述第一像素电极层19、第二像素电极层23、及公共电极层25的材料均为氧化铟锡(ITO)。
[0060]步骤7、如图8所示，将所述阵列基板I与玻璃基板2对组，并灌入液晶层3。
[0061]具体地，对组后可通过所述点状黑色矩阵24，对阵列基板I的TFT沟道位置进行遮光。
[0062]上述COA型液晶面板的制作方法，通过在色阻层上形成第一像素电极层，在第一像素电极层上形成平坦层，并在平坦层上形成与第一像素电极层相接触的第二像素电极层，使像素电极层实现最大程度的平坦化，且第二像素电极层位于各子像素区域的像素电极块的横向边界位于扫描线上方，纵向边界位于信号线上方，可实现扫描线与信号线自遮光，省略了横向与纵向的黑色矩阵，并可通过在玻璃基板对应阵列基板上的TFT处设置点状黑色矩阵，对沟道位置进行遮光，从而简化制程，提高开口率。
[0063]请参阅图8，本发明还提供一种COA型液晶面板，包括阵列基板1、与所述阵列基板I相对设置的玻璃基板2、及位于所述阵列基板I与玻璃基板2之间的液晶层3。
[0064]具体地，所述阵列基板I包括红、绿、蓝色子像素区域，每一子像素区域包括基板11、设于所述基板11上的栅极12及扫描线、设于所述栅极12上覆盖所述基板11的栅极绝缘层13、位于所述栅极12上方设于所述栅极绝缘层13上的半导体层14、设于所述栅极绝缘层13上与所述半导体层14的两端相接触的源/漏极16、设于所述栅极绝缘层13上且在水平方向上与扫描线垂直交叉排列的信号线15、设于所述源/漏极16上覆盖所述栅极绝缘层13的钝化层17、设于所述钝化层17上的色阻层18、设于所述色阻层18上的第一像素电极层19、设于所述第一像素电极层19上的平坦层21、及设于所述平坦层21上的第二像素电极层23。
[0065]具体地，所述源/漏极16、栅极12、信号线15、及扫描线的材料为铁、钼或铜等金属材料。
[0066]所述色阻层18、及钝化层17上对应所述源/漏极16的上方设有第一过孔81，所述平坦层21上设有第二过孔82，所述第一像素电极层19经由所述第一过孔81与所述源/漏极16相接触，所述第二像素电极层23经由所述第二过孔82与所述第一像素电极层19相接触；
[0067]所述色阻层18对应所述红、绿、蓝色子像素区域分别形成红、绿、蓝色阻块，横向排列的相邻的两色阻块之间形成第一交接区域83，所述第一交接区域83位于所述信号线15上方，纵向排列的相邻的两色阻块之间形成第二交接区域，所述第二交接区域位于所述扫描线上方；所述第二像素电极层23包括分别位于各子像素区域的像素电极块，所述像素电极块的横向边界位于所述扫描线上方，纵向边界位于所述信号线15上方。
[0068]具体地，所述平坦层21为透明有机材料。
[0069]所述玻璃基板2上对应所述半导体层14的位置设有点状黑色矩阵24，所述黑色矩阵24上设有公共电极层25。可通过所述点状黑色矩阵24，对阵列基板I的TFT沟道位置进行遮光。
[0070]具体地，所述第一像素电极层19、第二像素电极层23、及公共电极层25的材料均为氧化铟锡。
[0071]上述COA型液晶面板，在色阻层上设有第一像素电极层，在第一像素电极层上设有平坦层，平坦层上设有与第一像素电极层相接触的第二像素电极层，使像素电极层实现最大程度的平坦化，且第二像素电极层位于各子像素区域的像素电极块的横向边界位于扫描线上方，纵向边界位于信号线上方，可实现扫描线与信号线自遮光，省略了横向与纵向的黑色矩阵，同时玻璃基板对应阵列基板上的TFT处设有点状黑色矩阵，对沟道位置进行遮光，结构简单，开口率高，能耗较低。
[0072]综上所述，本发明的COA型液晶面板的制作方法及COA型液晶面板，通过在色阻层上形成第一像素电极层，在第一像素电极层上形成平坦层，并在平坦层上形成与第一像素电极层相接触的第二像素电极层，使像素电极层实现最大程度的平坦化，且第二像素电极层位于各子像素区域的像素电极块的横向边界位于扫描线上方，纵向边界位于信号线上方，可实现扫描线与信号线自遮光，省略了横向与纵向的黑色矩阵，并可通过在玻璃基板对应阵列基板上的TFT处设置点状黑色矩阵，对沟道位置进行遮光，从而简化制程，提高开口率。
[0073]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种COA型液晶面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤1、提供阵列基板(I)与玻璃基板(2); 所述阵列基板(I)包括红、绿、蓝色子像素区域，每一子像素区域包括基板(11)、设于所述基板(11)上的栅极(12)及扫描线、设于所述栅极(12)上覆盖所述基板(11)的栅极绝缘层(13)、设于所述栅极绝缘层(13)上且对应所述栅极(12)设置的半导体层(14)、设于所述栅极绝缘层(13)上与所述半导体层(14)的两端相接触的源/漏极(16)、设于所述栅极绝缘层(13)上且在水平方向上与扫描线垂直交叉排列的信号线(15)、及设于所述源/漏极(16)上覆盖所述栅极绝缘层(13)的钝化层(17); 步骤2、在所述钝化层(17)上形成色阻层(18); 所述色阻层(18)对应所述红、绿、蓝色子像素区域分别形成红、绿、蓝色阻块，横向排列的相邻的两色阻块之间形成第一交接区域(83)，所述第一交接区域(83)位于所述信号线(15)上方，纵向排列的相邻的两色阻块之间形成第二交接区域，所述第二交接区域位于所述扫描线上方； 步骤3、在所述色阻层(18)上对应所述源/漏极(16)的上方形成第一过孔(81)，并在所述色阻层(18)上形成第一像素电极层(19); 所述第一像素电极层(19)经由所述第一过孔(81)与所述源/漏极(16)相接触； 步骤4、在所述第一像素电极层(19)上形成平坦层(21)，并在所述平坦层(21)上形成第二过孔(82)； 步骤5、在所述平坦层(21)上沉积并图案化第二像素电极层(23); 所述第二像素电极层(23)经由所述第二过孔(82)与所述第一像素电极层(19)相接触，所述第二像素电极层(23)包括分别位于各子像素区域的像素电极块，所述像素电极块的横向边界位于所述扫描线上方，纵向边界位于所述信号线(15)上方； 步骤6、在所述玻璃基板(2)上对应所述半导体层(14)的位置形成点状黑色矩阵(24)，并在所述黑色矩阵(24)上形成公共电极层(25); 步骤7、将所述阵列基板⑴与玻璃基板(2)对组，并灌入液晶层(3)。
2.如权利要求1所述的COA型液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2采用涂布制程形成所述色阻层(18)。
3.如权利要求1所述的COA型液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步骤4通过曝光制程形成所述第二过孔(82)，所述平坦层(21)为透明有机材料。
4.如权利要求1所述的COA型液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步骤5采用物理气相沉积法形成所述第二像素电极层(23)。
5.如权利要求1所述的COA型液晶面板的制作方法，其特征在于，所述第一像素电极层(19)、第二像素电极层(23)、及公共电极层(25)的材料均为氧化铟锡。
6.—种COA型液晶面板，其特征在于，包括阵列基板(I)、与所述阵列基板⑴相对设置的玻璃基板(2)、及位于所述阵列基板(I)与玻璃基板(2)之间的液晶层(3); 所述阵列基板(I)包括红、绿、蓝色子像素区域，每一子像素区域包括基板(11)、设于所述基板(11)上的栅极(12)及扫描线、设于所述栅极(12)上覆盖所述基板(11)的栅极绝缘层(13)、设于所述栅极绝缘层(13)上且对应所述栅极(12)设置的半导体层(14)、设于所述栅极绝缘层(13)上与所述半导体层(14)的两端相接触的源/漏极(16)、设于所述栅极绝缘层(13)上且在水平方向上与扫描线垂直交叉排列的信号线(15)、设于所述源/漏极(16)上覆盖所述栅极绝缘层(13)的钝化层(17)、设于所述钝化层(17)上的色阻层(18)、设于所述色阻层(18)上的第一像素电极层(19)、设于所述第一像素电极层(19)上的平坦层(21)、及设于所述平坦层(21)上的第二像素电极层(23); 所述色阻层(18)、及钝化层(17)上对应所述源/漏极(16)的上方设有第一过孔(81)，所述平坦层(21)上设有第二过孔(82)，所述第一像素电极层(19)经由所述第一过孔(81)与所述源/漏极(16)相接触，所述第二像素电极层(23)经由所述第二过孔(82)与所述第一像素电极层(19)相接触； 所述色阻层(18)对应所述红、绿、蓝色子像素区域分别形成红、绿、蓝色阻块，横向排列的相邻的两色阻块之间形成第一交接区域(83)，所述第一交接区域(83)位于所述信号线(15)上方，纵向排列的相邻的两色阻块之间形成第二交接区域，所述第二交接区域位于所述扫描线上方；所述第二像素电极层(23)包括分别位于各子像素区域的像素电极块，所述像素电极块的横向边界位于所述扫描线上方，纵向边界位于所述信号线(15)上方。
7.如权利要求6所述的COA型液晶面板，其特征在于，所述平坦层(21)为透明有机材料。
8.如权利要求6所述的COA型液晶面板，其特征在于，所述玻璃基板(2)上对应所述半导体层(14)的位置设有点状黑色矩阵(24)，所述黑色矩阵(24)上设有公共电极层(25)。
9.如权利要求8所述的COA型液晶面板，其特征在于，所述第一像素电极层(19)、第二像素电极层(23)、及公共电极层(25)的材料均为氧化铟锡。
10.如权利要求6所述的COA型液晶面板，其特征在于，所述源/漏极(16)、栅极(12)、扫描线、及信号线(15)的材料为铁、钼或铜。
【专利摘要】本发明提供一种COA型液晶面板的制作方法及COA型液晶面板，该方法通过在色阻层上形成第一像素电极层，在第一像素电极层上形成平坦层，并在平坦层上形成与第一像素电极层相接触的第二像素电极层，使像素电极层实现最大程度的平坦化，且第二像素电极层位于各子像素区域的像素电极块的横向边界位于扫描线上方，纵向边界位于信号线上方，实现扫描线与信号线自遮光，省略了横向与纵向的黑色矩阵，并可通过在玻璃基板对应阵列基板上的TFT处设置点状黑色矩阵，对沟道位置进行遮光，从而实现简化制程，提高开口率。
【IPC分类】G02F1-1335, G02F1-1343, G02F1-1333
【公开号】CN104656325
【申请号】CN201510119334
【发明人】徐洪远, 孙博
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2015年3月18日