一种阵列基板、其制作方法及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板、其制作方法及显示装置。
【背景技术】
[0002]阵列基板是显示面板的关键部件，目前，阵列集成彩膜技术(Color-filterOnArray，简称COA)是将彩色滤光层直接形成于阵列基板上的技术，这种技术不会产生对位误差，可以降低显示面板制备过程中对盒工艺的难度，受到了广泛应用。
[0003]然而，COA显示基板上的具有反光特性的结构降低显示区域画面的可读性，如何提高显示基板的抗光线干扰性能，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板、其制作方法及显示装置，可以使外部光线照射到黑矩阵的表面时，对其进行散射，以减小反射光的光强，从而提高阵列基板的各像素单元所在区域的可见性。
[0005]因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括:衬底基板，设置在所述衬底基板上的黑矩阵，所述阵列基板具有呈阵列排布的多个像素单元，所述黑矩阵的图案在衬底基板上的正投影至少部分地覆盖相邻的所述像素单元之间的间隙处:
[0006]所述黑矩阵的至少一部分的表面具有可将照射到所述黑矩阵表面的光线进行漫反射的第一凹凸结构。
[0007]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括:设置在所述黑矩阵的下方且与所述黑矩阵直接接触的绝缘层，所述绝缘层的表面具有与所述黑矩阵表面的第一凹凸结构相匹配的第二凹凸结构。
[0008]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述黑矩阵的材料为金属材料。
[0009]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括:设置在衬底基板上的各所述像素单元所在区域内的狭缝状的第一电极，所述第一电极与所述黑矩阵的材料相同且同层设置。
[0010]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括:设置在衬底基板上的各所述像素单元所在区域内的第二电极；
[0011]所述第二电极通过所述绝缘层与所述第一电极相互绝缘。
[0012]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第二电极为面状电极或狭缝电极。
[0013]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一电极和所述第二电极在衬底基板上的正投影至少部分重合。
[0014]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；或，
[0015]所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。
[0016]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述绝缘层为包括至少三种颜色不同的滤光片的彩色滤光层。
[0017]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一凹凸结构的宽度为3至6微米；和/或，
[0018]所述第一凹凸结构的深度为0.5至1.5微米；和/或，
[0019]所述第一凹凸结构的间隔为3至6微米。
[0020]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。
[0021]本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法，包括:
[0022]在衬底基板上形成呈阵列排布的多个像素单元以及至少部分地覆盖相邻的所述像素单元之间间隙处的黑矩阵的图形；
[0023]其中，所述黑矩阵图形的至少一部分的表面具有可将照射到所述黑矩阵表面的光线进行漫反射的第一凹凸结构。
[0024]在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法，在所述衬底基板上形成所述黑矩阵的图形，具体包括:
[0025]在衬底基板上形成具有第二凹凸结构的绝缘层的图形；
[0026]在所述绝缘层上形成一金属层；
[0027]对所述金属层进行一次构图工艺，在相邻的所述像素单元之间间隙处形成至少一部分的表面具有第一凹凸结构的黑矩阵图形，并在各所述像素单元所在区域内形成第一电极的图形。
[0028]在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法，在衬底基板上形成具有第二凹凸结构的绝缘层的图形之前，包括:
[0029]在衬底基板上各所述像素单元所在区域内形成第二电极的图形；
[0030]在衬底基板上形成具有第二凹凸结构的绝缘层的图形，具体包括:
[0031 ] 在所述第二电极的图形上形成包括至少三种颜色不同的滤光片的彩色滤光层，所述滤光层具有第二凹凸结构。
[0032]本发明实施例的有益效果包括:
[0033]本发明实施例提供的一种阵列基板、其制作方法及显示装置，其中阵列基板包括:设置在衬底基板上的黑矩阵，阵列基板具有呈阵列排布的多个像素单元，黑矩阵的图案在衬底基板上的正投影覆盖相邻的像素单元之间的间隙处，黑矩阵的表面具有可将照射到黑矩阵表面的光线进行漫反射的第一凹凸结构，由于黑矩阵表面的第一凹凸结构具有漫反射作用，当外部光线照射到黑矩阵的表面时，外部光线被漫反射，从而减小反射光的光强，提高阵列基板的各像素单元所在区域的可见性，提升画面的显示效果。
【附图说明】
[0034]图1a至图1d分别为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
[0035]图2为本发明实施例提供的阵列基板中的黑矩阵的制作方法流程图；
[0036]图3为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法流程图；
[0037]图4a至图4f分别为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法在各步骤执行后的结构示意图。
【具体实施方式】
[0038]下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、其制作方法及显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。
[0039]其中，附图中各膜层的厚度和形状不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本
【发明内容】
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[0040]本发明实施例提供了一种阵列基板，如图1a至图1d所示，包括:衬底基板100，设置在衬底基板100上的黑矩阵200，阵列基板具有呈阵列排布的多个像素单元，黑矩阵200的图案在衬底基板100上的正投影至少部分地覆盖相邻的像素单元之间的间隙处；例如，黑矩阵200的正投影覆盖阵列基板的栅线和数据线，还可以覆盖TFT中至少沟道待形成区域。
[0041]该黑矩阵200的至少一部分的表面具有可将照射到黑矩阵200表面的光线进行漫反射的第一凹凸结构A。
[0042]由于黑矩阵200表面的第一凹凸结构A具有漫反射作用，当外部光线照射到黑矩阵200的表面时，外部光线被漫反射，从而减小反射光的光强，提高阵列基板的各像素单元所在区域的可见性，提升画面的显示效果。
[0043]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，为了更进一步能够使黑矩阵表面形成可以发生漫反射的第一凹凸结构，如图1a至图1d所示，该阵列基板还可以包括:设置在黑矩阵200的下方且与黑矩阵200直接接触的绝缘层300，绝缘层300的表面具有与黑矩阵200表面的第一凹凸结构A相匹配的第二凹凸结构B，此时，绝缘层300表面的第二凹凸结构B与黑矩阵200表面的第一凹凸结构A彼此相贴。在阵列基板的制作工艺上