，在衬底基板上先形成具有第二凹凸结构B的绝缘层300的图形，这样会有利于下一步构图工艺形成表面具有第一凹凸结构A的黑矩阵200的图形，同时保证照射到黑矩阵200表面的外部光线会发生漫反射。
[0044]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，第一凹凸结构的宽度可以设置为3至6微米，具体宽度依情况而定，在此不作限定。
[0045]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，第一凹凸结构的深度可以设置为0.5至1.5微米，具体深度依情况而定，在此不作限定。
[0046]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，第一凹凸结构的间隔可以设置为3至6微米，具体间隔依情况而定，在此不作限定。
[0047]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，黑矩阵200的材料一般设置为金属材料，这样一方面可以阻挡由显示面板中的背光模块发出的光，以防止混色及漏光，一方面可以反射外部光线。
[0048]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图1a至图1d所示，该阵列基板还可以包括:设置在衬底基板100上的各像素单元所在区域内的狭缝状的第一电极400，为了减少阵列基板的制作流程，具体地，该第一电极400与黑矩阵200的材料设置为相同的金属材料，且为同层设置，这样在阵列基板的制作流程上，通过对一金属层进行一次构图工艺，就可以同时形成黑矩阵200的图形和第一电极400的图形，即采用一次构图工艺就形成两个图形，可见，减少了制作流程，降低了制作成本。
[0049]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图1a至图1d所示，该阵列基板还可以包括:设置在衬底基板100上的各像素单元所在区域内的第二电极500 ;该第二电极500通过绝缘层300与第一电极400相互绝缘，即三者的膜层关系为在阵列基板中的衬底基板100上依次设置的是第二电极500、绝缘层300以及第一电极400，这样可以有效进行显示控制，此时绝缘层300起到分离第二电极500与第一电极400的作用。
[0050]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图1a和图1b所示，第二电极500为面状电极，或，如图1c和图1d所示，第二电极500为狭缝电极。
[0051]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图1a至图1d所示，第一电极400和第二电极500在衬底基板上的正投影至少部分重合。
[0052]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，根据显示面板的不同的显示模式，如图1a和图1b所示，当第一电极400设置为公共电极时，第二电极500 —般设置为像素电极；或者是另一种方式，如图1c和图1d所示，当第一电极400设置为像素电极时，第二电极500 —般设置为公共电极。在具体实施时，可以根据实际需要，由显示面板的具体的显示模式来决定的。
[0053]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，包括至少三种颜色不同的滤光片的彩色滤光层一般设置在衬底基板和第二电极之间，不同颜色的滤光片分别用来滤光，如图1a和图1c所示，衬底基板100和第二电极500之间设置有彩色滤光层600，即彩色滤光层600是单独设置的。为了减小阵列基板的厚度以及简化阵列基板的制作工艺，具体地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，绝缘层可以设置为包括至少三种颜色不同的滤光片的彩色滤光层，如图1b和图1d所示，包括至少三种颜色不同的滤光片的彩色滤光层设置在第一电极400和第二电极500之间，即彩色滤光层直接作为绝缘层300，这样减小了阵列基板的厚度，同时简化了阵列基板的制作工艺。
[0054]在具体实施时，本发明实施例提供的阵列基板中一般还会具有诸如发光层、阴极和阳极等其他膜层结构，以及在衬底基板上还一般形成有薄膜晶体管、栅线、数据线、公共电极线等结构，这些具体结构可以有多种实现方式，在此不做限定。
[0055]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法，由于该方法解决问题的原理与前述一种阵列基板相似，因此该方法的实施可以参见阵列基板的实施，重复之处不再赘述。
[0056]在具体实施时，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，具体包括以下步骤:
[0057]在衬底基板上形成呈阵列排布的多个像素单元以及至少部分地覆盖相邻的像素单元之间间隙处的黑矩阵的图形；
[0058]其中，该黑矩阵图形的至少一部分的表面具有可将照射到黑矩阵表面的光线进行漫反射的第一凹凸结构，由于黑矩阵200表面的第一凹凸结构A具有漫反射作用，当外部光线照射到黑矩阵200的表面时，外部光线被漫反射，从而减小反射光的光强，提高阵列基板的各像素单元所在区域的可见性，提升画面的显示效果。
[0059]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，在衬底基板上形成黑矩阵的图形，如图2所示，具体可以采用如下方式实现:
[0060]S201、在衬底基板上形成具有第二凹凸结构的绝缘层的图形；在具体实施时，绝缘层表面的第二凹凸结构与黑矩阵表面的第一凹凸结构将要相匹配，形成具有第二凹凸结构的绝缘层的图形，制作方法有很多，在此不做限定；
[0061]S202、在绝缘层上形成一金属层；
[0062]S203、对金属层进行一次构图工艺，在相邻的像素单元之间间隙处形成至少一部分的表面具有第一凹凸结构的黑矩阵图形，并在各像素单元所在区域内形成第一电极的图形。具体地，形成黑矩阵图形和第一电极图形只利用了一次构图工艺，减少了阵列基板的制作流程，同时表面形成第一凹凸结构的黑矩阵图形保证减小了外部光线在黑矩阵的表面产生的反射光的光强，从而提高阵列基板的各像素单元所在区域的可见性。
[0063]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，在执行步骤S201在衬底基板上形成具有第二凹凸结构的绝缘层的图形之前，包括以下步骤:
[0064]在衬底基板上形成第二电极的图形；
[0065]步骤S201在衬底基板上形成具有第二凹凸结构的绝缘层的图形，具体可以包括:
[0066]在第二电极的图形上形成包括至少三种颜色不同的滤光片的彩色滤光层，该滤光层具有第二凹凸结构。
[0067]下面以一个具体的实例详细的说明本发明实施例提供的图1a所示的阵列基板的制作方法，如图3所示，具体包括以下步骤:
[0068]S301、在衬底基板上形成包括栅极、栅线、公共电极线、有源层、源漏极、彩色滤光层、保护层、第二电极以及绝缘层的图形；
[0069]在具体实施时，制作阵列基板的过程中，如图4a所示，首先在衬底基板100上依次形成包括栅极701、栅线、公共电极线800、有源层702、源极703、漏极704、彩色滤光层600以及保护层900的图形，然后在形成保护层900的衬底基板上形成第二电极500的图形，且第二电极500通过保护层的过孔与漏极704电性相连，之后在形成第二电极500的衬底基板100上，沉积一层绝缘层材料，形成绝缘层300图形；
[0070]S302、在绝缘层的表面涂覆光刻胶，使用半色调掩模板或灰色调掩模板对光刻胶曝光显影，得到光刻胶部分保留区域、光刻胶完全去除区域以及光刻胶完全保留区域；
[0071]在具体实施时，如图4b所示，在绝缘层的表面涂覆一层光刻胶，使用半色调掩模板或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光显影，得到光刻胶部分保留区域a、光刻