列时的间隙的宽度也可列举与上述槽的宽度相同程度。
[0065]槽的深度优选与基材的厚度相同，在设定为基材的厚度以下的情况下，根据所使用的基体的种类及厚度，可列举基体的全部厚度的50%以上、70%以上、80%以上、90%以上、95%以上、100%等。在基体在厚度方向的连结，优选可利用上述的基体自身的膨胀及缩小产生的应力将基体分割的程度。由此，在施加了这种应力的情况下，能够有意图地将基体分割而使应力有效地释放掉。
[0066]槽可利用该领域公知的方法，例如激光加工、划线器、刀片的划片等而形成。
[0067]基材具有基体和导电图案。导电图案优选配置在第一主面及第二主面双方。另外，也可以配置在与第一主面及第二主面双方邻接的侧面。或者，也可以形成遍及第一主面及第二主面双方的、即贯通基体的通孔。由此，将第一主面的导电图案和第二主面的导电图案电连接。在此，第一主面是指搭载发光元件的面，第一主面相反侧的第二主面成为发光装置的发光面的相反侧的面。
[0068]如上所述，在形成槽的基体上配置有导电图案的情况下，其导电图案也可以与基体一同被分割。导电图案优选配置在基体的第一主面和第二主面双方，第一主面侧的导电图案和配置在第一主面侧的导电图案的正下方的第二主面侧的导电图案优选两者电连接，但也可以是所有的导电图案都不连接。另外，导电图案也可以与一个发光元件对应而可作为一对端子起作用地配置。另外，导电图案也可以配置成通过电力供给控制等可独立地驱动多个发光元件的图案，还可以配置成可将多个发光元件一并驱动的图案。独立的点灭控制在该分野是公知的，可利用通常使用的方式及方法的任一种。此外，不管在形成有槽的部位的第一主面侧未配置导电图案或配置有导电图案，通过槽分割的情况下，为了将多个发光元件一并驱动，也可以使分别载置有多个发光元件的多个导电图案之间通过电线等导电部件电连接。作为这种导电部件，除了电线以外，可列举导电性带、导电性硅膏等。
[0069]这样，由于基材具有槽，在将具有排列有多个发光元件的大小的发光面的一个发光装置向安装基板安装的情况下，也能够确保发光装置向安装基板的电连接。即，由于各个发光元件产生的热及安装时的热履历等，即使安装基板膨胀或缩小，其应力也能够通过基材的槽而分散、释放掉。其结果，能够有效地防止构成发光元件、基材、接合部件等的材料固有的膨胀及缩小差引起的接合剥离等接合不良。
[0070]槽的宽度可列举基材的厚度以下程度，优选基材的厚度的1/2以下，更优选1/4以下。在安装基板具有曲面的情况下，进一步优选1/10以上。
[0071]槽也可以不必在多个发光元件之间的全部配置。例如发光元件矩阵状地配置时，仅在一方向形成槽等，槽的数及形状能够根据发光元件、基材的种类及大小适当选择。
[0072](发光元件)
[0073]发光元件I通常使用发光二极管。
[0074]发光元件可根据其组成、发光色或波长、大小、个数等目的适当选择。例如，作为蓝色、绿色的发光元件，可列举使用ZnSe、氮化物系半导体(InxAlyGa1 _Χ_ΥΝ、O < Χ、0 < Y、Χ+Υ彡I)、GaP等半导体层的发光元件，作为红色的发光元件，可列举使用GaAlAS、AlInGaP等半导体层的发光元件。
[0075]发光元件通常在生长用基板(例如，蓝宝石基板)上使半导体层层叠而形成。生长用基板也可以在其与半导体层的接合面具有凹凸。由此，能够有意地改变从半导体层射出的光与基板接触时的临界角，能够在基板的外部容易地取出光。
[0076]发光元件也可以在层叠半导体层之后除去生长用基板。例如可以用研磨、LLO (Laser Lift Off)等进行除去。
[0077]发光元件也可以在同一面侧具有正负一对电极。由此，能够将发光元件倒装片安装在具有导电图案的基材上。该情况下，与形成有一对电极的面相对的面成为光取出面。倒装片安装使用Au、Cu等金属凸片、焊锡等具有导电性的膏状的接合部件、薄膜状的接合部件等，将发光元件和基材的导电图案电连接。或者，在进行倒装片安装的情况下，也可以将形成有一对电极的面作为光取出面。
[0078]发光元件也可以是在不同侧具有正负一对电极的发光元件。该情况下，一电极利用导电性粘接材料粘接在基材上，另一电极利用导电性电线等与基材连接。
[0079]发光元件在一个发光装置中包含有多个。多个发光元件被排成列。例如，可以排成一列，也可以排成矩阵状。发光元件的数可以根据想要得到的发光装置的特性、尺寸等适当设定。
[0080]排成列的多个发光元件优选互相接近，若考虑车辆用途、以及亮度分布等，发光元件间距离可列举发光元件的最大边的长度的5?50%程度，优选5?30%程度，进一步优选5?20%程度。通过这样地使发光元件彼此接近配置，能够确保均匀且良好的亮度分布。其结果是，能够形成发光不匀少的、发光品质高的面光源的发光装置。
[0081](反光性部件)
[0082]反光性部件覆盖发光元件的侧面。在此所说的发光元件的侧面是指，至少半导体层的侧面的厚度方向的一部分、优选半导体层的厚度方向的全部及/或半导体层的侧面的外周的一部分、优选半导体层的外周的整个侧面。在发光元件的侧面，在光反射部件和半导体层之间也可以夹着后述的粘接材料或埋设部件等其他层，但优选光反射部件与半导体层接触。其中，优选包含的多个发光元件的全部的外周侧面被反光性部件一体地覆盖。由此，在发光元件与反光性部件的界面，从发光元件射出的光被反射到发光元件内。其结果是，光不会被邻接的发光元件吸收，光从发光元件的上面向外部有效地射出。能够将发光元件以均匀且最小限的间隙排列，同时可获得良好的亮度分布。另外，如上所述，即使基材具有槽，作为一个发光装置的处理也容易。
[0083]反光性部件优选与发光元件的侧面一同，也将基材的第一主面的至少一部分覆盖。由此，如上所述，不管基材为一个还是多个，都能够一体地构成。尤其是，更优选反光性部件将发光元件的外周的基材的第一主面覆盖。此外，槽到达基材的第一主面侧的情况，基材间的反光性部件的基材侧的面也可以与基材的第一主面一致，还可以向反光性部件侧凹陷。
[0084]另外，基材间的反光性部件的基材侧的面也可以被其他部件覆盖。例如，通过在槽中配置反光性部件或遮光性部件等，能够抑制向基材侧的漏光。
[0085]覆盖发光元件的侧面的反光性部件、即配置在发光元件间的反光性部件能够与发光元件的上面(光取出面)共面。在此所谓共面是指允许反光性部件的厚度的±10%程度、优选±5%程度的高低差。在本说明书中“大致”表示相同的意思。
[0086]或者，在发光元件的上面还具备后述那样地覆盖发光元件的上面的透光性部件的情况下，优选上面侧的透光性部件及反光性部件共面。
[0087]发光元件间的反光性部件的厚度(宽度)与发光元件间的距离相等，例如优选10?500 μπι程度，更优选100?300 μπι程度，进一步优选50?200 μπι程度。通过设定为这种厚度，即使使邻接的发光元件间的距离接近，也能够将自各发光元件向侧面侧的漏光抑制在最小限度。因此，能够实现有效的光反射。其结果是，能够确保良好的亮度分布。
[0088]反光性部件由能够反射从发光元件射出的光的材料形成。由此，在发光元件与反光性部件的界面能够使从发光元件射出的光向发光元件内反射。其结果是，光在发光元件内传播，最终能够使光从发光元件的上面向透光性部件的上面、外部射出。
[0089]另外，在多个发光元件被独立地驱动，成为在邻接的发光元件间点亮/熄灯的状态的情况下，抑制了熄灯的发光元件被点亮的发光元件照射而点亮那样被看见的情况。即，抑制了多个发光元件间的漏光。
[0090]反光性部件通常优选含有树脂而形成。具体地，能够使用含有硅树脂、改性硅树月旨、环氧树脂、改性环氧树脂、丙烯树脂的一种以上的树脂或混合树脂和反光性物质而形成。其中，优选耐热性、电绝缘性优异，且作为原料聚合物含有具有柔软性的硅树脂的树脂。由此，能够吸收上述的基材的膨胀及收缩产生的应力。
[0091 ] 作为反光性物质，可列举氧化钛、氧化硅、氧化锆、氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、氧化锌、钛酸钡、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼、莫来石等。其中，氧化钛相对于水分等比较稳定且为高折射率，因此优选。
[0092]反光性物质的含量可以使反光性部件的光的反射量及透射量等变动，因此可以根据要得到的发光装置的特性等适当调整。例如，优选将反光性物质的含量设定为反光性部件的整个重量的15wt%以上，进一步优选设定为30wt%以上。
[0093]配置在多个发光元件间的光反射部件在多个发光元件间的光反射部件间也可以还具备遮光部件。通过在多个发光元件间的反光性部件间配置遮光性部件，能够进一步减少发光元件间的漏光带来的影响。另外，即使使多个发光元件间的距离更靠近，也容易抑制漏光。
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