抗蚀剂去除剂的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及光刻技术领域，尤其涉及一种抗蚀剂去除剂，其剥离性能优异，安全， 不会腐蚀导电体的防腐蚀性。
【背景技术】
[0002] IC、LSI等集成电路，IXD、EL元件等显示机器，打印基板等使用热刻蚀技术制造。 在该热刻蚀工序中，不需要的抗蚀剂使用抗蚀剂去除剂进行除去。
[0003] 在该抗蚀剂剥离工序中，之前使用各种抗蚀剂去除剂。但是，近年来对应液晶显示 面板或半导体元件的工艺微细化或短时间处理的能力低，期待进一步的性能。目前，含有剥 离性优异的胺系化合物的抗蚀剂剥离剂成为主力。
[0004] 该胺系剥离剂可以分为溶剂系和水系。例如，作为溶剂系剥离剂使用二甲基亚砜 (约30重量％ ) +单乙醇胺（约70重量％ )或者单乙醇胺+N-甲基吡咯烷酮等。另一方面， 作为水系剥离剂使用水（约20~30重量％ )+二甘醇单丁基醚（约20~30重量％ ) +单 乙醇胺（约30~40重量％ )、烷基苯磺酸+功能水（臭氧水）、酸系（硫酸+过氧化氢）+ 功能水（臭氧水）等。
[0005] 近年来，能够进行水淋洗的水系剥离剂的使用有所扩大。其理由在于水系剥离剂 的剥离性优异、而且没有可燃性，是不是危险品。然而，水系剥离剂添加有单乙醇胺。因此， 水系剥离剂具有会引起对配线等导电体的腐蚀的缺点。因而，实际上有必要考虑剥离性能 和腐蚀性调整单乙醇胺的含量。而且，以抗蚀剂剥离性能和防止对导电体的破坏（腐蚀） 为目的，开发了各种抗蚀剂去除剂。
[0006] 本发明的发明人已经研制出一种剥离性优异、安全，且不会腐蚀导电体的防腐蚀 性优异的抗蚀剂去除剂，其采用防腐蚀剂、有机胺化合物、有机溶剂、去离子水和c 2~C 15- 元醇制备而成，所采用的防腐蚀剂由改性的壳聚糖和苯并咪唑类物质按照质量比2 : 1的 比例混合获得。
[0007] 本发明在此基础上进一步研宄，提供一种新型的抗蚀剂去除剂，在剥离性方面效 果更好，且防腐蚀性效果更好，由于防腐蚀剂在在抗蚀剂去除剂中的使用量更低，降低企业 生产成本。
【发明内容】
[0008] 现有技术以提高抗蚀剂剥离性能和导电体（包含铜（Cu)、铝（Al)等的配线等）的 防腐蚀为目的而开发。但是这些技术仍然具有无法完全满足两个目的的问题。本发明鉴于 上述问题而完成，其目的在于提供剥离性优异、安全，且不会腐蚀导电体的防腐蚀性优异的 抗蚀剂去除剂，其剥离性效果较本发明之前提供的抗蚀剂去除剂的效果更好，且防腐蚀性 效果更好，由于防腐蚀剂在在抗蚀剂去除剂中的使用量更低，降低企业生产成本。
[0009] 为解决上述技术问题，本发明提供了一种抗蚀剂去除剂，其原料包括防腐蚀剂、胺 化合物预混物、有机溶剂、去离子水和c 2~C 15-元醇；
[0010] 所述防腐蚀剂由咪唑啉类物质和苯并咪唑类物质按照质量比1 : 1的比例混合；
[0011] 所述抗蚀剂去除剂中各原料的重量分别为防腐蚀剂〇. 5g~I. 5g、胺化合物预混 物7g~9g、有机溶剂IOg~20g、去离子水50g~70g和C2~C 15-元醇3g~6g。
[0012] 其中，所述抗蚀剂去除剂中各原料的重量分别为防腐蚀剂lg、胺化合物预混物 8g、有机溶剂15g、去离子水60g和C 2~C 15-元醇5g。
[0013] 其中，所述C2~C15-元醇进一步优选为丁醇、乙醇、异丙醇、丙醇、庚醇、辛醇。
[0014] 其中，所述防腐蚀剂中的咪唑啉类物质具体为羟乙基-油酸咪唑啉，其结构式如 下：
[0015]
【主权项】
1. 一种抗蚀剂去除剂，其特征在于，包括：防腐蚀剂、胺化合物预混物、有机溶剂、去离 子水和C2~C15-元醇； 所述防腐蚀剂由咪唑啉类物质和苯并咪唑类物质按照质量比1:1的比例混合； 所述抗蚀剂去除剂中各原料的重量分别为防腐蚀剂0. 5g~1. 5g、胺化合物预混物 7g~9g、有机溶剂10g~20g、去离子水50g~70g和C2~C15-元醇3g~6g。
2. 如权利要求1所述的抗蚀剂去除剂，其特征在于：所述抗蚀剂去除剂中各原料的重 量分别为防腐蚀剂lg、胺化合物预混物8g、有机溶剂15g、去离子水60g和C2~C15-元醇 5g〇
3. 如权利要求1或2所述的抗蚀剂去除剂，其特征在于：所述C2~C15-元醇进一步优 选为丁醇、乙醇、异丙醇、丙醇、庚醇、辛醇。
4. 如权利要求1至3所述的抗蚀剂去除剂，其特征在于：所述防腐蚀剂中的咪唑啉类 物质具体为羟乙基-油酸咪唑啉，其结构式如下：
〇
5. 如权利要求1至4所述的抗蚀剂去除剂，其特征在于：所述羟乙基-油酸咪唑啉的 制备方法具体为： 将油酸1L，羟乙基乙二胺400mL加入到2. 5L反应容器中，反应容器接有分水器和冷凝 管，随后在反应容器中加入450ml二甲苯作为携水剂，开动搅拌机，升温至150度开始回流， 有水生成，回流2小时后升温至230度，反应6小时，反应结束，减压蒸出多余的溶剂，再将 产物在干燥箱中干燥完全，得到产物。
6. 如权利要求1至5所述的抗蚀剂去除剂，其特征在于：所述胺化合物预混物由下式 表示的咪唑啉酮甲酰胺化合物和三乙醇胺按照质量比1:3的比例制备而成
7. 如权利要求1至6所述的抗蚀剂去除剂，其特征在于：所述咪唑啉酮甲酰胺化合物 的制备方法包括， 第一步，将50g4-氯苯乙酮和20ml冰醋酸依次投入到300ml的反应容器中，室温机械 搅拌下滴加45g溴液，保持lml/min，加毕，继续反应1小时，反应液倒入饱和碳酸钠溶液中， 调节pH值至中性，用含有冰块的二氯甲烷萃取，萃取液用饱和碳酸钠洗涤两次，水洗涤依 次，有机层用无水硫酸钠干燥，减压除去二氯甲烷，固体用石油醚洗涤，抽滤，得到7. 5g固 体，即为4-氯-a-溴代苯乙酮； 第二步，在1L反应容器中依次加入6g4-氯-a-溴代苯乙酮和50ml溶剂三氯甲烷， 搅拌溶解，加入5g乌洛托品，室温反应2小时，过滤，水洗去除过量的乌洛托品，滤饼用少量 丙酮洗绦，干燥后得到白色固体9g，将9g白色固体、25ml无水乙醇依次加入50ml反应容器 中，搅拌成悬混液，缓慢滴加12ml盐酸，滴加完毕，室温反应过夜，冰浴冷却，过滤，滤饼用 少量乙醇洗涤，干燥后获得白色固体5g，即为氯代氨基苯乙酮盐酸盐； 第三步，在250ml的反应容器中加入50g固体光气和100ml无水甲苯，氮气保护条件下 搅拌溶解，冰盐浴冷却，缓慢滴加由15ml苯胺和30ml无水甲苯配成的混合溶液，保持内温 在〇度以下，约1小时后滴加完毕，继续室温反应1小时，改为油浴加热，慢慢升温至回流， 越3小时后，反应澄清，停止反应，常压蒸去甲苯，残留液经减压蒸馏得产物15g，即为苯基 异氰酸酯； 第四步，于250ml反应容器中依次加入9. 5g氯代氨基苯乙酮盐酸盐和170ml无水甲 苯，搅拌均匀混悬，随后加入5g苯基异氰酸酯，在氮气保护的条件下加热回流过夜，随后， 停止反应，冷却，抽滤除去过量的氯代氨基苯乙酮盐酸盐，采用氯仿50mLX3洗涤，合并滤 液，依次用饱和碳酸氢钠，饱和氯化钠溶液洗涤，有机层通过无水硫酸钠干燥，减压回收 溶剂后，得到固体，通过硅胶柱纯化，洗脱液为乙酸乙酯：石油醚=2 : 1，得到纯化固体 6. 8g〇
8.权利要求1至7所述剥离剂的制备方法，其特征在于：将所述各原料按重量混合，室 温搅拌2小时，并使用0. 1ym的过滤器将其过滤，以制备剥离剂溶液。
【专利摘要】本发明提供了一种抗蚀剂去除剂，其原料包括防腐蚀剂、有机胺化合物、有机溶剂、去离子水和C2～C15一元醇。本发明提供的提供剥离性优异、安全，且不会腐蚀导电体的防腐蚀性优异的抗蚀剂去除剂，其剥离性效果较本发明之前提供的抗蚀剂去除剂的效果更好，且防腐蚀性效果更好，由于防腐蚀剂在抗蚀剂去除剂中的使用量更低，降低企业生产成本。
【IPC分类】G03F7-42
【公开号】CN104777721
【申请号】CN201410615959
【发明人】不公告发明人
【申请人】青岛华仁技术孵化器有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2014年11月5日