专利名称：等离子体显示面板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及等离子体显示面板，更具体地说，涉及包括介质墙的等离子体显示面板及其制造方法，其中该介质墙覆盖沿着放电室周边设置的放电电极。
背景技术：
总地来说，等离子体显示面板是平板显示设备，其中放电气体注入两个基板之间以产生放电。荧光粉层被放电产生的紫外线激发，以显示希望的数字、字符和图像。
参见图1，常规的等离子体显示面板100包括前基板110、面向前基板110的后基板120、设置在前基板110内表面的X电极131和Y电极134。面板100还包括覆盖X和Y电极131和134的前介电层140、涂覆在前介电层140上的保护层150、形成在后基板120的内表面上的寻址电极160。面板100进一步包括覆盖寻址电极160的后介电层170、设置在前后基板110和120之间的障壁180、以及形成在障壁180中的红、绿和蓝荧光粉层190。
X电极131包括第一透明电极线132和形成在第一透明电极线132上的第一汇流电极线133。Y电极134包括第二透明电极线135和形成在第二透明电极线135上的第二汇流电极线136。
在包括上述结构的等离子体显示面板100中，电信号施加到Y电极134和寻址电极160，以选择放电室。一旦选择了放电室，电信号就交替施加到X和Y电极131和134，以从前基板110的内表面产生表面放电并产生紫外辐射。可见光从所选择的放电室里的荧光粉层190发射，以显示静止的图像或活动的图片。
一旦基板110和120以及障壁180被组装，则真空排气过程就通过i)典型地限定在后基板120内的孔(未示出)和ii)连接到该孔的管(未示出；典型地是玻璃管)被执行，以从面板100的内部排除不纯的气体。孔和管也被用作注入放电气体，并且气体注入后孔就被密封。在常规的显示面板100中，矩阵形的障壁180限定了放电室，并且放电室有四个封闭的侧。此外，在前基板110的较低部分和障壁180的上端部之间几乎没有空间。这种“紧密装配”结构使从前基板110的中心部分(指向障壁180)排除不纯的气体变得困难，而在前基板110的中心部分由于真空排气过程中在该区域未提供不纯气体的排气路径，所以通常会产生大量不纯的气体。
因此，在真空排气过程中不能充分执行不纯气体的排放。因此，不纯气体保留在面板100内，因此缩短面板100的寿命，并且可能产生诸如持久残留图像和不稳定放电的问题。
此外，放电从X和Y电极131和134之间的放电间隙开始，并向X和Y电极131和134的外部扩散。这样，放电沿着前基板110的平面扩散，导致放电室的空间利用率低。
由于X电极131、Y电极134、前介电层140和保护层150形成在前基板110的内表面上，所以可见光的能见度甚至达不到60％。因此，明度降低。
在等离子体显示面板100长时间被驱动的情况下，放电向荧光粉层190扩散。因此，由于电场而喷射到荧光粉层190的放电气体的带电粒子造成持久的残留图像。
此外，当10％体积或更多的高浓度Xe气填充放电室时，电子的离子化和激发引起激子的产生，这样，明度和放电效率增加。然而，由于使用高浓度Xe气，初始放电点火电压变高。
发明内容
本发明一方面提供一种能通过沿着放电室的周边设置放电电极并在放电室的对角方向产生相对放电来提高放电效率的等离子体显示面板，并提供一种制造该等离子体显示面板的方法。
本发明另一方面提供一种等离子体显示面板，其中通过在基板和介质墙之间形成空隙，可以充分执行排气过程。
本发明另一方面提供一种能通过将Y电极和寻址电极覆盖在介质墙中而执行高速寻址过程的等离子体显示面板。
本发明另一方面提供一种等离子体显示面板。在一个实施例中，该面板包括i)前基板；ii)面向该前基板设置的后基板；iii)设置在所述前后基板之间以和所述前后基板一起限定放电室的介质墙，并且其具有彼此高度不同的部分；iv)包括X电极和Y电极的维持放电电极对，其嵌入所述介质墙内并围绕所述放电室的放电角设置；v)嵌入所述介质墙并沿着与所述Y电极交叉的方向设置的寻址电极；和vi)形成在所述放电室内的红、绿和蓝荧光粉层。
在一个实施例中，所述介质墙可以包括沿着所述面板的一个方向设置的第一介质墙，和从相邻的第一介质墙延伸以与所述第一介质墙交叉的第二介质墙，并且所述第一介质墙的高度可以低于所述第二介质墙的高度。
在一个实施例中，所述寻址电极可以设置在所述第二介质墙内大致与第二介质墙平行，并且可以不设置在所述第一介质墙内。
在一个实施例中，可以在所述第一介质墙和所述前基板之间形成预定间隙，以提供不纯气体的排气路径。
在一个实施例中，所述X电极可以设置成围绕放电室的第一放电角，并且所述Y电极可以设置成围绕所述放电室内第一放电角的对角方向处的第二放电角。
在一个实施例中，所述X和Y电极可以设置在同一平面内，并且所述寻址电极可以设置在所述Y电极的上部或下部。
本发明的另一方面还提供一种制造等离子体显示面板的方法。在一个实施例中，该方法包括i)准备透明基板；ii)在该基板上形成X电极和Y电极；iii)图形化用于形成第一介质墙的原料，以覆盖所述第一介质墙内的X和Y电极；iv)干燥和烘烤用于所述第一介质墙的原料；v)沿着与所述Y电极交叉的方向在所述第一介质墙的原料上图形化寻址电极；vi)图形化用于形成第二介质墙的原料，以覆盖所述寻址电极；和vii)干燥和烘烤用于所述第二介质墙的原料，以形成彼此具有不同高度的所述第一介质墙和第二介质墙。
在一个实施例中，所述X和Y电极可以沿着放电室的周边设置，以围绕放电室内彼此成对角线的所述放电角。
在一个实施例中，寻址电极可以沿着放电室的周边设置，并可以沿着与所述Y电极交叉的方向形成在Y电极的上部。
在一个实施例中，由于在烘烤过程中的收缩，未形成所述寻址电极处的介质墙的高度可以低于形成所述寻址电极处的介质墙的高度。
下面参照附图描述本发明的实施例。
图1是常规等离子体显示面板的分解透视图。
图2是根据本发明第一实施例的等离子体显示面板的分解透视图。
图3是图2所示的放电电极的布置平面图。
图4是图2所示的放电电极的分解透视图。
图5是图2的等离子体显示面板在面板彼此连接处沿着I-I线的横截面图。
图6是根据本发明第二实施例的等离子体显示面板的横截面图。
具体实施例方式
图2示出根据本发明一个实施例的等离子体显示面板200的一部分。
参见图2，等离子体显示面板200包括前基板210以及与前基板210平行设置的后基板220。
前基板210一般由例如钠钙玻璃的透明基板形成。后基板220典型地由与前基板210相同的材料形成。
介质墙230设置在前基板210与后基板220之间，并和前后基板210和220一起限定了放电室。在一个实施例中，介质墙230通过在玻璃浆中添加多种填充物形成。
在一个实施例中，介质墙230包括沿着面板200的X方向设置的第一介质墙231和沿着面板200的Y方向设置的第二介质墙232。在一个实施例中，第一介质墙231从相邻对的第二介质墙232的内壁向彼此延伸，并且相连的第一和第二介质墙231和232形成矩阵形。
在另一个实施例中，介质墙230可以形成弯曲形、△形、六角形或蜂窝形。在一个实施例中，被介质墙230限定的放电室如果限定放电空间，则可以形成其它的多边形或者形成圆形。
形成维持放电电极对的X电极240和Y电极250以及寻址电极260嵌入介质墙230中。在一个实施例中，X电极240、Y电极250和寻址电极260沿着放电室的周边设置，并且电极240-260彼此电绝缘。
由例如MgO形成的保护层270沉积在介质墙230的内表面上，以发射二次电子。
障壁280形成在介质墙230和后基板220之间。在一个实施例中，不同于介质墙230，障壁280由低介电常数的材料形成。在一个实施例中，障壁280在对应于介质墙230的部分形成与介质墙230相同的形状。
也就是，障壁280包括与第一介质墙231(X方向)平行设置的第一障壁281和与第二介质墙232(Y方向)平行设置的第二障壁282。在一个实施例中，第一和第二障壁281和282形成矩阵形。
在一个实施例中，如果仅介质墙230形成在前后基板210和220之间，放电室就被单一壁所限定。在另一个实施例中，如图2，如果介质墙230和障壁280形成在前后基板210和220之间，则放电室就被具有不同介电性质的材料形成的双壁所限定。
放电气体例如Ne-Xe或He-Xe被注入被前基板210、后基板220、介质墙230和障壁280限定的放电室内。
由放电气体产生的紫外线所激发的红、绿和蓝荧光粉层290形成在放电室内。在一个实施例中，每个荧光粉层290都可以涂覆在放电室内的任何地方。在另一个实施例中，荧光粉层290以本实施例中的预定厚度涂覆在障壁280的内壁上和放电室的上表面上。
红、绿或蓝荧光粉层290涂覆在每个放电室上。在一个实施例中，红荧光粉层由(Y，Gd)BO3:Eu3+形成，绿荧光粉层由Zn2SiO4:Mn2+形成，而蓝荧光粉层由BaMgAl10O17:Eu2+形成。
在一个实施例中，维持放电电极对，也就是X和Y电极240和250，在放电室内成对角线地产生放电。在本实施例中，寻址电极260沿着与Y电极250交叉的方向设置在Y电极250的上部或下部，并且第一和第二介质墙231和232的高度彼此不同。
图3是图2的放电电极的平面图，图4是图3的放电电极的透视图，而图5是面板沿着图3的I-I线的横截面图。
参见图3至图5，等离子体显示面板200包括第一介质墙231和连接在第一介质墙231上的第二介质墙232。在一个实施例中，通过连接第一和第二介质墙231和232形成的放电室310被形成为方形。在一个实施例中，放电室310以彼此间的恒定间隔沿着面板200的X和Y方向连续设置。
X和Y电极240和250以及寻址电极260嵌入介质墙230内。X电极240被设置成围绕放电室310的第一放电角311，而Y电极250被设置成围绕与第一放电角311对角的第二放电角312。此外，寻址电极260与Y电极1250交叉设置。
X电极240包括沿着放电室310的X方向设置的X电极线241。在一个实施例中，X电极线241形成带状。在一个实施例中，一条X电极线241设置在每个第一介质墙231内，并且可以局部地具有不同的体积，以减少线阻抗。
X电极突起242沿着放电室310的Y方向从X电极线241突起。在一个实施例中，X电极突起242从X电极线241整体地形成。X电极突起242的长度与放电室310在Y方向上的一侧一致。一个X电极突起242设置在每个第二介质墙232处。
在一个实施例中，通过连接X电极线241和X电极突起242，X电极240沿着放电室310的X方向形成梳状。
Y电极250从放电室310的面对X电极240的一侧沿着平行于X电极240的方向设置。
Y电极250包括沿着放电室310的X方向设置的Y电极线251。Y电极线251设置在每一个放电室310处，并与X电极线241成对，并且设置在放电室310内的X电极线241的相对侧。在一个实施例中，Y电极线251形成带状，并且一条Y电极线251设置在每个第一介质墙231内。
Y电极突起252沿着放电室310的Y方向从Y电极线251突起。在一个实施例中，Y电极突起252从Y电极线251整体地形成。Y电极突起252的长度与放电室310在Y方向上的一侧一致。一个Y电极突起252设置在每个第二介质墙232处。
如上所述，Y电极线251和Y电极突起252彼此连接，这样，Y电极250就沿着放电室310的X方向形成梳状。
在一个实施例中，X电极线241和X电极突起242围绕第一放电角311。在本实施例中，Y电极线251和Y电极突起252围绕与第一放电角311对角的第二放电角312。在另一个实施例中，如果X和Y电极240和250能在每一个放电室内成对角线地围绕放电角，则它们就不限于上面的结构。
在一个实施例中，寻址电极260设置在Y电极250的上部。寻址电极260与前基板210相邻，而Y电极250与后基板220相邻。在另一个实施例中，寻址电极260可以设置在Y电极250之下。
寻址电极260与Y电极线251交叉，开与Y电极突起252平行设置。一个寻址电极260设置在每个第二介质墙232处。
X电极240、Y电极250和寻址电极260沿着放电室310的周边而不是在放电室310内设置，这意味着这些电极不会阻塞光传榆路径。因此，X、Y和寻址电极240、250和260与面板200的开口率不相关，这样，这些电极240、250和260可以由具有高导电性的不透明材料形成，例如Ag胶或Cr-Cu-Cr。
在一个实施例中，第一介质墙231和第二介质墙232形成为彼此具有不同的高度。
也就是，寻址电极260设置在第二介质墙232内。寻址电极260沿着放电室310的Y方向设置。此外，彼此涉及不同放电室310的X和Y电极突起242和252设置在第二介质墙232内的寻址电极260之下。
在一个实施例中，寻址电极260不设置在第一介质墙231内。此外，彼此涉及不同放电室310的X和Y电极线241和251设置在第一介质墙231内。
在一个实施例中，X和Y电极线241和251以及X和Y电极突起242和252具有相同的厚度并整体地彼此连接。
因此，如图5所示，在第一介质墙231和第二介质墙232的高度之间产生与寻址电极260的厚度相同的间隙(g)。也就是，在上述实施例中，由于寻址电极260安装在第二介质墙232内而不是安装在第一介质墙231内，所以第一介质墙231由于不包括寻址电极260而在烘烤过程中比第二介质墙232缩短得多。因此，第一和第二介质墙231和232在烘烤过程中彼此具有不同的高度，这样就可以在它们之间产生间隙(g)。
下面简要描述制造介质墙230的过程。
前后基板210和220由透明玻璃形成。合适的原料被印制和形成在后基板220上，以形成例如矩阵形的障壁280。形成障壁280后，用于形成红、绿和蓝荧光粉层的原料用颜色重复地涂覆在障壁280内，并且干燥和烘烤以形成红、绿和蓝荧光粉层290。
接下来，印制和形成用于形成X和Y电极的原料，这样，就制成彼此面对在放电室的周边的梳状X和Y电极240和250。
此外，将用于第二介质墙的原料印制、干燥和烘烤在寻址电极260上，以覆盖寻址电极260，这样，可以形成矩阵形的介质墙230。将合适的原料沉积在介质墙230的内表面上以形成保护层270。
这里，在烘烤过程中，不包括寻址电极260的第一介质墙231比包括寻址电极260的第二介质墙232缩短得相对多。
所以，第一和第二介质墙231和232形成为彼此具有不同的高度，并且在第一介质墙231和前基板210之间产生预定的间隙(g)。
间隙(g)提供了在真空排气过程中面板装置中剩余的不纯气体的排气路径，并且不纯气体可以从许多不纯气体剩余处的面板200的中心部分排除，面板中心部分的放电污点可以被排除。
在另一个实施例中，介质墙230、在介质墙230中形成的X和Y电极240和250、寻址电极260可以从前基板210而不是后基板220的内表面形成。
此外，寻址电极260可以设置在X和Y电极240和250之下。因此，如果介质墙具有至少彼此具有不同高度的部分以形成梯状结构并且能形成不纯气体的排气路径，那么介质墙的结构就不限于以上示例。
下面描述具有上述结构的等离子体显示面板200的操作。
当预定的脉冲电压从外部电源施加到寻址电极260和Y电极250之间时，将发射光的放电室310被选择。壁电荷就累积到所选择的放电室310的内侧表面上。
这里，寻址电极260和Y电极250分别设置在介质墙230的上部和下部，并且寻址电极260和Y电极突起252沿着放电室310的Y方向彼此平行设置。
如上所述，由于寻址电极260和Y电极250之间的距离比常规技术的短，所以施加到寻址电极260和Y电极250之间的脉冲电压可以比常规技术的低，常规技术中寻址电极设置在后基板上。此外，寻址电极260和Y电极250之间的寻址速度增加。
此外，当正电压施加到X电极240并且相对更高的电压施加到Y电极250时，壁电荷由于施加到X和Y电极240和250之间的电压差值而移动。
这里，X电极240围绕放电室310的第一放电角311，而Y电极250围绕放电室310的第二放电角312，第二放电角312关于第一放电角311的对角方向设置。
壁电荷与放电室310中的放电气体原子碰撞，以产生放电和等离子体，并且放电从第一角311和第二角312开始，此处强电场被形成并向放电室310扩散。
产生放电后，当X电极240和Y电极250之间的电压差值变得比放电电压低时，不产生放电，并且空间电荷和壁电荷形成在放电室310内。
这里，如果施加到X和Y电极240和250的电压极性变化，放电会在壁电荷的帮助下再次发生。如上所述，当X和Y电极240和250的极性分别变化至相反时，会重复初始放电过程。通过上面重复的过程，放电就以稳定的方式产生。
由放电产生的紫外辐射激发涂敷在放电室310内的荧光粉层290的荧光物质。通过这个过程，可见光从放电室310发射，以显示静止的图像或活动的图片图像。
图6示出根据本发明第二实施例的等离子体显示面板600。
参见图6，等离子体显示面板600包括前基板610和后基板620。介质墙630和障壁680设置在前后基板610和620之间，并在垂直方向上彼此对应。障壁680包括第一障壁681和与第一障壁681交叉的第二障壁682，以形成矩阵形。红、绿和蓝荧光粉层690涂覆在障壁680内部。
这里，X和Y电极640和650沿着放电室的相对侧嵌入介质墙630内，以围绕在放电室内处于同一对角的放电角。寻址电极660设置在Y电极650之下，以与Y电极650交叉。Y电极650与前基板610相邻，寻址电极660与后基板620相邻。
此外，介质墙630包括相应于第一障壁681设置的第一介质墙631和与第一介质墙631交叉以形成矩形的第二介质墙632。
这里，在介质墙630的干燥和烘烤过程中不包括寻址电极660的第一介质墙631比包括寻址电极660的第二介质墙632缩短更多。因此，在前基板610和第一介质墙631之间产生间隙(g)，并且间隙(g)成为真空排气过程中的不纯气体的排气路径。
如上所述，根据本发明实施例的等离子体显示面板和制造面板的方法一般具有下述效果。
由于设置了寻址电极的介质墙和未设置寻址电极的介质墙形成为具有不同的高度，所以在基板和介质墙之间形成预定间隙。因此，通过间隙不纯气体的排放更加完全，这样，减少在面板装置中剩余的不纯气体，并且避免面板中心部分的放电污点。
此外，放电从放电室的放电角开始并向放电室的中心部分扩散，这样，可以提高放电效率。此外，由于在维持放电操作中离子微粒的路径沿着关于荧光粉层的水平方向形成，所以可以避免荧光粉层的离子散射，并且可以增加面板的寿命。
由于Y电极和寻址电极嵌入介质墙内，所以可以缩短电极之间的距离，并且可以执行低电压操作和高速寻址。
此外，放电沿着放电室的侧表面发生，这样，可以获得放电空间更高的利用率。
此外，放电电极、介质层和保护层不是形成在通过其而传送可见光的基板的内表面上，这样，面板的开口率可以显著改善。
虽然上面的描述已经指出了应用在不同实施例中的本发明的新颖特征，但是技术人员应该理解不脱离本发明的范围可以做所述的装置或方法的形式和细节上的各种省略、替换和改变。因此，本发明的范围被所附的权利要求而不是前面的描述所限定。权利要求的等效意义和范围内的所有变化都包含在它们的范围内。
权利要求
1.一种等离子体显示面板，包括前基板；面向该前基板设置的后基板；介质墙，设置在所述前后基板之间，以和所述前后基板一起限定放电室，并且具有彼此高度不同的部分；包括X电极和Y电极的维持放电电极对，嵌入所述介质墙内，并设置成围绕各自放电室的放电角；寻址电极，嵌入所述介质墙内并沿着与所述Y电极交叉的方向设置；和形成在所述放电室中的多种类型的荧光粉层。
2.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述介质墙包括多个在一个方向上形成的第一介质墙和多个与所述多个第一介质墙交叉形成的第二介质墙，其中至少一个所述第一介质墙的高度低于至少一个所述第二介质墙的高度。
3.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中所述寻址电极仅设置在每个第二介质墙中，并且与各自的第二介质墙大致平行。
4.如权利要求3所述的等离子体显示面板，其中在至少一个所述第一介质墙和所述前基板之间形成有预定间隙，以提供不纯气体的排气路径。
5.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述X电极设置成围绕各自放电室的第一放电角，所述Y电极设置成围绕所述放电室的第二放电角，其中所述第二放电角位于与相应的第一放电角的对角处。
6.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述X电极和Y电极彼此大致平行地形成。
7.如权利要求5所述的等离子体显示面板，其中所述X电极包括X电极线，和沿着与所述X电极线一起围绕所述第一放电角的方向从所述X电极线延伸的X电极突起。
8.如权利要求5所述的等离子体显示面板，其中所述Y电极包括Y电极线，和沿着与所述Y电极线一起围绕所述第二放电角的方向从所述Y电极线延伸的Y电极突起。
9.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述X和Y电极设置在同一平面内，并且所述寻址电极设置在所述Y电极之上或之下。
10.如权利要求1所述的等离子体显示面板，进一步包括在所述介质墙和后基板之间的具有相应的所述介质墙形状的障壁，其中每个荧光粉层形成在所述障壁内部。
11.如权利要求1所述的等离子体显示面板，进一步包括形成在所述介质墙的内表面上以增加二次电子发射的保护层。
12.一种制造等离子体显示面板的方法，该方法包括提供透明基板；在所述基板上形成X电极和Y电极；图形化第一原料，以形成覆盖所述X和Y电极的第一介质墙；干燥和烘烤所述图形化的第一原料；沿着与所述Y电极交叉的方向在所述第一原料上图形化寻址电极；图形化第二原料，以形成覆盖所述寻址电极的第二介质墙；和干燥和烘烤所述图形化的第二原料，其中所述第一和第二介质墙彼此具有不同的高度。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述X和Y电极沿着放电室的周边设置，以围绕所述放电室的放电角，其中所述放电角处于对角。
14.如权利要求12所述的方法，其中所述寻址电极沿着放电室的周边设置，并且沿着与所述Y电极交叉的方向形成在所述Y电极的上部。
15.如权利要求12所述的方法，其中所述第一和第二介质墙彼此交叉形成，所述寻址电极仅设置在所述第一和第二介质墙之一内。
16.如权利要求12所述的方法，其中所述第一介质墙的高度低于所述第二介质墙的高度。
17.一种等离子体显示面板，包括光穿过其发射的第一基板；与该第一基板相对的第二基板；和介质墙，覆盖放电电极，设置在所述第一和第二基板之间，以和所述第一和第二基板一起限定放电室，并具有彼此高度不同的部分。
18.如权利要求17所述的等离子体显示面板，其中所述介质墙包括多个沿着第一方向形成的第一介质墙和多个沿着与所述第一方向大致垂直的第二方向形成的第二介质墙，至少一个所述第一介质墙的高度低于至少一个所述第二介质墙的高度，以便在所述较低的介质墙和所述第一基板之间形成预定间隙。
19.一种用于等离子体显示面板PDP的结构，该结构包括多个第一介质墙；多个分别与所述多个第一介质墙交叉设置的第二介质墙，其中所述的每个第一和第二介质墙覆盖所述放电电极，并且其中至少一个所述第一介质墙的高度低于至少一个所述第二介质墙的高度。
20.一种用于等离子体显示面板PDP的结构，该结构包括多个第一介质墙；多个分别与所述第一介质墙交叉设置的第二介质墙，其中所述的每个第一和第二介质墙覆盖所述放电电极，并且其中至少一个所述第一介质墙和至少一个所述第二介质墙形成为在至少一个所述墙和光从其发射的PDP基板之间形成预定的间隙，其中该预定的间隙足够大以提供不纯气体的排气路径。
全文摘要
本发明公开了一种等离子体显示面板及其制造方法。在一个实施例中，该等离子体显示面板包括i)前基板；ii)面向该前基板设置的后基板；iii)设置在所述前后基板之间以和所述前后基板一起限定放电室的介质墙，并且其具有彼此高度不同的部分；iv)包括X电极和Y电极的一对维持放电电极，其嵌入所述介质墙内并围绕所述放电室的放电角设置；v)嵌入所述介质墙并沿着与所述Y电极交叉的方向设置的寻址电极；和vi)涂敷在所述放电室内的红、绿和蓝荧光粉层。在一个实施例中，由于所述寻址电极分别形成和未形成处的介质墙部分之间的高度差，在所述前基板和介质墙之间形成预定间隙。因此，可以充分执行不纯气体的排气，这样可以减少不纯气体并且可以排出面板中心部分的放电污点。
文档编号H01J11/24GK1737982SQ20051009280
公开日2006年2月22日 申请日期2005年8月18日 优先权日2004年8月18日
发明者宋正锡 申请人:三星Sdi株式会社