设置有黑矩阵的基板及其制造方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，尤其涉及一种设置有黑矩阵的基板及其制造方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]彩膜基板12是薄膜晶体管-液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay, TFT-1XD)的重要元件之一，其基本结构如图1所示，包括基板1、设置在基板I上的黑矩阵3和R/G/B色阻块2。由于黑矩阵3的遮光作用，很大程度上影响了彩膜基板12的开口率，致使其透过率较低。为了使显示器达到显示亮度要求，就需要提高背光的亮度，这会导致功耗增加。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种设置有黑矩阵的基板及其制造方法、显示装置，能够有效提高透过率，从而降低显示器功耗。
[0004]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0005]本发明实施例提供一种设置有黑矩阵的基板，所述黑矩阵迎向背光的一面为反射面，射向所述黑矩阵的背光经所述反射面反射后能够重新被利用。
[0006]更优地，所述黑矩阵的反射面为凸面。
[0007]可选地，所述凸面的横截面为弧形。
[0008]可选地，所述凸面的横截面为梯形，或者倒V字形。
[0009]更优地，所述反射面的表面设置有增加反射的纳米结构。
[0010]可选地，所述反射面为金属材料制成。
[0011]可选地，所述黑矩阵包括:黑矩阵的主体部分，所述反射面设置在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面，所述黑矩阵的主体部分由吸光材料或金属材料制成。
[0012]本发明实施例还提供一种所述的基板的制造方法，包括:形成黑矩阵的工序，所述形成黑矩阵的工序中形成的黑矩阵迎向背光的一面为反射面，其中，所述反射面的作用是:使射向所述黑矩阵的背光经所述反射面反射后能够重新被利用。
[0013]可选地，所述形成黑矩阵的工序，包括:沉积金属材料；涂覆光刻胶，进行曝光；进行刻蚀，形成迎向背光的一面为反射面的黑矩阵。
[0014]其中，所述涂覆光刻胶，进行曝光，具体为:涂覆光刻胶，并使用灰度掩膜板进行曝光，使显影后的光刻胶能形成如下图样:所述黑矩阵预设区域的光刻胶厚度递增，呈现凸面结构，所述黑矩阵预设区域之外的光刻胶完全剥离。
[0015]所述进行刻蚀，形成迎向背光的一面为反射面的黑矩阵，包括:
[0016]S1、显影，形成如下光刻胶图样:所述黑矩阵预设区域的光刻胶厚度递增，呈现凸面结构，所述黑矩阵预设区域之外的光刻胶完全剥离。
[0017]S2、进行刻蚀，去除未被光刻胶覆盖区域的金属材料。
[0018]S3、进行灰化处理，使所述黑矩阵预设区域边缘部分的金属材料暴露。
[0019]S4、对暴露出的金属材料进行浅刻蚀。
[0020]重复步骤S3、S4直到光刻胶被完全去除，形成上表面为凸面的黑矩阵。
[0021]可选地，所述形成黑矩阵的工序，包括:形成黑矩阵的主体部分；
[0022]在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面上形成反射面。
[0023]可选地，所述形成黑矩阵的主体部分，包括:沉积感光性材料；使用灰度掩膜板进行曝光；显影，形成上表面为凸面的黑矩阵的主体部分。
[0024]可选地，在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面上形成反射面，具体为:在掩膜板的遮挡下沉积金属材料，从而在所述黑矩阵的主体部分上形成反射面。
[0025]可选地，在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面上形成反射面，具体为:沉积金属材料并进行构图工艺，只在所述黑矩阵表面保留所述金属材料，从而形成反射面。
[0026]更优地，在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面上形成反射面，之后还包括:对所述反射面进行微加工处理，在所述反射面上形成增加反光的纳米结构。
[0027]本发明实施例还提供一种显示装置，包括有上述任一项的设置有黑矩阵的基板。
[0028]本发明实施例提供的设置有黑矩阵的基板及其制造方法、显示装置，将黑矩阵迎向背光的一面设置为反射面，从而，使射向黑矩阵的背光被反射面反射后能够重新被利用，取代现有技术中射向黑矩阵的背光被黑矩阵吸收的做法，可以提高显示亮度。设置有上述黑矩阵的显示装置，有较高的透过率，进而降低功耗。
【附图说明】
[0029]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0030]图1为现有彩膜基板的截面结构示意图；
[0031]图2为本发明实施例一提供的设置有黑矩阵的基板的截面结构示意图；
[0032]图3(a)为本发明实施例一提供的横截面为梯形的反射面的截面结构示意图；
[0033]图3(b)为本发明实施例一提供的横截面倒V字形的反射面的截面示意图；
[0034]图4为本发明实施例一提供的材料为金属的黑矩阵的截面示意图；
[0035]图5为本发明实施例二提供的制备材料为金属的黑矩阵的流程图
[0036]图6(a) -图6(f)为图5中各步骤实现的效果示意图；
[0037]图7为本发明实施例二提供的使用感光性材料制备黑矩阵的主体部分的方法示意图。
[0038]附图标记
[0039]1-彩膜基板，2-色阻块，3-黑矩阵，11-阵列基板，12-彩膜基板，
[0040]31-主体部分，32-反射面，33-液晶，34-显示面板，61-灰度掩膜板，
[0041]62-光刻胶，63-金属层，71-紫外光，72-感光性材料。
【具体实施方式】
[0042]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0043]实施例一
[0044]本实施例提供一种设置有黑矩阵3的基板，黑矩阵3迎向背光的一面为反射面32，射向黑矩阵3的背光经反射面32反射后能够重新被利用。
[0045]设置有黑矩阵3的基板I的结构，如图2所示，包括基板1、设置在基板I上的R/G/B色组块2、黑矩阵3。其中，黑矩阵3包括主体部分31和设置在主体部分31上的反射面32。主体部分31和反射面32可以为同种材料制成，也可以为不同材料制成。反射面32为由反射材料比如反光率较高的金属材料形成，具体可以为银、铝等，反射面32反射率高，能将入射到其表面的背光反射至其他方向，使所述背光直接穿过色阻块2被利用或者经过多次反射或折射最终能够被重新利用。可选地，黑矩阵3可以位于阵列基板11也可以位于彩膜基板12上，本实施例所述设置有黑矩阵3的基板可以是阵列基板11也可以是彩膜基板12上，下文中以黑矩阵3位于彩膜基板12上的情况为例，说明设置有反射面32的黑矩阵3如何提高背光的利用率。
[0046]如图2所示，显示面板34包括彩膜基板12、阵列基板11以及分布在两者之间的液晶33。射向黑矩阵3的背光经过液晶33，到达黑矩阵3的反射面32，在反射面32的表面被重新反射进入液晶33中。其中，以光线A为例，这部分背光被反射后向色阻块2位置传播，直接穿出色阻块2射出显示面板34得到利用，提高了显示面板34的显示亮度；另外，以光线B为例，这部分被反射的背光，转而向阵列基板11方向传播，到达背光源的反射片(图中未示出)处会再次被反射，再次朝向彩膜基板12方向传播进入液晶33中，从而该部分背光经过多次反射或折射最终被重新利用，仍然会提高显示面板34的显示亮度。
[0047]因此，本发明实施例中的背光被反射面32反射后，会直接穿过色阻块2被利用或者经过多次反射或折射最终被重新利用，相比现有技术中背光到达黑矩阵3后即被黑矩阵3吸收的情况而言，提高了背光的利用率，从而提高了透过率。
[0048]与此同时，本实施例中的黑矩阵3能起到遮挡，防漏光防混色的作用。
[0049]优选地，当黑矩阵3的反射