真空腔室的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种真空腔室，通过在密封门与腔体之间设置由内环密封圈及外环密封圈组成的两层密封圈，实现所述腔体与密封门共同形成一密闭空间，并在内、外环密封圈、腔体与密封门之间形成一辅助空间，同时设置一通道连通该辅助空间以用于对该辅助空间抽真空及破真空，在对密闭空间进行抽真空时，同步对辅助空间进行抽真空，使密封门受力平衡，能够减小密封门的形变，进而增强真空腔室的气密性，减少颗粒、及水汽进入真空腔室，并可以改善因密封门形变造成的金属接触问题，提高产品良率。
【专利说明】
真空腔室
技术领域
[0001]本发明涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种真空腔室。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
[0003]现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
[0004]通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动冲段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。
[0005]在TFT基板的制作过程中，需要使用各种真空机台完成相应制程，如使用物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n，PVD)进行招(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)等金属膜以及氧化铟锡(ITO)、铟镓锌氧化物(IGZO)等非金属膜沉积，使用化学气相沉积(ChemicalVapor Depos it 1n，CVD)进行氧化娃(S1x)、氮化娃(SiNx)、非晶娃(a-Si)等非金属膜沉积，以及使用干法刻蚀(Dry Etch)进行各种金属膜和非金属膜刻蚀。该类真空机台的基板传送和制程均需要在高真空的腔室内完成，对腔室洁净度和气密性有严格要求。
[0006]请参阅图1，为一种现有的真空腔室的结构示意图，包括腔体I’、密封门2’、及O型密封圈3所述腔体I’具有一开口 11’，所述密封门2 ’罩盖于所述开口 11’；所述O型密封圈3’位于密封门2’与腔体I’之间，实现所述腔体I’与密封门2’共同形成一密闭空间4’。请参阅图2，当对该真空腔室的密闭空间4，进行抽真空处理时，密封门2 ’因受密闭空间4 ’真空产生的拉力F1’，容易产生形变，进而使真空腔室的气密性降低，增加颗粒(Particle)、及水汽等杂质进入真空腔室内部的可能性，同时密封门2’的形变会导致真空腔室金属接触(MetalTouch)问题，影响产品良率。
【发明内容】
[0007]本发明的目的在于提供一种真空腔室，能够减小因抽真空造成的密封门的形变，进而增强真空腔室的气密性，减少颗粒、及水汽进入真空腔室，并可以改善因密封门形变造成的金属接触冋题，提尚广品良率。
[0008]为实现上述目的，本发明提供一种真空腔室，包括:腔体、密封门、内环密封圈、及外环密封圈；所述腔体具有一开口，所述密封门罩盖于所述开口；所述内、外环密封圈位于密封门与腔体之间，实现所述腔体与密封门共同形成一密闭空间；在内、外环密封圈、腔体与密封门之间形成一辅助空间，一通道连通该辅助空间以用于对该辅助空间抽真空及破真空。
[0009]所述通道设于腔体上。
[0010]所述通道的数量为两个，分别设于所述腔体上对应于密封门的两端的辅助空间的位置。
[0011]还包括设于所述通道内的真空管，所述真空管的一端伸入辅助空间内，一端与腔体外部的抽真空管路相连接，从而对辅助空间抽真空及破真空。
[0012]所述外环密封圈、及内环密封圈均为O型密封圈。
[0013]所述密闭空间与腔体外部的抽真空管路相连接，从而对密闭空间抽真空及破真空。
[0014]所述抽真空管路同步对密闭空间、及辅助空间抽真空及破真空。
[0015]所述通道连通辅助空间与密闭空间。
[0016]所述真空腔室用于PVD、CVD、或干蚀刻。
[0017]本发明的有益效果:本发明提供的一种真空腔室，通过在密封门与腔体之间设置由内环密封圈及外环密封圈组成的两层密封圈，实现所述腔体与密封门共同形成一密闭空间，并在内、外环密封圈、腔体与密封门之间形成一辅助空间，同时设置一通道连通该辅助空间以用于对该辅助空间抽真空及破真空，在对密闭空间进行抽真空时，同步对辅助空间进行抽真空，使密封门受力平衡，能够减小密封门的形变，进而增强真空腔室的气密性，减少颗粒、及水汽进入真空腔室，并可以改善因密封门形变造成的金属接触问题，提高产品良率。
【附图说明】
[0018]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
[0019]附图中，
[0020]图1为一种现有的真空腔室的结构示意图；
[0021 ]图2为图1所示的真空腔室抽真空后的金属接触状态的示意图；
[0022]图3为本发明的真空腔室的结构示意图。
【具体实施方式】
[0023]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0024]请参阅图3，本发明提供一种真空腔室，包括:腔体1、密封门2、内环密封圈3、及外环密封圈4;所述腔体I具有一开口 11，所述密封门2罩盖于所述开口 11;所述内、外环密封圈
3、4位于密封门2与腔体I之间，实现所述腔体I与密封门2共同形成一密闭空间5;在内、外环密封圈3、4、腔体I与密封门2之间形成一辅助空间6，一通道7连通该辅助空间6以用于对该辅助空间6抽真空及破真空。
[0025]具体地，所述通道7设于腔体I上。
[0026]具体地，所述通道7的数量为两个，分别设于所述腔体I上对应于密封门2的两端的辅助空间6的位置，以用于对位于密封门2两端的辅助空间6进行抽真空及破真空，使密封门2的两端在辅助空间6抽真空后受到因辅助空间6真空产生的向着腔体11的第一拉力F1。
[0027]具体地，所示真空腔室还包括设于所述通道7内的真空管8，所述真空管8的一端伸入辅助空间6内，一端与腔体I外部的抽真空管路相连接，从而对辅助空间6抽真空及破真空。
[0028]具体地，所述外环密封圈4、及内环密封圈3均为O型密封圈。
[0029]具体地，在本发明的第一实施例中，所述密闭空间5与腔体I外部的抽真空管路相连接，从而对密闭空间5抽真空及破真空，使密封门2的中间部分在密闭空间5抽真空后受到因密闭空间5真空产生的向着腔体11的第二拉力F2。
[0030]进一步地，所述抽真空管路同步对密闭空间5、及辅助空间6抽真空及破真空，使第一拉力Fl与第二拉力F2同步作用于密封门2上。
[0031]作为一种可选方案，所述通道7连通辅助空间6与密闭空间5，从而可以使得密闭空间5与辅助空间6的抽真空可通过通道7同步进行，使第一拉力Fl与第二拉力F2同步作用于密封门2上，可省去对应密闭空间5单独设置的抽真空管路。
[0032]具体地，所述真空腔室用于各种需要真空环境的TFT基板制程，具体地，所述真空腔室用于PVD、CVD、或干蚀刻。
[0033]具体地，当所述真空腔室用于各种需要真空环境的TFT基板制程时，先将需要进行对应制程的基板由开口 11放入腔体I中，并将密封门2关闭，使腔体I与密封门2之间形成密闭空间5，并在内、外环密封圈3、4、腔体I与密封门2之间形成辅助空间6;之后，同步对密闭空间5辅助空间6进行抽真空，如图3所示，密闭空间5真空产生的第一拉力Fl与辅助空间6真空产生的第二拉力F2共同作用于密封门2上，通过控制密闭空间5真空产生的第一拉力Fl与辅助空间6真空产生的第二拉力F2，使密封门2受到的力平衡，能够有效地减小密封门2的形变，进而增强真空腔室的气密性，减少颗粒、及水汽进入真空腔室，并可以改善因密封门2形变造成的金属接触问题，提高产品良率。
[0034]综上所述，本发明的真空腔室，通过在密封门与腔体之间设置由内环密封圈及外环密封圈组成的两层密封圈，实现所述腔体与密封门共同形成一密闭空间，并在内、外环密封圈、腔体与密封门之间形成一辅助空间，同时设置一通道连通该辅助空间以用于对该辅助空间抽真空及破真空，在对密闭空间进行抽真空时，同步对辅助空间进行抽真空，使密封门受力平衡，能够减小密封门的形变，进而增强真空腔室的气密性，减少颗粒、及水汽进入真空腔室，并可以改善因密封门形变造成的金属接触问题，提高产品良率。
[0035]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种真空腔室，其特征在于，包括:腔体(I)、密封门(2)、内环密封圈(3)、及外环密封圈(4);所述腔体(I)具有一开口(11)，所述密封门(2)罩盖于所述开口(11);所述内、外环密封圈(3、4)位于密封门(2)与腔体(I)之间，实现所述腔体(I)与密封门(2)共同形成一密闭空间(5);在内、外环密封圈(3、4)、腔体(I)与密封门(2)之间形成一辅助空间(6)，一通道(7)连通该辅助空间(6)以用于对该辅助空间(6)抽真空及破真空。2.如权利要求1所述的真空腔室，其特征在于，所述通道(7)设于腔体(I)上。3.如权利要求2所述的真空腔室，其特征在于，所述通道(7)的数量为两个，分别设于所述腔体(I)上对应于密封门(2)的两端的辅助空间(6)的位置。4.如权利要求1所述的真空腔室，其特征在于，还包括设于所述通道(7)内的真空管(8)，所述真空管(8)的一端伸入辅助空间(6)内，一端与腔体(I)外部的抽真空管路相连接，从而对辅助空间(6)抽真空及破真空。5.如权利要求1所述的真空腔室，其特征在于，所述外环密封圈(4)、及内环密封圈(3)均为O型密封圈。6.如权利要求1所述的真空腔室，其特征在于，所述密闭空间(5)与腔体(I)外部的抽真空管路相连接，从而对密闭空间(5)抽真空及破真空。7.如权利要求6所述的真空腔室，其特征在于，所述抽真空管路同步对密闭空间(5)、及辅助空间(6)抽真空及破真空。8.如权利要求1所述的真空腔室，其特征在于，所述通道(7)连通辅助空间(6)与密闭空间(5)09.如权利要求1所述的真空腔室，其特征在于，所述真空腔室用于PVD、CVD、或干蚀刻。
【文档编号】G02F1/13GK105892116SQ201610494478
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年6月29日
【发明人】刘思洋
【申请人】武汉华星光电技术有限公司