专利名称：预清室的微粒防止方法
技术领域：
本发明涉及一种预清室的微粒防止方法，特别是涉及一种针对物理气相沉积(PVD)装置的预清室(pre-clean chamber)的微粒(particle)防止方法。
于半导体制造过程中，物理气相沉积(以下简称PVD)装置是大多被用来进行金属镀膜工艺。现有的一种PVD装置是如
图1所示，其主要是由一缓冲室(buffer chamber)1、一预清室2、一搬迁室(transfer chamber)3、一工艺室(process chamber)4、及一机械手臂5等构成。
其中，该预清室2是用以进行一晶片的预清步骤，如图2所示，该预清室2是主要由一无线电波频率产生器(RF generator)21、一钟型缸(belljar)22、一防护体(shield)23、及一预清室本体24所构成。当欲进行晶片6预清时，晶片6是会由该机械手臂5而被搬送到该预清室2中，然后，再将如氩气的气体导入于上述预清室2中，同时藉由该预清室2的无线电波频率产生器21将氩气解离成等离子，进而利用等离子溅射(sputtering)晶片6方式将附着于该晶片6上的微粒清除。
如上所述，由于晶片6的预清是以等离子溅射(sputtering)晶片方式来实现的，因此，在溅射的过程中，除会将晶片6上的微粒清除外，也会同时将该晶片6的表面成分击出，进而使其表面成分附着于上述预清室2的钟型缸22及防护体23上。此时，若PVD装置所进行的金属沉积工艺为中间金属沉积工艺时，则通常于该预清室2进行预清的晶片6的表面成分是主要为硅，换言之，在进行多次预清步骤后，该钟型缸22及防护体23上将会附着大量的硅化物。
由于该钟缸型22通常是由石英所形成，而石英与硅化物之间的附着效果并不佳，因此，当该钟型缸22上累积一定厚度的硅化物时，则其将会产生剥离现象，进而对该预清室2中的晶片6产生微粒污染，如此，将会对后续的金属薄膜工艺产生不良影响。为解决此一问题，普通技术人员会在一定使用时间后，将钟型缸22加以清洗，以避免钟型缸22上的硅化物剥离所造成的微粒问题。
然而，由于每次清洗时必须暂停生产，如此将会影响产能，如何有效延长预清室2的钟型缸22的使用时间，以降低保养次数，进而提高产能实为一重要课题。
有鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种可延长预清室的钟型缸的使用时间、降低其保养次数，进而可提高产能的预清室的微粒防止方法。
本发明的预清室的微粒防止方法的特征是藉由溅射一二氧化硅材来产生二氧化硅，并使二氧化硅涂布于一已形成于钟型缸上的硅化物层之上，以避免其硅化物快速剥离，据以达到延长预清室的钟型缸使用时间的目的。
为达到上述目的，本发明的预清室的微粒防止方法包括以下步骤提供一二氧化硅材于该预清室中；于该预清室中产生等离子并溅射该二氧化硅材，而将该二氧化硅材的二氧化硅溅射于该预清室的钟型缸上。
由于二氧化硅与钟型缸间的附着较佳，因此，当该预清室的的钟型缸上形成有一硅化物层时，藉由二氧化硅的溅射，则可将二氧化硅涂布于钟型缸上的硅化物层上，如此，即可避免硅化物快速剥离，进而延长钟型缸的使用时间。
以下结合附图来描述本发明的优选实施例。附图中图1是现有物理气相沉积装置的主要部分的示意图；图2是现有物理气相沉积装置的预清室的部分分解图；以及图3是利用本发明的预清室的微粒防止方法的一实施例的示意图，图中所示为一PVD装置的主要部分的示意图。
附图标号说明如下1缓冲室 2预清室21无线电波频率产生器 22钟型缸23防护体 24预清室本体241预置室 3搬迁室4工艺室 5机械手臂6晶片 7二氧化硅材8传动机构 81动力部82承载部 9升降机构91升降架在具体说明之前，欲事先说明的是，为说明上的便利，以及避免说明上的冗述，于本实施例中，有关PVD装置的预清室等相关构造说明沿用上述的图号。
本发明的预清室的微粒防止方法包括一二氧化硅材提供步骤、及一二氧化硅溅射步骤。本发明的预清室的微粒防止方法的利用时机在于一PVD装置的预清室的钟型缸上形成有一一定厚度硅化物层时使用。
有关二氧化硅材的提供方式，可藉由图3所示的PVD装置来实现。如图3所示，该种PVD装置的预清室本体24侧壁上装配有一可预置二氧化硅材7的预置室241。于本实施例中，该二氧化硅材7呈板状，其可藉由一传动机构8而将其放置于一升降机构9的升降架91上。
更详而言之，该传动机构8由一动力部81、及承载部82所构成，当动力部81启动时，则会使该承载部82转动，进而将置放于承载部82上的二氧化硅材7移位至该升降机构9的升降架91上。
之后，再进行二氧化硅溅射步骤，于此一步骤中，将氩气导入预清室2中，并藉由该预清室2的无线电波频率产生器21(请参照图2)将氩气解离成等离子，而使等离子溅射该二氧化硅材7，进而使该二氧化硅材7的二氧化硅溅射于该预清室的钟型缸内。
在此值得一提的是，二氧化硅材的提供方式除可以图3所示的方式外，尚可将二氧化硅材与晶片6混置于晶舟中，再藉由上述机械手臂5搬送到该预清室2中(未示于图)。
综上所述，由于二氧化硅与钟型缸间的附着较佳，因此，当该预清室的钟型缸上形成有一硅化物层时，则可藉由二氧化硅的溅射，将二氧化硅涂布于钟型缸上的硅化物层上。如此，即可避免硅化物快速剥离，进而延长钟型缸的使用时间。由于可延长钟型缸的使用时间，因此可以减少保养次数，进而达到提高产能的功效。
于本实施例的详细说明中所提出的具体的实施例仅为了易于说明本发明的技术内容，而并非将本发明狭义地限制于该实施例，在不超出本发明的精神及以下权利要求的情况，可作种种变化实施。
权利要求
1.一种预清室的微粒防止方法，包括一二氧化硅材提供步骤，提供一二氧化硅材于该预清室中；及一二氧化硅溅射步骤，于该预清室中产生等离子并溅射该二氧化硅材，而使该二氧化硅材的二氧化硅溅射于该预清室内。
2.如权利要求1所述的预清室的微粒防止方法，其中该预清室包括物理气相沉积装置的预清室。
3.如权利要求1所述的预清室的微粒防止方法，其中该二氧化硅材预置于预清室中。
4.如权利要求1所述的预清室的微粒防止方法，其中该等离子藉由将氩气通入该预清室中，并在无线电波频率作用下产生。
5.如权利要求1所述的预清室的微粒防止方法，其中该预清室包括一钟型缸，而该二氧化硅材的二氧化硅溅射于该预清室的钟型缸上。
全文摘要
一种预清室的微粒防止方法,包括一二氧化硅材提供步骤、及一二氧化硅溅射步骤,其是藉由溅射二氧化硅材方式来产生二氧化硅,并使二氧化硅涂布于一已形成于预清室的钟型缸上的硅化物层上,以避免其硅化物快速剥离,据以达到延长预清室的钟型缸使用时间的目的。
文档编号C23C14/10GK1374684SQ0111099
公开日2002年10月16日 申请日期2001年3月9日 优先权日2001年3月9日
发明者郭家铭, 黄昭元 申请人:矽统科技股份有限公司