述数据线的延伸方向排列,用于驱动所述第一像素电极和所述第二像素电极的所述扫描线位于所述第一存储电容子区域与所述第二存储电容子区域之间,其中,所述第一存储电容子区域设置有第一存储电容,所述第二存储电容子区域设置有第二存储电容;通过将透光区域设置在所述第一存储电容子区域和所述第二存储电容子区域之间的方式,使该透光区域未占用第一存储电容和第二存储电容所在的区域,因此第一存储电容和第二存储电容的值并未受到影响,从而实现在保证存储电容值不受影响的情况下为液晶显示面板的亮度做出补偿,以提高液晶显示面板的显示效果。

附图说明

图1为相关技术中的液晶显示面板中的一种阵列基板的平面结构示意图;

图2为沿着图1中a1-a2方向的阵列基板的剖面图;

图3为相关技术中的液晶显示面板中的另一种阵列基板的平面结构示意图;

图4为沿着图3中b1-b2方向的阵列基板的剖面图;

图5为本发明实施例提供的液晶显示面板中的一种阵列基板的平面结构示意图;

图6为沿着图5中d1-d2方向的一种阵列基板的剖面图;

图7为本发明实施例提供的液晶显示面板中的另一种阵列基板的平面结构示意图;

图8为沿着图7中d1-d2方向的阵列基板的剖面图;

图9为本发明实施例提供的液晶显示面板中的又一种阵列基板的平面结构示意图;

图10为沿着图9中d1-d2方向的阵列基板的剖面图;

图11为本发明实施例提供的液晶显示面板中的又一种阵列基板的平面结构示意图;

图12为沿着图11中d1-d2方向的阵列基板的剖面图;

图13为本发明实施例提供的液晶显示面板中的又一种阵列基板的平面结构示意图;

图14为沿着图13中d1-d2方向的阵列基板的剖面图;

图15为本发明实施例提供的液晶显示面板中的又一种阵列基板的平面结构示意图;

图16为沿着图15中d1-d2方向的阵列基板的剖面图;

图17为本发明实施例提供的阵列基板中的一种剖面结构示意图;

图18为本发明实施例提供的阵列基板中的开关晶体管的剖面结构示意图;

图19为本发明实施例提供的阵列基板中的像素排列的平面结构示意图;

图20为本发明实施例提供的阵列基板中所设置的透光区域的一种形状的结构示意图;

图21为本发明实施例提供的阵列基板中所设置的透光区域的另一种形状的结构示意图;

图22为本发明实施例提供的液晶显示面板的剖面结构示意图;

图23为本发明实施例提供的显示装置的平面结构示意图。

具体实施方式

为了缓解反射式的液晶显示面板在外界光照不足的情况下显示亮度不够的问题,如图1和图2所示,该阵列基板包括数据线(data1/data2)、栅线(gate1/gate2/gate3)、呈矩阵排列的像素区域以及覆盖各像素子区域(px1/px2)的像素电极13、存储电容c1和覆盖存储电容所在区域的反射金属层14,为了对显示亮度进行补偿,会在像素子区域的中间位置设置透过区a,为液晶显示面板的亮度做补偿。但是该透过区域a的设置会占用存储电容c1的面积,导致存储电容c1所占的面积减小。具体地,如图2所示,存储电容c1的第一电极11与存储电容c1的第二电极12共同构成了存储电容c1,为了对液晶显示面板的亮度做补偿将原本应设置在a区域第一电极11和第二电极12部分挖空,形成了透过区a,由于透过区a的设置,使得存储电容c1的第一电极11和第二电极12的正对面积大大减小,导致存储电容c1的值会受到很大的影响,从而影响显示效果。

除了在像素区域的中间位置设置透过区外,如图3和图4所示,也会在栅线的延伸方向上像素子区域(px1/px2)的两个边界处设置透过区a,为液晶显示面板的亮度做补偿,但是透过区a的该种设置方式同样占用了原本设置存储电容c1的面积,使得存储电容c1的值减小。与上述实施例相比,其区别仅在于透过区a所设置的位置不同,其他的层级结构均与图1和图2所示的阵列基板的结构相同,在此不再赘述。

针对上述实施例存在的问题,本发明实施例提供了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。为了使本发明的目的,技术方案和优点更加清楚,下面结合附图,对本发明实施例提供的阵列基板、液晶显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。应当理解,下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明,并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

附图中各部件的形状和大小不反应真实比例,目的只是示意说明本发明内容。

具体地,本发明实施例提供的一种阵列基板,如图5和图6所示,该阵列基板包括:衬底基板20,设置在衬底基板20上的数据线(data1/data2)和扫描线(gate1/gate2/gate3);以及多个呈阵列排布的像素区域,每个像素区域包括设置有第一像素电极23的第一子像素区域px1和设置有第二像素电极33的第二子像素区域px2;

第一子像素区域px1包括第一存储电容子区域c1,第二子像素区域px2包括第二存储电容子区域c2;第一存储电容子区域c1和第二存储电容子区域c2沿着数据线(data1/data2)的延伸方向排列,用于驱动第一像素电极23和第二像素电极33的扫描线(gate1/gate2/gate3)位于第一存储电容子区域c1与第二存储电容子区域c2之间,其中,第一存储电容子区域c1设置有第一存储电容,第二存储电容子区域c2设置有第二存储电容;

还包括透光区域b,透光区域b位于第一存储电容子区域c1和第二存储电容子区域c2之间。

本发明实施例提供的一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置,该阵列基板包括:衬底基板,设置在衬底基板上的数据线和扫描线;以及多个呈阵列排布的像素区域,每个像素区域包括设置有第一像素电极的第一子像素区域和设置有第二像素电极的第二子像素区域;第一子像素区域包括第一存储电容子区域,第二子像素区域包括第二存储电容子区域;第一存储电容子区域和第二存储电容子区域沿着数据线的延伸方向排列,用于驱动第一像素电极和第二像素电极的扫描线位于第一存储电容子区域与第二存储电容子区域之间,其中,第一存储电容子区域设置有第一存储电容,第二存储电容子区域设置有第二存储电容;通过将透光区域设置在第一存储电容子区域和第二存储电容子区域之间的方式,使该透光区域未占用第一存储电容和第二存储电容所在的区域,因此第一存储电容和第二存储电容的值并未受到影响,从而实现在保证存储电容值不受影响的情况下为液晶显示面板的亮度做出补偿,以提高液晶显示面板的显示效果。

需要说明的是,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,如图5和6所示,第一像素电极23是由第一透明电极25和与第一透明电极25相接触的第一反射金属层24组成,第二像素电极33是由第二透明电极35和与第二透明电极25相接触的第二反射金属层24组成;该透光区域b是指第一透明电极25上方没有第一反射金属层24覆盖的区域b1和第二透明电极35上方没有第二反射金属层34覆盖的区域b2,为了实现对第一像素电极23和第二像素电极33的驱动,因此第一像素电极23和第二像素电极33是相互绝缘的,第一像素电极23与第二像素电极33之间的区域d由于没有设置像素电极,不能在像素电极的驱动下用于显示,且扫描线gate2通常金属,能阻挡背光源的光通过,因此,d区域不是透光区域。

值得注意的是,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,如图6所示,第一存储电容包括第一电极21和第二电极22,第二存储电容包括第一电极31和第二电极32,在实际应用过程中,也可以将第一像素电极23可以复用为第一存储电容的第二电极,第二像素电极33也可以复用为第二存储电容的第二电极,在第一像素电极23复用为第一存储电容的第二电极时,第一存储电容子区域的面积以第一存储电容的第一电极21所占的面积为准,即第一存储电容的第一电极21与第一像素电极23的正对面积是以第一存储电容的第一电极21的面积为准的(以较小电极的面积为准),针对第二存储电容与第一存储电容同理,在此不再赘述。

其中,图5所示的阵列基板是以位于第一存储电容子区域c1和第二存储电容子区域c2之间的三条栅线(gate1/gate2/gate3)为例进行示意的,当然上述实施例也适用于采用两条栅线分别驱动第一像素电极和第二像素电极的情况,其原理与上述实施例的原理相同,在此不再赘述。

可选地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,如图6所示,透光区域b包括对应第一子像素区域px1的第一子透光区域b1,以及,对应第二子像素区域px2的第二子透光区域b2。

具体地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,如图6所示,第一子透光区域b1是指第一像素电极23上方没有第一反射金属层24覆盖的区域;第二子透光区域b2是指第二像素电极33上方没有第二反射金属层34覆盖的区域,通过第一子透光区域b1和第二子透光区域b2可以对液晶显示面板的亮度进行补偿。第一子透光区域b1和第二子透光区域b2设置在各栅线的两侧,由于各栅线两侧本身就存在空间,便于透光区域的设置;且栅线附近部分区域设置的信号线较少,导致该部分区域的阵列基板距离对向基板的距离较大,反射效果不好,因此在该区域设置透光区域对液晶显示面板的反射光产生影响较小;同时,在该区域设置透光区域不会产生各像素之间漏光混色的问题。

可选地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,如图7至图12所示,位于第一像素电极23和第二像素电极33之间的扫描线包括第一扫描线gate1、第二扫描线gate2和第三扫描线gate3,第一子透光区域b1位于第一扫描线gate1和第二扫描线gate2之间,和/或,第二子透光区域b2位于第二扫描线gate2和第三扫描线gate3之间。

具体地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,如图7和图8所示,第一子透光区域b1位于第一扫描线gate1和第二扫描线gate2之间,在数据线(data1/data2)延伸方向上,第一像素电极23完全覆盖第一扫描线gate1所在区域,第一像素电极23部分覆盖第二扫描线gate2所在区域,在第一反射金属层24所覆盖的区域与第二扫描线gate2所覆盖的区域之间可以设置有第一子透光区域b1;如图9和图10所示,第二子透光区域b2位于第二扫描线gate2和第三扫描线gate3之间,在数据线(data1/data2)延伸方向上,第二像素电极33完全覆盖第三扫描线gate3所在区域,第二像素电极33部分覆盖第二扫描线gate2所在区域,在第二反射金属层34所覆盖的区域与第二扫描线gate2所覆盖的区域之间可以设置有第一子透光区域b2;当然也可以如图11和图12所示,在各扫描线之间同时设置第一子透光区域b1和第二子透光区域b2,其具体的层级结构与图7至图10的层级结构相同,在此不再赘述。

由于用于驱动第一像素电极和第二像素电极的扫描线均位于第一存储电容子区域和第二存储电容子区域之间,且在第一存储电容子区域和第二存储电容子区域之间还设置有多个与各扫描线相连的开关晶体管,因此,在各扫描线之间存在较多的空间,将第一子透光区域和第二子透光区域设置在各扫描线之间可以对阵列基板上的空间进行合理的利用,且不占用第一存储电容和第二存储电容所在区域就能实现为液晶显示面板补偿显示亮度。

具体地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,由图7、图9和图11可以看出,第一像素区域px1与第二像素区域px2相互断开(即第一像素电极与第二像素电极相互绝缘),且第一像素电极和第二像素电极沿着数据线data1延伸的方向排列,第一像素电极与第二像素电极之间设置有沿第一方向排列的第一扫描线gate1、第二扫描线gate2和第三扫描线gate3,在第一像素电极与第二像素电极之间还设置有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管(薄膜晶体管的具体结构在图中未示出),第二薄膜晶体管的栅极与第二扫描线gate2相连,第二薄膜晶体管的源极连接至同时与第一像素电极和第二像素电极对应的数据线data1,第二薄膜晶体管包括第一漏极和第二漏极,第二薄膜晶体管的第一漏极与第一薄膜晶体管的源极相连,第二薄膜晶体管的第二漏极与第三薄膜晶体管的源极相连;第一薄膜晶体管的栅极与第一扫描线gate1相连,第一薄膜晶体管的漏极与第一像素电极相连;第三薄膜晶体管的栅极与第三扫描线gate3相连,第三薄膜晶体管的漏极与第二像素电极相连,也就是说,通过第二薄膜晶体管和第一薄膜晶体管驱动第一像素电极,通过第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管驱动第二像素电极,从而可以实现为第一像素电极和第二像素电极独立提供驱动电压,当然也可以使第二薄膜晶体管、第一薄膜晶体管和第三薄膜晶体管同时导通,同时为第一像素电极和第二像素电极提供驱动电压,以实现液晶显示面板的64色显示。

可选地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,如图13至图16所示,第一子透光区域b1位于第一存储电容子区域c1与扫描线之间,和/或,第二子透光区域b2位于第二存储电容子区域c2与扫描线之间。

具体地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,如图13和图14所示,第一子透光区域b1位于第一存储电容子区域c1与第一扫描线gate1之间,第一存储电容子区域c1和第一扫描线gate1所在的区域均覆盖有第一反射金属层24;如图15和图16所示,第二子透光区域b2位于第二存储电容子区域c2与第三扫描线gate3之间,第二存储电容子区域c2和第三扫描线gate3所在的区域均覆盖有第二反射金属层34;当然,在上述实施例提供的阵列基板中也可以同时在第一存储电容子区域c1与第一扫描线gate1之间设置第一子透光区域b1,和在第二存储电容子区域c2与第三扫描线gate3之间设置第二子透光区域b2,其层级结构与图13至图16所示的层级结构相同,在此不再赘述。

由于第一扫描信号线与第一存储电容子区域之间除了设置有与第一扫描线连接的开关晶体管外,布线的设置较少,在该区域设置第一子透光区域对阵列基板上的其他结构影响较小;同理,在第三扫描信号线与第二存储电容子区域之间除了设置有与第三扫描线连接的开关晶体管外,布线的设置也是较少,在该区域设置第二子透光区域对阵列基板上的其他结构影响较小。

可选地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,如图6所示,第一像素电极23包括第一透明电极25和第一反射金属层24,第一透明电极25和第一反射金属层24相接触;

第二像素电极33包括第二透明电极35和第二反射金属层34,第二透明电极35和第二反射金属层34相接触;

第一反射金属层24至少覆盖第一存储电容,第二反射金属层34至少覆盖第二存储电容;

第一透明电极25至少与第一扫描线存在第一交叠区域,第二透明电极35至少与第三扫描线存在第二交叠区域。

具体地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,第一透明电极与第一反射金属层共同构成了第一像素电极,第二透明电极与第二反射金属层共同构成了第二像素电极,第一反射电极至少覆盖第一存储电容和,第二反射金属层至少覆盖第二存储电容,也就是说第一存储电容所在的第一存储电容子区域和第二存储电容所在的第二存储电容子区域均为反射区域,不设置有透光区域,以保证第一存储电容的值和第二存储电容的值不受影响;使第一透明电极至少与第一扫描线存在第一交叠区域,第二透明电极至少与第三扫描线存在第二交叠区域,可以至少将第一子透光区域设置在第一扫描线与第一存储电容子区域之间,至少将第二子透光区域设置在第三扫描线与第二存储电容子区域之间,以对液晶显示面板的亮度进行补偿。

其中,第一像素电极和第二像素电极除上述设置情况之外,还可以如图17所示,将第一反射金属层24复用为第一像素电极23的一部分,仅在第一子透光区域b1内设置第一透明电极25,使第一透明电极25与第一反射金属层24相接触,第一透明电极25与第一反射金属层24共同作为第一像素电极;当然也可以将第二反射金属层34复用为第二像素电极33的一部分,仅在第二子透光区域b2内设置第二透明电极35,使第二透明电极35与第二反射金属层34相接触,第二透明电极35与第二反射金属层34共同作为第二像素电极33;通过上述设置可以减少阵列基板的厚度,有利于实现液晶显示面板的纤薄化。

可选地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,如图18所示,该阵列基板还包括:与数据线和扫描线相连的开关晶体管;

第一存储电容和第二存储电容分别包括第一电极21/31和第二电极22/32,且第一存储电容的第一电极21和/或第二存储电容的第一电极31与开关晶体管的栅极g同层设置。

具体地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,如图18所示,与数据线和扫描线相连的开关晶体管包括依次位于衬底基板上的有源层b、栅极g、源电极s和漏电极d,其中源电极s和漏电极d分别通过过孔与有源层b相连,在本发明提供的实施例中,使第一存储电容的第一电极21或者第二存储电容的第一电极31与开关晶体管的栅极g同层,这样可以减少阵列基板的层数的设置,减小阵列基板的厚度的同时节约了生产成本。

其中,第一存储电容的第一电极和第二存储电容的第一电极均加载公共电极信号,通过过孔或信号线与公共电极相连。

可选地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,如图18所示,第一存储电容的第二电极22和/或第二存储电容的第二电极32与开关晶体管的源漏电极(s/d)同层设置。

具体地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,如图18所示,第一存储电容的第二电极22或者第二存储电容的第二电极32与开关晶体管的源电极s和漏电极d同层,这样可以减少阵列基板的层数的设置,减小阵列基板的厚度的同时节约了生产成本。

其中,第一存储电容的第二电极通过第一过孔与第一像素电极相连,和/或,第二存储电容的第二电极通过第二过孔与第二像素电极相连,即第一存储电容的第二电极加载第一像素电极的信号,第二存储电容的第二电极加载第二像素电极的信号。

需要说明的是,第一像素电极可以复用为第一存储电容的第二电极,第二像素电极可以复用为第二存储电容的第二电极,但是,相较与将第一存储电容的第二电极和第二存储电容的第二电极与开关晶体管的源电极和漏电极同层而言,第一像素电极距离第一存储电容的第一电极较远,使得单位面积的第一存储电容值较小,因此,将第一存储电容的第二电极与开关晶体管的源电极和漏电极同层,可以减少第一存储电容的第一电极和第二电极之间的距离,增大单位面积的第一存储电容值,第二存储电容的第一电极和第二电极的设置与第一存储电容同理,在此不再赘述。

可选地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,如图19所示,第一子像素区域px1的面积与第二子像素区域px2的面积不相等。

具体地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,为了降低液晶显示面板功耗,且能够通过较小的功耗实现液晶显示面板的64色显示,具体如图19所示,每个像素区域包括第一子像素区域px1和第二子像素区域px2,其中,第一子像素区域px1的面积大于第二子像素区域px2的面积。上述结构中每个子像素最多可以显示四种颜色:黑色,单独第一子像素区域px1产生的第一颜色、单独第二子像素区域px2产生的第二颜色,同时驱动第一子像素区域px1和第二子像素区域px2时产生的叠加色,当像素阵列包括三个颜色的像素时(即红色像素区域、蓝色像素区域和绿色像素区域,),只需要给各像素电极提供打开状态和关闭状态两种不同的驱动电压,就可以实现液晶显示面板的64色显示,减少了驱动电压变化所带来的功耗。

可选地,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,透光区域的形状可以为如图5矩形、还可以为如图20所示的三角形、多边形和/或圆形的其中之一或组合。当然还可以为图21所示的菱形,还以为其他任何能够应用到透光区域的形状,在此不作具体限定。

需要说明的是,图5、图20和图21中所示的透光区域,仅是对透光区域的形状进行限定,并不对何种形状的透光区域位于阵列基板的某种位置进行限定,任何位置的透光区域都可以是上述任一形状,或多个形状的组合,在此不作具体限定。

基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种液晶显示面板,如图22所示,包括本发明上述任一实施例中的阵列基板50、对向基板40以及位于阵列基板50与对向基板40之间的液晶层60;

对向基板40包括色阻区域41,且色阻区域41在衬底基板上的正投影至少覆盖透光区域(b1/b2)在衬底基板上的正投影。

具体地,在本发明实施例提供的上述液晶显示面板中,还包括:设置在阵列基板面向对向基板的一侧或对向基板面向阵列基板一侧的公共电极层;

第一存储电容的第一电极和/或第二存储电容的第一电极上的电压与公共电极层上的电压相同。

基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,如图23所示,包括本发明实施例提供的上述液晶显示面板。该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的,在此不做赘述,也不应作为对本发明的限制。该显示装置的实施可以参见上述液晶显示面板的实施例,重复之处不再赘述。

本发明实施例提供的一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置,该阵列基板包括:衬底基板,设置在所述衬底基板上的数据线和扫描线;以及多个呈阵列排布的像素区域,每个所述像素区域包括设置有第一像素电极的第一子像素区域和设置有第二像素电极的第二子像素区域;所述第一子像素区域包括第一存储电容子区域,所述第二子像素区域包括第二存储电容子区域;所述第一存储电容子区域和所述第二存储电容子区域沿所述数据线的延伸方向排列,用于驱动所述第一像素电极和所述第二像素电极的所述扫描线位于所述第一存储电容子区域与所述第二存储电容子区域之间,其中,所述第一存储电容子区域设置有第一存储电容,所述第二存储电容子区域设置有第二存储电容;通过将透光区域设置在所述第一存储电容子区域和所述第二存储电容子区域之间的方式,使该透光区域未占用第一存储电容和第二存储电容所在的区域,因此第一存储电容和第二存储电容的值并未受到影响,从而实现在保证存储电容值不受影响的情况下为液晶显示面板的亮度做出补偿,以提高液晶显示面板的显示效果。

显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

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