一种液晶面板、其制作方法及显示器的制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种液晶面板、其制作方法及显示器。该液晶面板包括第一基板、第二基板以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层；第一基板上依次设有TFT阵列层、色阻层和电极结构层；色阻层由多种色阻形成，色阻层包括遮光区和多个像素区，遮光区呈矩阵状，多个像素区被遮光区分隔，每个像素区包括一种色阻，遮光区由多种色阻堆叠形成。本发明能简化工艺，节省材料成本和制造时间，并能提高对盒精确度，进而提高了产品的质量。
【专利说明】
一种液晶面板、其制作方法及显示器
技术领域
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种液晶面板、其制作方法及显示器。
【背景技术】
[0002]随着液晶显示器的广泛应用，高分辨率成为发展趋势，为了提升高分辨率像素下的开口率，开发和使用了低温多晶娃(LTPS,Low Temperature Poly-silicon)工艺。
[0003]如图1所示，图1是现有的LTPS液晶显示面板的结构示意图。现有的LTPS液晶显示面板包括:阵列基板61 (array基板)和彩膜基板62(CF基板)，隔离件(PS)设置在CF基板62上，array基板61在TFT结构64、扫描线和数据线制作完后进行了平坦化，平坦层63为PL，其中，PL可以为透明材料，例如透明树脂。在平坦层63上再制作绝缘层651、共用电极652(common电极)、像素电极653(pixel电极)或者M3电极。
[0004]该种结构的液晶显示面板在制作过程中，为了确保LTPSTFT性能的前提下通常需要10?12道光罩，再加上彩膜基板(CF)侧的光罩，使得LTPS工艺使用的光罩繁多。并且，LTPS通常需要halftone工艺在CF侧制作两种高度的PS分别作为main、sub PS，如果要制作三段式PS则需要在CF侧利用gray tone工艺制作三种高度的PS分别作为main、sub 1、sub2PS。因此，现有的LTPS工艺复杂，使用的光罩昂贵且时间和材料耗费多，制作成本高。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种液晶面板、其制作方法及显示器，能够解决现有技术存在的工艺复杂和制作成本高的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是:提供一种液晶面板，该液晶面板包括第一基板、第二基板以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层;所述第一基板上依次设有TFT阵列层、色阻层和电极结构层;所述色阻层由多种色阻形成，所述色阻层包括遮光区和多个像素区，所述遮光区呈矩阵状，所述多个像素区被所述遮光区分隔，每个所述像素区包括一种所述色阻，所述遮光区由所述多种色阻堆叠形成。
[0007]其中，所述遮光区的厚度与所述像素区的厚度相等，以使所述色阻层的表面平坦。
[0008]其中，所述TFT阵列层包括栅线、数据线和TFT，所述栅线和所述数据线交叉分布，所述TFT设置在所述栅线和所述数据线所围成的空间中；所述电极结构层包括共通电极、像素电极和绝缘层，所述共通电极设置在所述色阻层之上，所述绝缘层设置在所述共通电极之上，所述像素电极设置在所述绝缘层之上。
[0009]其中，所述遮光区的一部分区域上的色阻凸出形成多个支撑件，以支撑所述第一基板和所述第二基板。
[0010]其中，所述多个支撑件中，至少有两种高度相异的支撑件。
[0011]其中，形成所述支撑件的每层色阻的横截面积从底层到顶层逐渐减小。
[0012]其中，当所述第一基板作为上基板时，在所述第一基板和所述TFT阵列层之间设置有黑矩阵，所述黑矩阵的位置与所述遮光区的位置对应。
[0013]为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是:提供一种显示器，该显示器包括上述液晶面板。
[0014]为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是:提供一种液晶面板的制备方法，该制备方法包括以下步骤:在第一基板上形成TFT阵列层;采用多种色阻在所述TFT阵列层上形成色阻层，其中，所述色阻层包括遮光区和多个像素区，所述遮光区呈矩阵状，所述多个像素区被所述遮光区分隔，每个所述像素区包括一种所述色阻，所述遮光区由所述多种色阻堆叠形成;在所述色阻层上形成电极结构层;将第二基板覆盖在所述电极结构层上。
[0015]其中，在所述显示器件层上形成色阻层的步骤包括:
[0016]采用第一色阻在所述TFT阵列层上形成遮光区，所述遮光区呈矩阵分布，并分隔形成多个像素区，同时，所述第一色阻在所述多个像素区中预设的一部分像素区内形成第一像素图形，并使形成所述第一像素图形的厚度大于所述遮光区上第一色阻的厚度;采用第二色阻在所述多个像素区中预设的另一部分像素区内形成第二像素图形，同时，所述第二色阻堆叠在所述遮光区的第一色阻上，并使所述第二像素图形的厚度大于所述遮光区上的第二色阻的厚度;采用第三色阻在所述多个像素区中预设的又一部分像素区中形成第三像素图形，同时，所述第三色阻堆叠在所述遮光区的第二色阻上，并使所述第三像素图形的厚度大于所述遮光区上的第三色阻的厚度;其中，所述第一像素图形、所述第二像素图形、所述第三像素图形和所述遮光区的厚度相等，以使所述色阻层的表面平坦。。
[0017]本发明的有益效果是:区别于现有技术，本发明通过在第一基板上设置TFT阵列层、色阻层和电极结构层，并在色阻层上设置了像素区和遮光区，遮光区由形成像素区的色阻堆叠形成，使得色阻在形成像素区的时候，能同时形成遮光区，而第二基板上则无需再形成色阻层和黑矩阵，从而节省了光罩制作流程，简化了工艺，因而节省了材料成本和制造时间。此外，由于像素区和遮光区与TFT阵列层及电极结构层均设置在第一基板上，因而能避免在组装第二基板的时候由于对位偏差而导致对盒精确度低的问题，从而能提高对盒精确度，进而提高了产品的质量。
【附图说明】
[00?8]图1是现有的LTPS液晶显示面板的结构示意图。
[0019]图2是本发明液晶面板第一实施例的结构示意图；
[0020]图3是本发明液晶面板第二实施例一种情况下的结构示意图；
[0021]图4是本发明液晶面板第一■实施例另一种情况下的结构不意图；
[0022]图5是本发明液晶面板第三实施例的结构示意图；
[0023]图6是本发明显示器实施例的结构示意图；
[0024]图7是本发明液晶面板的制备方法第一实施例的流程示意图；
[0025]图8是本发明液晶面板的制备方法第二实施例的流程示意图；
[0026]图9是图8中步骤S202的流程示意图；
[0027]图10是图9中步骤S2021的工艺流程图；
[0028]图11是图9中步骤S2022的工艺流程图；
[0029]图12是图9中步骤S2023的工艺流程图；
[0030]图13是本发明液晶面板的制备方法第三实施例的流程示意图；
[0031]图14是本发明液晶面板的制备方法第四实施例的流程示意图。
【具体实施方式】
[0032]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进行详细说明。
[0033 ]请参阅图2，图2是本发明液晶面板第一实施例的结构示意图。
[0034]本发明的液晶面板包括第一基板11、第二基板12以及位于第一基板11和第二基板12之间的液晶层(图未示)。
[0035]第一基板11上依次设有TFT阵列层13、色阻层14和电极结构层15。
[0036]色阻层14由多种色阻形成，色阻层包括遮光区141和多个像素区142，遮光区141呈矩阵状，多个像素区142被遮光区141分隔，每个像素区142包括一种色阻，遮光区141由多种色阻堆叠形成。其中，色阻材料可以是掺杂有红、绿、蓝色颜料的感光性树脂组合物，例如酚醛树脂为基础树脂的化学放大型感光性树脂等。
[0037]区别于现有技术，本发明通过在第一基板11上设置TFT阵列层13、色阻层14和电极结构层15，并在色阻层14上设置了像素区142和遮光区141，遮光区141由形成像素区142的色阻堆叠形成，使得色阻在形成像素区142的时候，能同时形成遮光区141，而第二基板12上则无需再形成色阻层13和黑矩阵，从而节省了光罩制作流程，简化了工艺，因而节省了材料成本和制造时间。此外，由于像素区142和遮光区141与TFT阵列层13及电极结构层15均设置在第一基板11上，因而能避免在组装第二基板12的时候由于对位偏差而导致对盒精确度低的冋题，从而能提尚对盒精确度，进而提尚了广品的质量。
[0038]在本实施例中，遮光区141即黑矩阵(BM)，当第一基板11作为下基板的时候，遮光区141用于防止背光光线泄漏，提高显示对比度，防止混色和增加颜色的纯度。
[0039]遮光区141的厚度与像素区142的厚度相等，以使色阻层的表面平坦，使得形成像素区142的色阻能同时发挥平坦层和黑矩阵的作用。例如，本实施例的色阻层包括红色阻(R)、绿色阻(G)和蓝色阻(B)，在制作过程中，涂覆了红色阻之后，采用Gray tone工艺同时在该色阻上形成具有期望高度的BM-R部位和过孔，在后续的G、B色阻中也采用了Gray tone工艺形成了期望高度的BM-G和BM-B色阻，从而使得RGB色阻堆叠的高度= R/G/B色阻高度。
[0040]举例而言，本实施例的TFT阵列层包括栅线、数据线和TFT，栅线和数据线交叉分布，TFT设置在栅线和数据线所围成的空间中。具体而言，TFT包括半导体图案层131、栅极绝缘层132、栅极图案层133、源/漏极图案层134和层间绝缘层135。其中，半导体图案层131形成在第一基板11上，栅极绝缘层132覆盖于半导体图案层131之上，栅极图案层133形成在栅极绝缘层132上，层间绝缘层135形成在栅极图案层133之上，源/漏极图案层134形成在层间绝缘层135之上。
[0041 ]本实施例中，层间绝缘层135由两层绝缘材料形成，例如SiNx和S12。当然，在其它实施例中，层间绝缘层15还可以由一层绝缘材料形成，例如SiNx或者S12或者其它常规绝缘材料。
[0042]电极结构层15包括共通电极151、像素电极152和绝缘层153，共通电极151设置在色阻层14之上，绝缘层153设置在共通电极151之上，像素电极152设置在绝缘层153之上。
[0043]本实施例的色阻层包括红色阻(R)、绿色阻(G)和蓝色阻(B)，色阻形成的像素区分别包括红色像素区1421、绿色像素区1422和蓝色像素区，当然，在其他实施例中还包括白色阻。遮光区141的色阻的堆叠顺序按照像素区142的制作顺序堆叠，所以，当像素区142的色阻的制作顺序不一样的时候，遮光区141的色阻的堆叠顺序也不一样。图2中显示的像素区142的形成顺序是红色像素区1421—绿色像素区1422—蓝色像素区。
[0044]值得一提的是，本发明中，红色阻、绿色阻和蓝色阻分别位于红色像素区1421、绿色像素区1422和蓝色像素区中，只有在遮光区141上进行堆叠，图2中仅仅为了方便示意红色阻、绿色阻和蓝色阻形成的遮光区141及平坦表面的关系，简化了像素分布。此外，在半导体图案层131的下方还设有遮蔽层，图2中没有示意出，但不对本发明造成干扰。
[0045]请参阅图3，图3是本发明液晶面板第二实施例一种情况下的结构示意图。
[0046]本发明的液晶面板包括第一基板21、第二基板22以及位于第一基板21和第二基板22之间的液晶层(图未示)。
[0047]第一基板上依次设有TFT阵列层23、色阻层24和电极结构层25。
[0048]色阻层24由多种色阻形成，色阻层24包括遮光区241和多个像素区242，遮光区241呈矩阵状，多个像素区242被遮光区241分隔，每个像素区242包括一种色阻，遮光区241由多种色阻堆叠形成。其中，色阻材料可以是掺杂有颜色，例如红、绿、蓝颜料的感光性树脂组合物，具体如酚醛树脂为基础树脂的化学放大型感光性树脂等。
[0049]遮光区241的厚度与像素区242的厚度相等，以使色阻层的表面平坦，使得形成像素区242的色阻能同时发挥平坦层和黑矩阵的作用。
[0050]本实施例中，遮光区241的一部分区域上的色阻凸出形成多个支撑件243，以支撑第一基板21和第二基板22。其中，堆叠形成遮光区241的每一层色阻均在同一位置凸出形成该支撑件243，当色阻为酚醛树脂为基础树脂的化学放大型感光性树脂时，其具有一定弹性可以具备支撑件243功能。其中，支撑件243的色阻的堆叠顺序按照像素区242的制作顺序进行堆叠。本实施例的情况中，多个支撑件243的高度一致，因而图3只显示了一个支撑件243。
[0051]在另一种情况中，多个支撑件243中至少有两种高度相异的支撑件243。如图4所不，图4是本发明液晶面板第一■实施例另一种情况下的结构不意图，图中显不了两种尚度相异的支撑件243。通过色阻堆叠出不同高度的色阻形成具有段差的第一支撑件2431和第二支撑件2432。具体形成的方法是:(I)在色阻层中的一种或多种色阻形成过程中，采用Graytone工艺同时在支撑件上获得适当的色阻高度而堆叠出需求高度的色阻支撑件；(2)通过分别控制上层色阻(如图4中的G、B)涂覆后的回流量(例如显影、固化时间)使得上层色阻呈现预设高度；(3)通过第一支撑件2431和第二支撑件2432的中上层色阻的大小(面积)不一样以使形成不同的回流量，从而获得例如图4中的第一支撑件2431和第二支撑件2432中的B色阻具有高度段差的堆叠。
[0052]值得一提的是，如图4所示，形成支撑件243的每层色阻的横截面积从底层到顶层逐渐减小。
[0053]具体地，在制作完RGB色阻平坦层、支撑件243及过孔后，在制作绝缘层、共通电极、像素电极、或者M3电极等结构时可以选择性在支撑件243上顶部保留或去除部分或者全部这些层结构以获得适当的支撑件243高度。可以在支撑件243外表面保留绝缘层以避免支撑件243结构与液晶接触，此时为了使得绝缘层、以及后续制程中的配向膜更好的形成在支撑件243的侧表面，可以使得例如图4中支撑件243的R色阻横截面积〉G色阻横截面积〉B色阻横截面积，以使得支撑件243整体成圆台形(断面成梯形)。
[0054]需要注意的是，为了获得合适的盒厚，可以通过以下办法:(1)通过控制遮光区241上形成支撑件243的区域及不形成支撑件243的区域在曝光时的透过率，使得支撑件243的区域部分保留的色阻膜层比像素区242域略薄，以获得适当的支撑件243高度。(2)通过分别控制上层色阻(例如图4中的G、B)涂覆后的回流量(例如显影、固化时间)使得上层色阻呈现预设高度，以获得适当的支撑件243高度。(3)通过在控制支撑件243的中上层色阻面积的大小以使形成不同的回流量，以获得适当的支撑件243堆叠高度。
[0055]请参阅图5，图5是本发明液晶面板第三实施例的结构示意图。
[0056]本发明的液晶面板包括第一基板31、第二基板32以及位于第一基板31和第二基板32之间的液晶层。
[0057]第一基板31上依次设有TFT阵列层33、色阻层34和电极结构层35。色阻层34由多种色阻形成，色阻层34包括遮光区341和多个像素区342，遮光区341呈矩阵状，多个像素区342被遮光区341分隔，每个像素区342包括一种色阻，遮光区341由多种色阻堆叠形成。
[0058]当该第一基板31作为上基板时，在第一基板31和TFT阵列层33之间设置有黑矩阵36，黑矩阵36的位置与遮光区341的位置对应。本实施例中，遮光区341用于遮蔽来自背光的光线对半导体图案层的影响，而黑矩阵36用于屏蔽外界环境光对半导体图案层的影响。
[0059]具体而言，黑矩阵36可以采用金属铬制作，当然，在其他实施例中，该黑矩阵36还可以采用黑色树脂(树脂掺杂C、T1、Ni等黑色材料)或者其它本领域常用的材料制成。
[0060]本实施例的像素开口区由黑矩阵36及遮光区341两者之一或者两者共同形成。在一个实施例中，像素开口区由黑矩阵36形成，而遮光区341只在TFT结构下方遮挡背光光线对半导体图案层的影响。
[0061]黑矩阵36和遮光区341的面积大小可以包括下面三种情况:(I)遮光区341形成的区域小于黑矩阵36形成的区域，即遮光区341在黑矩阵36面积内部；(2)遮光区341与黑矩阵36面积重叠相等；(3)黑矩阵36形成的区域小于遮光区341层形成的区域，即黑矩阵36在遮光区341面积内部。
[0062]请参阅图6，图6是本发明显示器实施例的结构示意图。
[0063]本发明还提供了一种显示器，该显示器包括框体41和上述任一实施例的液晶面板42 ο
[0064]请参阅图7，图7是本发明液晶面板的制备方法第一实施例的流程示意图。
[0065]本发明还提供了一种液晶面板的制备方法，该方法包括以下步骤:
[0066]SlOl、在第一基板上形成TFT阵列层。
[0067]步骤SlOl中，形成的TFT阵列层包括栅线、数据线和TFT，栅线和数据线交叉分布，TFT设置在栅线和数据线所围成的空间中。其中，TFT的形成过程具体包括:在第一基板上形成半导体图案层，在半导体图案层上覆盖栅极绝缘层，再在栅极绝缘层上形成栅极图案层，在栅极图案层上形成层间绝缘层，在层间绝缘层之上形成源/漏极图案层。
[0068]S102、采用多种色阻在TFT阵列层上形成色阻层，其中，色阻层包括遮光区和多个像素区，遮光区呈矩阵状，多个像素区被遮光区分隔，每个像素区包括一种色阻，遮光区由多种色阻堆叠形成。
[0069]举例而言，多种色阻包括红色阻、绿色阻和蓝色阻，像素区包括红色阻形成的红色像素区、绿色阻形成的绿色像素区和蓝色阻形成的蓝色像素区，遮光区则由红色阻、绿色阻和蓝色阻堆叠形成。
[0070]S103、在色阻层上形成电极结构层。
[0071]其中，形成电极结构层的步骤包括:在色阻层上形成共通电极，在共通电极上覆盖绝缘层，再在绝缘层上形成像素电极。
[0072]S104、将第二基板覆盖在电极结构层上。
[0073]步骤S104是对盒过程，即将第二基板与设置好各元件的第一基板进行组装而形成液晶面板。
[0074]请参阅图8，图8是本发明液晶面板的制备方法第二实施例的流程示意图。
[0075]S201、在第一基板上形成TFT阵列层。
[0076]S202、采用多种色阻在TFT阵列层上形成色阻层，其中，色阻层包括遮光区和多个像素区，遮光区呈矩阵状，多个像素区被遮光区分隔，每个像素区包括一种色阻，遮光区由多种色阻堆叠形成，并使遮光区的厚度与像素区的厚度相等，以使色阻层的表面平坦。
[0077]请参阅图9，图9是图8中步骤S202的流程示意图。
[0078]具体而言，步骤S 202包括以下步骤:
[0079]S2021、采用第一色阻在TFT阵列层上形成遮光区，遮光区呈矩阵分布，并分隔形成多个像素区，同时，第一色阻在多个像素区中预设的一部分像素区内形成第一像素图形，并使形成第一像素图形的厚度大于遮光区上第一色阻的厚度。
[0080]如图10所示，图10是图9中步骤S2021的工艺流程图。该第一色阻为红色阻，在TFT阵列层53上涂覆红色阻之后，采用Gray tone工艺同时在该色阻上形成红色像素图形5421，以及具有期望高度的BM-R部位5422和过孔，具体地，红色像素图形的厚度大于BM-R部位5422的厚度。
[0081]S2022、采用第二色阻在多个像素区中预设的另一部分像素区内形成第二像素图形，同时，第二色阻堆叠在遮光区的第一色阻上，并使第二像素图形的厚度大于遮光区上的第二色阻的厚度。
[0082]如图11所示，图11是图9中步骤S2022的工艺流程图，该第二色阻为绿色阻，在TFT阵列层53及遮光区的红色阻上涂覆绿色阻之后，采用Gray tone工艺同时在该色阻上形成绿色像素图形5424、具有期望高度的BM-G部位5423和过孔，具体地，绿色像素图形5424的厚度大于BM-G部位5423的厚度。
[0083]S2023、采用第三色阻在多个像素区中预设的又一部分像素区中形成第三像素图形，同时，第三色阻堆叠在遮光区的第二色阻上，并使第三像素图形的厚度大于遮光区上的第三色阻的厚度。
[0084]如图12所示，图12是图9中步骤S2023的工艺流程图，该第三色阻为蓝色阻，在TFT阵列层及遮光区的绿色阻上涂覆蓝色阻之后，采用Gray tone工艺同时在该色阻上形成蓝色像素图形、具有期望高度的BM-B部位5425和过孔，具体地，蓝色像素图形的厚度大于BM-B部位5425的厚度。
[0085]其中，第一像素图形、第二像素图形、第三像素图形和遮光区的厚度相等，以使色阻层的表面平坦。
[0086]本实施例中，最终形成的红色像素图形、绿色像素图形、蓝色像素图形的厚度与R-G-B色阻堆叠形成的遮光区的厚度相等。
[0087]S203、在色阻层上形成电极结构层。
[0088]S204、将第二基板覆盖在电极结构层上。
[0089]请参阅图13，图13是本发明液晶面板的制备方法第三实施例的流程示意图。
[0090]S301、在第一基板上形成TFT阵列层。
[0091]S302、采用多种色阻在TFT阵列层上形成色阻层，其中，色阻层包括遮光区和多个像素区，遮光区呈矩阵状，多个像素区被遮光区分隔，每个像素区包括一种色阻，遮光区由多种色阻堆叠形成，同时在遮光区的一部分区域上形成多个支撑件，以支撑第一基板和第二基板。
[0092]举例而言，支撑件的形成方式为:在TFT阵列层上涂覆红色阻之后，采用Graytone工艺同时在该色阻上形成红色像素图形，以及具有期望高度的BM-R部位和过孔，同时在预设的位置处形成支撑件，例如，采用Gray tone工艺使遮光区上支撑件的位置处的红色阻的厚度与红色像素图形的厚度保持一致，而遮光区的其它位置处的厚度则小于支撑件出的厚度。绿色阻和蓝色阻的制作流程同理，使得堆叠成支撑件的红色阻的厚度与红色像素图形的厚度相等，绿色阻的厚度与绿色像素图形的厚度相等，蓝色阻的厚度与蓝色像素图形的厚度相等。
[0093]值得一提的是，在其他实施例中，可以是堆叠成支撑件的红色阻的厚度大于遮光区其他位置的红色阻的厚度，并与红色像素图形的厚度不相等;绿色阻的厚度大于遮光区其他位置的绿色阻的厚度，并与绿色像素图形的厚度不相等;蓝色阻的厚度大于遮光区其他位置的蓝色阻的厚度，并与蓝色像素图形的厚度不相等。
[0094]此外，本实施例的一种情况下，多个支撑件的高度一致。而在另一种情况下，多个支撑件中至少有两种高度相异的支撑件。具体形成的方法是:(I)在色阻层中的一种或多种色阻形成过程中，采用Graytone工艺同时在支撑件上获得适当的色阻高度而堆叠出需求高度的色阻支撑件；(2)通过分别控制上层色阻(如图4中的G、B)涂覆后的回流量(例如显影、固化时间)使得上层色阻呈现预设高度；(3)通过第一支撑件和第二支撑件的中上层色阻的大小(面积)不一样以使形成不同的回流量，从而获得例如图4中的第一支撑件和第二支撑件中的B色阻具有高度段差的堆叠。
[0095]此外，在制作完RGB色阻平坦层、支撑件及过孔后，在制作绝缘层、共通电极、像素电极、或者M3电极等结构时可以选择性在支撑件上顶部保留或去除部分或者全部这些层结构以获得适当的支撑件高度。可以在支撑件外表面保留绝缘层以避免支撑件结构与液晶接触，此时为了使得绝缘层、以及后续制程中的配向膜更好的形成在支撑件的侧表面，可以使得例如图4中支撑件的R色阻横截面积〉G色阻横截面积〉B色阻横截面积，以使得支撑件整体成圆台形(断面成梯形)。
[0096]需要注意的是，为了获得合适的盒厚，可以通过以下办法:(I)通过控制遮光区上形成支撑件的区域及不形成支撑件的区域在曝光时的透过率，使得支撑件区域部分保留的色阻膜层比像素区域略薄，以获得适当的支撑件高度。(2)通过分别控制上层色阻(例如图4中的G、B)涂覆后的回流量(例如显影、固化时间)使得上层色阻呈现预设高度，以获得适当的支撑件高度。(3)通过在控制支撑件的中上层色阻面积的大小以使形成不同的回流量，以获得适当的支撑件堆叠高度。
[0097]S303、在色阻层上形成电极结构层。
[0098]S304、将第二基板覆盖在电极结构层上。
[0099]请参阅图14，图14是本发明液晶面板的制备方法第四实施例的流程示意图。
[0100]S401、在第一基板上形成黑矩阵。
[0101 ]具体地，黑矩阵可以采用金属铬制作，当然，在其他实施例中，该黑矩阵还可以采用黑色树脂(树脂掺杂C、T1、Ni等黑色材料)或者其它本领域常用的材料制成。黑矩阵用于屏蔽外界环境光对半导体层的影响。
[0102]S402、在黑矩阵和第一基板之上形成TFT阵列层。
[0103]S403、采用多种色阻在TFT阵列层上形成色阻层，其中，色阻层包括遮光区和多个像素区，遮光区呈矩阵状，多个像素区被遮光区分隔，每个像素区包括一种色阻，遮光区由多种色阻堆叠形成。
[0104]具体地，像素开口区由黑矩阵及遮光区两者之一或者两者共同形成。在一个实施例中，像素开口区由黑矩阵形成，而遮光区只在TFT结构下方遮挡背光光线对半导体层的影响。
[0105]黑矩阵和遮光区的面积大小可以包括下面三种情况:(I)遮光区形成的区域小于黑矩阵形成的区域，即遮光区在黑矩阵面积内部；(2)遮光区与黑矩阵面积重叠相等；(3)黑矩阵形成的区域小于遮光区层形成的区域，即黑矩阵在遮光区面积内部。
[0106]S404、在色阻层上形成电极结构层。
[0107]S405、将第二基板覆盖在电极结构层上。
[0108]综上所述，本发明能简化工艺，节省材料成本和制造时间，并能提高对盒精确度，进而提尚了广品的质量。
[0109]以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种液晶面板，其特征在于，包括第一基板、第二基板以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层； 所述第一基板上依次设有TFT阵列层、色阻层和电极结构层； 所述色阻层由多种色阻形成，所述色阻层包括遮光区和多个像素区，所述遮光区呈矩阵状，所述多个像素区被所述遮光区分隔，每个所述像素区包括一种所述色阻，所述遮光区由所述多种色阻堆叠形成。2.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述遮光区的厚度与所述像素区的厚度相等，以使所述色阻层的表面平坦。3.根据权利要求2所述的液晶面板，其特征在于，所述TFT阵列层包括栅线、数据线和TFT，所述栅线和所述数据线交叉分布，所述TFT设置在所述栅线和所述数据线所围成的空间中； 所述电极结构层包括共通电极、像素电极和绝缘层，所述共通电极设置在所述色阻层之上，所述绝缘层设置在所述共通电极之上，所述像素电极设置在所述绝缘层之上。4.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述遮光区的一部分区域上的色阻凸出形成多个支撑件，以支撑所述第一基板和所述第二基板。5.根据权利要求4所述的液晶面板，其特征在于，所述多个支撑件中，至少有两种高度相异的支撑件。6.根据权利要求4所述的液晶面板，其特征在于，形成所述支撑件的每层色阻的横截面积从底层到顶层逐渐减小。7.根据权利要求3所述的液晶面板，其特征在于，当所述第一基板作为上基板时，在所述第一基板和所述TFT阵列层之间设置有黑矩阵，所述黑矩阵的位置与所述遮光区的位置对应。8.—种显示器，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的液晶面板。9.一种液晶面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 在第一基板上形成TFT阵列层； 采用多种色阻在所述TFT阵列层上形成色阻层，其中，所述色阻层包括遮光区和多个像素区，所述遮光区呈矩阵状，所述多个像素区被所述遮光区分隔，每个所述像素区包括一种所述色阻，所述遮光区由所述多种色阻堆叠形成； 在所述色阻层上形成电极结构层； 将第二基板覆盖在所述电极结构层上。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述显示器件层上形成色阻层的步骤包括: 采用第一色阻在所述TFT阵列层上形成遮光区，所述遮光区呈矩阵分布，并分隔形成多个像素区，同时，所述第一色阻在所述多个像素区中预设的一部分像素区内形成第一像素图形，并使形成所述第一像素图形的厚度大于所述遮光区上第一色阻的厚度； 采用第二色阻在所述多个像素区中预设的另一部分像素区内形成第二像素图形，同时，所述第二色阻堆叠在所述遮光区的第一色阻上，并使所述第二像素图形的厚度大于所述遮光区上的第二色阻的厚度； 采用第三色阻在所述多个像素区中预设的又一部分像素区中形成第三像素图形，同时，所述第三色阻堆叠在所述遮光区的第二色阻上，并使所述第三像素图形的厚度大于所述遮光区上的第三色阻的厚度； 其中，所述第一像素图形、所述第二像素图形、所述第三像素图形和所述遮光区的厚度相等，以使所述色阻层的表面平坦。
【文档编号】G02F1/1362GK105867039SQ201610455181
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年6月21日
【发明人】唐岳军
【申请人】武汉华星光电技术有限公司