一种掩膜版的制作方法

本技术涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种掩膜版。

背景技术：

在目前tft-lcd设计中，为提升tft开口率，需将各层图案(pattern)线路尽量微型化，其中pv层过孔(thoughhole)的开孔直径亦要求尽量小，因此掩膜版上的透光区域也会相应的设计较小，以达到高解析度的目的。

但当过孔直径接近曝光机解析极限，即掩膜版上相应的透光区域接近曝光机的解析极限时，曝光机解析困难，可能会产生盲孔。

技术实现要素：

本技术实施例提供一种掩膜版，以解决现有掩膜版上的透光区域过小导致曝光机解析困难的问题。

本技术实施例提供了一种掩膜版，包括：用于在显示面板上形成过孔的透光区域；

所述透光区域的四周设有镂空区域，且所述镂空区域的宽度以及所述镂空区域与所述透光区域的间距均低于曝光机的解析精度。

进一步地，所述透光区域为方形。

进一步地，所述镂空区域包括四个第一子区域；

所述四个第一子区域与所述透光区域的四个边界一一对应设置。

进一步地，所述第一子区域为矩形；

每个第一子区域与其对应的透光区域边界平行设置，且四个第一子区域与所述透光区域的间距相等。

进一步地，每个第一子区域的宽度均低于曝光机的解析精度，且每个第一子区域与所述透光区域的间距均低于曝光机的解析精度。

进一步地，所述镂空区域还包括四个第二子区域；

所述四个第二子区域与所述透光区域的四个顶角一一对应设置。

进一步地，任意相邻的两个第一子区域之间具有一个第二子区域，且任意相邻的两个第一子区域与其之间的第二子区域相连通。

进一步地，所述第二子区域为方形；

每个第二子区域的一顶角与其对应的透光区域顶角连接。

进一步地，每个第二子区域的宽度均低于曝光机的解析精度。

进一步地，所述曝光机的解析精度为2um，每个第一子区域的宽度为0.5～1um，每个第一子区域与所述透光区域的间距为0.2～1.5um，每个第二子区域的宽度为0.5～1um。

本发明的有益效果为：在用于形成过孔的透光区域的四周设置镂空区域，以增加光的透过率，提高曝光机的解析能力，同时镂空区域的宽度以及镂空区域与透光区域的间距均低于曝光机的解析精度，以避免镂空区域在曝光时不会成像，从而在显示面板上形成满足最小尺寸要求的过孔。

附图说明

下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本技术实施例提供的掩膜版的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。

如图1所示，图1是本技术实施例提供的掩膜版的结构示意图。该掩膜版包括透光区域1和不透光区域2。其中，透光区域1用于在显示面板上形成过孔，且透光区域1的大小达到制作显示面板的曝光机的解析极限，不透光区域2围绕透光区域1设置。

透光区域1四周的不透光区域2上设有镂空区域3，且镂空区域3与透光区域1之间具有一定的间距，从而在不改变透光区域大小的基础上，增加光的透过率，以在曝光机达到解析极限的基础上，提高曝光机的解析能力。而且，镂空区域3的宽度以及镂空区域3与透光区域1的间距均低于曝光机的解析精度，以在增加光的透过率的基础上，避免镂空区域在曝光时成像，从而在显示面板上形成满足最小尺寸要求的过孔。

优选地，如图1所示，透光区域1为方形，镂空区域3包括四个第一子区域31。四个第一子区域31围绕在透光区域1的四周，具体地，四个第一子区域31与透光区域1的四个边界一一对应的设置。

优选地，每个第一子区域31为一个狭缝，该狭缝呈矩形，如图1所示。每个第一子区域31与其对应的透光区域1的边界平行设置，且每个第一子区域31到其对应的透光区域1边界的距离一致，即四个第一子区域31到透光区域1的间距相等。

镂空区域3的宽度包括每个第一子区域31的宽度，第一子区域31的宽度即为矩形的宽度。每个第一子区域31的宽度均低于曝光机的解析精度，在曝光机的解析精度为2um时，每个第一子区域31的宽度优选为0.5～1um。镂空区域3与透光区域1的间距为第一子区域31与透光区域1的间距，即第一子区域31到其对应的透光区域1的边界的距离。每个第一子区域31与所述透光区域1的间距均低于曝光机的解析精度，在曝光机的解析精度为2um时，每个第一子区域31与所述透光区域1的间距优选为0.2～1.5um。

进一步地，如图1所示，镂空区域3还包括四个第二子区域32，四个第二子区域32围绕在透光区域1的四周，具体地，四个第二子区域32与透光区域1的四个顶角一一对应的设置。第二子区域32设置在两个相邻第一子区域31之间，即第一子区域31和第二子区域32间隔设置，相邻两个第一子区域31的延长线的交叉点为第二子区域32的中心点，且第二子区域32与第一子区域31相连通，从而使四个第一子区域31和四个第二子区域32围成一个闭合结构，围绕在透光区域1的四周。

优选地，如图1所示，第二子区域32为方形。每个第二子区域32的一顶角与其对应的透光区域1顶角连接，且每个第二子区域32的所述顶角的相邻两边界与所述第二子区域32相邻的两个第一子区域31对应连接，连接区域为所述第二子区域32的边界的中心区域。

镂空区域3的宽度还包括每个第二子区域32的宽度，第二子区域32的宽度即为方形的边长。每个第二子区域32的宽度均低于曝光机的解析精度，在曝光机的解析精度为2um时，每个第二子区域32的宽度优选为0.5～1um。

由上述可知，本实施例提供的掩膜版，在用于形成过孔的透光区域的四周设置镂空区域，以增加光的透过率，提高曝光机的解析能力，同时镂空区域的宽度以及镂空区域与透光区域的间距均低于曝光机的解析精度，以避免镂空区域在曝光时不会成像，从而在显示面板上形成满足最小尺寸要求的过孔。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

技术特征：

技术总结
本申请公开了一种掩膜版，所述掩膜版包括：用于在显示面板上形成过孔的透光区域；所述透光区域的四周设有镂空区域，且所述镂空区域的宽度以及所述镂空区域与所述透光区域的间距均低于曝光机的解析精度，从而增加光的透过率，提高曝光机的解析能力。

技术研发人员：郑立彬
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2019.01.15
技术公布日：2019.03.19