液晶显示面板及液晶显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种平面技术，特别涉及一种液晶显示面板及含有该液晶显示面板的液晶显示装置。
【背景技术】
[0002]液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)，具有重量轻、厚度薄以及功耗低等优点，广泛应用于电视、手机、显示器等电子产品中。
[0003]目前，随着产品的分辨率越来越高，单个像素的尺寸越来越小，故，当液晶显示器中组装时，所述液晶显示器中的TFT阵列基板和彩膜基板存在对位偏差时，会使所述液晶显示器发生色偏，进而影响所述液晶显示器的画质及观赏效果。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种液晶显不面板及液晶显不装置，可以有效解决目TFT阵列基板和彩膜基板存在对位偏差时产生的色偏。
[0005]为解决上述技术问题，本发明提供一种液晶显示面板，包括:一彩膜基板；一 TFT阵列基板，与所述彩膜基板相对设置；以及多个色偏改善元件，设置于所述彩膜基板与所述TFT阵列基板之间；所述彩膜基板包括多个色阻以及多个设置于所述色阻之间的黑色矩阵；所述色偏改善元件与所述黑色矩阵相对设置，所述色偏改善元件用于在所述黑色矩阵所对应的彩膜基板和TFT阵列基板之间的空间产生垂直于所述液晶显示面板表面的电场。
[0006]进一步的，每一色偏改善元件包括:一第一电极，设置于所述彩膜基板靠近所述TFT阵列基板的一侧，且与所述黑色矩阵相对设置；以及一第二电极，设置于所述TFT阵列基板靠近所述彩膜基板的一侧，且与所述第一电极相对且间隔设置；其中，所述第一电极和第二电极用于形成所述电场。
[0007]进一步的，每一色偏改善元件还包括:一第一绝缘垫，设置于所述彩膜基板靠近所述TFT阵列基板的表面，且所述第一电极设置于所述第一绝缘垫靠近所述TFT阵列基板的表面。
[0008]进一步的，每一色偏改善元件还包括:一第二绝缘垫，设置于所述TFT阵列基板靠近所述彩膜基板的表面，且所述第二电极设置于所述第二绝缘垫靠近所述彩膜基板的表面。
[0009]进一步的，所述TFT阵列基板包括:一第二基板；多个像素电极，设置于所述第二基板靠近所述彩膜基板的表面；一第一绝缘层，设置于所述多个像素电极靠近所述彩膜基板的表面；以及多个公共电极，设置于所述第一绝缘层靠近所述彩膜基板的表面。
[0010]进一步的，所述第二绝缘垫均设置于所述公共电极靠近所述彩膜基板的表面上。
[0011]进一步的，所述第二绝缘垫均设置于所述第一绝缘层靠近所述彩膜基板的表面上。
[0012]进一步的，所述第二绝缘垫与所述第一绝缘层为一体结构。
[0013]进一步的，所述第一电极外接一预定电压，且所述第二电极与所述公共电极相连接，从而在所述第一电极和所述第二电极之间形成所述电场。
[0014]进一步的，所述预定电压的大小为2?3伏。
[0015]进一步的，定义所述TFT阵列基板到所述彩膜基板的距离为d，且所述第二绝缘垫沿垂直于所述液晶显示面板表面方向上的高度为h，其中，d>h多d/3。
[0016]进一步的，所述第一绝缘垫和第二绝缘垫沿垂直于所述液晶显示面板表面方向上的横截面的宽度小于所述黑色矩阵沿垂直于所述液晶显示面板表面方向上的横截面的宽度。
[0017]进一步的，所述第一绝缘垫和第二绝缘垫的材料为透明的光阻材料、聚合物材料或氧化物材料。
[0018]进一步的，所述第一绝缘垫和第二绝缘垫的延伸方向与所述黑色矩阵的延伸方向相同，且所述第一绝缘垫和第二绝缘垫的长度小于等于所述黑色矩阵的长度。
[0019]进一步的，所述TFT阵列基板与所述彩膜基板的对位偏差为O?3微米。
[0020]进一步的，所述液晶显示面板还包括一第一配向层和一第二配向层；所述第一配向层设置于所述彩膜基板靠近所述TFT阵列基板的表面；所述第二配向层设置于所述TFT阵列基板靠近所述彩膜基板的表面。
[0021]进一步的，所述第一配向层和/或所述第二配向层通过光配向法实现初始配向。
[0022]进一步的，所述液晶显不面板为FFS型液晶显不面或IPS型液晶显不面板。
[0023]为解决上述技术问题，本发明还提供一种包括上述液晶显示面板的液晶显示装置。
[0024]本发明所采用的液晶显示面板及液晶显示装置，通过设置一与黑色矩阵相对的色偏改善元件，该色偏改善元件可以在所述黑色矩阵所对应的彩膜基板和TFT阵列基板之间的空间产生垂直于所述液晶显示面板表面的电场，从而可以使所述黑色矩阵所对应的彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶分子转动，进而可以阻止所述黑色矩阵下方的光线透过，解决由于TFT阵列基板和彩膜基板存在对位偏差时产生的色偏，并提高所述液晶显示器的画质及观赏效果。
【附图说明】
[0025]图1为本发明一实施例提供的液晶显示面板的结构示意图。
[0026]图2为本发明另一实施例提供的液晶显不面板的部分结构不意图。
[0027]图3为本发明实施例提供的液晶显示面板在对位偏差约为O微米时，改善前、后的红色色偏的变化曲线。
[0028]图4为本发明实施例提供的液晶显不面板在对位偏差约为2微米时，改善如、后的红色色偏的变化曲线。
【具体实施方式】
[0029]下面将结合附图对本发明进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应所述理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制O
[0030]如图1所不，本发明一实施例的液晶显不面板100。所述液晶显不面板100为Fringe Field Switching(FFS)型液晶显示面板，但不限于FFS液晶显示面板，也可以为其他类型的液晶显示面板，如In-Plane Switching(IPS)型液晶显示面板。所述液晶显示面板100包括:一彩膜基板10 ;—与所述彩膜基板10相对设置的TFT阵列基板20 ；以及设置于所述彩膜基板10与所述TFT阵列基板20之间的多个色偏改善元件30以及液晶层40。所述彩膜基板10与所述TFT阵列基板20的对位偏差可以为O?3微米。
[0031]所述彩膜基板10包括一第一基板13、多个色阻11以及多个黑色矩阵12。所述色阻11及黑色矩阵12设置于所述第一基板13的内表面。所述黑色矩阵12设置于所述色阻11之间，从而使所述色阻11之间相互间隔设置。所述色阻11的种类、排布方式可以根据实际需要选择。本实施例中，所述色阻11为相互间隔且并排设置的红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻，且所述黑色矩阵12设置于所述红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻之间。
[0032]所述TFT阵列基板20包括一第二基板21、多个像素电极22、一第一绝缘层23以及多个公共电极24。所述像素电极22设置于所述第二基板21靠近所述彩膜基板10的表面。所述第一绝缘层23设置于所述像素电极22靠近所述彩膜基板10的表面。所述公共电极24设置于所述第一绝缘层23靠近所述彩膜基板10的表面。所述第一绝缘层23用于使所述像素电极22及所述公共电极24之间绝缘设置。
[0033]所述色偏改善元件30与所述黑色矩阵12相对设置，用于在所述黑色矩阵12所对应的彩膜基板10和TFT阵列基板20之间的空间产生垂直于所述液晶显示面板100表面的电场，从而使所述黑色矩阵12所对应的彩膜基板10和TFT阵列基板20之间的液晶分子转动，进而阻止所述黑色矩阵12下方的光线透过，降低所述液晶显示面板100的色偏。
[0034]所述色偏改善元件30的结构不限，只要能在所述黑色矩阵12所对应的彩膜基板10和TFT阵列基板20之间的空间产生垂直于所述液晶显示面板100表面的电场，且该电场不会与所述公共电极24和像素电极22之间所产生的电场产生干扰即可。本实施例中，所述色偏改善兀件30包括一第一电极31、一第二电极32以及一第一绝缘垫33。所述第一电极31设置于所述彩膜基板10靠近所述TFT阵列基板20的一侧，并与所述黑色矩阵12相对设置。
[0035]从液晶显示面板100的透光方向上看，所述第一电极31的延伸方向与所述黑色矩阵12的延伸方向相同，且所述第一电极31的长度小于等于所述黑色矩阵12的长度。为了描述方便，定义所述黑色矩阵12沿垂直于所述液晶显示面板100表面方向上横截面的宽度为W1;所述第一电极31沿垂直于所述液晶显示面板100表面方向上横截面的宽度为W2，其中，W1^W2tl优选的，w/2彡w2> w/3。本实施例中，W2= w 1；/2。
[0036]所述第一绝缘垫33设置于所述TFT阵列基板20靠近所述彩膜基板10的表面。具体的，所述第一绝缘垫33可以直接设置于所述公共电极24靠近所述彩膜基板10的表面或直接设置于所述第一绝缘层23靠近所述彩膜基板10的表面。请一并参见图1，图1中的第一绝缘垫33直接设置于所述公共电极24靠近所述彩膜基板10的表面，并与所述公共电极24直接接触。故，图1中，所述色偏改善元件30的制备方法可以包括:依次形成所述第一绝缘层23及所述多个公共电极24，然后在所述黑色矩阵12所对应的公共电极24上依次形成所述第一绝缘垫33，最后在所述第一绝缘垫33表面上形成所述第二电极32。
[0037]请一并参见图2，图2为本发明另一实施例提供的液晶显示面板的部分结构示意图。图2中所述第一绝缘垫33直接设置于所述第一绝缘层23靠近所述彩膜基板10的表面，并与所述第一绝缘垫23直接接触。故，图2中，所述色偏改善元件30的制备方法，可以包括:形成所述第一绝缘层23，然后在所述黑色矩阵所对应的第一绝缘层23上形成所