一种曝光用掩模板的制作方法

本实用新型涉及掩模板技术领域，特别涉及一种曝光用掩模板。

背景技术：

目前触控显示行业对图形的制作大部分通过黄光工艺完成，即通过镀膜-凃光刻胶-曝光-显影-蚀刻-脱膜来进行线路的制作。这其中所含的曝光制程中所需的模具一般称为掩模板或光罩，用来转移图案。光通过掩模板照到光刻胶上会发生化学反应，光透不过的地方不会，受光区域和非受光区域在显影液中的溶解度差异很大，如此一来，显影后就会形成与掩模板完全相同或完全相反的图案。

随着触控显示对线路精度要求越来越高，而线路的精度很大程度上取决于曝光精度，因此对曝光精度也提出了更高的要求。然而，现有的掩模板光容易产生偏离，曝光精度有待提高。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种曝光用掩模板，其解决了现有的掩模板光容易产生偏离，曝光精度有待提高的问题。

本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种曝光用掩模板，包括掩模板，所述掩模板顶面设置有上膜面，底面设置有下膜面，所述掩模板上方设置有透镜，所述透镜上方设置有光源，所述掩模板下方设置有涂覆光阻的待曝光物。

采用上述结构，上下面均为膜面，允许光透过的地方，光经过掩模板上膜面时，一部分偏离垂直方向较严重的光就会被遮挡住，再经过下膜面时的光偏离垂直方向轻微，可大大提高曝光精度。

进一步优化为：所述上膜面和所述下膜面图形一致。

进一步优化为：所述上膜面和所述下膜面均通过物理沉积法形成且均覆盖在所述掩模板表面。

进一步优化为：所述上膜面和所述下膜面对位精度小于0.5μm。

进一步优化为：所述上膜面和所述下膜面均为铬碳化合物，且厚度均为12-20μm。

综上所述，本实用新型具有以下有益效果：上下面均为膜面，且图形一致。允许光透过的地方，光经过掩模板上膜面时，一部分偏离垂直方向较严重的光就会被遮挡住，再经过下膜面时的光偏离垂直方向轻微，可大大提高曝光精度。

附图说明

图1是实施例的结构示意图，主要用于体现曝光过程。

图中，1、光源；2、透镜；3、掩模板；4、光阻；5、晶圆；6、上膜面；7、下膜面。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

实施例：一种曝光用掩模板，如图1所示，包括掩模板3，掩模板3顶面设置有上膜面6，底面设置有下膜面7。上膜面6和下膜面7均通过物理沉积法形成且均覆盖在掩模板3表面，上膜面6和下膜面7图形一致。上膜面6和下膜面7均为铬碳化合物，且厚度均为12-20μm，上膜面6和下膜面7对位精度小于0.5μm。

参照图1，掩模板3上方设置有透镜2，透镜2上方设置有光源1，掩模板3下方设置有光阻4，光阻4底部通过物理沉积法覆盖有晶圆5，掩模板3与光阻4之间存在间隙。

曝光过程：决定曝光精度最主要的两个参数：光的平行度、光的均匀性。理想状态下：所有光线经过透镜2变成垂直于掩模板3的平行光。但是实际情况是部分光线经过透镜2后与掩模板3并不是垂直的，透镜2与掩模板3、掩模板3与光阻4的距离越大，光偏离垂直方向越严重，曝光精度越差。

本实用新型提出的双面掩模板3：上下面均为膜面，且图形一致。允许光透过的地方，光经过掩模板3上膜面6时，一部分偏离垂直方向较严重的光就会被遮挡住，再经过下膜面7时的光偏离垂直方向轻微，可大大提高曝光精度。

本具体实施例仅仅是对本实用新型的解释，其并不是对本实用新型的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本实用新型的权利要求范围内都受到专利法的保护。