本实用新型涉及冲床领域，更具体地说，涉及一种电磁冲床。
背景技术：
目前在机械加工领域，常见的高速冲床主要由机座以及设置在机座内的工作台和机架组成，机架上设有驱动单元，机架顶部设有控制箱，驱动单元上连接有上模座，工作台上设有位于上模座下方的下模座，这种冲床主要通过飞轮驱动上模座沿垂直方向上下运动而完成冲压工作，飞轮由电机驱动，电能转换为冲压力的过程中能量损耗较大，致使冲压力有限。
技术实现要素：
1.要解决的技术问题
针对现有技术中存在电能转换为冲压力的过程中能量损耗较大，致使冲压力有限的问题，本实用新型的目的在于提供一种电磁冲床，它可以实现能量消耗小，冲击力大。
2.技术方案
为解决上述问题，本实用新型采用如下的技术方案。
一种电磁冲床，包括支架，所述支架上固定连接有顶板，所述支架的下端固定连接有基座，所述支架的一对侧壁上均竖直设有滑槽，所述两个滑槽内均滑动连接有上永磁体、冲压块和下永磁体，所述冲压块位于上永磁体和下永磁体之间，所述上永磁体通过支撑杆与顶板连接，所述下永磁体通过支撑杆与基座连接，所述上永磁体的下端与下永磁体的上端磁极相反，所述冲压块内设有电磁线圈，所述支架的一侧设有电控箱，所述冲压块与电控箱电性连接，所述两个冲压块之间固定连接有连接杆，所述连接杆上套有套环，所述套环的侧面设有锁紧螺钉，所述套环上固定连接有冲压轴，所述冲压轴远离套环的一端安装有上模座，所述上模座的下端设有下模座，所述下模座的两侧均设有工作台，通过电控箱改变冲压块内电磁线圈的电流方向，使冲压块的上下磁性改变，分别与上永磁体和下永磁体完成吸附与排斥的作用，从而带动冲压轴上下运动，完成冲压工作，冲压轴两侧冲压块对冲压轴的分力能形成合力，这种方式消耗能源小，冲压力更大。
优选地，所述套环的内侧面上设有缓冲垫，防止冲压过程中套环振动移位。
优选地，所述冲压轴与上模座的连接处设有缓冲块，缓冲块有效防止冲压过程冲压轴的振动。
优选地，所述支撑杆为伸缩杆，且支撑杆上设有固定螺钉，可以根据实际需求调整上永磁体和下永磁体的高度。
3.有益效果
相比于现有技术，本实用新型的优点在于：
(1)本方案通过电控箱改变冲压块内电磁线圈的电流方向，使冲压块的上下磁性改变，分别与上永磁体和下永磁体完成吸附与排斥的作用，从而带动冲压轴上下运动，完成冲压工作，冲压轴两侧冲压块对冲压轴的分力能形成合力，这种方式消耗能源小，冲压力更大。
(2)套环的内侧面上设有缓冲垫，防止冲压过程中套环振动移位。
(3)冲压轴与上模座的连接处设有缓冲块，缓冲块有效防止冲压过程冲压轴的振动。
(4)支撑杆为伸缩杆，且支撑杆上设有固定螺钉，可以根据实际需求调整上永磁体和下永磁体的高度。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中标号说明：
1上永磁体、2冲压块、3连接杆、4锁紧螺钉、5支架、6冲压轴、7下永磁体、8工作台、9基座、10顶板、11套环、12电控箱、13上模座、14下模座。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图；对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然；所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例；而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例；本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例；都属于本实用新型保护的范围。
实施例1：
请参阅图1，一种电磁冲床，包括支架5，支架5上固定连接有顶板10，支架5的下端固定连接有基座9，支架5的一对侧壁上均竖直设有滑槽，两个滑槽内均滑动连接有上永磁体1、冲压块2和下永磁体7，冲压块2位于上永磁体1和下永磁体7之间，上永磁体1通过支撑杆与顶板10连接，下永磁体7通过支撑杆与基座9连接，支撑杆为伸缩杆，且支撑杆上设有固定螺钉，可以根据实际需求调整上永磁体1和下永磁体7的高度，上永磁体1的下端与下永磁体7的上端磁极相反，冲压块2内设有电磁线圈，支架5的一侧设有电控箱12，冲压块2与电控箱12电性连接，两个冲压块2之间固定连接有连接杆3，连接杆3上套有套环11，套环11的内侧面上设有缓冲垫，防止冲压过程中套环11振动移位，套环11的侧面设有锁紧螺钉4，套环11上固定连接有冲压轴6，冲压轴6与上模座13的连接处设有缓冲块，缓冲块有效防止冲压过程冲压轴6的振动，冲压轴6远离套环11的一端安装有上模座13，上模座13的下端设有下模座14，下模座14的两侧均设有工作台8。
工作原理：通过电控箱12对冲压块2内的电磁线圈通电，使冲压块2的上下两端产生不同磁极，使冲压块2的上端与上永磁体1相互吸引，冲压块2的下端与下永磁体7相互排斥，此时冲压轴6上升，然后电控箱12改变电磁线圈内电流方向，使冲压块2上下两端的磁极倒转，此时，冲压块2的上端与上永磁体1相互排斥，冲压块2的下端与下永磁体7相互吸引，冲压轴6下降，冲压轴6如此反复，完成冲压。
以上所述；仅为本实用新型较佳的具体实施方式；但本实用新型的保护范围并不局限于此；任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内；根据本实用新型的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变；都应涵盖在本实用新型的保护范围内。