专利名称：：用于制备电子发射器的水基复合物及使用其制备的发射器的制作方法
技术领域：
：本发明的方案涉及水基复合物，其用于形成电子发射器并包括含碳化合物、硅酸盐化合物和水，还涉及使用水基复合物制备的电子发射器和包括电子发射器的电子发射器件；更具体地，涉及水基复合物，其用于形成电子发射器并适于形成特别的或勾画干净的图案，还涉及使用水基复合物制备的电子发射器和包括电子发射器的电子发射器件，在该水基复合物中残余碳的含量很小。
背景技术：
：通常，电子发射器件被分为热电极型电子发射器件，在其中热电极作为电子发射器，和冷电极型电子发射器件，在其中冷电极作为电子发射器。冷电极型电子发射器件的例子为场发射器阵列(FEA,fieldemitterarray)型电子发射器件、表面传导发射器(SCE,surfaceconductionemitter)型电子发射器件、金属绝缘体金属(MIM)型电子发射器件、金属绝缘体半导体(MIS)型电子发射器件和弹道电子表面发射(BSE，ballisticelectronsurfaceemitting)型电子发射器件。FEA型电子发射器件基于以下原理运行，当电子发射器由具有低功函数或高贝塔函数(betaftmction)的材料形成时，由于真空条件中的场差异导致电子容易地发射出。目前，正在开发包括由Mo或Si形成的尖端结构并具有锐利端部作为电子发射器的电子发射器件。此外，正在开发包括由含碳材料例如石墨或类金刚石碳(DLC)形成的电子发射器的电子发射器件和包括由纳米材料例如纳米管或纳米线形成的电子发射器的电子发射器件。此外，根据阴极和栅电极的配置，FEA型电子发射器件被分为顶栅型(topgate-type)电子发射器件和栅下型(undergate-type)电子发射器件。根据使用的电极数量，FEA电子发射器件还能被分为双电极型电子发射器件、三电极型电子发射器件和四电极型电子发射器件。图l为FEA型电子发射器件的透视图。当如上文所述发射电子的电子发射器形成在电子发射器件中，特别地，形成在其中阴极面对栅电极的平行侧栅型(parallellateralgate-type)电子发射器件中时，采用多次光刻工艺以在阴极和栅电极之间形成牺牲层，或在阴极和电子发射部之间形成牺牲层。当阴极形成为厚层时，需要复杂的光刻工艺。当使用银膏(Agpaste)将阴极形成为厚层时，有机光致抗蚀剂材料能用于形成牺牲层。然而，在由有机光致抗蚀剂材料形成的牺牲层和阴极之间的界面处有机光致抗蚀剂材料与银膏反应，因此不能获得特别的或勾画干净的图案。通常，在上文所述的工艺中使用的用于形成电子发射器的复合物包括光敏成分，其在执行了烧结工艺之后以残余碳形式保留下来并给电子发射器件的性能和寿命带来不利影响。
发明内容本发明的方案包括用于形成电子发射器且适于形成勾画干净的图案的水基复合物、使用该水基复合物制备的电子发射器和包括该电子发射器的电子发射器件，在该电子发射器中残余碳的含量非常小。根据本发明的方案，用于形成电子发射器的水基复合物包括含碳化合物、A圭酸盐4t合物和水。根据本发明另一方案，电子发射器包括含碳化合物和硅酸盐化合物。根据本发明另一方案，电子发射器件包括电子发射器。根据本发明另一方案，场发射器阵列(FEA)电子发射器件的电子发射器的形成方法包括在电子发射器件的基板上的电极图案之间形成光致抗蚀剂；在基板上的光致抗蚀剂和电极图案之间涂敷水基复合物以形成一层，由该层形成电子发射器；干燥基板上涂敷的水基复合物；去除光致抗蚀剂；和烧结基板以在基板上获得由水基复合物形成的电子发射器。根据本发明另一方案，场发射器阵列(FEA)电子发射器件包括基板；形成在基板上的电极图案；和电子发射器，其有水基复合物形成并具有通过去除光致抗蚀剂而形成的间隙。本发明的附加方案和/或优点将会在随后的说明书中得到部分地说明，并且将会由说明书变得显而易见，或者可以通过实践本发明而习知。通过下文结合附图对本发明进行描述，本发明的这些和其它方案和优点将变得更加清楚和更易于理解，附图中图1为典型电子发射器件的示意透视图2A为形成在基板上的侧栅电子发射器的电极图案之间涂敷的光致抗蚀剂的透视图，和根据本发明的方案的涂敷的光致抗蚀剂的放大图2B为根据本发明的方案的涂敷在基板上的水基复合物的透视图，用于侧栅电子发射器的电极图案在该基板上；图2C为根据本发明的方案在执行了烧结工艺之后通过剥离涂敷的光致抗蚀剂而形成的电子发射器的透视图，和电极发射器的截面放大图2D为作为线顺序操作发射器的图2C的电子发射器的截面图3为根据本发明的方案的涂敷有水基复合物的光致抗蚀剂图案的扫描电子显微镜(SEM)图片，该水基复合物用于形成电子发射器；和图4为才艮据本发明的方案在去除光致抗蚀剂之后相互密封的电子发射器的光学图像；图5为采用典型有机复合物制备的电子发射器与光致抗蚀剂之间界面的截面的SEM图片；和图6为根据实例2制备的电子发射器件和根据比较例2制备的电子发射器件的电场与电流密度关系图。具体实施例方式现将详细参照本发明的方案，本发明的实例在附图中得到说明，其中通篇相似的附图标记指示相似的元件。为了解释本发明，在下文参考附图来描述本发明的方案。根据本发明的方案用于形成电子发射器的水基复合物包括含碳化合物、硅酸盐化合物和水。水基复合物的含碳化合物可以是碳纳米管、碳化物诱导(carbide-driven)(或》灰化物基(carbide-based))石灰或它们的混合物。碳纳米管是碳的同素异形体，包括被巻成纳米尺寸的直径以形成管形或类似管形的石墨片，可以是单壁(或单片)纳米管、多壁(或多片)纳米管或它们的混合物，但并不限于此。根据本发明的方案的碳纳米管可通过热化学气相沉积(CVD)、直流(DC)等离子体CVD、射频(RF)等离子体CVD或微波等离子体CVD来制备。碳化物诱导碳可以是，例如碳与元素周期表中2、4、13、14、15和16族的元素的化合物。具体地，碳化物诱导碳可以是金刚石基碳，例如碳化硅(SiC)或碳化硼(B-C);金属碳化物，例如碳化钛(Ti-C)或碳化锆(Zr-C);盐基碳化物，例如碳化铝(Al-C)或碳化钙(Ca-C);复合碳化物，例如碳化钛铊(Ti-Tl-C)或碳化钼鴒(Mo-W-C);碳氮化物，例如碳氮化钛(Ti-C-N)或碳氮化锆(Zr-C-N);或它们的混合物，但不限于此。本发明的方案中，水基复合物的含碳化合物的含量可以基于100重量份硅酸盐化合物在10至200重量份的范围内。当含碳化合物的含量小于10重量份时，其导电网络不稳定且使用水基复合物的电子发射器的发光(或发射电子)性能会退化。另一方面，当含碳化合物的含量大于200重量份时，其场增强性能由于屏蔽效应而降低，由此使用水基复合物的电子发射器的发光(或发射电子)性能会退化。同时，水基复合物的硅酸盐化合物的相反离子(能够使电荷中和)可以是，例如l、2和13族的金属元素。硅酸盐化合物可以是，但不限于，硅酸锂、硅酸钾、硅酸4丐、硅酸铝、硅酸硼、硅酸镁或硅酸钠；特别是，硅酸锂、硅酸钾、硅酸铝、硅酸镁、硅酸钠或它们的混合物，但这不是必需的。水基复合物的硅酸盐化合物可以是固相或液相，特别是，液相，但这不是必需的。水基复合物的水可以为任意纯度的任意类型的水。水可以为蒸馏水、去离子水或超纯水，特别是，去离子水，但这不是必需的。水基复合物的去离子水含量可以基于100重量份硅酸盐化合物在1500至1700重量份范围内。当去离子水的含量小于1500重量份时，水基复合物的粘性会增加且不能实现它的均匀涂敷。另一方面，当去离子水的含量大于1700重量份时，会发生沉淀。在本发明的方案中，除含碳化合物、硅酸盐化合物和水之外，水基复合物还可包括适当量或预定量的其它添加剂，例如pH控制剂、有机粘合剂、表面活性剂、触变剂或用于改善组分或复合物的分散特性和涂敷特性的材料。在本发明的方案中，pH控制剂使分散状态稳定且控制其pH值。具体地，pH控制剂可以是氢氧化铵、硝酸铵或柠檬酸钠，但不限于此。pH控制剂的含量可以被调节，使得水基复合物的pH值在8至11范围内。当水基复合的pH值小于8时，碳颗粒会聚结并析出。另一方面，当水基复合物的pH值大于11时，碳颗粒也会再聚结和析出，水基复合物的可处理性会因它的强碱性环境而降低。在本发明的方案中，有机粘合剂防止或减少湿气的快速蒸发、改善分散状态，并稳定水基复合物。有机粘合剂可以是羟乙基纤维素(hydroxyethylcellulose)、羧曱基化纤维素(carboxymethylcellulose)或羟曱基化纤维素(hydroxymethylcellulose),但不限于此。有机粘合剂的含量可以基于100重量份的硅酸盐化合物在15至25重量份范围内。当有机粘合剂的含量小于15重量份时，水基复合物的稳定性会恶化。另一方面，当有机粘合剂的含量大于25重量份时，水基复合物的粘性可增大，水基复合物的可处理性会退化。在本发明的方案中，表面活性剂可以是阳离子型(cation-type)表面活性剂、阴离子型(anion-type)表面活性剂、甜菜碱型(betaine-type)表面活性剂或非离子型表面活性剂。具体地，表面活性剂可以是甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基醚(polyoxyethylenealkylether)、烷基磺酸盐(alkylsulfonicacidsalt)、磷酸烷基酯(alkylphosphate)、四烷基季铵盐(tetraalkylammoniumsalt)或甜菜碱烷基咪唑絲盐(alkylimidazoliumbetaine)，但并不限于此。表面活性剂的含量可以基于100重量份硅酸盐化合物在25至35重量份范围内。当表面活性剂的含量小于25重量份时，碳颗粒会不完全地附着到基板上。另一方面，当表面活性剂的含量大于35重量份时，使用水基复合物的电子发射器的发光特性会恶化。在本发明的方案中，触变剂可控制其粘性，可以是黏土、金属氧化物胶体、气相法金属氧化物(filmedmetaloxide)或它们的混合物。具体地，触变剂可以是CAB-O-SILTS-530处理的气相法二氧化硅(六曱基二硅氧烷处理的疏7K气相法二氧化石圭(hexamethyldisiloxane-treatedhydrophobicfbmedsilica))、CAB-O-SII^TS-610处理的气相法二氧化硅(二氯二甲基硅烷处理的疏水气相二氧化硅(dimethyldichlorosilanetreatedhydrophobicfUmedsilica))、丙烯基化合物(acryl-basedcompound)或氨基甲酸乙酯基(urethane-based)化合物，但不限于此。触变剂的含量可以基于100重量份硅酸盐化合物在3至5重量份范围内。当触变剂的含量小于3重量份时，水基复合物的储存稳定性会降低。另一方面，当触变剂的含量大于5重量4分时，水基复合物的分散特性会恶化。在本发明的方案中，用于改善分散状态和涂敷状态的材料可以是天然橡胶、羟曱基化纤维素、羟乙基纤维素或羧曱基化纤维素，但不限于此。图1为典型顶栅型电子发射显示装置100的示意透视图。参考图l，典型顶栅型电子发射显示装置100包括电子发射器件101;前面板102，其被设置为平行于电子发射器件101以在前表面和电子发射器件之间定义真空发射空间；和间隔体60，其将电子发射器件101与前面板102分离开预定距离。电子发射器件101包括第一基板IIO、在第一基板IIO上延伸为相互交叉的栅电极140和阴极120，以及插置在栅电极140和阴极120之间以使栅电极140与阴极120电绝缘的绝缘层130。电子发射器孔131形成在栅电极140的每个交叉部分中，在交叉部分处栅电极140与阴极120交叉，电子发射器(未示出)位于电子发射器孔131中。前表面102包括第二基板90、形成在第二基板90的底表面上的阳极80和形成在阳极80的底表面上的石痒光层(未示出)。根据本发明的方案的水基复合物被用于形成电子发射器之间的间隙或电子发射器与电极之间的间隙，从而获得特别的(或勾画千净的)图案。水基复合物被用于形成侧栅电子发射器或行(或局部)调光(linedimming)电子发射器。然而，水基复合物也能被用于其他类型的电子发射器。在后文，将参考侧栅电子发射器和图2A至2C详细描述根据本发明方案的水基复合物的申请。图2A是涂敷在形成于基板200上的电极图案210之间的剥离型光致抗蚀剂220的透视图，和剥离型光致抗蚀剂220的截面放大图。参考图2A，光致抗蚀剂被涂敷在其上形成有电极图案210的基板200上，然后所得到的结构被暴露在100mJ/m2的365nm至435nm中心波长的紫外光(UV)下。然后，曝光的基板200经历硬性烘烤(hardbaking)、整片曝光(flood-exposure)，然后被显影以形成剥离型光致抗蚀剂220。由此，在该方案中，剥离型光致抗蚀剂220的横截面具有倾斜的边缘，剥离型光致抗蚀剂220的宽度朝着基板200变窄，从而有利于剥离光致抗蚀剂220,但这不是必需的。图2B是涂敷在其上形成有电极图案210的基板200上的电子发射器的透视图。参考图2B,在参考图2A描述的工艺之后，通过利用涂敷器件(未示出)将用于形成电子发射器的水基复合物250涂敷在所得到的结构上。在涂lt了水基复合物之后，进行干燥工艺。图2C为根据本发明的方案通过将剥离型光致抗蚀剂220剥离而形成的电子发射器350的透视图，和电子发射器350的截面放大图。参考图2C,电子发射器350的横截面对应于图2A中描述的剥离型光致抗蚀剂220的横截面。也就是说，剥离型光致抗蚀剂220的倾斜边缘能使电子发射器350的相应的倾斜边缘形成。如图2C所示，电子发射器350的宽度远离基板200而变窄，但这不是必需的。在其他方案中，电子发射器350的边缘可以不是倾斜的，且替代的，可以基本垂直于基板200。剥离型光致抗蚀剂220与用于形成电子发射器350的水基复合物250不兼容(例如，不能与水基复合物粘合)，因为剥离型光致抗蚀剂220主要由有机成分形成，而水基复合物250是水基的。在剥离型光致抗蚀剂形成之后，当进行涂敷和干燥用于形成电子发射器的水基复合物时，保持了水基复合物250和剥离型光致抗蚀剂220之间的这种不兼容性(或不粘合)。因此，在干燥之后的剥离工艺期间，将剥离型光致抗蚀剂220与电子发射器350完全分离开。此后，进行烧结工艺以获得期望的电子发射器图案。图2D为通过上文参考图2A至2C描述的工艺形成的电子发射器350的截面图。在本发明的方案中，使用水基复合物制备的电子发射器350包括含碳化合物和硅酸盐化合物，该水基复合物被用于形成根据本发明的方案的电子发射器。含碳化合物可以是碳纳米管或碳化物诱导(或碳化物基)碳，或者它们的混合物。碳纳米管是碳的同素异形体，其包括巻成纳米尺寸直径以形成管形或类似管形的石墨片，可以是单壁(或单片)纳米管、多壁(或多片)纳米管或它们的混合物，但不限于此。碳化物诱导碳可以是，例如碳与元素周期表中2、4、13、14、15和16族的元素的化合物。具体地，碳化物诱导碳可以是金刚石基碳化物，例如碳化硅(SiC)或碳化硼(B-C);金属碳化物，例如碳化钛(Ti-C)或碳化锆(Zr-C);盐基碳化物，例如碳化铝(Al-C)或碳化钙(Ca-C);复合碳化物，例如碳化钛铊(Ti-Tl-C)或碳化钼鴒(Mo-W-C);碳氮化物，例如碳氮化钛(Ti-C-N)或碳氮化锆(Zr-C-N);或它们的混合物，但不限于此。电子发射器350的含碳化合物的含量可以在基于100重量份硅酸盐化合物的30至130重量份的范围内。当含碳化合物的含量小于30重量份时，其导电网络不稳定且发射器的发光(或发射电子)性能会退化。另一方面，当含碳化合物的含量大于130重量份时，其场增强性能由于屏蔽效应而降低，由此发射器的发光(或发射电子)性能会退化。硅酸盐化合物的相反离子可以是，例如l、2和13族的金属元素。硅酸盐化合物可以是，但不限于，硅酸锂、硅酸钾、硅酸钙、珪酸铝、硅酸硼、硅酸镁或硅酸钠；特别是，硅酸锂、硅酸钾、硅酸铝、硅酸镁、硅酸钠或它们的混合物。硅酸盐化合物可以是固相，因为硅酸盐化合物已被烧结，但这不是必需的。根据本发明的方案的电子发射器件包括电子发射器，电子发射器包括含碳化合物和硅酸盐化合物。含碳化合物和硅酸盐化合物与上文所述的含碳化合物和硅酸盐化合物相同。将参考以下实例进一步详细描述本发明的方案。这些实例仅用于说明而不旨在限制本发明的范围。在下文的实例和比较例中，化合物、混合器(mixer)、涂敷器件和分析器件并不受到限制，且能是现有技术中的任意类型。实例1制备用于形成电子发射器的水基复合物7.3g碳化物诱导(或碳化物基)碳、79.5g去离子水、5g硅酸钾、4g氢氧化铵、lg羟乙基纤维素、1.5g表面活性剂(磷酸烷基酯)、0.2g触变剂(丙烯基化合物)、lg天然橡胶和0.5g羟曱基纤维素被添加到混合器并在500rpm下一起混合30分钟以获得用于形成根据本发明的方案的电子发射器的水基复合物。制备电子发射器剥离型光致抗蚀剂的图案形成在侧栅型阴极基板上，接着用于形成电子发射器的水基复合物-陂涂敷于其上。图3为涂敷有用于形成才艮据本发明方案的电子发射器的水基复合物的光致抗蚀剂图案的扫描电子显微镜(SEM)图片。然后，所得到的基板在450。C下烧结30分钟，接着剥离型光致抗蚀剂被去除以形成根据本发明方案的电子发射器。图4为剥离型光致抗蚀剂被去除后相互面对的电子发射器的光学图像(放大300倍)。参考图4，明显地看到电子发射器之间的间隙。电子发射器的残余碳为大约0.1%(基于不包括硅酸盐化合物的水基复合物为100%)。制备电子发射器件使用ITO玻璃(或ITO涂敷的玻璃)基板制造电子发射器件，电子发射器形成在该基板上作为冷阴极，100pm厚的聚对苯二曱酸乙二酯膜作为间隔体，和铜板作为阳极。实例2以与实例l相同的方式制造用于形成电子发射器的水基复合物、电子发射器和电子发射器件，除了使用碳纳米管代替碳化物诱导^^灰。电子发射器的残余碳为0.1%。实例3以与实例l相同的方式制造用于形成电子发射器的水基复合物、电子发射器和电子发射器件，除了使用3.65g碳化物诱导碳和3.65g碳纳米管代替仅用碳化物诱导碳。电子发射器的残余碳少于0.1%。比專交例1lg碳化物诱导碳、6.5g丙烯酸脂粘合剂、5.5g乙氧基化三羟曱基丙烷三丙烯酸酉旨(TMPEOTA,trimethyolpropaneethoxytriacrylate)、5.5g的2,2，4-三曱基-1，3戊二醇-异丁酯(texanol)、lg苯曱酮和0.5g邻苯二曱酸二辛酯(DOP)混合在一起并使用三辊研磨机均匀分散，由此制备用于形成电子发射器的有机复合物。然后，以与实例l相同的方式形成电子发射器之间的间隙。然而，如图5所示，化学反应发生在电子发射器和光致抗蚀剂之间的界面处，由此，界面不是被清晰区分或勾画干净的。因此，当光致抗蚀剂被去除时，电子发射器或它的部分也被去除。所以，没有获得希望的结构。电子发射器的残余碳为1.5%。比伞交例2以与比较例l相同的方式制备用于形成电子发射器的有机复合物，除了用碳纳米管代替碳化物诱导碳。得到的有机复合物被丝网印刷在侧栅型阴极基板上，该基板与实例l中的一样，并在60。C下干燥25分钟以去除使用的溶剂。然后，所得到的结构被暴露在500mJ/m2的365nm至435nm中心波长的UV下并使用碱性化合物显影以形成图案。接着，被显影的产品在450。C下烧结30分钟以去除有机复合物，由此获得电子发射器。电子发射器的残余碳为1.5%。然后，使用电子发射器作为冷阴极、1OOnm厚的聚对苯二曱酸乙二醇酯膜作为间隔体和铜板作为阳极来制造电子发射器件。电子发射器件的性能测试测量根据实例2和比较例2制备的电子发射器件的电流密度和运行电压。使用水基复合物制备的电子发射器件的启动场为2.7V/jim，使用有机复合物制备的电子发射器件的启动场为3.8VVm。使用水基复合物制备的电子发射器件和使用有机复合物制备的电子发射器件的电流密度在电场分别为4.3V/^im和6.2V/pm时能达到600(iA/cm2。图6示出了测试结果。因此，可以看出，根据实例2制备的电子发射器件的电子发射性能好于根据比较例2制备的电子发射器件性能。寿命测试测量根据实例2和比较例2制备的电子发射器的电子发射寿命以确定寿命特性。测量结果在表l中示出。参考表l，可以看出，使用水基复合物制备的电子发射器比使用典型有机复合物制备的电子发射器具有少得多的残余碳以及更长的寿命。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>使用500小时的时间周期中测量的电流曲线，通过在0.5mA/cm2电流下假定一时间来测量寿命。在这一点上，初始电流为lmA/cm2。通常，电子发射电流随着时间而快速减小但会逐渐饱和，接着在预定的时间周期后维持在预定水平。根据本发明的方案，电子发射器的残余碳可少于1%，甚至可以少于大约0.1%(基于不包括硅酸盐化合物的水基复合物为100%)。在各个方案中，"至少一个，，指从可选元素中选出可选物从而包括一个或多个元素。例如，如果可选元素包括X、Y和Z元素，则至少一个指X、Y和Z或其任意组合。根据本发明的方案，用于形成电子发射器的水基复合物适于形成特别的(或勾画干净的)图案，使用水基复合物形成的电子发射器具有非常少的残余碳含量。因此，包括电子发射器的电子发射器件具有高性能和长寿命。虽然已经示出和描述了本发明的一些方案，然而本领域的普通技术人员可以理解在不脱离由权利要求书及其等价物所界定的本发明的原理和精神范围的情况下可以进行各种变化。本申请要求2008年2月20曰向韩国专利局提交的韩国专利申请No.2008-15475的权益，在此引入其公开内容作为参考。权利要求1.一种用于形成电子发射器的水基复合物，所述复合物包括含碳化合物；硅酸盐化合物；和水。2.根据权利要求1所述的水基复合物，其中所述含碳化合物选自由碳納米管、碳化物诱导碳及其混合物组成的组。3.根据权利要求1所迷的水基复合物，其中所述含碳化合物的含量基于100重量份硅酸盐化合物在10至200重量份的范围内。4.根据权利要求1所述的水基复合物，其中所述硅酸盐化合物包括元素周期表中的l、2和13族金属元素作为相反离子。5.根据权利要求1所述的水基复合物，其中所述硅酸盐化合物选自由硅酸锂、石圭酸钾、硅酸铝、珪酸4美、石圭酸钠及其混合物组成的组。6.—种场发射器阵列电子发射器件的电子发射器，包括含碳化合物；和硅酸盐化合物。7.根据权利要求6所迷的电子发射器，其中所述含碳化合物选自由碳纳米管、碳化物诱导碳及其混合物組成的组。8.根据权利要求6所述的电子发射器，其中所述含碳化合物的含量基于100重量份硅酸盐化合物在30至130重量份的范围内。9.根据权利要求6所迷的电子发射器，其中所述硅酸盐化合物包括元素周期表中l、2和13族的金属元素作为相反离子。10.根据权利要求6所述的电子发射器，其中所述硅酸盐化合物选自由硅酸锂、硅酸钾、珪酸铝、硅酸镁、珪酸钠及其混合物组成的組。11.一种包括权利要求6的电子发射器的电子发射器件。12.—种场发射器阵列电子发射器件，包括基板；电极图案，形成在所述基板上；和电子发射器，由水基复合物形成并具有通过去除光致抗蚀剂形成的间13.根据权利要求12所述的器件，其中所述电子发射器的边缘是倾斜的，使得所述电子发射器的宽度远离所述基板而变窄。14.根据权利要求12所述的器件，其中所述水基复合物通过结合含碳化合物、硅酸盐化合物和水而形成。15.根据权利要求14所述的器件，其中所述含碳化合物选自由碳纳米管、碳化物诱导碳及其混合物组成的组，并且所述硅酸盐化合物选自由硅酸锂、硅酸钾、硅酸铝、硅酸镁、硅酸钠及其混合物组成的组。16.根据权利要求15所述的器件，其中所述碳纳米管是巻成纳米尺寸直径以形成类似管形的碳片，并包括单片纳米管、多片纳米管或其混合物。17.根据权利要求15所述的器件，其中所述碳化物诱导碳是碳化硅(SiC)、碳化硼(B-C)、碳化钛(Ti-C)、碳化锆(Zr-C)、碳化铝(Al-C)、碳化钙(Ca-C)、碳化钛铊(Ti-Tl-C)、碳化钼钨(Mo-W-C)、碳氮化钛(Ti-C-N)、碳氮化锆(Zr-C-N)或其混合物的至少一种。18.根据权利要求14所述的器件，其中所述电子发射器中的残余碳少于大约0.1%,以不包括所述硅酸盐化合物的所述水基复合物为100%。全文摘要本发明提供一种用于制备电子发射器的水基复合物及使用其制备的发射器。一种用于形成电子发射器的水基复合物，其包括含碳化合物、硅酸盐化合物和水。一种电子发射器包括含碳化合物和硅酸盐化合物，并且使用水基复合物来制备。一种电子发射器件包括该电子发射器。用于形成电子发射器的水基复合物适于形成特别的图案，且采用水基复合物制备的电子发射器具有非常小的残余碳量。文档编号H01J1/304GK101515524SQ20091000496公开日2009年8月26日申请日期2009年2月20日优先权日2008年2月20日发明者文希诚,朱圭楠,朴铉基,李邵罗,金润珍,金载明申请人:三星Sdi株式会社