专利名称：等离子体显示面板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及等离子体显示面板(PDP)及其制造方法。更具体而言，本发明涉及具有实现高清晰度和高效率的放电室结构及其制造方法。
背景技术：
等离子体显示面板(PDP)通常是这样一种显示器通过气体放电产生的等离子体发出的真空紫外(VUV)线激发荧光物质发射出红、绿和蓝可见光，从而产生图像。这种PDP可实现尺寸超过60英寸(约152.4cm)的大屏幕显示器，而将厚度保持在10cm之内。如同诸如阴极射线管(CRT)的发光显示器那样，PDP具有良好的颜色再现性并且不随视角的变化而发生失真。与液晶显示器(LCD)相比，PDP的优点在于制造工艺简单，导致生产率高和成本低。结果，PDP已经成为用于家庭和工业的一种很有前景的平板显示器。
自从20世纪70年代以来，持续很长时间来对PDP的结构进行研究，并且目前其众所周知的结构为三电极表面放电结构。这种三电极表面放电PDP的结构包括同一表面上设有两种电极的第一基板；与第一基板分隔开且其上沿与第一基板上的电极相交的方向形成有寻址电极的第二基板；和包含在第一与第二基板所密封空间内的放电气体。通常PDP放电室的导通/关断由寻址电极和与寻址电极面对的单独控制的扫描电极之间所发生的寻址放电来决定，并且决定亮度的维持放电受设置在同一表面上的双电极组影响。
近来，市场上出现的PDP的特征为42英寸显示板XGA(1024×768)分辨率，不过，对于具有更高分辨率到至高清晰度(HD)的显示器的需求却不断增长。为了在PDP上产生具有至高清晰度(1920×1080)分辨率的图像，必须减小PDP中放电室的尺寸，即，实现高清晰度。
在具有传统三电极表面放电结构的PDP中，放电室尺寸的减小意味着电极长度和面积这两者的减小。因而，这会引起点火电压增大，并且造成PDP的亮度和效率都下降。由于PDP需要更高分辨率，因此，对结构不同于传统三电极表面放电结构的PDP的需求不断增长，在传统放电结构中，寻址和维持放电分别以对向放电(face discharge)和表面放电(surfacedischarge)形式发生。
发明内容
本发明提供一种等离子体显示面板(PDP)，其具有的放电室的结构可在一对显示电极之间引起用于维持放电的对向放电，以便克服小放电室内部发生放电的缺点。
本发明还提供一种等离子体显示面板(PDP)的制造方法，这种等离子体显示面板具有的放电室的结构可引起用于维持放电的对向放电，并且通过蚀刻出平滑的放电表面而形成这种放电室，且缩短制造时间。
根据本发明一个实施例，等离子体显示面板(PDP)的制造方法包括在基板上形成第一电极；在基板上形成覆盖第一电极的第一介电层；形成覆盖第一介电层的第二介电层；在第二介电层上涂覆抗蚀剂；构图抗蚀剂；用经过构图的抗蚀剂作为保护层来蚀刻第二介电层，以形成用于电极形成的凹入区和用于放电空间形成的凹入区；用电极糊填充用于电极形成的凹入区，以形成第二电极和第三电极；在第二介电层的一部分上形成第三介电层，以覆盖填充有电极糊的用于电极形成的凹入区。
第一电极优选每个都包括沿第一方向延伸形成的汇流电极，和从汇流电极、沿与第一方向相交的第二方向延伸出的伸出电极。
将第二介电层优选形成得厚于第一介电层。
第一介电层优选由抗蚀刻介电材料形成。
第二介电层优选由可蚀刻介电材料形成。
用于电极形成的凹入区优选沿与第一电极的延伸方向相交的方向延伸而形成。
形成用于电极形成的凹入区和用于放电空间形成的凹入区的步骤优选包括在第二介电层上涂覆抗蚀剂；通过曝光和显影将抗蚀剂构图；并且将蚀刻剂喷射到抗蚀剂和暴露出的第二介电层上以蚀刻第二介电层。
在第二介电层上涂覆抗蚀剂的步骤优选包括涂覆光致抗蚀剂或干膜抗蚀剂。
优选，将用于放电空间形成的凹入区形成得宽于用于电极形成的凹入区。将用于放电空间形成的凹入区优选形成得深于用于电极形成的凹入区。将用于电极形成的凹入区优选形成为连续凹槽。将用于放电空间形成的凹入区优选形成为连续凹槽。或者，将用于放电空间形成的凹入区可以间断地形成为多个平行排列的独立放电空间。
用电极糊填充凹入区的步骤优选包括用银糊填充用于电极形成的凹入区。用电极糊填充用于电极形成的凹入区的步骤优选包括，用分配器填充用于电极形成的凹入区。
优选通过图案印刷方法，将填充用于电极形成的凹入区的电极糊形成在用于电极形成的凹入区中。
第三介电层优选通过图案印刷方法来形成。
该方法在形成第三介电层之后，优选还包括烘烤第三介电层。
根据本发明另一实施例，等离子体显示面板(PDP)的制造方法包括在第一基板上形成第一电极；在第一基板上形成覆盖第一电极的第一介电层；在第二基板上形成第二介电层；在第二介电层上涂覆抗蚀剂；构图抗蚀剂；用经过构图的抗蚀剂作为保护层来蚀刻第二介电层，以形成用于电极形成的凹入区和用于放电空间形成的凹入区；用电极糊填充用于电极形成的凹入区，以形成第二电极和第三电极；以及接合第一基板与第二基板。
优选沿与第一电极的延伸方向相交的方向延伸形成用于电极形成的凹入区。
将第二介电层优选形成得比第一介电层厚。
形成用于电极形成的凹入区和用于放电空间形成的凹入区的步骤优选包括在第二介电层上涂覆抗蚀剂；通过曝光和显影来构图抗蚀剂；并且将蚀刻剂喷射到抗蚀剂和暴露出的第二介电层上，以蚀刻第二介电层。
在第二介电层上涂覆抗蚀剂的步骤优选包括涂覆光致抗蚀剂或干膜抗蚀剂。
将用于放电空间形成的凹入区优选形成得宽于用于电极形成的凹入区。将用于放电空间形成的凹入区优选形成得深于用于电极形成的凹入区。将用于电极形成的凹入区优选形成为连续凹槽。将用于放电空间形成的凹入区优选形成为连续凹槽。或者，可以将用于放电空间形成的凹入区优选间断地形成为多个平行排列的独立放电空间。
用电极糊填充凹入区的步骤优选包括用银糊填充用于电极形成的凹入区。用电极糊填充用于电极形成的凹入区的步骤优选包括，用分配器填充用于电极形成的凹入区。
优选通过图案印刷方法，将填充用于电极形成的凹入区的电极糊形成在用于电极形成的凹入区中。
根据本发明另一实施例，等离子体显示面板(PDP)包括第一基板和第二基板，所述第一基板与第二基板彼此相对地设置；在第一基板与第二基板之间的空间中限定的多个放电室；在第一基板上沿第一方向彼此平行设置的第一电极；在第一基板上沿与第一方向相交的第二方向设置的第二电极和第三电极，第二电极和第三电极分别与每个放电室相对应，并且与第一电极间隔开；设置在每个放电室内部的荧光层；以及围绕第二电极和第三电极的介电层，第二电极和第三电极从第一基板沿朝向第二基板的第三方向伸出；并且，第二电极与第三电极彼此相对地设置，且它们之间具有放电空间，每个放电空间在相应第二电极与相应第三电极相对的位置处具有最大内部宽度。
该PDP优选还包括弯曲的放电表面，在所述放电表面上有介电层围绕第二电极和第三电极，并且该放电表面暴露于放电空间。
该PDP优选还包括设置成覆盖第一电极并且将第一电极与第二电极和第三电极分隔开的介电层，所述介电层包括抗蚀刻介电材料。
该PDP优选还包括围绕第二电极和第三电极的介电层，该介电层包括可蚀刻介电材料。
第二电极和第三电极优选设置在放电室的边界上，沿其边界延伸并且交替地设置。
当结合附图考虑时，通过参考下面的详细描述能够更好地理解本发明，因而本发明更完全的理解以及其众多附加优点将是显而易见的，在附图中，相同附图标记表示相同或相似部件。
图1为根据本发明第一实施例的拆开后的等离子体显示面板(PDP)的局部透视图。
图2为根据本发明第一实施例PDP的电极和放电室结构的平面图。
图3为根据本发明第一实施例的变型例中PDP的电极和放电室结构的平面图。
图4为沿图1中剖线IV-IV作出的装配好的PDP的局部剖面图。
图5为根据本发明第一实施例的PDP的制造方法的流程图。
图6A到6F为根据本发明第一实施例的PDP在其制造过程中的剖面图。
图7为在根据本发明第一实施例的PDP的制造方法中，通过蚀刻第二介电层形成的用于电极形成的凹入区和用于放电空间形成的凹入区的一种示例结构的平面图。
图8为在根据本发明第一实施例的PDP的制造方法中，通过蚀刻第二介电层形成的用于电极形成的凹入区和用于放电空间形成的凹入区的另一种示例结构的平面图。
图9为根据本发明第二实施例的PDP的制造方法的流程图。
图10A到10E为根据本发明第二实施例的PDP在其制造过程中的剖面图。
具体实施例方式
下面，将参照附图详细描述本发明的实施例。不过，本发明可具有不同形式，不限于这些实施例。
在本发明的第一实施例中，如图1中所示，等离子体显示面板(PDP)包括后基板10和前基板20，这两个基板彼此平行地设置并且彼此分隔开。形成障肋16，用于在后基板10与前基板20之间的空间中限定多个放电室18(discharge cell)。在放电室18的底面上和限定放电室18的障肋16的表面上形成荧光层19，用于吸收紫外线、从而发射出可见光，并且在放电室18中充满放电气体(例如，氙与氖的气体混合物)。
在前基板20的内表面上沿某一方向(在附图中为y方向)彼此平行地形成寻址电极32，所述内表面面对后基板10。介电层28形成在前基板20的整个内表面上，并且覆盖寻址电极32。寻址电极32平行于相邻寻址电极32而形成，并且分隔开预定距离。
在寻址电极32上形成显示电极25，显示电极25通过介电层28与寻址电极32电隔离。
在后基板10上形成障肋16。在本实施例中，障肋16包括沿寻址电极32的延伸方向延伸形成的第一障肋元件16a，和沿与第一障肋元件16a相交的方向延伸形成的第二障肋元件16b，从而将每个放电室18限定为独立的放电空间。
这样一种障肋结构并不限制本发明的范围。不仅具有仅沿寻址电极的方向形成的障肋元件的条形结构障肋，而且限定放电室的各种结构的障肋均落入本发明的范围之内。
在另一实施例中，可以在后基板10上所形成的介电层的顶部上形成障肋16。
图2为本发明第一实施例的PDP的电极和放电室结构的平面图。
如图2中所示，显示电极25包括维持电极21和扫描电极23，这两个电极与每个放电室18相对应，且沿着与寻址电极32相交的方向(附图中的x方向)延伸。维持电极21作为提供放电维持周期期间的放电所需电压的电极，扫描电极23作为提供在复位周期、寻址周期和放电维持周期期间所需的相应电压的电极。因此，扫描电极23与复位周期、寻址周期和放电维持周期有关，维持电极主要与放电维持周期有关。然而，每个电极的作用可随提供给其的电压而改变，本发明不限于上述作用。
维持电极21和扫描电极23形成在放电室18的边界上，并且沿其边界延伸，且交替地设置。
在本实施例中，寻址电极32包括汇流电极32b和伸出电极32a，其中汇流电极32b靠近放电室18的一个边形成，并且沿放电室18的这个边延伸，而伸出电极32a从汇流电极32b朝向放电室18的相对边伸出。
伸出电极32a可以是透明的，由例如氧化铟锡(ITO)制造而成，以便实现高孔径比。优选地，汇流电极32b由金属材料制造而成，从而实现高导电性，用以补偿透明电极的高电阻。在根据本实施例的PDP中，伸出电极32a是平面的矩形形状。然而，考虑放电室18内部的放电特性，可改变伸出电极的形状。
图3为本发明第一实施例的变型例中PDP的电极和放电室结构的平面图。
如图3中所示，在第一障肋元件16a上面且沿第一障肋元件16a方向设置寻址电极32’的汇流电极32’b。形成伸出电极32’a，使其朝向放电室18的中心延伸，从而至少部分地覆盖放电室18。
图4为沿图1中的剖面线IV-IV作出的装配好的PDP的局部剖面图。
在根据本实施例的PDP中，如图4中所示，维持电极21和扫描电极23均沿着远离前基板20的方向(附图中的-z方向)朝后基板10伸出，从而这两个电极彼此相对，且两者之间具有一定的空间。该空间能够在彼此相对的维持电极21与扫描电极23之间引起对向放电。
此外，可以将维持电极21和扫描电极23形成为，使其横截面(与两电极的延伸方向垂直的剖面)在与基板10和20的表面垂直的方向(附图中的z方向)宽于与基板10和20的表面平行的方向(附图中的y方向)。换言之，可将维持电极21和扫描电极23形成为距前基板20的高度大于宽度。因而，通过增大维持电极21和扫描电极23的高度，可补偿高清晰度PDP所需的放电室的平面面积(投影到基板上的平面面积)的减少。
在本实施例中，维持电极21和扫描电极23在与形成寻址电极32的层不同的层中形成，并且彼此电隔离。为此，介电层28包括第一介电层28a、第二介电层28b和第三介电层28c。将第一介电层28a形成为覆盖前基板20上的寻址电极32。将第二介电层28b和第三介电层28c形成在第一介电层28a上面，从而围绕维持电极21和扫描电极23。第二介电层28b覆盖每一个维持电极21和扫描电极23的两个侧面，第三介电层28c覆盖每一个维持电极21和扫描电极23的与后基板10相对、即与障肋16相对的表面。
第一介电层28a可由铅(Pb)基抗蚀刻介电材料制造而成，第二介电层28b可由钡化锌(ZnBa)基可蚀刻介电材料制造而成。第三介电层28c可由铅(Pb)或钡化锌(ZnBa)基介电材料制造而成。优选将维持电极21和扫描电极23形成为金属电极，且可由例如银(Ag)制造而成。
第一介电层28a、第二介电层28b和第三介电层28c可覆盖有氧化镁(MgO)保护层29，用以保护介电层在等离子体放电期间不会被离子撞击。这种MgO保护层29能够因离子撞击产生的高二次电子发射系数而增大放电效率。
在维持电极21与扫描电极23相对的位置处，可将由第一介电层28a，第二介电层28b和第三介电层28c限定的放电空间18a形成为具有最大的内部宽度L。如图4所示，可沿着与维持电极21或扫描电极23的延伸方向相交的方向标出放电空间18a的内部宽度L。为了使放电空间18a具有大的内部宽度L，将覆盖维持电极21或扫描电极23的第二介电层28b形成得相对较薄，以便减小放电电压，这是因为当在维持电极21与扫描电极23之间施加电压时，电场很容易发生集聚。此外，放电空间18a的体积增大，会增大其中产生的等离子体的体积。
此外，可将第二介电层28b的放电表面33形成为弯曲的，且放电表面33暴露于放电空间18a的内部。如果MgO保护层29覆盖第二介电层28b，则第二介电层28b实际上没有暴露于放电空间18a的内部。然而，可以将放电表面33定义为面对放电空间18a的内部的表面。
如上所述，根据本实施例的PDP具有处于前基板20上的寻址电极32，从而由后基板10上形成的障肋所限定的放电空间体积增大，这是因为与放电空间18内部的放电有关的所有电极，都处于前基板20上面。因此，由于涂覆荧光物质的面积增大，因而可提高PDP的发光效率。此外，由于在电极与放电空间之间没有荧光物质，因而可避免因荧光物质上所积累电荷引起的离子溅射而缩短荧光物质的寿命。
由于扫描电极23和寻址电极32均与寻址放电有关，因此通过彼此紧靠地设置扫描电极23和寻址电极32，可降低寻址电压。而且，通过在维持电极21与扫描电极23之间引发对向放电，可实现众所周知的可获得良好发光效率的长间隙放电。结果，与传统表面放电结构相比，可实现更高发光效率。此外，可解决具有小放电室(用于获得高清晰度)的传统表面放电结构中存在的诸如亮度和发光效率均下降和点火电压升高的主要问题。
下面，将详细描述上述PDP的制造方法。
图5为根据本发明第一实施例的PDP的制造方法的流程图，图6A到6F为根据本发明第一实施例的PDP在其制造过程中的剖面图。
首先，在基板40上形成第一电极43(S11)(参见图6A)。
每个第一电极43包括沿第一方向延伸的汇流电极43b，和沿与第一方向相交的第二方向延伸的伸出电极43a。第一电极43的多个汇流电极43b彼此平行地设置，并且可由金属制造而成。伸出电极43a优选由透明材料，例如氧化铟锡(ITO)制造。
相应地，所形成的第一电极43作为寻址电极，在寻址周期期间向其施加寻址电压时用于选择要导通的放电室。
然后，在基板40上形成的覆盖第一电极43的第一介电层45(S12)(参见图6A)。
可通过烘干/烘烤利用丝网印刷方法涂覆的介电糊来形成第一介电层45。作为丝网印刷方法的一种替代方式，可通过层压机将介电片(生片)层叠到前基板40上，或者可通过涂覆机来涂覆介电糊。
第一介电层45可由铅(Pb)基抗蚀刻介电材料制造而成。
接下来，形成覆盖第一介电层45的第二介电层47(S13)(参见图6B)。
可通过烘干/烘烤利用丝网印刷方法涂覆的介电糊来形成第二介电层47。作为丝网印刷方法的一种替代方式，可通过层压机将介电片(生片)层叠到第一介电层45上，或者可通过涂覆机来涂覆介电糊。
将第二介电层47的厚度形成得大于第一介电层45的厚度。由于将第二介电层47蚀刻掉来形成用于电极形成的凹入区48和用于放电空间形成的凹入区46，因而优选将第二介电层47的厚度形成得对于放电所需的空间而言足够厚。
第二介电层47可由钡化锌(ZnBa)基可蚀刻介电材料制造而成。
然后，在第二介电层47的顶面上涂覆抗蚀剂75，并对抗蚀剂75进行构图(S14)(参见图6B)。
可使用光致抗蚀剂或干膜抗蚀剂作为抗蚀剂75。可根据蚀刻剂来选择光致抗蚀剂或干膜抗蚀剂。更具体而言，干膜抗蚀剂用作固相蚀刻材料，光致抗蚀剂用作液相蚀刻材料。
为了对抗蚀剂75进行构图，用具有预定图案的光掩模覆盖抗蚀剂75，暴露于光源(例如，紫外线)下，然后用显影液进行显影。该过程界定出将要成为用于电极形成的凹入区48的区域，和将要成为用于放电空间形成的凹入区46的区域。
接下来，用经过构图的抗蚀剂75作为保护层，通过蚀刻第二介电层47来同时形成用于电极形成的凹入区48和用于放电空间形成的凹入区46(S15)(参见图6C和6D)。
更具体而言，通过喷嘴80将蚀刻剂喷射到经过构图的抗蚀剂75的顶部。这样，第二介电层47上穿过经过构图的抗蚀剂75暴露出的区域被蚀刻以形成凹入区，而暴露的区域保持原样，从而形成保护第二电极50和第三电极51的介电层。
用于电极形成的凹入区48沿着与第一电极43的延伸方向相交的方向延伸形成，并且形成为连续凹槽。
如图7中所示，用于放电空间形成的凹入区46可以间断地形成为多个平行排列的独立放电空间。或者，如图8中所示，可将用于放电空间形成的凹入区46’形成为连续凹槽。
在另一实施例中，用于放电空间形成的凹入区46的宽度Wd可以宽于用于电极形成的凹入区48的宽度We。用于放电空间形成的凹入区46可以深于用于电极形成的凹入区48。
然后，用电极糊填充用于电极形成的凹入区48，以形成第二电极50和第三电极51(S16)(参见图6E)。
可通过分配器将电极糊填充到用于电极形成的凹入区48中，或者，可通过图案印刷方法将电极糊形成在用于电极形成的凹入区48中。可使用银(Ag)作为用来填充用于电极形成的凹入区48的电极糊。
与传统的表面放电PDP相比，对向放电PDP要求电极大约厚10倍。此外，由于电极形成在介电层的内部，所以电极在烘烤过程中不会发生氧化，并且保持附着到介电材料上。银(Ag)糊为具有不可氧化金属粉末的浆糊。因而，本实施例可使用银(Ag)糊。根据本发明的制造方法，通过用银(Ag)糊填充用于电极形成的凹入区48，可同时解决烘烤处理过程中诸如电极收缩和电极氧化的问题。
此外，通过蚀刻形成用于放电空间形成的凹入区46，以便用作放电表面的介电层的表面粗糙度变得比较光滑。这样也能够提高放电表面上沉积的MgO保护层的密度和均匀度。
第二电极50和第三电极51分别用作扫描电极和维持电极。即，当在寻址周期期间将扫描脉冲电压提供给第二电极50时，第二电极50起扫描电极的作用，当在放电维持周期期间将维持脉冲电压提供给第三电极51时，第三电极51起维持电极的作用。由于每个电极的作用可随施加给其的电压而改变，因而第二电极50可用作维持电极，并且第三电极51可用作扫描电极。
接下来，在第二介电层47上局部地形成第三介电层52，以便覆盖填充有电极糊的用于电极形成的凹入区48(S17)(参见图6F)。
优选按照这样一种方式形成覆盖用于电极形成的凹入区48的第三介电层52，即，仅在第二介电层47的与用于电极形成的凹入区48相邻的区域上形成第三介电层52。可通过图案印刷方法来形成这样的第三介电层52。
在形成第三介电层52之后，可同时烘烤用于电极形成的凹入区48中的电极糊和介电层52。
在上述过程之后，通过接合形成有电极的前基板与形成有障肋的另一基板(后基板)来完成PDP，并在障肋所限定的放电室上形成荧光层。可通过蚀刻基板(后基板)上所涂覆的障肋材料来形成放电室。还可以通过蚀刻基板(后基板)本身来形成放电室。
图9为根据本发明第二实施例的PDP制造方法的流程图。图10A到10E为根据本发明第二实施例的PDP在其制造过程中的剖面图。
首先，在基板60上形成第一电极61(S21)(参见图10A)。
每个第一电极61包括沿第一方向延伸的汇流电极61b，和沿与第一方向相交的第二方向延伸的伸出电极61a。第一电极61的多个汇流电极61b彼此平行地形成，并且可由金属制造而成。伸出电极61a优选是透明电极，并且可由例如氧化铟锡(ITO)制造而成。
因而，所形成的第一电极61可作为寻址电极，当寻址周期期间向其施加寻址电压时，用于选择将被导通的放电室。
然后，在基板60上形成覆盖第一电极61的第一介电层63(S22)(参见图10A)。
可通过干燥/烘烤利用丝网印刷方法涂覆的介电糊来形成第一介电层63。作为丝网印刷方法的一种替代方式，可通过层压机将介电片(生片)层叠到前基板60上，或者可通过涂覆机来涂覆介电糊。
接下来，在第二基板65上形成第二介电层67(S23)(参见图10B)。
第二介电层67也可以通过干燥/烘烤利用丝网印刷方法所涂覆的介电糊来形成。作为丝网印刷方法的一种替代方式，可通过层压机将介电片(生片)层叠到第二基板65上，或者可通过涂覆机来涂覆介电糊。
将第二介电层67的厚度形成得大于第一介电层63的厚度。由于将第二介电层67蚀刻掉来形成用于电极形成的凹入区68和用于放电空间形成的凹入区66，因而优选将第二介电层67形成得对于放电所需的空间而言足够厚。
之后，在第二介电层67的顶部涂覆抗蚀剂75，并将抗蚀剂75构图(S24)(参见图10B)。
可使用光致抗蚀剂或干膜抗蚀剂作为抗蚀剂75。可根据蚀刻材料来选择光致抗蚀剂或干膜抗蚀剂。
为了对抗蚀剂75进行构图，用具有预定图案的光掩模覆盖抗蚀剂75，暴露于光源(例如紫外线)下，并用显影液来显影。该过程界定出将要成为用于电极形成的凹入区68的区域，和将要成为用于放电空间形成的凹入区66的区域。
接下来，用经过构图的抗蚀剂75作为保护层，通过蚀刻第二介电层67，同时形成用于电极形成的凹入区68和用于放电空间形成的凹入区66(S25)(参见图10C)。
更具体而言，当将蚀刻剂喷射到经过构图的抗蚀剂75的顶部时，第二介电层67穿过经过构图的抗蚀剂75暴露出的区域被蚀刻掉，以便形成凹入区，而未露出的区域保持原样，从而形成用于保护第二电极69和第三电极70的介电层。
将用于电极形成的凹入区68形成为沿着与第一电极61的延伸方向相交的方向延伸，并且为连续凹槽。
可以将用于放电空间形成的凹入区66间断地形成为并行排列的多个独立放电空间，或者，用于放电空间形成的凹入区也可以为连续凹槽。
在另一实施例中，将用于放电空间形成的凹入区66形成得要宽于用于电极形成的凹入区68。将用于放电空间形成的凹入区66形成得要深于用于电极形成的凹入区68。
然后，用电极糊填充用于电极形成的凹入区68，从而形成第二电极69和第三电极70(S26)(参见图10D)。
可通过分配器将电极糊填充到用于电极形成的凹入区68中，或者，可通过图案印刷方法将电极糊填充在用于电极形成的凹入区68中。可使用银(Ag)糊作为用来填充用于电极形成的凹入区68的电极糊。
第二电极69和第三电极70分别作为扫描电极和维持电极。即，当在寻址周期期间将扫描脉冲电压提供给第二电极69时，第二电极69起扫描电极的作用，当在放电维持周期期间将维持脉冲电压输送给第三电极70时，第三电极70起维持电极的作用。由于每个电极的作用可随施加给其的电压而改变，因而第二电极69可用作维持电极，第三电极70可用作扫描电极。
最后，将第一基板60与第二基板65彼此接合(S27)(参见图10E)。
在接合过程中，在上面形成有第一电极61和第一介电层63的第一基板60与上面形成有第二电极69、第三电极70和第二介电层67的第二基板65的接合之处，第一介电层63覆盖第二电极69和第三电极70所填充的用于电极形成的凹入区68。或者，在形成有覆盖填充了第二电极69和第三电极70的用于电极形成的凹入区68的另一介电层之处，可将第一基板60与第二基板65接合。
尽管上面详细描述了本发明的实施例，应当清楚了解的是，对此处教导的基本发明原理的多种改变和/或变型仍然处于所附权利要求限定的本发明精神和范围之内。
权利要求
1.一种等离子体显示面板(PDP)的制造方法，包括在基板上形成第一电极；在基板上形成覆盖第一电极的第一介电层；形成覆盖第一介电层的第二介电层；在第二介电层上涂覆抗蚀剂；对抗蚀剂进行构图；用经过构图的抗蚀剂作为保护层，蚀刻第二介电层，以形成用于电极形成的凹入区和用于放电空间形成的凹入区；用电极糊填充用于电极形成的凹入区，以形成第二电极和第三电极；以及在第二介电层的一部分上形成第三介电层，以覆盖填充有电极糊的用于电极形成的凹入区。
2.如权利要求1所述的PDP制造方法，其中所述第一电极每个包括沿第一方向延伸形成的汇流电极，和从汇流电极、沿着与第一方向相交的第二方向延伸的伸出电极。
3.如权利要求1所述的PDP制造方法，其中将所述第二介电层形成得厚于第一介电层。
4.如权利要求1所述的PDP制造方法，其中所述第一介电层由抗蚀刻介电材料形成。
5.如权利要求1所述的PDP制造方法，其中所述第二介电层由可蚀刻介电材料形成。
6.如权利要求1所述的PDP制造方法，其中所述用于电极形成的凹入区是沿着与第一电极的延伸方向相交的第二方向延伸而形成的。
7.如权利要求1所述的PDP制造方法，其中形成用于电极形成的凹入区和用于放电空间形成的凹入区的步骤包括在第二介电层上涂覆抗蚀剂；通过曝光和显影对抗蚀剂进行构图；以及将蚀刻剂喷射到抗蚀剂和暴露出的第二介电层上，以蚀刻第二介电层。
8.如权利要求7所述的PDP制造方法，其中，在第二介电层上涂覆抗蚀剂的步骤包括涂覆光致抗蚀剂或干膜抗蚀剂。
9.如权利要求1所述的PDP制造方法，其中，将用于放电空间形成的凹入区形成得宽于用于电极形成的凹入区。
10.如权利要求1所述的PDP制造方法，其中，将用于放电空间形成的凹入区形成得深于用于电极形成的凹入区。
11.如权利要求1所述的PDP制造方法，其中，将用于电极形成的凹入区形成为连续凹槽。
12.如权利要求1所述的PDP制造方法，其中，将用于放电空间形成的凹入区形成为连续凹槽。
13.如权利要求1所述的PDP制造方法，其中，将用于放电空间形成的凹入区间断地形成为平行排列的多个独立放电空间。
14.如权利要求1所述的PDP制造方法，其中，用电极糊填充凹入区的步骤包括用银糊填充用于电极形成的凹入区。
15.如权利要求1所述的PDP制造方法，其中，用电极糊填充用于电极形成的凹入区的步骤包括用分配器填充用于电极形成的凹入区。
16.如权利要求1所述的PDP制造方法，其中，通过构图印刷方法将用来填充用于电极形成的凹入区的所述电极糊形成在用于电极形成的凹入区中。
17.如权利要求1所述的PDP制造方法，其中，通过图案印刷方法形成所述第三介电层。
18.如权利要求1所述的PDP制造方法，还包括在形成第三介电层之后烘烤所述第三介电层。
19.一种等离子体显示面板(PDP)的制造方法，包括在第一基板上形成第一电极；在第一基板上形成覆盖第一电极的第一介电层；在第二基板上形成第二介电层；在第二介电层上涂覆抗蚀剂；对抗蚀剂进行构图；用经过构图的抗蚀剂作为保护层，蚀刻第二介电层，以形成用于电极形成的凹入区和用于放电空间形成的凹入区；用电极糊填充用于电极形成的凹入区，以形成第二电极和第三电极；以及接合第一基板与第二基板。
20.如权利要求19所述的PDP制造方法，其中所述用于电极形成的凹入区是沿着与第一电极的延伸方向相交的方向延伸而形成的。
21.如权利要求19所述的PDP制造方法，其中所述第二介电层形成得厚于第一介电层。
22.如权利要求19所述的PDP制造方法，其中所述形成用于电极形成的凹入区和用于放电空间形成的凹入区的步骤包括在第二介电层上涂覆抗蚀剂；通过曝光和显影将抗蚀剂构图；以及将蚀刻剂喷射到抗蚀剂和暴露出的第二介电层上，以蚀刻第二介电层。
23.如权利要求22所述的PDP制造方法，其中，在第二介电层上涂覆抗蚀剂的步骤包括涂覆光致抗蚀剂或干膜抗蚀剂。
24.如权利要求19所述的PDP制造方法，其中，将所述用于放电空间形成的凹入区形成得宽于用于电极形成的凹入区。
25.如权利要求19所述的PDP制造方法，其中，将所述用于放电空间形成的凹入区形成得深于用于电极形成的凹入区。
26.如权利要求19所述的PDP制造方法，其中，将所述用于电极形成的凹入区形成为连续凹槽。
27.如权利要求19所述的PDP制造方法，其中，将所述用于放电空间形成的凹入区形成为连续凹槽。
28.如权利要求19所述的PDP制造方法，其中，将所述用于放电空间形成的凹入区间断地形成为平行排列的多个独立放电空间。
29.如权利要求19所述的PDP制造方法，其中，用电极糊填充所述凹入区的步骤包括用银糊填充用于电极形成的凹入区。
30.如权利要求19所述的PDP制造方法，其中，用电极糊填充用于电极形成的凹入区的步骤包括用分配器填充用于电极形成的凹入区。
31.如权利要求19所述的PDP制造方法，其中，通过图案印刷方法将用来填充用于电极形成的凹入区的所述电极糊形成在用于电极形成的凹入区中。
32.一种等离子体显示面板(PDP)，包括第一基板和第二基板，所述第一基板与第二基板彼此相对地设置；在第一基板与第二基板之间的空间中限定的多个放电室；在第一基板上沿第一方向彼此平行设置的第一电极；在第一基板上沿与第一方向相交的第二方向设置的第二电极和第三电极，所述第二电极和第三电极分别与每个放电室相对应，并且与第一电极分隔开；设置在每个放电室内部的荧光层；以及围绕第二电极和第三电极的介电层，所述第二电极和第三电极从第一基板、沿朝向第二基板的第三方向伸出；并且其中所述第二电极与第三电极彼此相对地设置，在它们之间具有放电空间，每个放电空间在相应第二电极与相应第三电极相对的位置处具有最大的内部宽度。
33.如权利要求32所述的PDP，还包括弯曲的放电表面，在所述放电表面上介电层围绕第二电极和第三电极，该放电表面暴露于放电空间。
34.如权利要求32所述的PDP，还包括覆盖第一电极并且将第一电极与第二电极和第三电极分隔开的介电层，所述介电层包括抗蚀刻介电材料。
35.如权利要求32所述的PDP，还包括围绕第二电极和第三电极的介电层，所述介电层包括可蚀刻介电材料。
36.如权利要求32所述的PDP，其中所述第二电极和第三电极设置在所述放电室的边界上，并且沿放电室的边界延伸，且交替地设置。
全文摘要
本发明公开了等离子体显示面板(PDP)及其制造方法，该等离子体显示面板具有的放电室结构可实现高清晰度和高效率，所述制造方法包括在基板上形成第一电极；在基板上形成覆盖第一电极的第一介电层；形成覆盖第一介电层的第二介电层；在第二介电层上涂覆抗蚀剂；对抗蚀剂进行构图；用经过构图的抗蚀剂作为保护层，蚀刻第二介电层，以形成用于电极形成的凹入区和用于放电空间形成的凹入区；用电极糊填充用于电极形成的凹入区，以形成第二电极和第三电极；以及在第二介电层的一部分上形成第三介电层，以覆盖填充有电极糊的用于电极形成的凹入区。
文档编号H01J11/38GK1949435SQ20061015240
公开日2007年4月18日 申请日期2006年9月25日 优先权日2005年10月13日
发明者黄镛式, 金贞男, 辛慧媛, 梁鹤哲, 曺台升 申请人:三星Sdi株式会社