专利名称：光发射元件、等离子体显示面板和阴极射线管显示器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示器件，例如具有光发射窗的光发射元件、等离子体显示面板(PDP)和阴极射线管(CRT)显示器件。
近来，工作在高速的高度集成的半导体器件得到广泛推广，应用越来越多。作为用半导体器件的有源器件，已知的有随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、微处理器(MPU)、中央处理单元(CPU)和图像处理器算术逻辑单元(IPALU)等。上述有源器件每时每刻都在发展，以便迅速提高工作速度和/或信号处理速度。在这种情况下，高速传导的带电体会伴随着电压或电流的急剧变化，这种变化构成了产生高频噪声的主要因素。
另一方面，电子元件或电子设备地重量、厚度和尺寸在不断地减小，这会导致半导体器件的集成度和安装到印刷线路板的电子元件密度显著增加，结果，密集集成或安装的电子器件和信号线彼此非常近。这样的高密度排列以及上述信号处理速度的提高将很容易引起高频噪声。
这种高频噪声可以是例如从光发射元件如用在光盘驱动的光拾取中的激光二极管发出的。这是因为激光二极管可以工作在高速，在这种情况下，激光二极管不仅发出或辐射光(红外线)，而且发出高频噪声。
然而，在先有技术中，对从上述光发射元件辐射的高频噪声没有采取过任何措施。
另一方面，作为显示器件之一，已知的有等离子体显示面板(下文称作“PDP”)。结合
图12，以下述方式，传统等离子体显示面板包括彼此相对的第一和第二玻璃衬底，其间留有缝隙。第一玻璃衬底放在前，第二玻璃衬底放在后，据此，称第一玻璃衬底为前衬底，第二玻璃衬底为后衬底。前玻璃衬底和后玻璃衬底在相对的侧面分别具有第一和第二主表面，多个前电极沿着互相平行的预定方向延伸，并且形成在前玻璃衬底的第一主表面上。每个前电极都形成为透明电极，由透明材料例如SnO2、ITO等制成。用第一介质层覆盖多个前电极。多个后电极沿着垂直于预定方向、彼此互相平行地延伸，并且形成在后玻璃衬底的第二主表面上。每个后电极由例如银制成。用第二介质层覆盖多个后电极。多个隔板加强肋放置在第一和第二介质层之间。
这种等离子体显示面板称为相对放电型等离子体显示面板。等离子体显示面板在前电极和后电极之间产生放电射线，通过起透明电极作用的前电极可以观察到放电射线。据此，根据放电原理，从等离子体显示面板的整个面板表面产生或辐射电磁波，所产生的电磁波在其它部分或其它装置中起干扰电磁波的作用。在下面结合图13所描述的方式中，作为抑制干扰电磁波的措施，将前玻璃衬底沿厚度方向分为两个分衬底，在两个分衬底之间放导电网。
然而，关于传统等离子体显示面板的抑制干扰电磁波的措施具有如下问题，首先，在传统等离子体显示面板中，由于将前衬底分为两个分衬底，使得部件的数量增加了，组装所需要的工作时间也增加了，这对于传统等离子体显示面板是不利的。第二，放在前衬底中的导电网导致PDP的光特性降低。第三，考虑导电网的电磁波吸收，要限制导电网的频带，最高到能够吸收电磁波的MHz的数量级。也就是说，由于导电网不能解决高达GHz的数量级的频带时电磁波的吸收，这种电磁波吸收近来已成为一个问题，因此传统的等离子体显示在这些方面是不利的。
作为另一种显示器件，已知有阴极射线管(下文也称为“CRT”)。在现行的已有技术中，阴极射线管显示器件用作例如电视机的电视(TV)图象管、个人计算机的监视器等。最初，公知的阴极射线管(CRT)为布老恩管或电子射线管。在下面结合图22要描述的现有技术中，传统CRT显示器件包括阴极射线管或内部是真空的玻璃容器和偏转线圈。阴极射线管包括具有内表面的显示面板、形成在显示面板的内表面上的具有预定图形的荧光物质、与显示面板相对并且其间放有荧光物质的荫罩和电子枪。电子枪发射电子束，穿过荫罩的孔之一并且击中有荧光物质的位置，使荧光物质发光。
当电子束击中有荧光物质的位置，使荧光物质发光时，传统CRT显示器件产生或辐射干扰电磁波，作为传统CRT显示器件中抑制干扰电磁波的措施，是采用下面结合图23描述的措施，即在阴极射线管的显示面板中嵌入导电网。
然而，具有导电网的上述传统CRT显示器件在下面这些方面的不利的，由于导电网妨碍荧光物质的光发射，使得CRT显示器件的图象质量降低，为了提高图象质量，如果导电网具有低的排列密度，那么导电网的干扰电磁波吸收效率降低。具有导电网的上述传统CRT显示器件由于在显示面板中嵌入导电网而使其制造费用变高，这也是不利的。此外，导电网具有能吸收电磁波的频带，该频带最高限制在MHz的数量级。也就是说，由于导电网不能解决在高达GHz数量级的频带时电磁波的吸收，这种电磁波吸收近来已成为一个问题，因此传统的等离子体显示在这些方面是不利的。
因此，本发明的目的是提供一种能够抑制高频噪声的显示器件。
本发明的另一个目的是提供一种所描述的显示器件，能够利用未使用的空间得到上述抑制效果。
本发明的目的是提供一种等离子体显示面板，在MHz和GHz之间的频带内，能够有效吸收干扰电磁波。
本发明的另一个目的是提供所述的等离子体显示面板，其中等离子体显示面板的发光特性不会受到妨碍。
本发明的再一个目的是提供所述等离子体显示面板，具有优异的批量加工性。
本发明的目的在于提供一种CRT显示器件，在MHz和GHz之间的频带内，能够有效吸收干扰电磁波。
本发明的另一个目的是提供所述的CRT显示器件，其中CRT显示器件的发光特性不会受到妨碍。
本发明的再一个目的是提供所述的CRT显示器件，具有优异的批量加工性。
随着下面的描述，本发明的其它目的将变得很明朗。
根据本发明的第一方面，提供一种具有显示窗的显示器件，该显示窗具有主表面。该显示器件包括至少在部分主表面上形成的磁损耗层。
根据本发明的第二方面，提供一种具有光发射窗的光发射元件，该光发射窗具有主表面。该光发射元件包括至少在部分主表面上形成的磁损耗层。
根据本发明的第三方面，提供一种具有前玻璃衬底的等离子体显示面板，该前玻璃衬底具有外表面。该等离子体显示面板包括在外表面上形成的磁损耗层。
根据本发明的第四方面，提供一种具有前玻璃衬底的等离子体显示面板，该前玻璃衬底具有内表面。该等离子体显示面板包括在内表面上形成的磁损耗层。
根据本发明的第五方面，提供一种阴极射线管(CRT)显示器件，包括具有显示面板的阴极射线管，该显示面板具有内表面。该CRT显示器件包括形成在内表面上的磁损耗层。
根据本发明的第六方面，提供一种阴极射线管(CRT)显示器件，包括具有显示面板的阴极射线管，该显示面板具有外表面。该CRT显示器件包括形成在外表面上的磁损耗层。
图1是显示M-X-Y磁性组合物的粒状结构示意图2A是显示用在实例中的溅射装置的截面结构示意图2B是显示用在实例中的汽相淀积装置的截面结构示意图3是显示例1中层样品1的磁导率频率响应曲线图4是显示例2中层样品2的磁导率频率响应曲线图5是显示比较例1中比较样品1的磁导率频率响应曲线图6是用于测量磁性样品的噪声抑制效果的测试装置的透视示意图7A是显示层样品1的传输特性曲线图7B是显示复合磁性材料片的比较样品的传输特性曲线图8A是显示作为噪声抑制器的磁性材料的长为1的分布常数电路；
图8B是图12A的分布常数电路的单位长度Δl的等效电路；
图8C是图12A的分布常数电路的具有长度1的等效电路；
图9A是显示例1中层样品1的等效电阻R的频率响应曲线图9B是复合磁性材料片的比较样品的等效电阻R的频率响应曲线图10是根据本发明实施例的光发射元件(激光二极管)的前视图11是根据本发明的另一个实施例的光发射元件(激光二极管)的前视图12是显示传统等离子体显示面板的局部立体透视图13是用在图12所说明的传统等离子体显示面板中作为噪声措施的传统前玻璃衬底的分解透视图14是根据本发明第一实施例的等离子体显示面板的局部立体透视图15是根据本发明第二实施例的等离子体显示面板的局部分解透视图16是根据本发明第三实施例的等离子体显示面板的局部分解透视图17是根据本发明第四实施例的等离子体显示面板的局部分解透视图18是根据本发明第五实施例的等离子体显示面板的局部分解透视图19是根据本发明第六实施例的等离子体显示面板的局部分解透视图20是根据本发明第七实施例的等离子体显示面板的局部分解透视图21是根据本发明第八实施例的等离子体显示面板的局部分解透视图22是传统阴极射线管(CRT)显示器件的截面图23是另一采取了噪声措施的传统阴极射线管(CRT)显示器件的截面图24是根据本发明第一实施例的阴极射线管(CRT)显示器件的截面图25是用在图24所说明的CRT显示器件中的显示面板附近的扩大截面图26是用在图24所说明的CRT显示器件中的显示面板的局部放大透视图27是根据本发明第二实施例的阴极射线管(CRT)显示器件的截面图28是用在图27所说明的CRT显示器件中的显示面板的局部放大透视图29是用在根据本发明第三实施例的阴极射线管(CRT)显示器件中的显示面板的局部放大透视图30是用在根据本发明第四实施例的阴极射线管(CRT)显示器件中的显示面板的局部放大透视图31是用在根据本发明第五实施例的阴极射线管(CRT)显示器件中的显示面板的局部放大透视图32是用在根据本发明第六实施例的阴极射线管(CRT)显示器件中的显示面板的局部放大透视图33是用在根据本发明第七实施例的阴极射线管(CRT)显示器件中的显示面板的局部放大透视在描述根据本发明的显示器件之前，首先描述根据本发明用在显示器件中的磁损耗层，该磁损耗层具有粒状结构。
现在，将描述M-X-Y磁性组合物的粒状结构和制造方法。
参考图1，显示了M-X-Y磁性组合物的粒状结构示意图，金属磁性材料M的粒子11均匀分散在由X和Y构成的基质12中。
参考图2A，其中显示的溅射装置用于制造下面实例和比较例中的样品。所用的溅射装置具有传统的结构，包括真空容器20、挡板21、空气源22、衬底或玻璃板23、基片24(X或X-Y)、靶25(M)、RF电源和真空泵27。空气源22和真空泵27与真空容器20相连接。衬底23面对其上放有基片24的靶25，将挡板21放在衬底21的前面，将RF电源26连接到靶25。
参考图2B，其中显示了生成下面实例和比较例中的样品要用的汽相淀积装置。所用的汽相淀积装置具有传统的结构，有真空容器20、空气源22和与溅射装置类似的真空泵27，此外还有代替了基片24、靶25和RF电源26的、包含材料(X-Y)的坩埚28。
例1
在表1所示的溅射条件下，用图2A所示的溅射装置，在玻璃板上制作一薄层M-X-Y磁性组合物。
表1
对生成的层样品1用荧光X射线光谱进行分析，确认是Fe72Al11O17组合物层。层样品1具有2.0微米(μm)的厚度、530微欧．厘米(μΩ.cm)的直流电阻率、18Oe的各向异性场(HK)和16800高斯的饱和磁化(Ms)。
层样品1的饱和磁化和金属材料M本身的饱和磁化的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100为72.2％。
为了测量饱和磁化频率响应，将层样品1制成带状并插入到线圈中。在偏置磁场的作用下，测量随着加到线圈的交流电流的频率变化而产生的线圈阻抗的变化，对于不同的偏置磁场取值，进行几次测量，从测得的随频率变化而产生的阻抗变化，就可以计算导磁率频率响应(μ”-f响应)，如图3所示。从图3可以看出相对磁导率的虚部有一个高峰或最大值(μ”max)，在高峰的两侧快速降低。显示最大值(μ”max)的自然谐振频率(f(μ”max))大约是700Hz。从μ”-f响应，确定了相对带宽bwr为两个频点之间的带宽与所述带宽的中心频率的百分比，两个频点显示了相对磁导率的虚部的最大值μ”max的半值μ”50°该相对带宽bwr为148％。
例2
与例1的条件类似，但是用150Al2O3基片，在玻璃板上形成层样品2。
对生成的层样品2用荧光X射线光谱进行分析，确认是Fe44Al22O34组合物层。层样品2具有1.2微米(μm)的厚度、2400微殴．厘米(μΩ.cm)的直流电阻率、120Oe的各向异性场(HK)和9600高斯的饱和磁化(Ms)。需要指出的是层样品2的电阻率比层样品1高。
层样品2的饱和磁化和金属材料M本身的饱和磁化的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100为44.5％。
用与例1同样的方式得到层样品2的μ”-f响应，如图4所示。注意与层样品1一样也有一个高峰，然而，高峰处的频率点或自然谐振频率为1GHz，在高峰的两侧，相对磁导率的虚部逐渐下降，使得μ”-f响应具有宽带特性。
用与例1同样的方法确定的层样品2的相对带宽bwr为181％。
比较例1
用与例1类似的条件，但是用90Al2O3基片，在玻璃板上形成比较样品l。
对生成的比较样品1用荧光X射线光谱进行分析，确认是Fe86Al6O8组合物层。比较样品l具有1.2微米(μm)的厚度、74微欧.厘米(μΩ.cm)的直流电阻率、22Oe的各向异性场(HK)、18800高斯的饱和磁化(Ms)和85.7％的比较样品1的饱和磁化和金属材料M本身的饱和磁化的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100，和44.5％。
用与例1同样的方式得到比较样品l的μ”-f响应，如图5所示。从图5可以看出，比较样品1的相对磁导率的虚部μ”在大约10MHz有一峰值，但在高于10MHz的频率范围快速减小。可以认为这种减小是由于更低的电阻率而产生的涡流引起的。
比较例2
用与例1类似的条件，但是用200Al2O3基片，在玻璃板上形成比较样品2。
对生成的比较样品2用荧光X射线光谱进行分析，确认是Fe19Al34O47组合物层。比较样品2具有1.3微米(μm)的厚度、10500微欧.厘米(μΩ.cm)的直流电阻率。
比较例1显示的磁特性是超顺磁性。
例4
在表2所示的溅射条件下，用图2A所示的溅射装置，用反应溅射方法，在玻璃板上制作一薄层M-X-Y磁性组合物。N2的分压比为20％。在磁场作用下，在真空中300℃对该薄层进行2小时的热处理，得到层样品4。
表2
层样品4的性能示于表3。
表3
例5
在表4所示的溅射条件下，用图2A所示的溅射装置，在玻璃板上制作一薄层M-X-Y磁性组合物。在磁场作用下，在真空中300℃对该薄层进行2小时的热处理，得到层样品5。
表4
层样品5的性能示于表5。
表5
例6
在表6所示的溅射条件下，用图2A所示的溅射装置，用反应溅射方法，在玻璃板上制作一薄层M-X-Y磁性组合物。N2的分压比为10％。在磁场作用下，在真空中300℃对该薄层进行2小时的热处理，得到层样品6。
表6
层样品6的性能示于表7。
表7
例7
在表8所示的溅射条件下，用图2A所示的溅射装置，在玻璃板上制作一薄层M-X-Y磁性组合物。在磁场作用下，在真空中300℃对该薄层进行2小时的热处理，得到层样品7。
表8
层样品4的性能示于表9。
表9
例8
在表10所示的溅射条件下，用图2A所示的溅射装置，用反应溅射方法，在玻璃板上制作一薄层M-X-Y磁性组合物。N2的分压比为10％。在磁场作用下，在真空中300℃对该薄层进行2小时的热处理，得到层样品8。
表10
层样品10的性能示于表11。
表11
例9
在表12所示的溅射条件下，用图2A所示的溅射装置，在玻璃板上制作一薄层M-X-Y磁性组合物。在磁场作用下，在真空中300℃对该薄层进行2小时的热处理，得到层样品9。
表12
层样品9的性能示于表13。
表13
例10
在表14所示的溅射条件下，用图2A所示的溅射装置，用反应溅射方法，在玻璃板上制作一薄层M-X-Y磁性组合物。O2的分压比为15％。在磁场作用下，在真空中300℃对该薄层进行2小时的热处理，得到层样品10。
表14
层样品10的性能示于表15。
表15
例11
在表16所示的溅射条件下，用图2A所示的溅射装置，在玻璃板上制作一薄层M-X-Y磁性组合物。在磁场作用下，在真空中300℃对该薄层进行2小时的热处理，得到层样品11。
表16
层样品11的性能示于表17。
表17
例12
在表18所示的溅射条件下，用图2A所示的溅射装置，在玻璃板上制作一薄层M-X-Y磁性组合物。在磁场作用下，在真空中300℃对该薄层进行2小时的热处理，得到层样品12。
表18
层样品12的性能示于表19。
表19
例13
在表20所示的溅射条件下，用图2A所示的溅射装置，在玻璃板上制作一薄层M-X-Y磁性组合物。在磁场作用下，在真空中300℃对该薄层进行2小时的热处理，得到层样品12。
表20
层样品13的性能示于表21。
表21
例14
在表22所示的条件下，用图2B所示的汽相淀积装置，在玻璃板上制作一薄层M-X-Y磁性组合物。在磁场作用下，在真空中300℃对该薄层进行2小时的热处理，得到层样品14。
表22
层样品14的性能示于表23。
表23
现在，用图6所示的测试装置，描述关于层样品和比较样品的噪声抑制效果的测试。
测试片是尺寸为20mm×20mm×2.0μm的层样品1。用尺寸为20mm×20mm×1.0μm的已知的组合磁性材料片作为对比。该复合磁性材料包括聚合物和分散在聚合物中的扁平金属磁性粉末，金属磁性粉末包括Fe、Al和Si。该复合磁性材料的磁导率分布在准微波范围，并且在大约700Hz的频率下，相对磁导率的虚部有最大值。表24显示了测试片和比较测试片的磁性能。
表24
从表24可以看出，层样品1的相对磁导率的虚部的最大值大约是比较测试片的600倍。由于噪声抑制效果通常是从相对磁导率的虚部的最大值μ”max和片的厚度δ的乘积(μ”max×δ)计算出来的，复合磁性材料片的比较测试片的厚度选为1mm，使得两个测试片具有相同的(μ”max×δ)值。
参考图6，测试装置包括具有两端口的微带线61、与这两端口连接的同轴电缆62和跨越两端口连接的网络分析器(未示出)。微带线61具有75mm的线长和50欧姆的特性阻抗。测试片63放在微带线61上的区64，测试传输特性S21。层样品1和比较样品的频率响应S21分别示于图11A和11B。
关于层样品1的使用，从图7A可以得出，大于100MHz,S21减小，在2GHz达到最小值-10dB，然后在大于2GHz时增加。另一方面，关于比较样品，从图7B可以得出，S21逐渐减小，在频率3GHz变为最小值-10dB。
结果表明S21依赖于磁导率得频率分布，噪声抑制效果依赖于(μ”max×δ)的乘积。
现在，用上述磁性样品形成具有长度为1的分布常数电路，如图8A所示，从传输特性S11和S21得出单位长度Δ1的等效电路，如图8B所示。然后，从单位长度Δ1的等效电路得到长度1的等效电路，如图8C所示。磁性样品的等效电路包括串联电感L和电阻R、并联电容C和电导G，如图8C所示。从这里可以得出，由于在微带线上淀积磁性物质而引起的微带线传输特性的变化主要是由以串联方式加入的等效电阻R决定的。
鉴于上述内容，测量等效电阻R的频率响应，层样品1和比较样品的测试数据分别示于图9A和9B，从这些图可以看出，等效电阻R在准微波范围逐渐减小，在大约3GHz，等效电阻R大约为60欧姆，可以看出等效电阻的频率依赖性不同于在大约1GHz有最大值的相对磁导率的虚部的频率依赖性。假设这种不同是以该乘积和样品的长度与波长的比率的逐渐增加为基础的。
参考图10，下面将说明根据本发明的实施例的显示器件。所要说明的显示器件是以光发射元件70为例的。所要说明的光发射元件70是用于光盘驱动的光拾取中的激光二级管。
光发射元件(激光二极管)70包括底座71、安装在底座71上的激光二极管芯片72、覆盖激光二极管芯片71并与基座71相连的树脂光发射窗73和三条管脚74，这三条管脚从基座沿着与光发射窗73相反的方向延伸，光发射窗73起显示器件的显示窗的作用。光发射窗73有主表面73a。
在具有上述结构的光发射元件(激光二极管)70中，根据本发明的第一实施例，在光发射窗73的主表面73a的较低的部位(底座71侧)形成磁损耗层或膜75。在所说明的例子中，形成的磁损耗层75呈网状，换句话说，磁损耗层75是网状的磁损耗层。
在光发射窗73的较低部分的主表面73a上形成网状磁损耗层75的原因是从激光二极管芯片72发射的激光束不会被网状磁损耗层75挡住，能穿过光发射窗73。
作为网状磁损耗层，可以以上述方式采用粒状磁薄层或膜。这种粒状磁薄层可以用溅射法、汽相淀积法或反应溅射法制造。换句话说，粒状磁薄层可以用溅射法或反映溅射法形成溅射膜，或者用汽相淀积法形成汽相淀积膜。在制造粒状磁薄膜时，要在磁场作用下，在真空中用预定的温度，对上述溅射膜或上述汽相淀积膜进行预定时间间隔的热处理。
在本发明的上述实施例中，由于必须形成网状磁损耗层(粒状磁性薄层)75，这种网状磁损耗层可以是用掩模通过溅射形成的溅射膜，或者是用掩模通过汽相淀积形成的汽相淀积膜，或者是通过给由粒状磁材料制成的磁损耗线画交叉阴影线而形成的交叉阴影线膜(crosshatched film)。
在实验中本发明人已经证实，尽管粒状磁损耗层具有例如2.0μm或更薄的薄膜厚度，但是以上述方式形成的粒状磁薄膜在几十兆赫兹至几千兆赫兹的高频频带范围内具有非常大的磁损耗。
此外，在实验中本发明人已经证实，根据本发明，在准微波带，具有相对磁导率的虚部(也就是“磁损耗项”)离散(dispersion)的粒状磁薄层具有高频噪声抑制效果，该效果等效于其厚度大约是粒状磁薄层厚度的500倍厚的传统复合磁性片的效果。据此，根据本发明的粒状磁性薄膜有希望作为磁性物质用在电磁干扰(EMI)的抑制方面，例如用于工作在大约1GHz的快速时钟频率的半导体集成元件中。
在本发明的实施例中，尽管例举了用掩模通过溅射法、汽相淀积法或反应溅射法作为制造粒状磁性薄层的方法例子，但在形成粒状磁性薄膜时，也可以采用其它制造方法，例如真空淀积法、离子束淀积法或气体淀积法。根据本发明，在能够均匀地形成磁性薄层的情况下并不限制制造方法。
另外，在上述实施例中，尽管在磁场作用下，在真空中进行了层生成后的热处理，但是如果粒状磁性薄层是通过气体淀积法形成的组合物层，或者是得到本发明性能的层生成方法，并不一定要进行层生成后的热处理。
此外，尽管例举了激光二极管作为光发射元件70，并且在上述实施例中，在激光二极管的光发射窗73的主表面73a上形成了磁损耗层75，但显示器件也可以是遥控器的红外I/O单元，磁损耗层可以形成在它的光发射窗的主表面上。另外，在上述实施例中，尽管网状磁损耗层75形成在光发射元件70中的光发射窗73的主表面73a的一部分上，但是网状磁损耗层也可以例如形成在光发射窗73的整个主表面73a上。形成的磁损耗层可以是代替网状的带状、格状或棋盘格状。总之，可以以一定的间隔形成磁损耗层。在上述实施例中，尽管例举了形成网状的光发射元件70的磁损耗层的情况，但是如图11所示，当只在光发射窗73的主表面的较低部分形成磁损耗层时，光发射元件70A的层状磁损耗层75A可以覆盖光发射窗73的主表面73a的所有较低部分，使得从激光二极管芯片72发射出的激光束能穿过光发射窗而不会被阻挡。
另外，在上述实施例中尽管例举了磁损耗层75是粒状磁性薄层的情况，但磁损耗层75可以不限于粒状磁性薄层，可以是任何在几十兆赫兹至几千兆赫兹的高频频带内具有非常大的磁损耗的层。
参考图12，下面将对作为显示器件之一的传统等离子体显示面板(PDP)80′进行描述。等离子体显示面板80′包括第一和第二玻璃衬底81和82，它们彼此相对放置，中间留有缝隙。第一玻璃衬底81放在前，而第二玻璃衬底82放在后，据此，称第一玻璃衬底81为前玻璃衬底，而称第二玻璃衬底82为后玻璃衬底。前玻璃衬底81起显示窗的作用。前玻璃衬底81和后玻璃衬底82在相对内侧分别具有前和后内表面81a和82a，在相对外侧分别具有前和后外表面81b和82b。多个前电极83沿着互相平行的预定方向延伸，并且以带状形成在前玻璃衬底81的前内表面81a上。形成的每个前电极83都作为透明电极，由透明材料例如SnO2、ITO等制成。用第一介质层84覆盖多个前电极83。多个后电极85沿着垂直于预定方向、彼此互相平行地延伸，并且以带状形成在后玻璃衬底82的后内表面82a上。每个后电极由例如银制成。用第二介质层86覆盖多个后电极85。多个隔板加强肋87放置在第一和第二介质层84和85之间。
可放电的稀有气体(未示出)在四周紧密密封的情况下密封在前和后玻璃衬底81和82之间的空间中，该空间由隔板加强肋隔成多个分空间，如图12所示。可放电的稀有气体在放电中产生大量的紫外线。
这种等离子体显示面板被叫做相对放电形等离子体显示面板。等离子体显示面板80′在前电极84和后电极85之间产生放电射线，通过起透明电极作用的前电极83可以观察到。据此，根据放电原理，等离子体显示面板80′从它的整个面板表面产生或辐射电磁波，所产生的电磁波能够干扰其它部分或其它设备。作为抑制干扰电磁波的措施，如图13所说明的，将前玻璃衬底81′在厚度方向分成两个分衬底811′和812′，然后将导电网88′放在或夹在分衬底811′和812′之间。
然而，对于传统等离子体显示面板，抑制干扰电磁波的措施会出现下列问题。首先，在传统等离子体显示面板中，由于前衬底81′分为两个分衬底811′和812′，使得部件的数量增加了，组装所需要的工作时间也增加了，这对于传统等离子体显示面板是不利的。第二，放在前衬底81′中的导电网88′导致PDP的光特性降低。第三，考虑导电网88′的电磁波吸收，要限制导电网88′的频带，最高到能够吸收电磁波的MHz的数量级。也就是说，由于导电网88′不能解决在GHz的数量级以上的频带时电磁波的吸收，如在本说明书的前序部分所提到的，这种电磁波吸收近来已成为一个问题，因此传统的等离子体显示在这些方面是不利的。
参考图14，下面将描述根据本发明第一实施例的等离子体显示面板(PDP)80。除了等离子体显示面板80还包括磁损耗层88之外，在结构和生产方面与图12所说明的传统等离子体显示面板80′相同。
在前衬底81的前外表面81b上形成磁损耗层88。在说明的例子中磁损耗层88以垫片状形成。换句话说，磁磁损耗层88是片状磁磁损耗层，覆盖前衬底81的整个前外表面81b。
片状磁损耗层88由包括M、X和Y的磁性组合物的磁性物质制成，其中M是由Fe、Co和/或Ni构成的金属磁性材料，X是除了M和Y以外的元素，Y是F、N和/或O。
在说明的例子中，片状磁损耗层88是如上述例1所例举的Fe72Al11O17组合物层。具有上述组成的片状磁损耗层88在频带特别是在MHz和GHz之间的频带中具有优异的电磁波吸收特性，在上述频带内能够有效抑制从PDP80产生的电磁波。
另外，由于片状磁损耗层88具有极大的磁损耗，因此相对于传统的的片状波吸收体，能使磁损耗层88特别薄。据此，片状磁损耗层88的厚度可以是几十微米或更薄。在大约3GHz，与图12所说明的传统PDP中只是玻璃衬底的情况相比较，在所有显示面区域，片状磁损耗层88中的电磁波吸收特性具有9至12分贝的电磁波吸收效率。制造片状磁损耗层88的方法可以是溅射法或汽相淀积法。另外，片状磁损耗层88可以用除了上述溅设法之外的层生成工艺，例如用化学汽相淀积工艺(CVD)等。
用上述方式，就能够容易地将上述片状磁损耗层88的制造工艺插入到PDP80的整个制造工艺中。
参考图15，对根据本发明第二实施例的等离子体显示面板(PDP)80A进行描述。除了将片状磁损耗层形成在前衬底81的前内表面81a上，以代替前衬底81的前外表面81b上之外，等离子体显示面板80A在结构的工作方面与图14所说明的等离子体显示面板80相同。具有这样的结构，等离子体显示面板80A具有与图14所说明的等离子体显示面板80相同的优点。
参考图16，对根据本发明第三实施例的等离子体显示面板(PDP)80B进行描述。除了对图14所说明的等离子体显示面板的磁损耗层进行修改(后面将清楚地描述)之外，等离子体显示面板80B在结构和生产方面与图14所说明的等离子体显示面板80相同。在88A画出了磁损耗层。
将磁损耗层88A形成为格状，换句话说，磁损耗层88A是格状磁损耗层。格状磁损耗层88A的布置最好使前电极83的布置和后电极85的布置相关联。
格状磁损耗层88A由磁性物质制成，该磁性物质与图14所说明的片状磁损耗层88的磁性物质相同。格状磁损耗层88A在频带特别是在MHz和GHz之间的频带中具有优异的电磁波吸收特性，能够有效抑制在上述频带中从PDP80B所产生的电磁波。另外，由于磁损耗层88A是具有极大的磁损耗的组合物，因此相对于传统的的片状波吸收体，能使格状磁损耗层88A特别薄。据此，格状磁损耗层88A的厚度可以是几十微米或更薄。在大约3GHz，与图12所说明的传统PDP80′中只是玻璃衬底的情况相比较，在所有显示面区域，格状磁损耗层88A中的电磁波吸收特性具有9至12分贝的电磁波吸收效率。
制造格状磁损耗层88A的方法可以是用掩模的溅射法，或者是溅射法和布图法相结合。另外，除了上述溅射法之外，还可以用层生成方法例如化学汽相淀积法等形成格状磁损耗层88A。
用上面描述的方式，能够容易地将上述格状磁损耗层88A的制造工艺插入到PDP80B的整个制造工艺中。
参考图17，对根据本发明第四实施例的等离子体显示面板(PDP)80C进行描述。除了将格状磁损耗层88A形成在前衬底81的前内表面81a上，以代替前衬底81的前外表面81b之外，等离子体显示面板80C在结构和生产方面与图16所说明的等离子体显示面板80B相同。具有这样的结构，等离子体显示面板80C具有与图16所说明的等离子体显示面板80B相同的优点。
参考图18，对根据本发明第五实施例的等离子体显示面板(PDP)80D进行描述。除了对图16所说明的等离子体显示面板的磁损耗层进行修改(后面将清楚地描述)之外，等离子体显示面板80D在结构和生产方面与图16所说明的等离子体显示面板80B相同。在88B画出了磁损耗层。
将磁损耗层88B形成为带状，换句话说，磁损耗层88B是带状磁损耗层。具有这样的结构，等离子体显示面板80D具有与图16所说明的的等离子体显示面板80B相同的优点。
参考图19，对根据本发明第六实施例的等离子体显示面板(PDP)80E进行描述。除了将带状磁损耗层88B形成在前衬底81的前内表面81a上，以代替前衬底81的前外表面81b之外，等离子体显示面板80E在结构的工作方面与图18所说明的等离子体显示面板80D相同。具有这样的结构，等离子体显示面板80E具有与图18所说明的等离子体显示面板80D相同的优点。
参考图20，对根据本发明第七实施例的等离子体显示面板(PDP)80F进行描述。除了对图14所说明的等离子体显示面板的磁损耗层进行修改(后面将清楚地描述)之外，等离子体显示面板80F在结构和生产方面与图14所说明的等离子体显示面板80相同。在88C画出了磁损耗层。
将磁损耗层88C形成为点状，换句话说，磁损耗层88C是点状磁损耗层。点状磁损耗层88C的排列最好使前电极83的排列和后电极85的排列相关联。
点状磁损耗层88C由磁性物质制成，该磁性物质与图14所说明的片状磁损耗层88的磁性物质相同。点状磁损耗层88C在频带特别是在MHz和GHz之间的频带中具有优异的电磁波吸收特性，能够有效抑制在上述频带中从PDP80F所产生的电磁波。另外，由于点状磁损耗层88C是具有极大的磁损耗的组合物，因此相对于传统的的片状波吸收体，能使点状磁损耗层88C特别薄。据此，点状磁损耗层88C的厚度可以是几十微米或更薄。在大约3GHz，与图12所说明的传统PDP80′中只是玻璃衬底的情况相比较，在所有显示面区域，点状磁损耗层88C中的电磁波吸收特性具有9至12分贝的电磁波吸收效率。
制造点状磁损耗层88C的方法可以是用掩模的溅射法，或者是溅射法和布图法相结合。制造点状磁损耗层88C的方法可以是用掩模的汽相淀积法，或者是汽相淀积法和布图法相结合。另外，制造点状磁损耗层88C的方法可以是用掩模的丝网印刷法，此外，除了上述溅射法之外，还可以用层生成方法例如化学汽相淀积法等形成点状磁损耗层88C。
用上面描述的方式，能够容易地将上述点状磁损耗层88C的制造工艺插入到PDP80F的整个制造工艺中。
参考图21，对根据本发明第八实施例的等离子体显示面板(PDP)80G进行描述。除了将点状磁损耗层88C形成在前衬底81的前内表面81a上，以代替前衬底81的前外表面81b之外，等离子体显示面板80G在结构的工作方面与图20所说明的等离子体显示面板80F相同。具有这样的结构，等离子体显示面板80G具有与图20所说明的等离子体显示面板80F相同的优点。
参考图22，将对作为显示器件之一的传统阴极射线管(CRT)显示器件90′进行描述。在己知技术中，阴极射线管90′用作例如电视机的电视(TV)图象管、个人计算机的监视器等。最初，公知的阴极射线管(CRT)为布老恩管或电子射线管。CRT显示器件90′包括阴极射线管91或内部是真空的玻璃容器和偏转线圈92。阴极射线管91包括具有内表面93a和外表面93b的显示面板93、形成在显示面板93的内表面93a上的具有预定图形的荧光物质或94、与显示面板93相对并且荧光物质94处于它们之间的荫罩95和电子枪96。显示面板93起显示窗的作用。电子枪96发射电子束EB，穿过荫罩95的孔之一并且击中荧光物质94的位置，使荧光物质94的位置发光。
当电子束EB击中荧光物质94的位置，使荧光物质94的位置发光时，CRT显示器件90′产生或辐射干扰电磁波。作为传统CRT显示器件90′中抑制干扰电磁波的措施，如图23的另一传统CRT显示器件90"所说明的，在阴极射线管91中的显示面板93中嵌入导电网97′。
然而，具有导电网的CRT显示器件90"在下面这些方面的不利的，由于导电网97′妨碍荧光物质94的光发射，使得CRT显示器件90"的图象质量降低，为了提高图象质量，如果导电网97′具有低的排列密度，那么导电网97′具有低的干扰电磁波吸收效率。具有导电网97′的CRT显示器件90"由于在显示面板93中嵌入导电网97′而使其制造费用变高，这也是不利的。此外，导电网97′具有能吸收电磁波的频带，该频带最高限制在MHz的数量级。也就是说，由于导电网97′不能解决在GHz的数量级以上的频带时电磁波的吸收，如在本说明书的前序部分所提到的，这种电磁波吸收近来已成为一个问题，因此传统的等离子体显示在这些方面是不利的。
参考图24、25和26，将对根据本发明的第一实施例的阴极射线管(CRT)显示器件90进行描述。除了CRT显示器件还包括磁损耗层97之外，CRT显示器件90在结构和生产方面与图22所说明的传统CRT显示器件90′相同。
磁损耗层97形成在显示面板93的内表面93a上。在图26所说明的例子中，磁损耗层97形成为格状，换句话说，磁损耗层97是格状磁损耗层。可以根据CRT91的形状和尺寸以及CRT显示器件所要达到的目的合理地选择这种格状磁损耗层97。
格状磁损耗层97由包括M、X和Y的磁性组合物的磁性物质制成，其中M是由Fe、Co和/或Ni构成的金属磁性材料，X是除了M和Y以外的元素，Y是F、N和/或O。在说明的例子中，片状磁损耗层97是如上述例1所例举的Fe72Al11O17组合物层。
具有上述组合物的格状磁损耗层97在频带特别是在MHz和GHz之间的频带中具有优异的电磁波吸收特性，在上述频带内能够有效抑制从PDP80产生的电磁波。
另外，由于格状磁损耗层97具有极大的磁损耗，因此相对于传统的的片状波吸收体，能使格状磁损耗层97特别薄。据此，片状磁损耗层88的厚度可以是几十微米或更薄。
在大约3GHz，与图22所说明的传统CRT显示器件90′中只是玻璃容器的情况相比较，格状磁损耗层97中的电磁波吸收特性具有大约10分贝的电磁波吸收效率。
制造格状磁损耗层97的方法可以是用金属掩模的溅射法或汽相淀积法。具体地说，制造格状磁损耗层97的方法包括用金属掩模进行溅射或汽相淀积的步骤和除去金属掩模形成预定图形的步骤。制造格状磁损耗层97的方法可以是溅射工艺和布图工艺的结合，具体地说，制造格状磁损耗层97的方法包括进行溅射或汽相淀积的步骤和用抗蚀剂进行平板印刷，形成预定图形的步骤。另外，格状磁损耗层97可以用除了上述溅设法之外的层生成工艺，例如用化学汽相淀积工艺(CVD)等。
用上述容易理解的方式，就能够容易地将上述格状磁损耗层97的制造工艺，用与荧光物质94同样的方式，插入到CRT显示器件90的整个制造工艺中。
参考图27和28，将对根据本发明的第二实施例的阴极射线管(CRT)显示器件90A进行描述。除了将格状磁损耗层97形成在显示面板93的外表面93b上，以代替显示面板93的内表面93a之外，CRT显示器件90在结构和生产方面与图24所说明的CRT显示器件90相同。具有这样的结构，CRT显示器件90A具有与图24至25所说明的CRT显示器件90相同的优点。
另外，在大约3GHz，与像图22所说明的传统CRT显示器件90′中只是玻璃容器的情况相比较，格状磁损耗层97中的电磁波吸收特性具有大约7分贝的电磁波吸收效率。图24至26所说明的CRT显示器件90的电磁波吸收效率降低大约3分贝的原因是由于荧光物质94和格状磁损耗层97彼此分开一定的距离，该距离相当于CRT91的显示面板93的厚度。
以上述容易理解的方式，就能容易地将上述格状磁损耗层97的制造工艺，插入到CRT显示器件90A的整个制造工艺中的任意步骤。
参考图29，将对根据本发明的第三实施例的阴极射线管(CRT)显示器件90B进行描述。除了对图26所说明的磁损耗层进行修改(下面将清楚地描述)外，CRT显示器件90B在结构和生产方面与图26所说明的CRT显示器件90相同。在97A画出了磁损耗层。
将磁损耗层97A形成为带状，换句话说，磁损耗层97A是带状磁损耗层。具有这样的结构，CRT显示器件90B具有与图26所说明的CRT显示器件90相同的优点。
参考图30，将对根据本发明的第四实施例的阴极射线管(CRT)显示器件90C进行描述。除了将带状磁损耗层97A形成在显示面板93的外表面93b上，以代替显示面板93的内表面93a之外，CRT显示器件90C在结构和生产方面与图29所说明的CRT显示器件90B相同。具有这样的结构，CRT显示器件90C具有与图28所说明的CRT显示器件90A相同的优点。
参考图31，将对根据本发明的第五实施例的阴极射线管(CRT)显示器件90D进行描述。除了对图26所说明的磁损耗层进行修改(下面将清楚地描述)外，CRT显示器件90D在结构和生产方面与图26所说明的CRT显示器件90相同。在97B画出了磁损耗层。
将磁损耗层97A形成为点状，换句话说，磁损耗层97B是点状磁损耗层。可以根据CRT91的尺寸和形状以及CRT显示器件所要达到的目的合理地选择这种点状磁损耗层97B。
点状磁损耗层97B由磁性物质制成，该磁性物质与图26所说明的格状磁损耗层97的磁性物质相同。点状磁损耗层97B在频带特别是在MHz和GHz之间的频带中具有优异的电磁波吸收特性，在上述频带内，能够有效抑制从CRT显示器件90D产生的电磁波。另外，由于点状磁损耗层97B是具有极大的磁损耗的组合物，因此相对于传统的的片状波吸收体，能使点状磁损耗层97B特别薄。据此，点状磁损耗层97B的厚度可以是几十微米或更薄。在大约3GHz，与像图22所说明的传统CRT显示器件90′中只是玻璃容器的情况相比较，点状磁损耗层97B中的电磁波吸收特性具有大约10分贝的电磁波吸收效率。
制造点状磁损耗层97B的方法可以是用金属掩模的溅射法或汽相淀积法。具体地说，制造点状磁损耗层97B的方法包括用金属掩模进行溅射或汽相淀积的步骤和除去金属掩模形成预定图形的步骤。制造点状磁损耗层97B的方法可以是溅射工艺和布图工艺的结合，具体地说，制造点状磁损耗层97B的方法包括进行溅射或汽相淀积的步骤和用抗蚀剂进行平板印刷，形成预定图形的步骤。另外，点状磁损耗层97B可以用除了上述溅设工艺之外的层生成工艺，例如用化学汽相淀积工艺(CVD)等。
用上面描述的容易理解的方式，能够容易地将上述点状磁损耗层97B的制造工艺，以与荧光物质94同样的方式，插入到CRT显示器件90D的整个制造工艺中。
参考图32，将对根据本发明的第六实施例的阴极射线管(CRT)显示器件90E进行描述。除了将点状磁损耗层97B形成在显示面板93的外表面93b上，以代替显示面板93的内表面93a之外，CRT显示器件90E在结构和生产方面与图31所说明的CRT显示器件90D相同。具有这样的结构，CRT显示器件90E具有与图30所说明的CRT显示器件90C相同的优点。
参考图33，将对根据本发明的第七实施例的阴极射线管(CRT)显示器件90F进行描述。除了对图28所说明的磁损耗层进行修改(下面将清楚地描述)外，CRT显示器件90F在结构和生产方面与图28所说明的CRT显示器件90A相同。在97C画出了磁损耗层。
将磁损耗层97C形成为片状，换句话说，磁损耗层97C是片状磁损耗层。可以根据CRT91的尺寸和形状以及CRT显示器件所要达到的目的合理地选择这种片状磁损耗层97C。
制造片状磁损耗层97C的方法可以是溅射法或汽相淀积法。另外，片状磁损耗层97C可以用除了上述溅设法之外的层生成工艺，例如用化学汽相淀积工艺(CVD)等。
以上述容易理解的方式，就能容易地将上述片状磁损耗层97C的制造工艺，插入到CRT显示器件90F的整个制造工艺中的任意步骤。
具有这样的结构，CRT显示器件90F具有与图28所说明的CRT显示器件90A相同的优点。
这样，结合最佳实施例已经描述了本发明，本领域技术人员当然可以以各种方式实现本发明。例如能够应用本发明的显示器件并不限于上述实施例中的显示器件。
权利要求
1．一种显示器件(70,70A；80-80G；90-90G)，具有显示窗(73,81,93)该显示窗具有主表面，其特征在于，至少在部分所述主表面上形成磁损耗层(75,75A；88-88C；97-97G)。
2．如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是含有由M、X和Y组成的磁性组合物的粒状磁性薄层，其中M是由Fe、Co和/或Ni构成的金属磁性材料，X是除了M和Y以外的元素，Y是F、N和/或O。
3．如权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述粒状磁性薄层是用溅射工艺淀积在所述主表面上的。
4．如权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述粒状磁性薄层是用汽相淀积工艺淀积在所述主表面上的。
5．如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件是具有光发射窗(73)作为所述显示窗的光发射元件(70,70A)，所述光发射元件包括至少在所述主表面的一部分上形成的磁损耗层(75,75A)。
6．如权利要求5所述的显示器件，其特征在于，所述所述磁损耗层是含有由M、X和Y组成的磁性组合物的粒状磁性薄层，其中M是由Fe、Co和/或Ni构成的金属磁性材料，X是除了M和Y以外的元素，Y是F、N和/或O。
7．如权利要求6所述的显示器件，其特征在于，所述粒状磁性薄层(75A)是用溅射工艺淀积在所述主表面上的。
8．如权利要求6所述的显示器件，其特征在于，所述粒状磁性薄层是用汽相淀积工艺淀积在所述主表面上的。
9．如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件是具有光发射窗(73)作为所述显示窗的光发射元件(70)，所述光发射元件包括至少在所述主表面的一部分上形成的网状磁损耗层(75)。
10．如权利要求9所述的显示器件，其特征在于，所述网状磁损耗层是含有由M、X和Y组成的磁性组合物的粒状磁性薄层，其中M是由Fe、Co和/或Ni构成的金属磁性材料，X是除了M和Y以外的元素，Y是F、N和/或O。
11．如权利要求10所述的显示器件，其特征在于，所述粒状磁性薄层是用掩模通过溅射工艺淀积在所述主表面上的。
12．如权利要求10所述的显示器件，其特征在于，所述粒状磁性薄层是用掩模通过汽相淀积工艺淀积在所述主表面上的。
13．如权利要求10所述的显示器件，其特征在于，所述粒状磁性薄层是通过给由粒状磁材料制成的磁损耗线画交叉阴影线而形成的交叉阴影线膜(crosshatchedfilm)。
14．如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件是具有前玻璃衬底(81)作为所述显示窗的等离子体显示面板(80,80B,80D,80F)，所述前玻璃衬底具有作为所述主表面的外表面(81b)，所述等离子体显示面板包括形成在所述外表面上的磁损耗层(88-88C)。
15．如权利要求14所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层由包括M、X和Y的磁性组合物的磁性物质制成，其中M是由Fe、Co和/或Ni构成的金属磁性材料，X是除M和Y之外的元素，Y是F、N和/或O。
16．如权利要求15所述的显示器件，其特征在于，将所述磁损耗层形成为垫片状(88)。
17．如权利要求16所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是通过溅射工艺淀积在所述外表面上的。
18．如权利要求17所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是通过汽相淀积工艺淀积在所述外表面上的。
19．如权利要求15所述的显示器件，其特征在于，将所述磁损耗层形成为格状(88A)。
20．如权利要求15所述的显示器件，其特征在于，将所述磁损耗层形成为带状(88B)。
21．如权利要求16所述的显示器件，其特征在于，将所述磁损耗层形成为点状(88C)。
22．如权利要求19-21中任一权利要求所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是用掩模通过溅射工艺淀积在所述外表面上的。
23．如权利要求19-21中任一权利要求所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是用掩模通过汽相淀积工艺淀积在所述外表面上的。
24．如权利要求19-21中任一权利要求所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是通过溅射工艺和布图工艺相结合淀积在所述外表面上的。
25．如权利要求19-21中任一权利要求所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是通过汽相工艺和布图工艺相结合淀积在所述外表面上的。
26．如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件是具有前玻璃衬底(81)作为所述显示窗的等离子体显示面板(80A,80C,80E,80G)，所述前玻璃衬底具有作为所述主表面的内表面(81a)，所述等离子体显示面板包括形成在所述内表面上的磁损耗层(88-88C)。
27．如权利要求26所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层由包括M、X和Y的磁性组合物的磁性物质制成，其中M是由Fe、Co和/或Ni构成的金属磁性材料，X是除M和Y之外的元素，Y是F、N和/或O。
28．如权利要求27所述的显示器件，其特征在于，将所述磁损耗层制成垫片状(88)。
29．如权利要求28所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是通过溅射工艺淀积在所述内表面上的。
30．如权利要求28所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是通过汽相淀积工艺淀积在所述内表面上的。
31．如权利要求27所述的显示器件，其特征在于，将所述磁损耗层制成格状(88A)。
32．如权利要求27所述的显示器件，其特征在于，将所述磁损耗层制成带状(88B)。
33．如权利要求27所述的显示器件，其特征在于，将所述磁损耗层制成点状(88C)。
34．如权利要求31-33中任一权利要求所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是用掩模通过溅射工艺淀积在所述内表面上的。
35．如权利要求31-33中任一权利要求所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是用掩模通过汽相淀积工艺淀积在所述内表面上的。
36．如权利要求31-33中任一权利要求所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是通过溅射工艺和布图工艺相结合淀积在所述内表面上的。
37．如权利要求31-33中任一权利要求所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是通过汽相工艺和布图工艺相结合淀积在所述内表面上的。
38．如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件是包括阴极射线管(91)的阴极射线管(CRT)显示器件(90,90B,90D)，该阴极射线管(91)具有作为所述显示窗的显示面板，所述显示面板具有作为所述主表面的内表面(93a)，所述CRT显示器件包括形成在所述内表面上的磁损耗层(97-97B)。
39．如权利要求39所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层由包括M、X和Y的磁性组合物的磁性物质制成，其中M是由Fe、Co和/或Ni构成的金属磁性材料，X是除M和Y之外的元素，Y是F、N和/或O。
40．如权利要求39所述的显示器件，其特征在于，将所述磁损耗层形成为格状(97)。
41．如权利要求39所述的显示器件，其特征在于，将所述磁损耗层形成为带状(97A)。
42．如权利要求39所述的显示器件，其特征在于，将所述磁损耗层形成为点状(97B)。
43．如权利要求40-42中任一权利要求所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是用掩模通过溅射工艺淀积在所述内表面上的。
44．如权利要求40-42中任一权利要求所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是用掩模通过汽相淀积工艺淀积在所述内表面上的。
45．如权利要求40-42中任一权利要求所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是通过溅射工艺和布图工艺相结合淀积在所述内表面上的。
46．如权利要求40-42中任一权利要求所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是通过汽相工艺和布图工艺相结合淀积在所述内表面上的。
47．如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件是包括阴极射线管(91)的阴极射线管(CRT)显示器件(90A,90C,90E,90F)，该阴极射线管(91)具有作为所述显示窗的显示面板，所述显示面板具有作为所述主表面的外表面(93b)，所述CRT显示器件包括形成在所述外表面上的磁损耗层(97-97C)。
48．如权利要求47所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层由包括M、X和Y的磁性组合物的磁性物质制成，其中M是由Fe、Co和/或Ni构成的金属磁性材料，X是除M和Y之外的元素，Y是F、N和/或O。
49．如权利要求48所述的显示器件，其特征在于，将所述磁损耗层形成为格状(97)。
50．如权利要求48所述的显示器件，其特征在于，将所述磁损耗层形成为带状(97A)。
51．如权利要求48所述的显示器件，其特征在于，将所述磁损耗层形成为点状(7B)。
52．如权利要求49-51中任一权利要求所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是用掩模通过溅射工艺淀积在所述外表面上的。
53．如权利要求49-51中任一权利要求所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是用掩模通过汽相淀积工艺淀积在所述外表面上的。
54．如权利要求49-51中任一权利要求所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是通过溅射工艺和布图工艺相结合淀积在所述外表面上的。
55．如权利要求49-51中任一权利要求所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是通过汽相工艺和布图工艺相结合淀积在所述外表面上的。
56．如权利要求48所述的显示器件，其特征在于，将所述磁损耗层形成为垫片状(97C)。
57．如权利要求56所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是用掩模通过溅射工艺淀积在所述外表面上的。
58．如权利要求56所述的显示器件，其特征在于，所述磁损耗层是用掩模通过汽相淀积工艺淀积在所述外表面上的。
全文摘要
在具有显示窗(73,81,93)的显示器件(70,70A,80－80G,90－90F)中,至少在显示窗的部分主表面上形成磁损耗层(75,75A,88－88C,97－97C)。磁损耗层可以是粒状磁性薄层,例如由包括M、X和Y的磁性组合物的磁性物质制成,其中M是由Fe、Co和/或Ni构成的金属磁性材料,X是除M和Y之外的元素,Y是F、N和/或O。形成的磁损耗层可以是从垫片状、格状、带状和点状中选出的任一种形状,该磁损耗层可以形成为网状。
文档编号H01J17/49GK1324090SQ01119208
公开日2001年11月28日 申请日期2001年4月4日 优先权日2000年4月4日
发明者渡边真也, 龟井浩二, 小野裕司, 吉田荣吉, 根本道夫 申请人:株式会社东金