一电极721与第二像素电极452电连接，第二电容第二电极722与第二固定电位线482电连接。向第二固定电位线482供给第二固定电位，本实施方式中，供给负电源电位VSS(OV)。此外，第一固定电位和第二固定电位只要是固定电位，则可以是任意的电位。
[0063]这样，在各像素41中，进行与第一图像信号和第二图像信号相应的显示。这样，可以容易地按各像素41设定适于电光装置200的显示的最佳电位。从而，能在显示区域40内显示均一性佳的高品质图像，并可以实现低电压化和耐久性提高的兼顾或者低电压化和区域扫描的兼顾等。
[0064]此外，本说明书中，端子I和端子2电连接是指端子I和端子2可形成为相同的逻辑状态(设计概念上的电位)。具体地说，除了端子I和端子2通过布线直接连接的情况夕卜，还包括经由电阻元件和/或开关元件等连接的情况。即，端子I的电位和端子2的电位即使稍微不同，但在电路上具有相同逻辑的情况下，端子I和端子2电连接。从而，例如图4所示，即使在第一信号线431和第一像素电极451之间配置了第一晶体管441的情况下，由于在第一晶体管441为导通状态时向第一信号线431供给的第一图像信号被供给第一像素电极451，因此，第一信号线431和第一像素电极451成为电连接。
[0065](液晶装置的结构)
[0066]图5是液晶装置的示意截面图。以下，参照图5说明液晶装置的截面结构。此外，在以下的方式中，在记载为“在〇〇上”时，表示在〇〇之上以接触方式配置的情况、在〇〇之上隔着其他构成物而配置的情况或在〇〇之上以一部分接触的方式配置且一部分隔着其他构成物而配置的情况。
[0067]在电光装置200 (液晶装置)中，构成一对基板的第一基板611和第二基板612由俯视按近似矩形框状配置的密封材料64贴合。液晶装置成为在密封材料64所包围的区域内封入有液晶46的构成。液晶46例如采用具有正的介电常数各向异性的液晶材料。
[0068]如图5所示，在第一基板611的液晶46侧，形成多个第一像素电极451，以覆盖这些第一像素电极451的方式形成第I取向膜621。第一像素电极451是包含铟锡氧化物(ITO)等的透明导电材料的导电膜。另一方面，在第二基板612的液晶46侧形成多个第二像素电极452，以覆盖这些第二像素电极452的方式形成第2取向膜622。第二像素电极452是包含ITO等的透明导电材料的导电膜。
[0069]液晶装置为透射型，在第一基板611及第二基板612中的光的入射侧和出射侧分别配置了偏振板(未图示)等而使用。此外，液晶装置的构成不限于此，也可以是反射型、半透射型的构成。
[0070]电光装置200具备第一基板611和第二基板612。在第一基板611，形成驱动电路51的一部分(图5中，图示了第一信号线驱动电路531)和第一安装区域541，在第二基板612，形成驱动电路51的一部分(图5中，图示了第二信号线驱动电路532)和第二安装区域542。经由第一安装区域541和/或第二安装区域542，来自控制装置30的显示用信号供给于第一扫描线驱动电路521和/或第一信号线驱动电路531、第二扫描线驱动电路522、第二信号线驱动电路532等。
[0071 ] 此外，第一像素电极451和第二像素电极452对齐，但是，这是指第一像素电极451的开口部的位置和大小与第二像素电极452的开口部的位置和大小在设计概念上相等。在像素41，也能以包围第一像素电极451的周围的方式形成第一遮光膜，第一遮光膜以外的区域和第一像素电极451的俯视的共用部分是第一像素电极451的开口部。同样，在像素41，也能以包围第二像素电极452的周围的方式形成第二遮光膜，第二遮光膜以外的区域和第二像素电极452的俯视的共用部分是第二像素电极452的开口部。第一像素电极451的开口部的位置和大小与第二像素电极452的开口部的位置和大小即使因制造误差等存在偏离，也可称为第一像素电极451和第二像素电极452对齐。
[0072](驱动方法)
[0073]图6是电光材料的电光特性的一例的示图。接着，参照图6，说明电光装置200的驱动方法。
[0074]在电光装置200中，第一期间和第二期间交替反复，进行极性反相驱动。其结果，电光材料的耐久性提高。第一期间和第二期间可以按每I帧期间反复，也可以按每几帧期间反复。而且，可以将I帧整体设为相同极性(帧反相驱动)，或者，也可以按像素41的每行使极性反相(1H反相驱动)。而且，在IH反相驱动中，也可以采用在行方向相邻的像素41使极性反相的点反相驱动。本实施方式中，第一期间和第二期间按每个水平扫描期间反复，以点反相驱动为例进行说明。
[0075]驱动部50在第一期间(例如，选择奇数行的像素41的期间)，作为第一图像信号，将与显示辉度对应的电位(图像电位)供给第一像素电极451，作为第二图像信号，将比图像电位低电位的基准电位供给第二像素电极452。而且，驱动部50在后续于第一期间的第二期间，将第一图像信号设为基准电位，将第二图像信号设为图像电位。这样，可以使图像电位等的驱动电位比较低，并在第一期间和第二期间使对电光材料的极性反相，可以以低电压实现极性反相驱动。此外，本实施方式中，将第一图像信号成为图像电位且第二图像信号成为基准电位的情况设为正极性(向电光材料施加的电场从第一像素电极451朝向第二像素电极452)，将第一图像信号成为基准电位且第二图像信号成为图像电位的情况设为负极性(向电光材料施加的电场从第二像素电极452朝向第一像素电极451)。
[0076]图像电位是指相对于基准电位的、相应于电光材料的电特性而定的电位，是根据电光材料固有的电位差、单元间隙(第一像素电极451和第二像素电极452的距离)和显示灰度而定的信号。例如，在具有图6描述的电光特性(液晶46)的电光材料中，与其显示灰度相应的电位差(图6的电光特性的横轴的值)和基准电位的和成为图像电位。例如，基准电位设为IV时，图6的例中，黑显示(透射率为O % )的电位差为IV左右，因此，黑显示(透射率为0%)的图像电位成为2V左右。同样，发黑的灰色显示(透射率为25%)的图像电位为电位差即2.5V和基准电位的和，成为3.5V左右，发白的灰色显示(透射率为75 % )的图像电位为电位差即3.5V和基准电位的和，为4.5V左右，白显示(透射率为100%)的图像电位为电位差即5V左右和基准电位的和，为6V左右。
[0077]基准电位是成为图像电位的基准的电位，从图像电位减去基准电位后的值成为与要显示的辉度对应的电位差(图6所示的电光特性的横轴)。基准电位成为适于每个像素41的电位(像素基准电位)，存储电路存储像素基准电位。
[0078]本申请发明人经过深入研宄发现:电光装置200中的单元间隙在严格意义上因部位而不同，而且，电光材料，作为杂质包含离子。杂质离子在显示区域40内的平面分布未必均一。由于这样的显示区域40内的单元间隙和/或离子分布的不均一性，严格地说，导致各个像素41的电光特性稍微不同。由于传统将基准电位作为共用电位对全部的像素41共用，因此，发现这些不均一性导致显示图像的不均一性。
[0079]因而，按电光装置200的每个像素41计测最佳的基准电位(像素基准电位)，电光装置200的驱动部50的存储电路将其预先存储。然后，驱动部50在一个像素41显示图像时，向第一图像信号和第二图像信号的一方供给图像电位，向另一方供给从存储电路读出的与一个像素41对应并向一个像素41读出的像素基准电位。由于将对各个像素41每个为最佳的像素基准电位设为基准电位，因此，可以容易地实现在显示区域40内显示均一性佳的尚品质图像的电光装置200。以下不出一例。
[0080](实施例)
[0081]在第一期间(第一帧期间)，将I行I列的像素41设为正极性的黑显示(透射率为0% )，将I行2列的像素41设为负极性的发黑的灰色显示(透射率为25% )，将2行I列的像素41设为负极性的发白的灰色显示(透射率为75% )，将2行2列的像素41设为正极性的白显示(透射率为100% )。另外，显示区域40内的不均一性在I行I列的像素41中设为+0.05V，在I行2列的像素41中设为+0.02V，在2行I列的像素41中设为-0.03V，在2行2列的像素41中设为-0.04Vo
[0082]由于像素基准电位对全体的基准电位(像素基准电位相对于全部像素41的平均值，本例为IV)考虑了不均一性，因此，在该情况下，I行I列的像素41的像素基准电位成为+1.05V，I行2列的像素41的像素基准电位成为+1.02V，2行I列的像素41的像素基准电位成为+0.97V，2行2列的像素41的像素基准电位成为+0.96V。非易失性存储电路将这些值按每个像素41存储，在第一期间(第一帧期间)，将这些值作为第一图像信号或第二图像信号供给各像素41。
[0083]另外，非易失性存储电路存储黑显示(透射率为0%)的图像电位为2V、发黑的灰色显示(透射率为25%)的图像电位为3.5V、发白的灰色显示(透射率为75%)的图像电位为4.5V、白显示(透射率为100%)的图像电位为6V等的要显示的辉度时的图像电位，将这些在第一期间(第一帧期间)作为第一图像信号或第二图像信号供给各像素41。
[0084]结果，在I行I列的像素41中，第一图像信号为作为图像电位的2V，第二图像信号为作为像素基准电位的1.05V，第二像素电极452和第一像素电极451的电位差成为对I行I列的像素41的黑显示最佳的0.95V，是正极性。另外，在I行2列的像素41中，第一图像信号为作为像素基准电位的+1.02V，第二图像信号为作为图像电位的3.5V，第一像素电极451和第二像素电极452的电位差成为对I行2列的像素41的发黑的灰色显示最佳的-2.48V，是负极性。另外，在2行I列的像素41中，第一图像信号为作为像素基准电位的+0.97V，第