33b具有非零延迟值(例如，具有约2至5nm的面内延迟值以及约-75至-80nm的厚度延迟值)时，相位差层157可以具有约80至约120nm的面内延迟值以及约80至约120nm的厚度延迟值。
[0126]因此，防止了由纳米囊液晶层200中的纳米囊230的变形以及偏振轴的非垂直性产生的光泄漏，并且提高了对比度，使得图像质量和可见性也得以提高。
[0127]图6是例示了根据本发明的第二实施方式的经过纳米囊LCD装置的光学元件的光的偏振状态的庞加莱球。
[0128]庞加莱球表示光在球表面上的偏振状态。因为如果已知光学元件的光学轴和相位延迟值，则通过使用庞加莱球容易地预测偏振状态，所以庞加莱球被广泛地用于设计补偿膜。
[0129]在庞加莱球中，赤道指定线性偏振，极点“S3”指定左手圆偏振，极点“-S3”指定右手圆偏振，上半球指定左手椭圆极化，并且下半球指定右旋椭圆偏振。
[0130]在图6中，当从前面观察本发明的(图5的)纳米囊IXD装置100时，赤道上的点“S1”指定(图5的)第一偏振板130的偏振状态，并且点“-S1”指定(图5的)第二偏振板150的偏振状态。
[0131]第一偏振板130和第二偏振板150的偏振状态关于庞加莱球的中心对称。因此，第一偏振板130和第二偏振板150的偏振状态彼此垂直，由此产生完美的黑色状态。
[0132]另一方面，当从侧面观察纳米囊IXD装置100时，第二偏振板150的透射轴和第一偏振板130的透射轴朝向点“S2”移动，并且第二偏振板150的吸收轴和第一偏振板130的吸收轴朝向点“-S2”移动。
[0133]结果，第一偏振板130的吸收轴和第二偏振板150的吸收轴关于该中心不对称，使得第一偏振板和第二偏振板的偏振状态彼此不垂直。由于第一偏振板和第二偏振板具有非垂直性，因此存在光泄漏问题。
[0134]此外，由于(图5的)纳米囊液晶层200具有由于(图5的)纳米囊230的变形导致的负C板的特性变化，因此进一步地产生了光泄漏问题。
[0135]然而，能够通过在纳米囊液晶层200上的第二偏振板150中设置具有这种折射率关系(即，nz>nx>ny)的(图5的)相位差层157来防止光泄漏问题。
[0136]也就是说，经过(图5的)第一偏振层131的光具有点“A”的偏振状态，并经过具有延迟值的(图5的)第二基膜133b的光具有点“C”的偏振状态。
[0137]经过纳米囊液晶层200的光由于纳米囊液晶层200的延迟值而具有点“D”的偏振状态。光经过具有这种折射率关系(即，nz>nx>ny)的作为正双轴膜的相位差层157，从而具有点“-A”的偏振状态。
[0138]由于经过相位差层157的光的偏振状态平行于(图5的)第二偏振层151的吸收轴，因此光被第二偏振层151阻挡。结果，纳米囊LCD装置100在侧面产生完美的黑色状态。
[0139]图7是根据本发明的第二实施方式的包括具有相位差层的第二偏振板的纳米囊IXD装置在黑色状态下的对比度的仿真结果。
[0140]参照图4A，在黑色状态下，在具有更高的亮度的纳米囊LCD装置的四个角部中存在光泄漏。也就是说，纳米囊LCD装置的对比度减小，使得存在图像质量和可见性方面的问题。
[0141]然而，参照图7，在黑色状态下，在具有(图5的)相位差层157的(图5的)纳米囊LCD装置100的四个角部中不存在光泄漏。
[0142]光泄漏可以从在角部处测量的亮度得到验证。在没有相位差层的纳米囊LCD装置的黑色状态下，作为光泄漏测量亮度为0.0500。然而，在具有相位差层157的纳米囊LCD装置的黑色状态下，测量亮度为0.0004，并且使光泄漏最小化。
[0143]结果，在根据本发明的纳米囊LCD装置100中，对比度增加，并且图像质量和可见性提尚°
[0144]如上所述，在根据本发明的第二实施方式的纳米囊LCD装置100中，因为由纳米囊230的变形以及第一偏振板130和第二偏振板150的透射轴或吸收轴的非垂直性产生的延迟能够由第二偏振板140中的相位差层157补偿，所以能够防止或最小化黑色状态下的光泄漏。因此，对比度增加，并且图像质量和可见性提高。
[0145]对于本领域技术人员将显而易见的是，能够在不脱离本发明的精神或范围的情况下对本发明进行各种修改和变型。因此，本发明旨在涵盖本发明的落入在所附权利要求及其等同物的范围内的修改和变型。
[0146]本申请要求于2014年7月9日在韩国申请的韩国专利申请N0.10-2014-0085828的利益，该韩国专利申请为了全部目的通过引用方式被并入到本文中，如同其全部在本文中陈述一样。
【主权项】
1.一种纳米囊液晶显示装置，该纳米囊液晶显示装置包括: 液晶面板，其包括基板以及在所述基板上面的纳米囊液晶层； 第一偏振板，其在所述基板的外表面上，并且包括第一偏振层；以及 第二偏振板，其直接在所述纳米囊液晶层的外表面上，并且包括第二偏振层和相位差层， 其中，由所述相位差层补偿所述纳米囊液晶层的延迟。2.根据权利要求1所述的纳米囊液晶显示装置，其中，所述纳米囊液晶层和所述相位差层的厚度延迟值之和为零。3.根据权利要求2所述的纳米囊液晶显示装置，其中，所述纳米囊液晶层具有约1微米至约10微米的厚度以及负C特性，并且所述纳米囊液晶层的厚度延迟值为约_40nm至约-5nm04.根据权利要求3所述的纳米囊液晶显示装置，其中，所述相位差层具有正C特性。5.根据权利要求4所述的纳米囊液晶显示装置，其中，所述第一偏振板还包括基膜，所述基膜设置在所述第一偏振层和所述基板之间并且是零延迟膜，并且其中，所述相位差层的厚度延迟值为约5nm至约40nm。6.根据权利要求4所述的纳米囊液晶显示装置，其中，所述第一偏振板还包括基膜，所述基膜设置在所述第一偏振层和所述基板之间并且是具有约_75nm至约_80nm的厚度延迟值的非零延迟膜，并且其中，所述相位差层的厚度延迟值为约80nm至约120nm。7.根据权利要求3所述的纳米囊液晶显示装置，其中，所述相位差层具有正双轴特性。8.根据权利要求7所述的纳米囊液晶显示装置，其中，所述第一偏振板还包括基膜，所述基膜设置在所述第一偏振层和所述基板之间并且是零延迟膜，并且其中，所述相位差层具有约5nm至约40nm的面内延迟值以及约5nm至约40nm的厚度延迟值。9.根据权利要求7所述的纳米囊液晶显示装置，其中，所述第一偏振板还包括基膜，所述基膜设置在所述第一偏振层和所述基板之间并且是具有约_75nm至约_80nm的厚度延迟值的非零延迟膜，并且其中，所述相位差层具有约80nm至约120nm的面内延迟值以及约80nm至约120nm的厚度延迟值。10.根据权利要求1所述的纳米囊液晶显示装置，其中，所述第一偏振板的透射轴垂直于所述第二偏振板的透射轴。11.根据权利要求1所述的纳米囊液晶显示装置，其中，所述第一偏振板还包括在所述第一偏振层下面的第一基膜、在所述第一偏振层和所述基板之间的第二基膜以及在所述第二基膜和所述基板之间的粘合剂层。12.根据权利要求1所述的纳米囊液晶显示装置，其中，所述第二偏振板还包括在所述相位差层和所述纳米囊液晶层之间的粘合剂层，并且所述第二偏振板通过所述粘合剂层直接附接在所述纳米囊液晶层上。13.根据权利要求1所述的纳米囊液晶显示装置，其中，所述纳米囊液晶层包括多个纳米尺寸的囊，所述多个纳米尺寸的囊中的每一个在其中包括多个液晶分子，所述多个液晶分子在缓冲层中进行分散。14.根据权利要求13所述的纳米囊液晶显示装置，其中，每个纳米尺寸的囊的直径为约lnm至约320nm。15.根据权利要求13所述的纳米囊液晶显示装置，其中，所述纳米尺寸的囊的容积为所述纳米囊液晶层的容积的约25%至约65%。16.根据权利要求13所述的纳米囊液晶显示装置，其中，向列液晶分子和所述纳米尺寸的囊之间的折射率差约为±0.1。17.根据权利要求1所述的纳米囊液晶显示装置，其中，所述纳米囊液晶层通过固化处理形成，使得纳米囊的垂直直径比所述纳米囊的水平直径小。18.根据权利要求1所述的纳米囊液晶显示装置，其中，所述液晶面板还包括: 选通线和数据线，所述选通线和所述数据线在所述基板上并且彼此交叉，以限定像素区域； 薄膜晶体管，其在所述像素区域中并且连接到所述选通线和所述数据线； 像素电极，其在所述像素区域中并且连接到所述薄膜晶体管；以及 公共电极，其在所述像素区域中并且与所述像素电极分隔开。19.根据权利要求18所述的纳米囊液晶显示装置，其中，所述纳米囊液晶层与所述像素电极和所述公共电极接触。20.根据权利要求1所述的纳米囊液晶显示装置，所述纳米囊液晶显示装置还包括背光单元，所述背光单元位于所述第一偏振板下方并且包括光源。
【专利摘要】公开了一种纳米囊液晶显示装置。该纳米囊液晶显示装置括：液晶面板，其包括基板以及在所述基板上面的纳米囊液晶层；第一偏振板，其在所述基板的外表面上，并且包括第一偏振层；以及第二偏振板，其直接在所述纳米囊液晶层的外表面上，并且包括第二偏振层和相位差层，其中，由所述相位差层补偿所述纳米囊液晶层的延迟。
【IPC分类】G02F1/1335, G02F1/1334
【公开号】CN105301823
【申请号】CN201510400457
【发明人】全智娜, 金庆镇, 崔珉瑾
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年7月9日
【公告号】US20160011443