胶完全去除区域b以及光刻胶完全保留区域c ;
[0072]S303、在光刻胶曝光显影后的衬底基板上进行第一次刻蚀工艺，刻蚀掉光刻胶完全去除区域的绝缘层材料，形成绝缘层的过孔的图形；
[0073]在具体实施时，如图4c所示，在光刻胶曝光显影后的衬底基板100上进行第一次刻蚀工艺，刻蚀掉光刻胶完全去除区域b的绝缘层材料，形成绝缘层300的过孔C的图形；
[0074]S304、在进行第一次刻蚀工艺后的衬底基板上，对曝光显影后的光刻胶进行灰化，去除掉光刻胶部分保留区域的光刻胶；
[0075]在具体实施时，如图4d所示，在进行第一次刻蚀工艺后的衬底基板100上，需要对曝光显影后的光刻胶进行灰化，去除掉光刻胶部分保留区域a的光刻胶，光刻胶的总厚度会减少；
[0076]S305、在光刻胶灰化后的衬底基板上进行第二次刻蚀工艺，形成具有第二凹凸结构的绝缘层的图形；
[0077]在具体实施时，如图4e所示，在经过光刻胶灰化后的衬底基板100上进行第二次刻蚀工艺，刻蚀掉与光刻胶部分保留区域a的部分绝缘层300，且刻蚀掉的厚度小于绝缘层300的厚度，形成具有第二凹凸结构B的绝缘层300的图形；
[0078]S306、剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶，在绝缘层上形成一金属层，对金属层进行一次构图工艺，在相邻的像素单元之间间隙处形成表面具有第一凹凸结构的黑矩阵图形，并在各像素单元所在区域内形成第一电极的图形；
[0079]在具体实施时，如图4f所示，先剥离光刻胶完全保留区域c的光刻胶，在形成具有第二凹凸结构的绝缘层的衬底基板上沉积一层金属材料，形成一金属层，对金属层进行一次构图工艺，在相邻的像素单元之间间隙处形成表面具有第一凹凸结构A的黑矩阵200图形，并在各像素单元所在区域内形成第一电极400的图形，第一电极400通过绝缘层300的过孔C与公共电极线800电性相连。
[0080]至此，经过具体的实例提供的上述步骤S301至S306制作出了本发明实施例提供的上述阵列基板。
[0081]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述阵列基板，该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该显示装置的实施可以参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。
[0082]本发明实施例提供的一种阵列基板、其制作方法及显示装置，其中阵列基板包括:设置在衬底基板上的黑矩阵，阵列基板具有呈阵列排布的多个像素单元，黑矩阵的图案在衬底基板上的正投影覆盖相邻的像素单元之间的间隙处，黑矩阵的表面具有可将照射到黑矩阵表面的光线进行漫反射的第一凹凸结构，由于黑矩阵表面的第一凹凸结构具有漫反射作用，当外部光线照射到黑矩阵的表面时，外部光线被漫反射，从而减小反射光的光强，提高阵列基板的各像素单元所在区域的可见性，提升画面的显示效果。
[0083]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种阵列基板，包括:衬底基板，设置在所述衬底基板上的黑矩阵，所述阵列基板具有呈阵列排布的多个像素单元，所述黑矩阵的图案在衬底基板上的正投影至少部分地覆盖相邻的所述像素单元之间的间隙处，其特征在于: 所述黑矩阵的至少一部分的表面具有可将照射到所述黑矩阵表面的光线进行漫反射的第一凹凸结构。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括:设置在所述黑矩阵的下方且与所述黑矩阵直接接触的绝缘层，所述绝缘层的表面具有与所述黑矩阵表面的第一凹凸结构相匹配的第二凹凸结构。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述黑矩阵的材料为金属材料。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括:设置在衬底基板上的各所述像素单元所在区域内的狭缝状的第一电极，所述第一电极与所述黑矩阵的材料相同且同层设置。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括:设置在衬底基板上的各所述像素单元所在区域内的第二电极； 所述第二电极通过所述绝缘层与所述第一电极相互绝缘。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极为面状电极或狭缝电极。
7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极在衬底基板上的正投影至少部分重合。
8.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；或， 所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。
9.如权利要求2-8任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层为包括至少三种颜色不同的滤光片的彩色滤光层。
10.如权利要求2-8任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹凸结构的宽度为3至6微米；和/或， 所述第一凹凸结构的深度为0.5至1.5微米；和/或， 所述第一凹凸结构的间隔为3至6微米。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
12.—种如权利要求1-10任一项所述阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在衬底基板上形成呈阵列排布的多个像素单元以及至少部分地覆盖相邻的所述像素单元之间间隙处的黑矩阵的图形； 其中，所述黑矩阵图形的至少一部分的表面具有可将照射到所述黑矩阵表面的光线进行漫反射的第一凹凸结构。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成所述黑矩阵的图形，具体包括: 在衬底基板上形成具有第二凹凸结构的绝缘层的图形； 在所述绝缘层上形成一金属层； 对所述金属层进行一次构图工艺，在相邻的所述像素单元之间间隙处形成至少一部分的表面具有第一凹凸结构的黑矩阵图形，并在各所述像素单元所在区域内形成第一电极的图形。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成具有第二凹凸结构的绝缘层的图形之前，包括: 在衬底基板上各所述像素单元所在区域内形成第二电极的图形； 在衬底基板上形成具有第二凹凸结构的绝缘层的图形，具体包括: 在所述第二电极的图形上形成包括至少三种颜色不同的滤光片的彩色滤光层，所述滤光层具有第二凹凸结构。
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示装置，其中阵列基板包括设置在衬底基板上的黑矩阵，阵列基板具有呈阵列排布的多个像素单元，黑矩阵的图案在衬底基板上的正投影至少部分地覆盖相邻的像素单元之间的间隙处，黑矩阵的至少一部分的表面具有可将照射到黑矩阵表面的光线进行漫反射的第一凹凸结构，由于黑矩阵表面的第一凹凸结构具有漫反射作用，当外部光线照射到黑矩阵的表面时，外部光线被漫反射，从而减小反射光的光强，提高阵列基板的各像素单元所在区域的可见性，提升画面的显示效果。
【IPC分类】G02F1-1343, G02F1-1335
【公开号】CN104536194
【申请号】CN201510004123
【发明人】崔承镇
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2015年1月4日