专利名称：半导体制造设备及其维护方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造工艺，更具体地说，本发明涉及一种半导体制造设备及其维护方法。
背景技术：
在半导体制造过程中，对于很多工艺，需要向处理腔室中通入工艺气体，例如对于半导体刻蚀工艺，需要向处理腔室中通入刻蚀气体或者向处理腔室中通入其它辅助气体。图I示意性地示出了根据现有技术的这类半导体制造设备的框图。如图I所示，根据现有技术的这类半导体制造设备包括处理腔室I、气体源2以及气体线路3。其中，所述气体线路3的第一端连接至所述气体源2，并且所述气体线路3的第二端连接至所述处理腔室1，从而向处理腔室I提供处理气体。但是，对于图I所示的根据现有技术的半导体制造设备，存在一个问题，即，在对根据现有技术的这类半导体制造设备进行定期维护或者不定期维护时，需要打开处理腔室I;由此，在处理腔室I打开时，处理腔室I会暴露至大气氛围中，而且，与处理腔室I相连的气体线路3同样会暴露至大气氛围中。此时，如果气体线路3所传输的工艺气体与大气中的水汽等作用而产生残留，那么在气体线路3表面容易形成颗粒残留，则会使得气体线路3由于与大气接触而受到污染。例如，对于某些刻蚀工艺，工艺气体溴化氢与大气接触会形成HBR (溴化氢的水溶液)，从而损坏气体线路3。因此，希望能够提供一种能够在半导体制造设备进行定期维护或者不定期维护时 有效防止气体线路由于暴露至大气而与大气中的水汽等作用而受到污染的解决方案。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够在对半导体制造设备进行定期维护或者不定期维护时有效防止气体线路由于暴露至大气而与大气中的水汽等作用而受到污染的半导体制造设备及其维护方法。为了实现上述技术目的，根据本发明的第一方面，提供了一种半导体制造设备，其包括处理腔室、气体源以及气体线路；其中，所述气体线路的第一端连接至所述气体源，并且所述气体线路的第二端连接至所述处理腔室，从而向处理腔室提供工艺气体；所述半导体制造设备还包括布置在所述气体线路上的阀门；所述阀门用于关闭或者打开所述气体线路。优选地，在上述半导体制造设备中，所述阀门布置在所述气体线路的连接至所述处理腔室的位置处。优选地，在上述半导体制造设备中，所述半导体制造设备是半导体刻蚀设备。优选地，在上述半导体制造设备中，所述工艺气体为溴化氢。根据本发明的第二方面，提供了一种半导体制造设备维护方法，其特征在于包括第一步骤关闭阀门，从而关闭用于向处理腔室提供工艺气体的气体线路；第二步骤打开所述处理腔室，并进行所述处理腔室的维护；第三步骤在完成所述处理腔室的维护后关闭所述处理腔；第四步骤在关闭所述处理腔室之后打开所述阀门从而打开所述气体线路30优选地，在上述半导体制造设备维护方法中，所述阀门布置在所述气体线路的连接至所述处理腔室的位置处。优选地，在上述半导体制造设备维护方法中，所述半导体制造设备是半导体刻蚀设备。优选地，在上述半导体制造设备维护方法中，所述工艺气体为溴化氢。
根据本发明，能够在对半导体制造设备进行定期维护或者不定期维护时，有效防止气体线路由于暴露至大气而与大气中的水汽等作用，由此有效防止气体线路受到污染。
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中图I示意性地示出了根据现有技术的半导体制造设备的框图。图2示意性地示出了根据本发明第一实施例的半导体制造设备的第一示例的框图。图3示意性地示出了根据本发明第一实施例的半导体制造设备的第二示例的框图。图4示意性地示出了根据本发明第二实施例的半导体制造设备的半导体制造设备维护方法的流程图。需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施例方式为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。<第一实施例>图2示意性地示出了根据本发明第一实施例的半导体制造设备的第一示例的框图。例如，在具体实施例中，所述半导体制造设备是半导体刻蚀设备。如图2所示，根据本发明第一实施例的半导体制造设备包括处理腔室I、气体源2以及气体线路3。其中，所述气体线路3的第一端31连接至所述气体源2，并且所述气体线路3的第二端32连接至所述处理腔室1，从而向处理腔室I提供工艺气体。例如，上述半导体制造设备可用于工艺气体为溴化氢的情况。与图I所示的根据现有技术的半导体制造设备不同的是，根据本发明第一实施例的半导体制造设备还包括布置在所述气体线路3上的阀门4。所述阀门4可关闭或者打开所述气体线路3。由此，在将要对半导体制造设备进行维护时，可先关闭所述阀门4从而关闭所述气体线路3。此后，打开所述处理腔室1，并进行所述处理腔室I的维护；并且，在完成所述处理腔室I的维护后关闭所述处理腔室I。最后，在关闭所述处理腔室I之后打开所述阀门4从而打开所述气体线路3。由此，对于上 述半导体制造设备，能够在对半导体制造设备进行定期维护或者不定期维护时，有效防止气体线路由于暴露至大气而与大气中的水汽等作用，由此有效防止气体线路受到污染。图3示意性地示出了根据本发明第一实施例的半导体制造设备的第二示例的框图。例如，在具体实施例中，所述半导体制造设备是半导体刻蚀设备。如图3所示，优选地，所述阀门4布置在所述气体线路3的第二端32的位置处，即所述阀门4布置在所述气体线路3的连接至所述处理腔室I的位置处。由此，可以最大程度地防止气体线路由于暴露至大气而与大气中的水汽等作用而受到污染。<第二实施例>图4示意性地示出了根据本发明第二实施例的半导体制造设备的半导体制造设备维护方法的流程图。如图4所示，根据本发明第二实施例的半导体制造设备的半导体制造设备维护方法包括第一步骤SI :关闭所述阀门4，从而关闭用于向处理腔室I提供工艺气体的所述气体线路3 ；第二步骤S2 :打开所述处理腔室1，并进行所述处理腔室I的维护；第三步骤S3 :在完成所述处理腔室I的维护后关闭所述处理腔I ;第四步骤S4 :在关闭所述处理腔室I之后打开所述阀门4从而打开所述气体线路3。例如，上述半导体制造设备维护方法可用于工艺气体为溴化氢的情况。同样，对于上述半导体制造设备维护方法，能够在对半导体制造设备进行定期维护或者不定期维护时，有效防止气体线路由于暴露至大气而与大气中的水汽等作用，由此有效防止气体线路受到污染。同样，优选地，所述阀门4布置在所述气体线路3的第二端32的位置处，即所述阀门4布置在所述气体线路3的连接至所述处理腔室I的位置处。由此，可以最大程度地防止气体线路由于暴露至大气而与大气中的水汽等作用而受到污染。此外，需要说明的是，说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
权利要求
1.一种半导体制造设备，其特征在于包括处理腔室、气体源以及气体线路；其中，所述气体线路的第一端连接至所述气体源，并且所述气体线路的第二端连接至所述处理腔室，从而向处理腔室提供工艺气体； 所述半导体制造设备还包括布置在所述气体线路上的阀门；所述阀门用于关闭或者打开所述气体线路。
2.根据权利要求I所述的半导体制造设备，其特征在于，所述阀门布置在所述气体线路的连接至所述处理腔室的位置处。
3.根据权利要求I或2所述的半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备是半导体刻蚀设备。
4.根据权利要求I或2所述的半导体制造设备，其特征在于，所述工艺气体为溴化氢。
5.一种半导体制造设备维护方法，其特征在于包括 第一步骤关闭阀门，从而关闭用于向处理腔室提供工艺气体的气体线路； 第二步骤打开所述处理腔室，并进行所述处理腔室的维护； 第三步骤在完成所述处理腔室的维护后关闭所述处理腔； 第四步骤在关闭所述处理腔室之后打开所述阀门从而打开所述气体线路3。
6.根据权利要求5所述的半导体制造设备维护方法，其特征在于，所述阀门布置在所述气体线路的连接至所述处理腔室的位置处。
7.根据权利要求5或6所述的半导体制造设备维护方法，其特征在于，所述半导体制造设备是半导体刻蚀设备。
8.根据权利要求5或6所述的半导体制造设备维护方法，其特征在于，所述工艺气体为溴化氢。
全文摘要
本发明提供了一种半导体制造设备及其维护方法。根据本发明的半导体制造设备包括处理腔室、气体源以及气体线路；其中，所述气体线路的第一端连接至所述气体源，并且所述气体线路的第二端连接至所述处理腔室，从而向处理腔室提供工艺气体；所述半导体制造设备还包括布置在所述气体线路上的阀门；所述阀门用于关闭或者打开所述气体线路。优选地，所述阀门布置在所述气体线路的连接至所述处理腔室的位置处。根据本发明，能够在对半导体制造设备进行定期维护或者不定期维护时，有效防止气体线路由于暴露至大气而与大气中的水汽等作用，由此有效防止气体线路受到污染。
文档编号H01J37/305GK102800548SQ20121031276
公开日2012年11月28日 申请日期2012年8月29日 优先权日2012年8月29日
发明者巴文林, 施海铭, 曹玖明, 杜廷卫 申请人:上海宏力半导体制造有限公司