专利名称：一种等离子显示器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子显示器及其制造方法。具体地，本发明涉及一种等离子显示器，具有涉及维持电极上形成的介电薄膜的陷阱密度和/或移动金属离子密度，和地址电极上形成的介电薄膜的陷阱密度和/或移动金属离子密度的特殊特征，以及制造这种显示器的方法。
等离子显示器是一种显示装置，其中，电压施加到含有放电气体的放电单元，放电气体是密封在放电空间中的稀有气体，放电单元中的磷光层可被紫外线激发，紫外线由于放电气体的辉光放电而产生，从而实现了光发射。即，各个放电单元基于类似于荧光灯的原理进行驱动，大量放电单元的集合，一般为数十万量级的放电单元，构成了一个显示屏幕。等离子显示器一般可根据将电压应用到放电单元的系统分成直流驱动型(直流型)和交流驱动型(交流型)，分别具有各自的优点和缺点。
交流型等离子显示器具有的优点是间隔显示屏上各放电单元的间隔壁可以成带状，因此可增加清晰度或精细度。此外，由于放电电极的表面覆盖有介电层，电极不会很容易磨损，这样将导致寿命很长。
在当前可买到的交流型等离子显示器中，介电层设置在第一基底内表面上形成的维持电极，介电层一般为通过糊体印刷和烘焙形成的玻璃。在交流型等离子显示器中，电荷累积在介电层的表面，反电压施加到电极上，使累积电荷释放，产生等离子。紫外线通过这种电荷放电产生，磷光体受到紫外线的激发，进行显示。另外，保护膜设置在放电空间一侧的介电层内表面上。
然而，在带有通过糊体印刷法形成的介电层的交流型等离子显示器中，存在着保护膜损耗的问题。至于损耗的原因，可认为在保护膜和维持电极之间形成的介电层的薄膜质量具有重要的作用。即，当介电层中的陷阱密度高时，电子或空穴被陷阱捕获，产生电势。特别地，已经知道在氧化硅基的介电层中，由于OH基团，产生许多电子陷阱。由于OH基团或类似基团产生的陷阱形成电子陷阱。可认为由于陷阱捕获的电子产生电势，绝缘材料构成的保护层的溅蚀才会发生。
因此，对于交流型等离子显示器，其中低熔点玻璃的薄介电层是通过糊体印刷法形成。由于保护层的溅蚀，很容易产生放电起始电压波动或亮度降低，导致可靠性下降。
本发明已经考虑到上述情况，因此，本发明的目的是提出一种等离子显示器，其不容易发生放电起始电压波动和亮度下降，屏幕的烧伤现象得到抑制，并具有优良的可靠性和长寿命；以及一种生产等离子显示器的方法。
另外，本发明人已经发现当介电层中的陷阱密度和/或移动金属离子密度设定于不超过预定值时，能够防止电压随屏幕位置的波动，这认为是屏幕烧伤现象的一个原因。
根据本发明的第一方面，提供了一种等离子显示器，其包括第一屏面，设有放电维持电极和在所述维持电极内侧形成的介电层；和层叠在所述第一屏面上的第二屏面，使所述第一屏面内例形成放电空间；其中所述介电层的陷阱密度不大于1×1018个/cm3。
根据本发明的第二方面，提供了一种等离子显示器，包括第一屏面，设有放电维持电极和在其内侧的介电层；和层叠在所述第一屏面上的第二屏面，使所述第一屏面内侧形成放电空间；其中，所述介电层的移动金属离子密度不大于1×1018个/cm3。
在本发明中，介电层的陷阱密度最好是不超过1×1018个/cm3或介电层的移动金属离子密度不超过1×1018个/cm3，施加在所述介电层的电场强度不大于7×104V/cm。
或者，所采用的条件应满足下面的关系表达式(1)LogN≤-E·10-4/23+18+7/23 (1)其中E是施加到介电层的电场强度，N是介电层中的陷阱密度或移动金属离子密度。
即，可以将电场强度设定得比较低和可通过，比如，将介电层的厚度设定在大约20到40微米来极大地减少电荷注入介电层的数量。结果是，注入电荷产生的负电势可以受到约束，可以防止保护层的溅蚀加速。另外，可以约束电荷分布的波动。此外，通过将施加到介电层的电场强度设定的比较低，可以防止已经注入介电层的电荷的膜内分布的波动。因此，应当最好将介电层的陷阱密度设定的不超过1×1018个/cm3或设定介电层的移动金属离子密度不超过1×1018个/cm3。
另外，在本发明中，介电层中的陷阱密度最好是不超过1×1017个/cm3或介电层中的移动金属离子密度不大于1×1017个/cm3。
在这种情况下，施加到介电层的电场强度最好不大于30×104V/cm。即，当介电层的厚度小到不超过20微米，进一步，不超过10微米，尤其是不超过7微米时，电场强度升高，在这种情况下，介电层中的陷阱密度最好是不超过1×1017个/cm3，或介电层中的移动金属离子密度不大于1×1017个/cm3。
介电层中的陷阱密度应当不超过1×1017个/cm3和不少于1×109个/cm3，最好是不超过5×1016个/cm3。在本发明中，陷阱密度和/或移动金属离子密度最好较低，但是更低的限定要受到约束，因为受到生产方法和其他因素的制约。
厚度为数个纳米到数十个纳米的阻挡层最好设置在总线电极和介电层之间，以防止金属从总线电极扩散到介电层和防止载体注入到介电层，其中总线电极沿放电维持电极的纵向形成。设置阻挡层具有防止金属离子扩散到介电层的作用，因此可防止介电层中的移动金属离子密度增加。例如，金属如Ag，Na，Cr，Cu，Co，Fe和Ni易于形成移动离子。因此，由低熔点玻璃或类似材料构成的介电层在总线电极内侧形成的情况下，其中总线电极是由涂复和烘焙方法形成的金属电极构成，最好是设置阻挡层来防止金属从总线电极扩散。至于阻挡层，可由氧氮化硅薄膜构成，这是一种含氮氧化硅(SiON)，或由氮化钛(TiN)或类似物质的薄膜构成。
最好在放电空间一侧的介电层表面上设置保护膜，厚度为数个纳米到数十个纳米的阻挡层设置在介电层和保护膜之间，以防止载体注入介电层。阻挡层可由SiON薄膜构成。
所述介电层最好是通过真空膜形成方法或化学气相沉积法形成的SiO2-X膜(其中X位于0≤X＜1.0的范围)。介电层还可以是通过真空膜形成方法或化学气相沉积法形成的氧氮化硅(SiON)膜。这些氧化硅膜容易形成陷阱密度不大于1×1017个/cm3的薄膜。
顺便提及，介电层可以是玻璃糊介电薄膜，通过在烘焙前进行涂复法、印刷方法或干膜法形成；或者，介电层可以是通过化学气相沉积法形成的氧化物或氮化物介电薄膜。或，介电层可以是通过化学气相沉积法形成的氧氮化物介电薄膜。
根据本发明的等离子显示器最好是交流驱动型等离子显示器，其中地址电极、间隔放电空间的间隔壁、和在间隔壁之间的磷光层设置在第二屏面的内侧。
介电薄膜最好设置在放电空间一侧的地址电极内侧，介电薄膜中的陷阱密度不大于1×1018个/cm3(最好是不超过1×1017个/cm3)。
介电薄膜最好设置在放电空间一侧的地址电极内侧，介电薄膜中的移动金属离子密度不大于1×1018/cm3(最好是不超过1×1017个/cm3)。
对于地址电极进行的寻址放电(数据写入放电)，发生与两个放电维持电极相同的情况。因此，在地址电极内侧形成的介电薄膜中的陷阱密度和/或移动金属离子密度最好与放电维持电极上层叠的介电层的相同或类似。
根据本发明的第一方面，提出了一种生产等离子显示器的方法，所述等离子显示器包括设有放电维持电极和在所述维持电极内侧的介电层的第一屏面，和层叠在所述第一屏面的第二屏面，放电空间在第一屏面内侧形成，其中介电层包括通过溅射方法形成的氧化硅薄膜，其中引入溅射装置中的大气的氧气分压不小于15％，以形成具有不大于1×1018个/cm3的陷阱密度(最好不超过1×1017个/cm3)的介电层。至于使用的大气气体，是一种以惰性气体，如氩气，为主要成分的气体。
根据本发明的另一方面，提出了一种生产等离子显示器的方法，所述等离子显示器包括设有放电维持电极和在维持电极内侧的介电层的第一屏面，和层叠在第一屏面的第二屏面，放电空间在第一屏面内侧形成，其中所述介电层包括通过化学气相沉积方法形成的氧化物薄膜，其中基底温度在350到630℃的范围，因此形成具有不大于1×1018个/cm3的陷阱密度的所述介电层。
根据本发明的又一方面，提出了一种生产等离子显示器的方法，所述等离子显示器包括设有放电维持电极和在维持电极内侧的介电层的第一屏面，和层叠在第一屏面的第二屏面，放电空间在第一屏面内侧形成，其中所述介电层是通过某方法形成的低熔点玻璃薄膜，其中烘焙是在500到630℃范围的薄膜形成温度下进行，以形成具有不大于1×1018个/cm3的陷阱密度的所述介电层。
根据本发明的又一方面，提出了一种生产等离子显示器的方法，所述等离子显示器包括设有放电维持电极和在维持电极内侧的介电层的第一屏面，和层叠在第一屏面的第二屏面，放电空间在第一屏面内侧形成，其中，介电薄膜设置在第二屏面的放电空间一侧的地址电极的内侧，介电层是通过某方法形成的低熔点玻璃薄膜，其中烘焙是在500到630℃范围的薄膜形成温度下进行，以形成具有不大于1×1018个/cm3的陷阱密度的介电层。
在本发明中，介电层的陷阱密度可通过某种方法进行测量，在这种方法中，待测量的介电层和金属电极在如掺杂Si基片等半导体的表面上形成，陷阱密度根据电容电压(CV)测量中所应用的偏压产生的滞后进行测量。另外，在本发明中，介电层中的移动金属离子密度可以测量，例如可通过电场-温度(BT)应力法来测量。
图1是根据本发明的一个实施例的等离子显示器的主要部分的截面图；图2是显示根据本发明的示例和比较示例的等离子显示器的亮度下降的图表；图3是显示根据本发明的示例和比较示例的等离子显示器的电压寿命的图表；图4是显示根据本发明的另一实施例的等离子显示器的放电起始电压波动的图表；图5是显示根据本发明的另一示例和比较示例的等离子显示器的陷阱密度与寿命实验之间关系的图表；图6是显示根据本发明的示例的等离子显示器的电场强度和寿命实验之间关系的图表；图7是显示根据本发明的等离子显示器的电场强度和陷阱密度之间关系的图表。
图1是根据本发明的一个实施例的等离子显示器的主要部分的截面图；图2是显示根据本发明的示例和比较示例的等离子显示器的亮度下降的图表；图3是显示根据本发明的示例和比较示例的等离子显示器的电压寿命的图表；图4是显示根据本发明的另一实施例的等离子显示器的放电起始电压波动的图表；图5是显示根据本发明的另一示例和比较示例的等离子显示器的陷阱密度和寿命实验之间关系的图表；图6是显示根据本发明的示例的等离子显示器的电场强度和寿命实验之间关系的图表；以及图7是显示根据本发明的等离子显示器的电场强度和陷阱密度之间关系的图表。第一实施例等离子显示器的总体结构首先，根据图1，将介绍交流型(AC型)等离子显示器的总体结构(后面有时简单称作等离子显示器)。
图1显示的交流型等离子显示器2属于所谓的三电极型，放电发生在两个放电维持电极12之间。交流型等离子显示器2包括对应于前屏面的第一屏面10和对应于后屏面的第二屏面20，两个屏面互相叠压在一起。通过第一屏面可观看到在第二屏面20上磷光层25R，25G，25B的光。即第一屏面10位于显示器表面侧。
第一屏面10包括透明的第一基底11，设置在第一基底11上的多个带状的成对放电维持电极12，维持电极由透明的导电材料形成；用于降低放电维持电极12阻抗的总线电极13，总线电极由电阻低于放电维持电极12的电阻的材料构成；设置在第一基底11的介电层14，包含总线电极13和放电维持电极12的区域；和设置在介电层14上的保护层15。顺便提及，可以不设置保护层15，但是最好是设置。
另一方面，第二屏面20包括第二基底21，多个设置在第二基底21上的带状地址电极22(还称作信息电极)，设置在包含地址电极22区域的第二基底21上的介电薄膜23，设置在介电层23上相邻的地址电极22之间区域的绝缘间隔壁24，和设置在从介电薄膜23的区域到间隔壁24的侧壁表面上区域这个范围内的磷光层。磷光层包括红色磷光层25R，绿色磷光层25G，蓝色磷光层25B。
图1是显示器的部分分解透视图。实际上，在第二屏面20侧面上的间隔壁24的顶部与第一屏面10侧面上的保护层15接触。两个放电维持电极12与两个位于间隔壁24之间的地址电极重叠的区域对应于单个放电单元。放电气体密封在被相邻的间隔壁24、磷光层25R、25G、25B和保护层15包围的各放电空间4中。第一屏面10和第二屏面20通过在周边部分使用玻璃料互相连接。
对密封在放电空间4的放电气体没有特别的限制，惰性气体如氙气、氖气、氦气、氩气、氮气等，或这些惰性气体的混合气，可用作放电气体。对密封的放电气体的全压力没有特别的限制，大约为6×103帕到8×104帕。
放电维持电极12的投影图像的延伸方向与地址电极22的投影图像延伸的方向基本上互相正交(可以不正交)，两个放电维持电极12与发射三原色光的一组磷光层25R，25G，25B重叠的区域对应于一个像素。由于辉光放电发生在两个放电维持电极12之间，这种类型的等离子显示器称作“平板放电型”，这种等离子显示器的驱动方法在下面介绍。
根据本实施例的等离子显示器2是所谓的反射型等离子显示器，磷光层25R、25G、25B发出的光通过第一屏面10可观看到。因此，尽管构成地址电极22的导电材料可以是透明的，也可以是不透明的，构成放电维持电极12的导电材料必须是透明的。本文中，术语“透明的”和“不透明的”根据导电材料在磷光层材料的光发射波长(在可见光区)下的透光性质来决定。即，如果对于磷光层发出的光线，导电材料是透明的，则构成放电维持电极或地址电极的导电材料可以称作透明的。
对于不透明的导电材料，可以使用这些材料，如Ni，Al，Au，Ag，Al，Pd/Ag，Cr，Ta，Cu，Ba，LaB6，Ca0.2La0.8CrO3等，既可以采用单一材料也可以是适当的组合。透明的导电材料的示例包括氧化铟锡(ITO)和二氧化锡(SnO2)。放电维持电极12或地址电极22可通过溅射法、气相沉积法、印刷丝网印刷法、电镀方法或类似方法来形成，可通过光刻法、喷砂法、剥离法或类似方法形成图案。对放电维持电极12的电极宽度没有特别的限制，大约在200到400微米。对两个电极12之间的空间没有特别的限制，最好是在大约5到150微米。地址电极22的宽度可大约为50到100微米。
总线电极13一般由金属材料构成，比如Ag，Au，Al，Ni，Cu，Mo，Cr或类似金属，或Cr/Cu/Cr及类似材料的层压薄膜。由这些金属材料组成的总线电极13，在反射型等离子显示器中可减少磷光层发射的和穿过第一基底11的可见光的光量，因此使显示屏的亮度降低。因此，总线电极13最好尽可能的薄，处于可以得到放电维持电极整体所需的电阻的范围。具体地，总线电极13的电极宽度比放电维持电极12的电极宽度小，例如，大约在30到200微米。总线电极13可通过类似于形成放电维持电极12的方法或类似方法来形成。
在这个实施例中，设置在放电维持电极12表面的介电层14是由单层氧化硅组成(SiO2-X，0≤x＜1.0)，其陷阱密度不超过1×1017个/cm3。另外，介电层14中的移动金属离子密度不超过1×1017个/cm3。顺便提及，为了抑制介电层14中移动金属离子密度的增加，厚度大约为数个纳米到数十纳米的阻挡层可设置在总线电极13和介电层14之间。阻挡层的示例包括SiON薄膜和TiN薄膜。
在本实施例中，由氧化硅层构成的介电层14通过溅射方法形成，如后面所介绍的。对介电层14的厚度没有特别的限制，在本实施例中是1到10微米，尤其是不超过7微米。在这种情况下，施加到介电层14的电场强度不超过30×104V/cm。
通过设置介电层14，可以防止放电单元4产生的离子或电子与放电维持电极12直接接触。结果是，可以防止放电维持电极12磨损。介电层14具有记忆功能，可累积产生于寻址时期的壁电荷，因此保持放电条件；和电阻功能，可限制过大的放电电流。
设置在位于放电空间一侧的介电层14表面的保护层15显示出保护介电层14的作用，可防止介电层14与离子或电子直接接触。结果是，可以有效地防止放电维持电极12的磨损。另外，保护层15还具有发射放电所需的二次电子的功能。构成保护层15的材料的示例包括氧化镁(MgO)，氟化镁(MgF2)和氟化钙(CaF2)。与其他材料相比，氧化镁是优选材料，其具有这样的特征，如化学性能稳定、低溅射比、在磷光层的发光波长下有高透光率，和低放电起始电压。顺便提及，保护层15可具有层叠薄膜结构，由从上面刚提到的一组材料选出的至少两种材料组成。
顺便提到，厚度为大约数个微米到数十个微米的阻挡层可以设置在介电层14和保护层15之间，以便抑制载体注入介电层14。阻挡层可由SiON薄膜组成。
构成第一基底11和第二基底21的材料的示例包括高应变点玻璃，钠玻璃(Na2O·CaO·SiO2)，硼钛酸盐玻璃(Na2O·B2O3·SiO2)，镁橄榄石(2MgO·SiO2)和铅玻璃(Na2O·PbO·SiO2)。构成第一基底11和第二基底21的材料可以是相同的，也可以不同。但是两种材料最好具有相同的热膨胀系数。
构成磷光层25R，25G，25B的磷光层材料，例如，可从由发射红光的磷光层材料、发射绿光的磷光层材料和发射蓝光的磷光层材料组成的一组材料选择，磷光层设置在地址电极22的上侧。在用于彩色显示的等离子显示器情况下，具体地，由发射红光的磷光层材料组成的磷光层(红磷光层25R)设置在一组地址电极22上，由发射绿光的磷光层材料组成的磷光层(绿磷光层25G)设置在另一组地址电极22上，由发射蓝光的磷光层材料组成的磷光层(蓝磷光层25B)设置在又一组地址电极22上；发射三原色光的磷光层组成一组，并以预定的顺序设置。如上所述，两个放电维持电极12与一组发射三原色光的磷光层25R，25G，25B重叠的区域对应于一个像素。红磷光层、绿磷光层和蓝磷光层可形成带状或形成栅格状。
至于构成磷光层25R，25G，25B的磷光层材料，这些磷光层材料具有高量子效率并显示出对真空紫外线很小饱和度，可以从已知的传统磷光层材料中适当选择并使用。在预期显示彩色的情况下，最好对磷光层材料进行组合，使颜色纯度接近由国家电视系统委员会(NTSC)确定的三原色。良好的白色平衡可通过混合三原色得到，余辉时间要短，三原色的余辉时间基本上相等。
下面给出磷光层材料的具体示例，即，发射红光的磷光层材料示例包括(Y2O3:Eu)，(YBO3:Eu)，(YVO4:Eu)，(Y0.96P0.60V0.40O4:Eu0.04)，[(Y，Gd)BO3:Eu]，(GdBO3:Eu)，(ScBO3:Eu)和(3.5MgO·0.5MgF2·GeO2:Mn)；发射绿光的磷光层材料示例包括(ZnSiO2:Mn)，(BaAl12O19:Mn)，(BaMg2Al16O27:Mn)，(MgGa2O4:Mn)，(YBO3:Tb)，(LuBO3:Tb)和(Sr4Si3O8Cl4:Eu)；发射蓝光的磷光层材料示例包括(Y2SiO5:Ce)，(CaWO4:Pb)，CaWO4，YP0.85V0.15O4，(BaMgAl14O23:Eu)，(Sr2P2O7:Eu)和(Sr2P2O7:Sn)。
形成磷光层25R，25G，25B的方法示例包括厚膜印刷法，这种方法喷涂磷光层颗粒，粘性物质已初步地施加到预计形成磷光层的区域，磷光层颗粒粘结到粘性物质上；该方法还使用了光敏磷光层糊体，通过曝光和显影，磷光层形成图案，磷光层在整个基底表面上形成，通过喷砂将磷光层不需要的部分清除。
顺便提及，磷光层25R，25G，25B可以在地址电极22上直接形成，或在从地址电极22上的区域到间隔壁24的侧壁表面上的区域这个范围内形成。或者，磷光层25R，25G，25B可在设置在地址电极22上的介电薄膜上形成，或在从设置在地址电极22的介电薄膜23上的区域到间隔壁24的侧壁表面上的区域这个范围内形成。此外，磷光层25R，25G，25B可以只在间隔壁24的侧壁表面上形成。构成介电薄膜23的材料示例包括低熔点玻璃和二氧化硅。
顺便提及，从防止电压波动的角度出发，在地址电极22进行寻址放电(数据写入放电)时，介电薄膜23中的陷阱密度或移动金属离子密度最好不超过1×1018个/cm3，尤其是不能超过1×1017个/cm3。
如上所述，第二基底21上设置了平行于地址电极22延伸的间隔壁(肋部)24。顺便提及，间隔壁(肋部)24可具有弯曲的结构。在介电薄膜23设置在第二基底21和地址电极22的情况下，间隔壁24一些情况下在介电薄膜上形成。至于构成间隔壁24的材料，可以使用已知的传统绝缘材料，例如，可以使用金属氧化物，如氧化铝，与广泛使用的低熔点玻璃混合所制成的材料。间隔壁24的宽度不小于大约50微米，高度大约为100到150微米。间隔壁24的间距大约在100到400微米。
形成间隔壁24的方法示例包括丝网印刷法、喷砂法、干膜法和感光法。干膜法的制作过程是，将光敏薄膜层叠到基底上，预计形成间隔壁的区域的光敏薄膜通过曝光和显影清除，形成间隔壁的材料置于通过清除形成的开口部分，然后进行烘焙。通过烘焙烧掉光敏薄膜，留下置于开口部分的间隔壁形成材料，形成间隔壁24。光敏法的形制作过程是形成间隔壁的光敏材料层在基底上形成，通过曝光和显影材料层形成图案，然后进行烘焙。顺便提及，可使间隔壁24变黑，以形成所谓的黑色基体，可增强显示屏对比度。使间隔壁24变黑的方法示例包括通过使用黑色的抗着色材料形成间隔壁的方法。
设置在第二基底21上的两个间隔壁24、放电维持电极12、地址电极22和磷光层25R，25G，25B构成了一个放电单元，其中磷光层占据两个间隔壁24围绕的区域。混合气体构成的放电气体密封在放电单元的内部。更具体地讲，在间隔壁围绕的放电空间内部，磷光层25R，25G，25B受到紫外线的激发发射出光线，其中紫外光由放电空间4内的放电气体的交流辉光放电产生。制造等离子显示器的方法下面将介绍根据本发明的实施例的制造等离子显示器的方法。
第一屏面10可通过下面的方法制造。首先在第一基底11的整个表面形成ITO层，第一基底11由高应变点玻璃或纳玻璃通过溅射方法形成；ITO层通过光刻技术和蚀刻技术形成图案并形成带状，由此，多个成对的放电维持电极12形成。放电维持电极12沿第一方向延伸。
接下来，在第一基底11的内表面上整个区域通过气相沉积方法形成铝薄膜，并通过光刻技术和蚀刻技术在铝薄膜上形成图案，由此总线电极13沿各个放电维持电极12的边缘部分形成。此后，氧化硅(SiO2)的介电层14在设有总线电极13的第一基底11的内表面上的整个区域形成。
应当指出，当阻挡层在总线电极13和介电层14之间形成时，氧氮化硅(SiON)或类似材料形成的阻挡层在设有总线电极13的第一基底11的内表面上的整个区域形成，之后氧化硅(SiO2)的介电层14在设有阻挡层的第一基底11的内表面的整个区域形成。
在这个实施例中，介电层14通过溅射方法形成，引入溅射装置的大气(含有氩气作为主要成分)中的氧气(O2)的分压(O2/Ar+O2)控制在15到40％的范围，所以介电层14中陷阱密度不超过1×1017个/cm3。溅射进行中氧气分压过低时，所得到的氧化硅薄膜的陷阱密度倾向于升高；另一方面，当分压过高时，薄膜形成倾向于难以进行。
接下来，厚度为0.6微米由氧化镁(MgO)形成的保护层15通过电子束气相沉积法或溅射法在介电层14上形成。顺便提及，阻挡层在介电层14和保护层15之间形成的情况下，由氧氮化硅或类似材料形成的阻挡层在介电层14上形成，之后保护层15在其上形成。通过这些步骤，制造第一屏面10完成。
第二屏面20可通过下面的方法制造。首先在第二基底21上形成铝薄膜，第二基底21由高应变点玻璃或纳玻璃通过气相沉积方法形成；铝薄膜通过光刻技术和蚀刻技术形成图案，由此地址电极22形成。地址电极22沿与第一方向正交的第二方向延伸。接下来，在整个表面通过丝网印刷方法形成低熔点玻璃糊层，低熔点玻璃糊层经烘焙形成介电薄膜23。顺便提及，介电薄膜23还可以通过类似于形成介电层14的方法形成。
之后，低熔点玻璃糊可通过丝网印刷方法印刷到介电薄膜23上，介电薄膜位于相邻的地址电极22之间区域的上侧。其后，第二基底21在焙烧设备中进行烘焙，形成间隔壁24。烘焙(间隔壁烘焙步骤)在空气中进行，烘焙温度在大约560℃。烘焙时间为大约2小时。
接下来，三原色的磷光层浆顺序地印刷到设置在第二基底21上的间隔壁24之间。其后，第二基底21在焙烧设备中进行烘焙，在从间隔壁24之间的介电薄膜上的区域到间隔壁24的侧壁表面上的区域整个范围内形成磷光层25R，25G，25B。烘焙(磷光层烘焙步骤)在温度为大约510℃下进行。烘焙时间为大约10分钟。
接下来，进行装配等离子显示器。即首先，可通过丝网印刷法在第二屏面20的周边部分形成密封层。其后，第一屏面10和第二屏面20互相层叠，接下来进行烘焙使密封层硬化。然后，抽空第一屏面10和第二屏面20之间的空间，然后将放电气体充入抽空的空间中，对空间进行密封，因此完成了等离子显示器2的制造。
现在将介绍如上结构的等离子显示器的交流辉光放电操作。首先，高于放电起始电压Vbd的屏面电压施加到一侧的所有放电维持电极12很短时间。这样，产生辉光放电，极性相反的电荷附着在介电层14上，介电层位于两侧的放电维持电极的附近，由此，壁电荷累积起来，表观放电起始电压下降。此后，当电压施加到地址电极22，电压就施加到无显示的放电单元内一侧的放电维持电极12上，由此辉光放电在一侧的地址电极22和放电维持电极12之间产生，排除累积的壁电荷。排除放电继续在各个地址电极22上进行。另一方面，没有电压施加到显示的放电单元内一侧的放电维持电极。这样，壁电荷的累积得到保持。此后，预定的脉冲电压施加到所有成对的放电保持电极12之间，由此辉光放电在成对的放电维持电极12之间开始，电极12位于已经累积壁电荷的单元中。在这种情况下，在放电单元中，通过真空紫外光照射进行激发的磷光层发出光线，其颜色根据磷光层材料的种类，其中真空紫外光由放电空间中放电气体的辉光放电产生。顺便提及，分别施加到一侧的放电维持电极和另一侧的放电维持电极的放电维持电压的相位互相错开半个周期，电极的极性根据交流电的频率是反相的。
在根据本实施例的等离子显示器2和制造等离子显示器的方法中，介电层14中的陷阱密度不超过预定值；因此，可以防止陷阱捕获的电子产生的电势造成保护薄膜溅蚀。不容易发生放电起始电压波动和亮度降低，增加了可靠性和寿命。第二实施例在上面介绍的实施例中，具有一个氧化硅层的介电层14是通过溅射方法形成的。然而，在本发明中，对该层的材料性质和薄膜形成方法都没有限制，只要所形成的介电层的陷阱密度不超过1×1017个/cm3。另外，在本发明中，介电层14不一定只有一个氧化硅层。而是可以具有多层薄膜。第三实施例在本实施例中，如图1所示等离子显示器，将对介电层14中的陷阱密度和放电起始电压波动之间的关系进行详细的介绍。
一般来讲，介电层中存在大量的缺陷。已经知道在氧化硅作为主要成分的玻璃中，一种电子缺陷就是电子陷阱，类似于用于MOS半导体的热氧化物SiO2。在等离子显示器中，含有碱金属-碱土金属的玻璃含有作为主要成分的二氧化硅，在一些情况下，可用在放电维持电极上作为绝缘材料。在这些玻璃中，还含有控制熔点和介电常数的成分，比如PbO。
然而，放电起始电压和等离子显示器的特性降低根据薄膜的材料性质有很大的不同。其原因可认为是电荷被缺陷，即介电层中的陷阱，捕获，以及电荷的存在导致电势产生。
表一
表一显示了氮化硅、氧化硅、和介电薄膜的放电电压。放电间隙是20微米，放电气体是氙，其压力为30kPa。氮化硅已知具有很高的电子陷阱密度，大约在2×1018个/cm3。一般地，在硅的热氧化物薄膜中的电子陷阱密度在薄层密度下不超过1010个/cm2。在薄膜通过气相沉积、溅射、低温化学气相沉积、低熔点玻璃烘焙或类似方法形成的情况下，电子陷阱密度认为处于大约1×1015到1×1018个/cm3的范围(薄层密度为1×1010个到1×1012个/cm2)。
考虑到上述情况，对等离子显示器的放电维持电极上形成的氮化硅介电薄膜的电子陷阱的影响进行了评估(见Ohmsha公司的Seigoh Kishino写于1995年的“现代半导体基础”(GENDAIHANDOHTAI DEBAISU NO KISO))，所作评估基于假定1×1018个/cm3的电荷存在于介电层中，介电层14的厚度为10微米。假设所有的陷阱只均匀分布在介电层14厚度的中间，即5微米。那么，薄层电子陷阱密度是1×1012个/cm2。被陷阱捕获的电子的陷阱占据系数是0.5，在这个深度有5×1011个/cm2的电子。由于氧化镁作为存在于介电层14和放电气体之间的保护层15，，认为其作用具有相对介电常数ε＝10，薄层电荷产生的电势，即单位为电压的对放电气体的作用，可以通过下面的公式来确定V＝-(1/C)Q (1)其中1/C＝1/C1+1/C2，C1是介电层14的电容，C2是保护层15的电容。
当将各个数值(氮化硅的相对介电常数7.9，氧化镁的相对介电常数10.0，和薄膜厚度0.6微米)代入公式中时，C1＝1.40×10E-9F/cm2，C2＝14.4×10E-9F/cm2，C＝1.28×10E-9F/cm2，Q＝1.6×10E-7C/cm2，和电压V为V＝-125V。
如果该电荷数量出现在成对的放电维持电极12上，和以相同数量出现在地址电极22上，其作用互相抵消。即，Vtotal＝Vx-Vy＝-125-(-125)＝0其中Vx是成对的放电维持电极一侧的共同侧维持电极X一侧上的陷阱中电荷产生的电势，Vy是另一侧的扫描侧维持电极Y一侧上的陷阱中电荷产生的电势。
然而，介电层14中的陷阱捕获的电子通过电场强度作用进行移动改变其分布时，其作用不会互相抵消。即在扫描侧维持电极的一侧上的电荷分布沿从放电气体看去的较深方向移动大约0.5微米，在共同侧维持电极的一侧上的电荷分布沿较浅方向移动大约0.5微米时，扫描侧维持电极Y侧V1＝-137V共同侧维持电极X侧V2＝-113V，和Vtotal＝Vx-Vy＝-137-(-113)＝-24V因此，其作用不会抵消。即，放电起始电压明显地已经下降。这可能发生在由于老化或类似情况电荷注入介电层14并被电子陷阱捕获的情况下。即，在薄膜具有非常多数量的陷阱的情况下，电荷在介电层中被捕获，放电起始电压下降到低于原始放电起始电压。
另一方面，当从薄膜内侧扩散到薄膜外侧的电荷或介电层14的捕获电子的占有分布发生变化时，陷阱中捕获电荷产生的电势发生变化。即，当薄膜中的电荷产生的电势绝对值降低时，扫描侧和共同侧之间的差别减少，放电起始电压明显增加。然后，当放电再次产生时，电荷重新注入介电层14，由此，放电起始电压降低。图4显示了放电起始电压随时间波动的检测结果，显示出放电起始电压随时间下降。
为了避免介电层14中的电荷产生的电势的影响，有必要增加介电层的薄膜质量，因而降低介电层14中的原始电子陷阱密度。至少需要将电子陷阱密度设定在不大于1×1017个/cm3；当电子陷阱密度处于这个水平，电子注入的影响可以降低到或低于原始水平的1/5。
顺便提及，上面所作讨论是基于介电层14的厚度小到不大于大约10微米，电场强度不大于30×104V/cm。另一方面，还可以通过抑制由于施加到介电层14的电场强度造成的电荷分布波动来实现相同的目标。即，通过增大介电层14的薄膜厚度和将电场强度减少到7×104V/cm或低于7×104V/cm。具体地，在由于介电层14的相对介电常数ε＝4.0和厚度为10微米而出现问题的情况下，例如，可以使用介电常数大约为12的低熔点玻璃，厚度可以增加到原始值的3倍，由此电场强度减少到原始值的1/3，同时电容保持不变，因此电压波动可以得到抑制。由于电场强度减少，注入介电层14的电荷数量可减少很多，所以问题得到改善。上面提到的机制可认为是等离子显示器屏幕上的特定位置发生烧伤现象的一个原因，因此，上面提到的措施显示出一种改进方法，其涉及到介电层14的薄膜质量和薄膜厚度。
根据本实施例的等离子显示器，层叠在放电维持电极12和总线电极15上的介电层的薄膜质量得到改进，由此放电起始电压波动，即驱动电压波动，可以抑制，可以保证长期可靠性。另外，在特定位置的电压波动，其被认为是烧伤现象的一个原因，也可以得到抑制。其他实施例本发明并不限于上面介绍的实施例，在本发明的范围内可进行各种改进。
例如，在本发明中，等离子显示器的具体结构不限于图1所示的实施例，可以采用其他结构。例如，尽管所谓的三电极型等离子显示器作为图1所示的实施例，根据本发明的等离子显示器可以是所谓的双极型等离子显示器。在这种情况下，各对放电维持电极中的一个设置在第一基底，另一个设置在第二基底。另外，一侧的放电维持电极的投影图象沿第一方向延伸，另一侧的放电维持电极的投影图象沿不同于第一方向的第二方向(最好是基本上正交于第一方向)延伸，成对的放电维持电极相对设置，互相面对。在双电极型等离子显示器的情况下，如果需要，上面介绍的实施例中的术语“地址电极”应当读作“另一侧的放电维持电极”。
此外，尽管上面介绍的实施例中的等离子显示器是所谓的反射型等离子显示器，其中第一屏面10位于显示屏侧；根据本发明的等离子显示屏可以是所谓的透射型等离子显示器。在透射型等离子显示器中，磷光层发出的光线通过第二屏面20观看；因此，尽管构成放电维持电极的导电材料可以是透明的，或是不透明的，而地址电极22必须是透明的，因为其设置在第二基底21上。
现在，下面将根据多个详细的实例来介绍本发明，但是本发明不限于这些实例。实例1第一屏面10通过下面的方法制造。首先，ITO层通过，例如溅射方法在第一基底11的整个表面形成，其中高应变点玻璃或钠玻璃形成第一基底11，通过光刻技术和蚀刻技术ITO层形成带状的图案，因此，多个成对的放电维持电极12形成。
接下来，铝薄膜在第一基底11的内侧表面的整个表面上通过，例如气相沉积方法形成，并通过光刻技术和蚀刻技术形成图案，沿各个放电维持电极12的边缘部分形成总线电极13。
此后，二氧化硅(SiO2-X，0≤X＜1.0)的介电层14在设置了总线电极13的第一基底11的内表面的整个表面上形成。介电层14通过使用SiO2靶的RF溅射方法形成，其中引入溅射装置的大气(含有氩气作为主要成分)的氧气的分压(O2/(Ar+O2)控制在20％，要不少于15％。另外，溅射时的RF功率是900瓦，氩气的分压是3.3×10-1帕，薄膜形成速率为0.12微米/小时。
二氧化硅(SiO2-X，0≤X＜1.0)层的厚度为大约6微米。对二氧化硅的陷阱密度进行了测量，可确定密度为5×1016个/cm3，不要超过1×1017个/cm3。对陷阱密度的检测是根据对金属/绝缘薄膜/半导体结构的电容电压(CV)测量的偏压应用的滞后来进行，根据E.SuZuki发表在IEEE会报电子器件ED-30(2)，122(1998)上的文章。
接下来，厚度为0.6微米由氧化镁制成的保护层15通过电子束气相沉积方法在二氧化硅层构成的介电层14上形成。通过上述步骤，完成了第一屏面10。
第二屏面20通过下面的方法制成。首先，地址电极22在第二基底21上形成，其中第二基底由高应变点玻璃或钠玻璃制成。地址电极22在正交于第一方向的第二方向上延伸。接下来，低熔点玻璃糊层通过丝网印刷法在整个表面形成，对该低熔点玻璃糊进行烘焙，形成介电层。
其后，低熔点玻璃糊可通过丝网印刷法印制在相邻的地址电极22之间的区域上侧的介电薄膜上。此后，第二基底21在焙烧装置中进行烘焙，由此，间隔壁24形成。焙烧(间隔壁焙烧步骤)在空气中进行，焙烧温度大约在560℃，焙烧时间大约2个小时。
接下来，三原色的磷光层浆顺序地印刷在设置在第二基底21上的间隔壁24之间的区域。然后，第二基底21在焙烧装置中进行焙烧形成磷光层25R，25G，25B，磷光层位于从间隔壁24之间的介电薄膜上的区域到介电壁24的侧壁表面上的区域整个区间上。焙烧在温度大约510℃下进行大约10分钟，完成第二屏面20。
接下来，进行装配等离子显示器。即，首先通过丝网印刷在第二屏面20的周边部分形成密封层。然后，第一屏面10和第二屏面20互相层叠在一起，然后通过烘焙使密封层硬化。其后，抽空第一屏面10和第二屏面20之间的空间，将放电气体充入抽空的空间，然后将该空间密封，完成等离子显示器2的制作。至于放电气体，使用了压力为30千帕的100％氙气。
对于这样得到的等离子显示器2，亮度下降测试和电压寿命特性测试通过施加驱动电压为230V及64千赫的重复驱动脉冲来进行。其结果在图2和图3中显示。亮度测量根据JIS C6101-1988的电视接受机测试方法进行。比较示例1等离子显示器采用与实例1相同的方式进行制造，除了介电层14通过溅射方法使用Si3N4作为靶材，故介电薄膜的成分是SixNy，溅射条件为RF功率为900瓦，氩分压为3.0×10-1帕，薄膜形成速率为0.45微米/小时。然后，进行与实例1相同的测试，除了驱动电压为175V。
介电层14的陷阱密度发现为2×1018个/cm3。亮度降低测试的结果和电压寿命特征测试的结果在图2和图3中显示。实例2等离子显示器采用与实例1相同的方式装配，除了构成介电层14的二氧化硅层是通过等离子化学气相沉积方法并使用SiH4和N2O作为靶材来形成。当进行与实例1相同的测试时，得到了与实例1类似的结果。在这个实例中的介电层的陷阱密度是1×1016个/cm3。实例3等离子显示器采用与实例1相同的方式制造，除了介电层14是通过化学气相沉积方法并使用SiH4和NH3+N2O作为靶材来形成，所以介电层14的薄膜成分是SiON。进行了与实例1相同的测试，除了驱动电压为210V。
介电层14的陷阱密度是1×1017个/cm3。得到了与实例1类似的亮度降低测试和电压寿命特征测试的结果。比较示例2等离子显示器采用与实例1相同的方式进行制造，除了介电层14通过溅射方法使用SiO2作为靶材，溅射条件为RF功率为900瓦，氩分压为3.0×10-1帕，薄膜形成速率为0.5微米/小时。故介电层14的陷阱密度将高于1×1017个/cm3。进行了与实例1相同的测试，除了驱动电压为160V。
介电层14的陷阱密度测量得到为1.5×1018个/cm3。亮度降低测试和电压寿命特征测试的结果类似于比较示例1。评价1
如图2所示，与比较示例1(以及比较示例2)比较，可以确定实例1(以及实例2和实例3)中亮度降低随时间减少，可得到更稳定的亮度。还有，如图3所示，与比较示例1(以及比较示例2)比较，可以确定实例1(以及实例2和实例3)放电起始电压随时间其差量减少，电压寿命特性增强。根据这些结果，可以肯定当介电层的陷阱密度不超过1×1018个/cm3时，不容易发生放电起始电压波动和亮度降低，等离子显示器的可靠性和寿命提高。实例4等离子显示器采用与实例1相同的方式制造，除了陷阱密度是1.2±0.5×1017个/cm3的氧化硅层用作介电层14。通过向等离子显示器的介电层14施加20×104V/cm的电场强度，来进行电压寿命特性测试(寿命实验)。测试的结果在图5中显示，图5显示了寿命测试时间和放电起始电压的关系。比较示例3等离子显示器采用与实例1相同的方式安装，除了陷阱密度是1.2±0.5×1017个/cm3的氧化硅层用作介电层14。除了施加6×104V/cm的电场强度到等离子显示器的介电层14，电压寿命特性测试(寿命实验)以与实例1相同的方式进行。测试的结果在图5中显示，图5显示了寿命测试时间和放电起始电压的关系。评价2如图5所示，与其介电层14的氧化硅层缺氧较多(高陷阱密度)的比较示例3比较，可以确定缺氧较少(低陷阱密度)的氧化硅层用作介电层14的实例4可得到不少于4000小时的寿命时间，尽管电场强度高于比较示例3的电场强度。相反，比较示例3中的寿命时间是1000小时，这短于实例4的寿命时间。
顺便提及，在比较示例3中，电场强度与寿命时间的关系是通过从6×104V/cm到21×104V/cm的范围进行电场强度变化来确定的。其结果在图6中显示，如图6所示，可以确定当施加到介电层14上的电场较强时，寿命时间较短。
根据这些，可以确定，如果电场强度弱，寿命时间可以延长；即使介电层的陷阱密度高。如图7所示，本发明人已经通过实验确定当陷阱密度N和电场强度E之间的关系满足下面的表达式(1)，等离子显示器的寿命时间延长到令人满意的程度，在这个条件下，陷阱密度N不会超过1×1018个/cm3。表达式为logN≤-E·10-4/23+18+7/23 (1)如上面所介绍的，根据本发明，可以提供一种等离子显示器，其不容易发生放电起始电压波动和亮度降低，屏幕的烧伤现象受到抑制，可以保证优良的可靠性和足够长的寿命；以及一种制造等离子显示器的方法。
权利要求
1.一种等离子显示器，包括第一屏面，设有放电维持电极和在所述维持电极内侧形成的介电层；和层叠在所述第一屏面上的第二屏面，在所述第一屏面内侧形成放电空间；其特征在于，所述介电层的陷阱密度不大于1×1018个/cm3。
2.一种等离子显示器，包括第一屏面，设有放电维持电极和在其内侧的介电层；和层叠在所述第一屏面上的第二屏面，在所述第一屏面内侧形成放电空间；其特征在于，所述介电层的移动金属离子密度不大于1×1018个/cm3。
3.根据权利要求1或2所述的等离子显示器，其特征在于，施加在所述介电层的电场强度不大于7×104V/cm。
4.根据权利要求1或2所述的等离子显示器，其特征在于，应满足下面的关系表达式(1)LogN≤-E·10-4/23+18+7/23(1)其中E是施加到所述介电层的电场强度，N是所述介电层中的陷阱密度或移动金属离子密度。
5.根据权利要求2所述的等离子显示器，其特征在于，在所述介电层中的所述移动金属离子密度不大于1×1017个/cm3
6.根据前面权利要求1到5中任一项所述的等离子显示器，其特征在于，沿所述放电维持电极的纵向设置了总线电极，厚度为数个纳米到数十个纳米的阻挡层设置在所述总线电极和所述介电层之间，以防止金属从所述总线电极扩散到所述介电层。
7.根据前面权利要求1到6中任一项所述的等离子显示器，其特征在于，在所述放电空间侧的所述介电层表面设置了保护膜，厚度为数个纳米到数十个纳米的阻挡层设置在所述介电层和保护膜之间，以防止载体注入所述介电层。
8.根据权利要求1所述的等离子显示器，其特征在于，在所述介电层中的所述陷阱密度不大于1×1017个/cm3。
9.根据权利要求8所述的等离子显示器，其特征在于，在所述介电层中的所述陷阱密度不大于5×1016个/cm3。
10.根据权利要求8所述的等离子显示器，其特征在于，在所述介电层中的所述陷阱密度不大于1×1017个/cm3且不小于1×109个/cm3。
11.根据前面权利要求5或8到10中任一项所述的等离子显示器，其特征在于，施加在所述介电层的电场强度不大于30×104V/cm。
12.根据前面权利要求1到11中任一项所述的等离子显示器，其特征在于，所述介电层是通过真空膜形成方法形成的SiO2-x膜(其中X位于0≤X＜1.0的范围)。
13.根据前面权利要求1到11中任一项所述的等离子显示器，其特征在于，所述介电层是通过真空膜形成方法形成的氧氮化硅膜(SiON)。
14.根据前面权利要求1到11中任一项所述的等离子显示器，其特征在于，所述介电层是通过涂复方法、印刷方法或干膜方法并通过其后的烘焙形成的玻璃糊介电薄膜。
15.根据前面权利要求1到11中任一项所述的等离子显示器，其特征在于，所述介电层是通过化学气相沉积法形成的氧化物或氮化物介电薄膜。
16.根据前面权利要求1到11中任一项所述的等离子显示器，其特征在于，所述介电层是通过化学气相沉积法形成的氧氮化物介电薄膜。
17.根据前面权利要求1到16中任一项所述的交流驱动型等离子显示器，其特征在于，地址电极、间隔所述放电空间的间隔壁、和在所述间隔壁之间的磷光层设置在所述第二屏面的内侧。
18.根据权利要求17所述的等离子显示器，其特征在于，介电薄膜设置在所述放电空间一侧的所述地址电极的内侧，所述介电薄膜的陷阱密度不大于1×1018个/cm3。
19.根据权利要求17所述的等离子显示器，其特征在于，介电薄膜设置在所述放电空间一侧的所述地址电极的内侧，所述介电薄膜中的移动金属离子密度不大于1×1018个/cm3。
20.根据权利要求18或19所述的等离子显示器，其特征在于，施加在所述介电薄膜上的电场强度不大于7×104V/cm。
21.根据权利要求18或19所述的等离子显示器，其特征在于，应满足下面的关系式(1)LogN≤-E·10-4/23+18+7/23 (1)其中E是施加到所述介电薄膜的电场强度，N是所述介电薄膜中的陷阱密度或移动金属离子密度。
22.根据权利要求18所述的等离子显示器，其特征在于，介电薄膜设置在所述放电空间一侧的所述地址电极的内侧上，所述介电薄膜的陷阱密度不大于1×1017个/cm3。
23.根据权利要求19所述的等离子显示器，其特征在于，介电薄膜设置在所述放电空间一侧的所述地址电极的内侧，所述介电薄膜的移动金属离子密度不大于1×1017个/cm3。
24.根据权利要求22或23所述的等离子显示器，其特征在于，施加在所述介电层上的电场强度不大于30×104V/cm。
25.一种生产等离子显示器的方法，所述等离子显示器包括设有放电维持电极和在所述维持电极内侧的介电层的第一屏面，和层叠在所述第一屏面的第二屏面，放电空间在所述第一屏面内侧形成，其特征在于，所述介电层包括通过溅射方法形成的氧化硅薄膜，其中引入溅射装置中的大气的氧气分压设定在不小于15％，以形成具有不大于1×1018个/cm3陷阱密度的所述介电层。
26.一种生产等离子显示器的方法，所述等离子显示器包括设有放电维持电极和在所述维持电极内侧的介电层的第一屏面，和层叠在所述第一屏面的第二屏面，放电空间在所述第一屏面内侧形成，其特征在于，所述介电层包括通过溅射方法形成的氧化硅薄膜，其中引入溅射装置中的大气的氧气分压设定在不小于15％，以形成具有不大于1×1017个/cm3陷阱密度的所述介电层。
27.一种生产等离子显示器的方法，所述等离子显示器包括设有放电维持电极和在所述维持电极内侧的介电层的第一屏面，和层叠在所述第一屏面的第二屏面，放电空间在所述第一屏面内侧形成，其特征在于，所述介电层包括通过化学气相沉积方法形成的氧化物薄膜，其中基底温度处于350到630℃的范围，以形成具有不大于1×1018个/cm3陷阱密度的所述介电层。
28.一种生产等离子显示器的方法，所述等离子显示器包括设有放电维持电极和在所述维持电极内侧的介电层的第一屏面，和层叠在所述第一屏面的第二屏面，放电空间在所述第一屏面内侧形成，其特征在于，所述介电层是通过某方法形成的低熔点玻璃膜，其中烘焙是在500到630℃范围的薄膜形成温度下进行，以形成具有不大于1×1018个/cm3的陷阱密度的所述介电层。
29.一种生产等离子显示器的方法，所述等离子显示器包括设有放电维持电极和在所述维持电极内侧的介电层的第一屏面，和层叠在所述第一屏面的第二屏面，放电空间在所述第一屏面内侧形成，其特征在于，所述介电薄膜设置在所述第二屏面的放电空间一侧的所述地址电极的内侧，所述介电层是通过某方法形成的低熔点玻璃膜，其中烘焙是在500到630℃范围的薄膜形成温度下进行，以形成具有不大于1×1018个/cm3的陷阱密度的所述介电层。
全文摘要
公开了一种长寿命和高可靠性的等离子显示器，其放电起动电压的变化和亮度降低受到抑制，屏幕的图像烧伤现象减少；及制造该等离子显示器的方法。等离子显示器包括具有放电维持电极(12)和在维持电极(12)内侧形成的介电层(14)的第一屏面(10)，和层叠在第一屏面(10)内侧形成放电空间(4)的第二屏面(20)，其特征在于，介电层(14)的陷阱密度和/或移动金属离子密度应不大于1×10
文档编号H01J17/49GK1473345SQ02802870
公开日2004年2月4日 申请日期2002年7月17日 优先权日2001年8月14日
发明者小岛繁, 铃木俊治, 白井克弥, 弥, 治 申请人:索尼公司