3的图形相同，其横截面呈现凸面结构，从而在基板I上形成了材料为金属且上表面为凸面的黑矩阵3。
[0083]根据上述思路二，本实施例提供一种制备反射面32和主体部分31为不同材料的黑矩阵3的方法，此方法中，形成黑矩阵3的工序包括:形成黑矩阵3的主体部分31 ;在黑矩阵3的主体部分迎向背光的一面上形成反射面32。
[0084]此方法形成的黑矩阵3的主体部分31和反射面32，分别在不同步骤中形成。
[0085]其中，形成黑矩阵3的主体部分31，优选地，如图7所示，包括:
[0086]步骤一、沉积感光性材料72。
[0087]本步骤中的感光性材料72经曝光后，形成光学性质及电学性质稳定的材料，从而可以作为黑矩阵3的主体部分31的材料。该材料有如下性质:本身为感光性材料，曝光后即形成吸光材料，用其制作而成的主体部分31具有吸光的能力。
[0088]步骤二、使用灰度掩膜板61进行曝光。
[0089]本步骤中用紫外光71或其他频谱光线对感光性材料72进行照射，由于采用灰度掩膜板61，从而对感光性材料72进行的是非均匀照射，照射深度不同，具体为:黑矩阵3预设区域照射深度发生自最深(感光性材料72全部曝光)到最浅(感光性材料72全部未曝光)的变化，其他区域照射至最深，即感光性材料72全部曝光。
[0090]步骤三、显影，形成上表面为凸面的黑矩阵3的主体部分31。
[0091]如图7所示，由于步骤二中照射深度不同，显影后，保留的感光性材料72形成图7所示黑矩阵3的主体部分31的形状，且主体部分31的上表面为凸面，从而使设置在其上的反射面32具有形成凸面的先天优势。此方法通过一次曝光及显影工序即可形成黑矩阵3的主体部分31的图形，无需经过现有技术中的刻蚀工序，从而简化了黑矩阵3的制作工艺。
[0092]在形成主体部分31的工序之后，此方法中的在黑矩阵3的主体部分31迎向背光的一面上形成反射面32的工序，具体的步骤可以为:
[0093]在掩膜板的遮挡下沉积金属材料，从而在黑矩阵3的主体部分31上形成反射面32。此做法工艺相对简单。
[0094]还可以为:沉积金属材料并进行构图工艺，只在黑矩阵3表面保留所述金属材料，从而形成反射面32。此做法可以较高精度地控制金属材料沉积的位置以及厚度。
[0095]根据上述两种形成黑矩阵3的方法，在黑矩阵3的主体部分31迎向背光的一面上形成反射面32，之后还包括:对反射面32进行微加工处理，在反射面32上形成增加反光的纳米结构。此工序可以进一步地提高黑矩阵3的对背光的利用率，使黑矩阵3所在的显示器具有更高的透过率。
[0096]本实施例提供制造方法，形成的基板I上设置有具有反射面的黑矩阵3，能提高背光的利用率，进而可降低功耗。
[0097]实施例三
[0098]本实施例提供一种显示装置，其包括上述任意一种的设置有黑矩阵3的基板。所述显示装置避免了现有工艺中的因黑矩阵3的吸光作用而造成的背光损失，在相同功耗下能达到更高的显示亮度，节能省电。所述显示装置可以为:液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0099]本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于设备实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
[0100]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种设置有黑矩阵的基板，其特征在于，所述黑矩阵迎向背光的一面为反射面，射向所述黑矩阵的背光经所述反射面反射后能够重新被利用。
2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述黑矩阵的反射面为凸面。
3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述凸面的横截面为弧形。
4.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述凸面的横截面为梯形，或者倒V字形。
5.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述反射面的表面设置有增加反射的纳米结构。
6.根据权利要求1-5任一项所述的基板，其特征在于，所述反射面为金属材料制成。
7.根据权利要求6所述的基板，其特征在于，所述黑矩阵包括:黑矩阵的主体部分，所述反射面设置在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面， 所述黑矩阵的主体部分，由吸光材料或金属材料制成。
8.一种如权利要求1所述的基板的制造方法，包括:形成黑矩阵的工序，其特征在于，所述形成黑矩阵的工序中形成的黑矩阵迎向背光的一面为反射面，其中，所述反射面的作用是:使射向所述黑矩阵的背光经所述反射面反射后能够重新被利用。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成黑矩阵的工序，包括:沉积金属材料； 涂覆光刻胶，进行曝光； 进行刻蚀，形成迎向背光的一面为反射面的黑矩阵。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述涂覆光刻胶，进行曝光，具体为:涂覆光刻胶，并使用灰度掩膜板进行曝光，使显影后的光刻胶能形成如下图样:所述黑矩阵预设区域的光刻胶厚度递增，呈现凸面结构，所述黑矩阵预设区域之外的光刻胶完全剥离； 所述进行刻蚀，形成迎向背光的一面为反射面的黑矩阵，包括: 51、显影，形成如下光刻胶图样:所述黑矩阵预设区域的光刻胶厚度递增，呈现凸面结构，所述黑矩阵预设区域之外的光刻胶完全剥离； 52、进行刻蚀，去除未被光刻胶覆盖区域的金属材料； 53、进行灰化处理，使所述黑矩阵预设区域边缘部分的金属材料暴露； 54、对暴露出的金属材料进行浅刻蚀； 重复步骤S3、S4直到光刻胶被完全去除，形成上表面为凸面的黑矩阵。
11.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成黑矩阵的工序，包括: 形成黑矩阵的主体部分； 在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面上形成反射面。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述形成黑矩阵的主体部分，包括: 沉积感光性材料； 使用灰度掩膜板进行曝光； 显影，形成上表面为凸面的黑矩阵的主体部分。
13.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面上形成反射面，具体为: 在掩膜板的遮挡下沉积金属材料，从而在所述黑矩阵的主体部分上形成反射面。
14.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面上形成反射面，具体为: 沉积金属材料并进行构图工艺，只在所述黑矩阵表面保留所述金属材料，从而形成反射面。
15.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，在所述黑矩阵的主体部分迎向背光的一面上形成反射面，之后还包括: 对所述反射面进行微加工处理，在所述反射面上形成增加反光的纳米结构。
16.一种显示装置，其特征在于，包括有权利要求1-7任一项所述的设置有黑矩阵的基板。
【专利摘要】本发明提供一种设置有黑矩阵的基板及其制造方法、显示装置，能够有效提高透过率，从而降低显示器功耗。本发明提供一种设置有黑矩阵的基板，黑矩阵迎向背光的一面为反射面，射向黑矩阵的背光经反射面反射后能够重新被利用。本发明提供一种基板的制造方法，包括：形成黑矩阵的工序，形成黑矩阵的工序中形成的黑矩阵迎向背光的一面为反射面，其中，反射面的作用是：使射向黑矩阵的背光经反射面反射后能够重新被利用。本发明提供一种显示装置，包括有上述任意的设置有黑矩阵的基板。本发明用于提高显示面板的透过率。
【IPC分类】G03F7-00, G02F1-1335
【公开号】CN104656306
【申请号】CN201510129136
【发明人】吴坤
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2015年3月23日