本发明涉及一种曝光成像装置及其使用方法，具体是一种无掩膜极坐标旋转扫描曝光成像装置及其使用方法。
背景技术：
材料科学的进步，特别是半导体硅材料的深入研究，促进电子行业芯片的规模应用。计算机控制技术、精密加工技术的发展，使芯片的制造更易控制，成本降低，应用更广。目前商业化的芯片制程已经达到7nm，高精度的芯片主要应用于cpu、gpu及dram的生产。大量工控芯片的制程为200-500nm。
芯片制造的流程较为复杂，过程与传统相片的制造过程相似，主要包括：薄膜—光刻—显影—蚀刻—光阻去除。其中光刻就是将芯片晶圆安置于可以沿双方向移动的直角坐标系平台上，将掩膜版覆盖在晶圆上，其上方固定有处理器控制下的光源。在直角坐标系内移动平台，在光源的照射下，将掩膜版上的图像刻画在晶圆上。光刻的成本约为整个晶圆制造工艺的1/3，耗费时间约占整个晶圆工艺的40～60%。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种无掩膜极坐标旋转扫描曝光成像装置及其使用方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种无掩膜极坐标旋转扫描曝光成像装置，包括底座，所述底座上端安装有安装圆台，安装圆台上端设有环形阵列分布的晶圆，底座上端安装有横梁，横梁上安装有ccd，横梁上端卡设有滑台，滑台侧边设有阵列分布的激光器。
作为本发明进一步的方案：所述安装圆台转动固定在底座。
作为本发明再进一步的方案：所述底座内部安装有电机，电机的输出轴固定在安装圆台上。
作为本发明再进一步的方案：所述电机上外设有电源连接线和控制开关。
作为本发明再进一步的方案：所述晶圆吸附在安装圆台上。
作为本发明再进一步的方案：所述横梁为u型。
作为本发明再进一步的方案：所述ccd设置有四个。
作为本发明的另一个目的是提供一种无掩膜极坐标旋转扫描曝光成像装置的使用方法，包括以下步骤：
步骤一，在以角速度为θ匀速旋转的安装圆台上放置待光刻的晶圆；
步骤二，利用安装圆台上端设有的定位用的ccd，完成对晶圆的对位；
步骤三，在安装圆台上方安装有沿安装圆台径向匀速移动的激光器；
步骤四，计算机软件解析图形文件，通过ccd采集数据定位晶圆，控制安装圆台的旋转和激光器，完成图像的刻画，即曝光成像。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明无掩膜极坐标旋转扫描曝光成像装置，晶圆的光刻，在计算机技术的辅助下，取消掩膜版制作环节，直接刻画在晶圆上，图形精度高、质量好、速度快、扫描连续，稳定性高，减少了制作工序，实现成本的优化。
附图说明
图1为一种无掩膜极坐标旋转扫描曝光成像装置的立体结构示意图。
图2为一种无掩膜极坐标旋转扫描曝光成像装置的俯视结构示意图。
图3为一种无掩膜极坐标旋转扫描曝光成像装置的极坐标扫描原理图。
图4为传统的掩膜曝光结构示意图。
其中：底座1、安装圆台2、晶圆3、ccd4、横梁5、滑台6、激光器7、硅材料层8、二氧化硅材料层9、光刻胶10、掩膜版11、光源12。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明的技术方案作进一步详细地说明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例1
请参阅图1和图2，本发明实施例中，一种无掩膜极坐标旋转扫描曝光成像装置，包括底座1，所述底座1上端安装有安装圆台2，安装圆台2转动固定在底座1，为了使得安装圆台2可以匀速转动，底座1内部安装有电机，电机的输出轴固定在安装圆台2上，电机上外设有电源连接线和控制开关，安装圆台2上端设有环形阵列分布的晶圆3，晶圆3吸附在安装圆台2上，底座1上端安装有横梁5，横梁5为u型，为了对晶圆3进行定位，横梁5上安装有ccd4，横梁5上端卡设有滑台6，为了在晶圆3上完成图像的刻画，滑台6侧边设有阵列分布的激光器7。
实施例2
请参阅图1和图2，本发明实施例中，一种无掩膜极坐标旋转扫描曝光成像装置，是在实施例1的基础上，进一步的，所述ccd4设置有四个。
请参阅图1-3，一种无掩膜极坐标旋转扫描曝光成像装置的使用方法，包括以下步骤：
步骤一，在以角速度为θ匀速旋转的安装圆台2上放置待光刻的晶圆3；
步骤二，利用安装圆台2上端设有的定位用的ccd4，完成对晶圆3的对位；
步骤三，在安装圆台2上方安装有沿安装圆台2径向匀速移动的激光器7；
步骤四，计算机软件解析图形文件，通过ccd4采集数据定位晶圆3，控制安装圆台2的旋转和激光器7，完成图像的刻画，即曝光成像。
本发明无掩膜极坐标旋转扫描曝光成像装置，晶圆3的光刻，在计算机技术的辅助下，取消掩膜版制作环节，直接刻画在晶圆3上，图形精度高、质量好、速度快、扫描连续，稳定性高，减少了制作工序，实现成本的优化；传统的掩膜曝光结构，如图4，包括二氧化硅材料层9，二氧化硅材料层9下端设有硅材料层8，二氧化硅材料层9上端设有光刻胶10，光刻胶10上端设有掩膜版11，掩膜版11上端设有光源12。
上面对本发明的较佳实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。