一种承载基台、曝光装置及曝光方法

文档序号:9864414阅读:485来源:国知局
一种承载基台、曝光装置及曝光方法
【技术领域】
[0001 ]本发明属于显示技术领域,具体涉及一种承载基台、曝光装置及曝光方法。
【背景技术】
[0002]在显示面板的制备过程中,光刻工艺是一项十分重要的工艺。目前的光刻工艺通常包括:涂敷光刻胶、前烘、曝光、显影以及后烘。其中,曝光是采用曝光光线通过掩膜板照射在光刻胶上,将光刻胶感光。
[0003]如图1所示,在进行曝光时需要使用到曝光装置,现有的曝光装置一般包括:光源I和承载基台4,其中光源I用于提供平行的曝光光线,承载基台4用于承载待曝光基板3,平行的曝光光线通过与待曝光基板3相匹配的掩模板2后均匀照射至待曝光基板3,并在待曝光基板3上形成与掩模板2—致的图形。承载基台4吸附固定并支撑基板3,若承载基台4为平面结构,则完成曝光的基板3取下来时,由于基板3与平面结构接触面积大,吸附力强易损坏基板3。因此通常如图2所示,承载基台4台面上设有凸起41,在实际曝光过程中,凸起41与待曝光基板3接触,减小基板3与承载基台4的接触面积,从而防止损坏基板3。
[0004]发明人发现现有技术中至少存在如下问题:
[0005]承载基台4的凸起41会与待曝光基板3接触,而其余位置不与基板3接触,由于固体导热比空气快,与凸起41接触的基板3表面温度会比基板3其余位置表面温度高,造成与凸起41接触的基板3表面的光刻胶与其余位置的光刻胶形成差异,影响产品显示性能。随着基板3厚度越来越薄,这种问题越来越严重。

【发明内容】

[0006]本发明针对现有的带凸起的承载基台影响基板曝光均匀性的问题,提供一种承载基台、曝光装置及曝光方法。
[0007 ]解决本发明技术问题所采用的技术方案是:
[0008]—种承载基台,用于承载基板,所述承载基台包括:
[0009]第一基台,所述第一基台表面具有多个凸起,所述凸起用于与基板接触并支撑基板;
[0010]第二基台,设于所述第一基台具有多个凸起的一面上,所述第二基台具有多个与所述凸起相匹配、并容所述凸起穿过的通孔;
[0011 ]温控单元,用于调节控制所述第一基台和/或所述第二基台的温度,以使基板表面温度相同。
[0012]优选的是,所述温控单元包括与所述第一基台连接的冷却水循环部件,用于降低所述第一基台的温度。
[0013]优选的是,所述温控单元包括与所述第二基台连接的升温部件,用于升高所述第二基台的温度。
[0014]优选的是,所述温控单元调节控制所述第一基台的温度至TI,所述温控单元调节控制所述第二基台的温度至T2,T2大于Tl,且T2与Tl的差值在0.1-0.3°C范围内。
[0015]优选的是,所述第一基台表面的多个凸起成矩阵排列。
[0016]优选的是,在垂直于所述第一基台方向上,所述凸起的高度均相同。
[0017]本发明还提供一种曝光装置,包括上述的承载基台。
[0018]优选的是,所述曝光装置还包括光源和掩膜板。
[0019]本发明还提供一种曝光方法,采用上述的曝光装置进行曝光,具体包括以下步骤:
[0020]将基板放置于第一基台的多个凸起上;
[0021]调节控制所述第一基台和/或所述第二基台的温度,以使基板表面温度相同;
[0022]进行曝光。
[0023]本发明的承载基台包括表面具有多个凸起的第一基台、具有多个通孔的第二基台以及温控单元,所述通孔容所述凸起穿过,温控单元独立控制第一基台和/或第二基台的温度,以使基板表面有凸起支撑处与其余位置的温度相同,这样规避由于基板表面温差对工艺造成的影响,使得基板曝光均匀。本发明的承载基台适用于各种曝光装置,尤其适用于超薄显示基板。
【附图说明】
[0024]图1为现有的一种曝光装置的结构示意图;
[0025]图2为现有的另一种曝光装置的结构示意图;
[0026]图3为本发明的实施例1的承载基台结构示意图;
[0027]图4为本发明的实施例2的承载基台的一局部结构示意图;
[0028]图5为本发明的实施例2的承载基台的另一局部结构示意图;
[0029]图6为本发明的实施例2的承载基台的另一局部结构示意图;
[0030]图7为本发明的实施例2的承载基台的结构示意图;
[0031]其中,附图标记为:1、光源;2、掩模板;3、基板;4、承载基台;41、凸起;42、第一基台;43、第二基台;44、通孔;5、温控单元;51冷却水循环部件;52、升温部件。
【具体实施方式】
[0032]为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细描述。
[0033]实施例1:
[0034]本实施例提供一种承载基台4,用于承载基板3,如图3所示,所述承载基台4包括:
[0035]第一基台42,所述第一基台42表面具有多个凸起41,所述凸起41用于与基板3接触并支撑基板3;
[0036]第二基台43,设于所述第一基台42具有多个凸起41的一面上,所述第二基台43具有多个与所述凸起41相匹配、并容所述凸起41穿过的通孔44;
[0037]温控单元5,用于调节控制所述第一基台42和/或所述第二基台43的温度,以使基板3表面温度相同。
[0038]本实施例的承载基台4中的温控单元5独立控制第一基台42、第二基台43的温度,以使基板3表面有凸起41支撑处与其余位置的温度相同,这样规避由于基板3表面温差对工艺造成的影响,使得基板3曝光均匀。本发明的承载基台4适用于各种曝光装置,尤其适用于超薄显示基板3。
[0039]实施例2:
[0040]本实施例提供一种承载基台4,用于承载基板3,如图4-7所示,所述承载基台4包括:
[0041 ]第一基台42,所述第一基台42表面具有多个凸起41,所述凸起41用于与基板3接触并支撑基板3;
[0042]第二基台43,设于所述第一基台42具有多个凸起41的一面上,所述第二基台43具有多个与所述凸起41相匹配、并容所述凸起41穿过的通孔44;
[0043]温控单元5,用
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