专利名称：等离子体显示面板及其制造方法
技术领域：
本发明，涉及用于壁挂式电视机、大型监视器的等离子体显示面板及其制造方法。
背景技术：
作为AC(交流)型代表性的交流面放电型等离子体显示面板(以下，称为PDP)，为如下的构成。使进行面放电的、由把扫描电极及维持电极排列而形成的玻璃基板所构成的前面基板，和由排列数据电极而形成的玻璃基板所构成的背面基板，对向配置而使两电极组成矩阵。在前面基板和背面基板的间隙中形成放电空间，并由玻璃熔料(glass frit)等密封材料密封其外周部。在放电空间中，设置由间隔壁而划分出的放电单元。在该放电单元中形成荧光体层。
在如此构成的PDP中，由气体放电而产生紫外线，通过以该紫外线激发R、G、B各色荧光体使其发光而进行彩色显示。
该PDP，使1场期间分割成多个子场，并通过发光的子场的组合而进行灰度等级显示。各子场具有初始化期间、寻址(address)期间及维持期间。而且，为了显示图像数据，在各电极上施加在初始化期间、寻址期间及维持期间分别不相同的信号波形。在初始化期间，例如，在全部扫描电极上施加正的脉冲电压，并在覆盖扫描电极及维持电极的电介质层上的保护膜及荧光体层上蓄积所需的壁电荷。在寻址期间，在全部的扫描电极上，进行按顺序施加负的扫描脉冲的扫描。当有显示数据时，在扫描扫描电极期间，如在数据电极上施加正的数据脉冲，则在扫描电极和数据电极之间发生放电，在扫描电极上的保护膜的表面上形成壁垒电荷。
在接着的维持期间，在一定的期间内，在扫描电极和维持电极之间施加足够用于维持放电的电压。由此，在扫描电极和维持电极之间生成放电等离子体，而在一定的期间内，使荧光体层受激发光。而在寻址期间内未施加数据脉冲的放电空间，不发生放电，不产生荧光体层的受激发光。
在如此的PDP中，存在以下问题在寻址期间的放电中发生大的放电延迟而寻址工作变得不稳定，如果为了完全地进行寻址工作而使寻址时间设定得长，则在寻址期间中所花费的时间变长而必须减少在维持期间中所花费的时间，而难于确保亮度。
为了解决这些问题，提出了，通过在前面基板上设置辅助放电电极而通过由前面基板侧的面内辅助放电所产生的触发(priming)放电而减小放电延迟的PDP及其驱动方法。
可是，在该PDP中，存在不能充分地缩短寻址时的放电延迟，辅助放电的工作宽余量小，诱发误放电而工作不稳定等问题。并且，还存在因为在前面基板的面内进行辅助放电，所以向相邻的放电单元供给多于等于触发所需粒子的触发粒子而产生串扰等问题。
发明内容
本发明是一种PDP，其具有配置成在第1基板上互相平行的第1电极及第2电极；在隔着放电空间而与第1基板对向配置的第2基板上沿与第1电极及第2电极正交的方向配置的第3电极；在第2基板上与第1电极及第2电极平行并且比第3电极接近第1电极及第2电极而配置的第4电极；和形成在第2基板上，而划分由第1电极及第2电极和第3电极所形成的多个主放电单元，与由第1电极或第2电极和第4电极所形成的多个触发放电单元的间隔壁；至少用第1电介质层覆盖第3电极，并在第1电介质层上设置第4电极，用软化点温度比第1电介质层低的材料构成第4电极。
图1是表示本发明的实施方式1中的PDP的剖面图。
图2是模式地表示对应的PDP的前面基板侧的电极排列的平面图。
图3是模式地表示对应的PDP的背面基板侧的立体图。
图4是表示用于驱动对应的PDP的驱动波形的一例的波形图。
图5是对应的PDP的背面基板的制造步骤的流程图。
图6是表示现有的触发电极的变形的剖面图。
图7是表示在现有的第1电介质层中产生气泡的剖面图。
图8是本发明的实施方式2中的PDP的背面基板的同时焙烧的制造步骤的流程图。
图9是表示通过本发明的实施方式2中的PDP的背面基板的同时焙烧的制造步骤流程的其他的例的图。
具体实施例方式
以下，关于本发明的一个实施方式的PDP，利用附图进行说明。
实施方式1以下，关于实施方式1中的PDP及其制造方法，用图1～图5进行说明。还有，本发明的实施的形态不限定于此。
图1是表示本发明的实施方式1中的PDP的剖面图，图2是模式地表示作为第1基板的前面基板侧的电极排列的平面图，图3是模式地表示作为第2基板的背面基板侧的立体图。
如图1中所示地，使作为第1基板的玻璃制的前面基板1，和作为第2基板的玻璃制的背面基板2夹着放电空间3对向配置。在放电空间3中密封进氖(Ne)及氙(Xe)等，作为因放电而放射紫外线的气体。在前面基板1上，使以作为第1电极的扫描电极6和作为第2电极的维持电极7成对的带状的电极组互相平行地配置。该扫描电极6和维持电极7，分别由透明电极6a、7a，和重叠到该透明电极6a、7a之上而形成的由用于提高导电性的银(Ag)等构成的金属母线6b、7b构成。然后，形成前面基板电介质层4以覆盖扫描电极6和维持电极7，并以保护膜5覆盖其上。并且，如图1、图2中所示地，扫描电极6和维持电极7，每2根交替地排列成扫描电极6-扫描电极6-维持电极7-维持电极7。然后，在相邻的2根扫描电极6和扫描电极6之间及维持电极7和维持电极7之间分别设置用于提高发光时的对比度的光吸收层8。在扫描电极6和扫描电极6之间的光吸收层8上设置辅助电极9。辅助电极9在PDP的非显示部(端部)与相邻的扫描电极6的其中之1连接。
并且，如图1、图3中所示地，在背面基板2之上，在与扫描电极6及维持电极7正交的方向上，使作为第3电极的多个带状数据电极10互相平行地配置。然后，形成第1电介质层17以覆盖数据电极10。在第1电介质层17之上，在与设置于前面基板1上的辅助电极9对应的位置上，形成与辅助电极9平行的，作为第4电极的触发电极15。进而在第1电介质层17之上，形成第2电介质层18以覆盖触发电极15。在第2电介质层18之上，形成用于划分以扫描电极6及维持电极7和数据电极10形成的多个放电单元的间隔壁11。间隔壁11，由纵壁部11a和横壁部11b构成。纵壁部11a，在与设置于前面基板1上的扫描电极6及维持电极7正交的方向上，即与数据电极10平行的方向上形成。横壁部11b，与纵壁部11a交叉地设置。然后，通过纵壁部11a和横壁部11b，形成主放电单元12和相邻于主放电单元12的间隙部13及具有触发电极15的触发放电单元16。从而，间隙部13及触发放电单元16，使主放电单元12夹在中间，而交替地排列。在主放电单元12中形成荧光体层14。
并且，如图3中所示地，以第1电介质层17覆盖数据电极10，在第1电介质层17之上形成触发电极15，并进而在其之上形成第2电介质层18。从而，触发放电单元16中的触发电极15和保护膜5的距离，比主放电单元12中的数据电极10和保护膜5的距离，正好短第1电介质层17的厚度。
其次，对在PDP上使图像数据显示的方法进行说明。在本实施方式中，使1场期间分割成具有基于2进制的发光期间的加权重的多个子场，并通过发光的子场的组合而进行灰度等级显示。各子场具有初始化期间，寻址期间及维持期间。
图4，是表示用于驱动本发明的实施方式1中的PDP的驱动波形的一例的波形图。首先，在初始化期间中，在形成有触发电极Pr(图1的触发电极15)的触发放电单元(图1的触发放电单元16)中，在全部的扫描电极Y(图1的扫描电极6)上施加正的脉冲电压，在辅助电极(图1的辅助电极9)和触发电极Pr之间进行初始化。在接着的寻址期间中，在触发电极Pr上一直施加正的电位。在接下来的维持期间中，在一定的期间内，在扫描电极和维持电极之间施加足够维持放电的交变电压。由此，在扫描电极Y和维持电极X(图1的维持电极7)之间生成放电等离子体，而在一定的期间内，使荧光体层受激发光。而在寻址期间内未施加数据脉冲的放电空间，不发生放电不产生荧光体层的受激发光。
因此，在触发放电单元中，在扫描电极Yn上施加了扫描脉冲SPn时，在触发电极Pr和辅助电极之间发生触发放电，向主放电单元中(图1的主放电单元12)中供给触发粒子。接着，虽在第n+1个主放电单元的扫描电极Yn+1上施加扫描脉冲SPn+1，但因为此时之前刚刚发生过触发放电，已经供给触发粒子，所以能减小下一个的寻址时的放电延迟。还有，在此，虽然进行了仅某1场的驱动顺序的说明，但其他的子场中的工作原理也是同样。在图4中所示的驱动波形中，通过在寻址期间中在触发电极Pr上施加正的电压，能使上述的工作更加可靠地发生。还有，寻址期间的触发电极Pr的施加电压，优选设定成，比施加在数据电极D(图1的数据电极10)上的数据电压值大的值。
在如此的构成中，因为在触发放电单元16中，触发电极15形成于第1电介质层17上，所以如果适当地形成第1电介质层17，则能以第1电介质层17确保数据电极10和触发电极15间的绝缘耐压，能使触发放电和寻址放电稳定发生。并且，因为在该触发放电单元16中，触发电极15设置在第1电介质层17上，所以使触发电极15和辅助电极9的距离比主放电单元12中的数据电极10和扫描电极6的距离短。因此，能使对应于与辅助电极9连接的扫描电极6的主放电单元12中的触发放电，在该主放电单元12中的寻址放电之前可靠稳定发生，能减小在该主放电单元12中的放电延迟。
图5是本发明的实施方式1中的PDP的背面基板的制造过程流程图。
如图5中所示地，在步骤1中，准备作为背面基板2的背面玻璃基板。在步骤2及步骤3中，形成数据电极10。在步骤2中，在背面玻璃基板上涂敷银(Ag)糊剂后，用光刻法，形成宽度150μm的银(Ag)线。构成数据电极10的玻璃成分之中的至少1种的软化点温度是590℃。在步骤3中，通过以600℃焙烧使该银(Ag)线固化，而形成数据电极10。
其次在步骤4及步骤5中，形成第1电介质层17。在第1电介质层17的材料中，使用ZnO-B2O3-SiO2类的混合物，PbO-B2O3-SiO2类的混合物，PbO-B2O3-SiO2-Al2O3类的混合物，PbO-ZnO-B2O3-SiO2类的混合物，Bi2O3-B2O3-SiO2类的混合物等。在本发明的实施方式1中，使PbO-B2O3-SiO2类的混合物，以PbO65wt％～70wt％-B2O35wt％-SiO225wt％～30wt％的组成且软化点温度580℃的材料用于第1电介质层17的材料中。软化点温度可以由增减PbO的含有量而适当设定。在步骤4中，使第1电介质层17的材料成糊剂状，并覆盖数据电极10而涂敷。涂敷方法不特别限定，能用公知的涂敷方法及印刷方法。该方法中，例如，有滚动涂敷法(roll coating)，狭缝模涂敷法(slit die coating)，刮刀涂敷法(doctor blade method)，丝网印刷法(screen printing)，平版印刷法(off-set printing)等。在本发明的实施方式1中，第1电介质层17的糊剂涂敷厚度，优选5μm～40μm。并且，通过使第1电介质层17的糊剂涂敷厚度大于或等于5μm，能缓和由焙烧后的数据电极10所引起的凹凸不平。还有，第1电介质层17的糊剂涂敷厚度根据糊剂中的无机成分含有量而不同。在步骤5中，以温度585℃焙烧使第1电介质层17的糊剂固化，形成第1电介质层17。这样，由于第1电介质层17的焙烧温度比数据电极10的软化点温度低，因此可以抑制第1电介质层17的焙烧时的数据电极10的变质和变形。
其次，在步骤6及步骤7中，形成触发电极15。在步骤6中，用与步骤2的数据电极10的形成方法大致相同的方法在第1电介质层17上涂敷银(Ag)糊剂。构成触发电极15的玻璃成分之中的至少1种的软化点是570℃。在步骤7中，以575℃焙烧使其固化而形成触发电极15。此时的焙烧温度575℃，因为比第1电介质层17的软化点温度580℃低并且大于或等于构成触发电极15的材料的软化点温度570℃，所以能抑制触发电极15的焙烧时的第1电介质层17的变质、变形。
现有技术，不必一定设定为触发电极15的软化点温度比第1电介质层17的软化点温度低。因此，触发电极15的焙烧温度有时超过第1电介质层17的软化点温度。该情形下，如图6的表示现有的触发电极的变形的剖面图中所示地，当焙烧触发电极15而发生热变形时，下层的第1电介质层17软化。那样一来，触发电极15容易下沉到第1电介质层17中，不能保证触发电极15和数据电极10的绝缘距离。图7是表示在现有的第1电介质层17中产生的气泡的剖面图。并且如图7中所示地，因为与焙烧触发电极15而发生热变形的同时，第1电介质层17也软化，所以在触发电极15之下的第1电介质层17部分中有时产生气泡。依照本发明的实施方式1，因为能如上述地，在触发电极15的焙烧时抑制第1电介质层17的变质、变形，所以能消除绝缘破坏的因素，能实现可靠性高的PDP。
其次在步骤8及步骤9中，形成第2电介质层18。第2电介质层18的形成方法与步骤4及步骤5的第1电介质层17的形成方法相同。第2电介质层18的材料是从第1电介质层17的组成使PbO的含有量增加5wt％左右的材料。并且，第2电介质层18的软化点温度设定成从第1电介质层17下降20℃左右的560℃。在步骤8中，用丝网印刷法等前述的方法，在第1电介质层17上，涂敷糊剂以覆盖触发电极15。在步骤9中，以565℃焙烧使其固化，形成第2电介质层18。此时的焙烧温度565℃，比构成下层的触发电极15的材料的软化点温度570℃、构成第1电介质层17的材料的软化点温度580℃以及构成数据电极10的材料的软化点温度590℃低，并且大于等于构成第2电介质层18的材料的软化点温度。从而能抑制第2电介质层18的焙烧时的触发电极15，第1电介质层17，数据电极10的变质、变形，能消除对于触发电极15的绝缘破坏的因素。
其次，在步骤10及步骤11中，形成间隔壁11及荧光体层14。首先，在步骤10中，在第2电介质层18上涂敷包含玻璃成分及感光性有机成分的感光性糊剂并干燥。然后，采用光处理等，形成构成主放电单元12的空间和触发放电单元16的空间及间隙部13的空间的纵壁部11a和横壁部11b的图形。进而在主放电单元12内，涂敷填充R、G、B的荧光体层14。间隔壁11及荧光体层14的软化点温度小于等于550℃。在步骤11中，通过以焙烧温度555℃同时焙烧固化间隔壁11和荧光体层14而形成间隔壁11及荧光体层14。此时，因为下层的第2电介质层18、触发电极15、第1电介质层17、数据电极10的软化点温度比该焙烧温度高，所以能抑制这些下层的变质、变形。而且，这些构成要素成为位于最上部的间隔壁11的基座，因为抑制这些构成要素的变形所以能使间隔壁11的尺寸精度稳定，能实现尺寸精度优良的PDP。
通过以上的步骤完成背面基板2。
实施方式2其次，用图8关于本发明的实施方式2进行说明。
在实施方式1中示出了按数据电极10、第1电介质层17、触发电极15、第2电介质层18、间隔壁11的顺序降低设定软化点温度而分别地焙烧，并尽可能地防止全部构成部位发生变质、变形。但是，通过用于仅防止特别大地影响绝缘破坏的第1电介质层17的变形而采用如下的方法，能简化制造工序。即，关于第1电介质层17、触发电极15、第2电介质层18这3层按该顺序降低设定软化点温度，且关于数据电极10和第1电介质层17使两者的软化点温度相等而同时焙烧，且关于第2电介质层18和间隔壁11及荧光体层14使3层的软化点温度相等而同时焙烧。
在本发明的第2实施方式中，关于该同时焙烧数据电极10和第1电介质层17、同时焙烧第2电介质层18和间隔壁11及荧光体层14的制造工序进行说明。
图8，是本发明的实施方式2中的PDP的背面基板的同时焙烧的制造过程流程图。
如图8中所示地，在步骤1中，准备作为背面基板2的背面玻璃基板。在步骤2中，涂敷银(Ag)糊剂后，用光刻法，形成宽度150μm的银(Ag)线，并形成数据电极10的前驱体(precursor)。构成数据电极10的玻璃成分之中的至少1种的软化点温度是580℃。
其次在步骤3中，形成第1电介质层17的前驱体层。作为第1电介质层17的材料，采用ZnO-B2O3-SiO2类的混合物，PbO-B2O3-SiO2类的混合物，PbO-B2O3-SiO2-Al2O3类的混合物，PbO-ZnO-B2O3-SiO2类的混合物，Bi2O3-B2O3-SiO2类的混合物等。在本实施方式中，使用PbO-B2O3-SiO2类的混合物，以PbO65wt％～70wt％-B2O35wt％-SiO225wt％～30wt％的组成、与数据电极10的软化点温度相同软化点温度的材料。软化点温度可以由增减PbO的含有量而适当设定。使第1电介质层17的材料成糊剂状，覆盖数据电极10的前驱体而涂敷。涂敷方法不特别限定，能用公知的涂敷、印刷方法。在该方法中，例如，有滚动涂敷法，狭缝模涂敷法，刮刀涂敷法，丝网印刷法，平版印刷法等。在本发明的实施方式2中，第1电介质层17的糊剂涂敷厚度，优选5μm～40μm。并且，通过使第1电介质层17的糊剂涂敷厚度大于等于5μm，能缓和由焙烧后的数据电极10所引起的凹凸不平。还有，第1电介质层17的糊剂涂敷厚度根据糊剂中的无机成分含有量而不同。
其次在步骤4中，通过以温度585℃同时焙烧使数据电极10的前驱体及第1电介质层17的前驱体层固化，形成数据电极10及第1电介质层17。
其次，在步骤5及步骤6中，形成触发电极15。在步骤5中，用与步骤2的数据电极10的前驱体的形成方法大致相同的方法，在第1电介质层17上涂敷银(Ag)糊剂。构成触发电极15的玻璃成分之中的至少1种的软化点是570℃。在步骤6中，以575℃焙烧使其固化而形成触发电极15。此时的焙烧温度575℃，比构成第1电介质层17的材料的软化点温度580℃及构成数据电极10的材料的软化点温度580℃中的任何一种都低并且大于等于构成触发电极15的材料的软化点温度570℃。从而，因为能抑制触发电极15的焙烧时的第1电介质层17的变质、变形，能消除对于触发电极15的绝缘破坏的因素，所以能实现可靠性高的PDP。
其次，在步骤7中，形成第2电介质层18的前驱体层。形成方法与步骤3的第1电介质层17的前驱体层的形成方法相同。用前述的丝网印刷法等方法，在第1电介质层17上，涂敷糊剂以覆盖触发电极15，形成第2电介质层18的前驱体层。第2电介质层18的材料，是从第1电介质层17的组成使PbO的含有量增加5wt％左右的材料。并且，第2电介质层18的软化点温度设定成，从第1电介质层17下降了20℃左右的小于等于560℃的温度。
其次，在步骤8中，形成间隔壁11及荧光体层14的前驱体层。首先，在第2电介质层18上涂敷包含玻璃成分及感光性有机成分的感光性糊剂并干燥。然后，采用光处理等，形成构成主放电单元12的空间和触发放电单元16的空间及间隙部13的空间的纵壁部11a和横壁部11b的图形。进而在主放电单元12内，涂敷填充R、G、B的荧光体层14。间隔壁11及荧光体层14的软化点温度是与第2电介质层18的软化点温度相同的温度。
其次，在步骤9中，以565℃同时焙烧固化第2电介质层18的前驱体层和间隔壁11及荧光体层14的前驱体层。这样一来，形成第2电介质层18和间隔壁11及荧光体层14。此时的焙烧温度565℃，因为比构成触发电极15的材料的软化点温度570℃及构成第1电介质层17、数据电极10的材料之中的软化点温度较低一方的材料的软化点温度580℃低，并且大于等于构成第2电介质层18、间隔壁11、荧光体层14的材料之中的软化点温度最高的材料的软化点温度，所以能抑制触发电极15、第1电介质层17及数据电极10的变质、变形。而且，这些构成要素成为位于最上部的间隔壁11的基座，因为抑制这些构成要素的变形，所以能使间隔壁11的尺寸精度稳定，能实现尺寸精度优良的PDP。
如以上说明地，由同时焙烧数据电极10和第1电介质层17，并同时焙烧第2电介质层18和间隔壁11及荧光体层14，能简化制造工序的过程，完成背面基板2。
并且，由同时焙烧触发电极15和第2电介质层18和间隔壁11及荧光体层14，还能进一步简化制造工序的过程。
图9，是表示本发明的实施方式2中的PDP的背面基板的同时焙烧的制造过程流程的其他的例的图。在图9中，从步骤1到步骤4与图8是同样的。
在步骤5中，形成触发电极15的前驱体。构成触发电极15的玻璃成分之中的至少1种的软化点是560℃。
其次，在步骤6中，形成第2电介质层18的前驱体层。在此，将第2电介质层18的软化点温度设定成为，与触发电极15的软化点温度相同的温度。
其次，在步骤7中，形成间隔壁11及荧光体层14的前驱体层。使间隔壁11及荧光体层14的软化点温度也设定成为与触发电极15的软化点温度相同的温度。
其次，在步骤8中，由以565℃同时焙烧触发电极15的前驱体层和第2电介质层18的前驱体层和间隔壁11及荧光体层14的前驱体层而使之固化，形成触发电极15和第2电介质层18和间隔壁11及荧光体层14。
此时的焙烧温度565℃，比构成数据电极10及第1电介质层17的材料之中的软化点温度较低一方的材料的软化点温度580℃低，并且大于等于构成触发电极15及第2电介质层18及间隔壁11及荧光体层14的材料之中的软化点温度最高的材料的软化点温度560℃。从而，能抑制焙烧时的第1电介质层17的变质、变形。
如此地，由与第2电介质层18等同时焙烧触发电极15，还能进一步简化制造工序的过程。并且，因为此时的焙烧温度，比第1电介质层17的软化点温度低，所以能抑制焙烧时的第1电介质层17的变质、变形。其结果，能消除对于在第1电介质层17上所形成的触发电极15的绝缘破坏的因素，能实现可靠性高的PDP。
在上述的实施方式中示出了使用铅(Pb)类的混合物作为第1电介质层17、第2电介质层18的材料的例。但是，在锌(Zn)类、铋(Bi)类的混合物材料的情形下也能由增减锌(Zn)或铋(Bi)的含有量而任意地设定软化点温度。
另外，所谓本发明中的相同软化点温度是实质的同温度，同时焙烧的材料中的软化点温度的差，在可以得到作为本发明的目的的效果的范围内允许。
如以上说明地，依照本发明，因为是具有在前面基板和背面基板间进行触发放电的触发放电单元的PDP，在触发放电单元中的放电距离比在主放电单元中的放电距离小，所以能在主放电(寻址放电)之前可靠地进行触发放电。而且，可以得到能确保数据电极和触发电极的绝缘耐压而使PDP的可靠性提高的有利的效果。
权利要求
1.一种等离子体显示面板，其特征在于，具有在第1基板上配置成互相平行的第1电极和第2电极；在夹着放电空间而与上述第1基板对向配置的第2基板上，沿与上述第1电极及上述第2电极正交的方向配置的第3电极；在上述第2基板上，与上述第1电极及上述第2电极平行，并且比上述第3电极接近上述第1电极及上述第2电极而配置的第4电极；和在上述第2基板上所形成的，用于划分由上述第1电极及上述第2电极和上述第3电极所形成的多个主放电单元，和由上述第1电极或上述第2电极和上述第4电极所形成的多个触发放电单元的间隔壁；用第1电介质层至少覆盖上述第3电极，并在上述第1电介质层上设置有上述第4电极，用软化点温度比上述第1电介质层低的材料构成上述第4电极。
2.按照权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于第4电极由第2电介质层覆盖，构成上述第2电介质层的材料的软化点温度小于或等于构成上述第4电极的材料的软化点温度。
3.按照权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于构成第1电介质层的材料的软化点温度小于或等于构成第3电极的材料的软化点温度。
4.按照权利要求2所述的等离子体显示面板，其特征在于在第2电介质层上设置有间隔壁，构成上述间隔壁的材料的软化点温度小于或等于构成上述第2电介质层的材料的软化点温度。
5.一种等离子体显示面板的制造方法，其特征在于，包括形成在第1基板上配置成互相平行的第1电极和第2电极的工序；形成在夹着放电空间而与上述第1基板对向配置的第2基板上、沿与上述第1电极及第2电极正交的方向所配置的第3电极的工序；覆盖上述第3电极而形成第1电介质层的工序；形成在上述第1电介质层上，与上述第1电极及上述第2电极平行、并且比上述第3电极接近上述第1电极及上述第2电极而配置的第4电极的工序；覆盖上述第4电极而形成第2电介质层的工序；和形成在上述第2电介质层上，用于划分由上述第1电极及上述第2电极和上述第3电极所形成的多个主放电单元、与由上述第1电极或上述第2电极和上述第4电极所形成的多个触发放电单元的间隔壁的工序；至少形成上述第1电介质层、上述第4电极、上述第2电介质层的工序包括焙烧固化各自的糊剂材料的焙烧工序；上述第4电极的焙烧工序中的焙烧温度，比构成上述第1电介质层的材料的软化点温度低、并且比构成上述第4电极的材料的软化点温度高；上述第2电介质层的焙烧工序中的焙烧温度，比构成上述第4电极的材料的软化点温度低、并且比构成上述第2电介质层的材料的软化点温度高。
6.按照权利要求5所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征在于包括在第2电介质层上图形化形成间隔壁的工序，和焙烧上述间隔壁使之固化的焙烧工序，上述间隔壁的焙烧工序中的焙烧温度小于或等于构成上述第2电介质层的材料的软化点温度。
7.一种等离子体显示面板的制造方法，其特征在于，包括形成在第1基板上配置成互相平行的第1电极和第2电极的工序；形成在夹着放电空间而与上述第1基板对向配置的第2基板上、沿与上述第1电极及上述第2电极正交的方向所配置的第3电极的工序；覆盖上述第3电极而形成第1电介质层的工序；形成在上述第1电介质层上与上述第1电极及上述第2电极平行、并且比上述第3电极接近上述第1电极及上述第2电极而配置的第4电极的工序；覆盖上述第4电极而形成第2电介质层的工序；和形成在上述第2电介质层上，用于划分由上述第1电极及上述第2电极和上述第3电极所形成的多个主放电单元、与由上述第1电极或上述第2电极和上述第4电极所形成的多个触发放电单元的间隔壁的工序；至少形成上述第3电极、上述第1电介质层、上述第4电极、上述第2电介质层、上述间隔壁的工序，包括焙烧各自的糊剂材料使之固化的焙烧工序，同时进行上述第3电极和上述第1电介质层的焙烧工序，其后，进行上述第4电极的焙烧工序，其后，同时进行上述第2电介质层和上述间隔壁的焙烧工序；上述第4电极的焙烧工序中的焙烧温度，比构成上述第3电极及上述第1电介质层的任何一种材料的软化点温度都低、并且大于或等于构成上述第4电极的材料的软化点温度；上述第2电介质层和上述间隔壁的焙烧工序中的焙烧温度，比构成上述第4电极的材料的软化点温度低、并且大于或等于构成上述第2电介质层及上述间隔壁的材料中的软化点温度最高的材料的软化点温度。
8.一种等离子体显示面板的制造方法，其特征在于，具有形成在第1基板上配置成互相平行的第1电极和第2电极的工序；形成在夹着放电空间而与上述第1基板对向配置的第2基板上、沿与上述第1电极及上述第2电极正交的方向所配置的第3电极的工序；覆盖上述第3电极而形成第1电介质层的工序；形成在上述第1电介质层上与上述第1电极及上述第2电极平行、并且比上述第3电极接近上述第1电极及上述第2电极而配置的第4电极的工序；覆盖上述第4电极而形成第2电介质层的工序；和形成在上述第2电介质层上，用于划分由上述第1电极及上述第2电极和上述第3电极所形成的多个主放电单元、与由上述第1电极或上述第2电极和上述第4电极所形成的多个触发放电单元的间隔壁的工序；至少形成上述第3电极、上述第1电介质层、上述第4电极、上述第2电介质层、上述间隔壁的工序，包括焙烧各自的糊剂材料使之固化的焙烧工序，同时进行上述第3电极和上述第1电介质层的焙烧工序，其后，同时进行上述第4电极和上述第2电介质层和上述间隔壁的焙烧工序；上述第4电极和上述第2电介质层和上述间隔壁的焙烧工序中的焙烧温度，比构成上述第3电极及上述第1电介质层的任何一种材料的软化点温度都低、并且大于或等于构成上述第4电极和上述第2电介质层和上述间隔壁的材料中的软化点温度最高的材料的软化点温度。
全文摘要
本发明提供提高能使寻址特性稳定的等离子体显示面板的可靠性的构成和制造方法。本发明的等离子体显示面板及其制造方法，在与形成有扫描电极(6)和维持电极(7)的前面基板(1)对向的背面基板(2)上，按顺序形成数据电极(10)、覆盖其的第1电介质层(17)、触发电极(15)和覆盖其的第2电介质层(18)，并按该顺序降低设定软化点温度，由此防止制造时的第1电介质层(17)的变质、变形，使数据电极(10)和触发电极(15)的绝缘耐压提高。
文档编号H01J17/49GK1791957SQ20048001366
公开日2006年6月21日 申请日期2004年5月18日 优先权日2003年5月21日
发明者藤谷守男, 住田圭介, 三船达雄, 石野真一郎, 橘弘之 申请人:松下电器产业株式会社