专利名称：电解电容器电极用铝材料和电解电容器电极用铝箔的制造方法、以及电解电容器的制作方法
技术领域：
本发明涉及作为电解电容器电极被使用的铝材料和铝箔的制造方法、以及电解电容器。
通常，在电解电容器电极中使用的铝材料，为了提高扩面率使静电容量提高，进行腐蚀处理。由于通过腐蚀处理形成的蚀坑的深度越深扩面率越高，为了改善腐蚀特性提出了各种方案。例如，对于制造工序，有方案指出，最终退火前的脱脂洗涤、最终退火前的水合处理和最终退火时的结晶性氧化膜的形成处理、最终退火前的氧化处理等(特公昭58-34925号、特开平3-122260号)。另外，对于组成，有方案指出，添加Pb、Bi等微量元素、或添加Ti、Zr、V等的元素在表层使其浓化的方法(特开平4-62822号)。另外，在结晶结构中，有方案指出，调整(100)结晶方位。
但是，只简单地加深各蚀坑的深度不能充分提高铝箔的扩面率，为了提高扩面率，进一步，需要减少局部腐蚀、未腐蚀、表面溶解，而在腐蚀面上均匀、且高密度地产生蚀坑。在上述的各种方法和组成中，在高密度且均匀地产生蚀坑方面还不充分，还不能满足不断增大的对静电容量的要求。
另外，本说明书中，所使用的“铝”的意思包括铝及其合金这两种意思。
为了达到上述目的，本发明指出，具有特定组成的电解电容器电极用铝材料、和具有特定组成的铝作为材料的电解电容器电极用铝箔的制造方法、以及作为电极使用了特定组成的铝箔的电解电容器。
即，权利要求1～2的电解电容器电极用铝材料，擞点为在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。
另外，在上述电解电容器电极用铝材料中，优选Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、B含量为1ppm或以下。
权利要求3～5的电解电容器电极用铝材料，基本要点为在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Ti1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。
在上述电解电容器电极用铝材料中，优选Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、B含量为1ppm或以下。另外，优选Ti含量为5～20ppm。
权利要求6～8的电解电容器电极用铝材料，基本要点为在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe.2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～50ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。
在上述电解电容器电极用铝材料中，优选Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、B含量为1ppm或以下。另外，优选Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种的含量在3ppm或以上、Mn、Ga、Mg、Ca的总含量为3～30ppm。
权利要求9～11的电解电容器电极用铝材料，基本要点为在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有In、Sn、Sb中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。
在上述电解电容器电极用铝材料中，优选Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、B含量为1ppm或以下。另外，优选In、Sn、Sb中至少一种含量在2ppm或以上、In、Sn和Sb的总含量为2～15ppm。
权利要求12～16的电解电容器电极用铝材料，基本要点为在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Ti1～30ppm、还含有Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～50ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。
在上述电解电容器电极用铝材料中，优选Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、B含量为1ppm或以下。另外，优选Ti含量为5～20ppm。进一步，优选Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种的含量在3ppm或以上、Mn、Ga、Mg、Ca的总含量为3～30ppm。
权利要求17～21的电解电容器电极用铝材料，基本要点为在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Ti1～30ppm、还含有In、Sn、Sb中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。
在上述电解电容器电极用铝材料中，优选Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、B含量为1ppm或以下。另外，优选Ti含量为5～20ppm。进一步，优选In、Sn、Sb中至少一种的含量在2ppm或以上、In、Sn和Sb的总量为2～15ppm。
权利要求22～26的电解电容器电极用铝材料，基本要点为在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～50ppm、还含有In、Sn、Sb中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。
在上述电解电容器电极用铝材料中，优选Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、B含量为1ppm或以下。另外，优选Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种的含量在3ppm或以上、Mn、Ga、Mg和Ca的总量为3～30ppm。进一步，优选In、Sn、Sb中至少一种的含量在2ppm或以上、In、Sn和Sb的总含量为2～15ppm。
权利要求27～38的电解电容器电极用铝材料，基本要点为在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Ti1～30ppm、还含有Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～50ppm、还含有In、Sn、Sb中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。
在上述电解电容器电极用铝材料中，优选Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、B含量为1ppm或以下。另外，优选Ti含量为5～20ppm。另外，优选Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种的含量在3ppm或以上、Mn、Ga、Mg和Ca的总含量为3～30ppm。进一步，优选In、Sn、Sb中至少一种的含量在2ppm或以上、In、Sn和Sb的总含量为2～15ppm。
另外，权利要求39～46的电解电容器用铝箔的制造方法为将对应于权利要求1，3，6，9，12，17，22，27的化学组成的铝材料作为材料制造箔的方法。
即，其特征在于，箔轧制上述各组成的铝材料后、在430～580℃下进行最终退火。
进一步，权利要求47～54的电解电容器，其特征在于，阳极或阴极的至少一方由对应于权利要求1，3，6，9，12，17，22，27的化学组成的铝箔构成。
在上述电解电容器用铝材料的化学组成中，在高纯度铝中添加的可控制含量的共同的元素为，作为必须添加元素的Si、Fe、Cu、Zn及Pb，两者中选择地添加的Zr及V，可抑制含量的B这8种元素。在权利要求1～2的铝材料中仅添加这些共同元素，在权利要求3～38的铝材料中添加这些共同元素、进一步还添加选自Ti、Mn组(Mn、Ga、Mg、Ca)、In组(In、Sn、Sb)三者中的元素。
上述各元素的添加意义及含量的限定理由如下所示。
作为基础的铝的纯度在99.9％或以上的原因为，若不到99.9％时则杂质量增多、即使控制微量添加元素的含量、在腐蚀时也容易产生过溶解导致腐蚀特性降低。优选铝纯度为99.98％或以上。
Si、Fe、Cu、Zn及Pb为必须添加元素，在权利要求1～38的所有的铝材料中都含有。
Si具有防止重结晶时的结晶粒粗大化的效果。若含量不到2ppm则缺乏上述效果，超过50ppm时蚀坑的产生分布不均匀，所以规定为2～50ppm。Si含量的优选下限值为5ppm，优选上限值为20ppm。
Fe为在铝中不可缺少地含有元素，若大量含有则根据最终退火温度形成Al-Fe系的析出物，使腐蚀时的溶解减少量过量地增加、同时蚀坑的产生分布不均匀。若Fe含量超过50ppm则易于形成Al-Fe系的析出物，若限制在不到2ppm的话在精制成本方面不利，所以为2～50ppm。Fe含量的优选下限值为5ppm，优选上限值为20ppm，最优选的上限值为15ppm。
Cu为赋予提高腐蚀特性的元素。含量不到15ppm时缺乏该效果，若超过150ppm、在结晶结构中阻碍立方体方位的形成、腐蚀特性降低，所以规定在15～150ppm的范围内。Cu含量的优选下限值为30ppm，优选上限值为100ppm。
Zn具有均匀地产生蚀坑的效果。若含量不到1ppm则缺乏该效果，超过80ppm时表面溶解增大、但是静电容量却降低，所以规定在1～80ppm的范围内。Zn含量的优选下限值为10ppm，优选上限值为50ppm。
Pb在最终退火时在箔表面浓化、在腐蚀初期蚀坑的产生均匀化、抑制局部产生蚀坑。Pb含量不到0.1ppm时缺乏上述效果，超过3ppm时箔表面的溶解变剧烈、但是静电容量却降低，所以为0.1～3ppm的范围。Pb含量的优选下限值为0.3ppm，优选上限值为2ppm。
Zr和V是选择的必须添加元素，在权利要求1～38所有的铝材料中至少含有1种。
Zr和V分别具有增大蚀坑产生的效果，若至少含有一种则可以得到上述效果。这些元素的含量，若至少一种单独不到11ppm则缺乏上述效果、总计超过100ppm则蚀坑的分布不均匀，所以单独在11ppm或以上且总计含量为11～100ppm的范围。这些元素优选的下限值单独及总计为20ppm、优选的上限值总计为70ppm。
B若和Zr或V形成化合物，由于这些化合物有可能在局部集中地产生蚀坑、引起过溶解，优选使其尽可能的少，权利要求1～38的所有铝材料中被限制在2ppm或以下。B含量优选的上限值为1ppm。
因此，通过控制Al纯度、Si、Fe、Cu、Zn、Pb、Zr、V、B各元素的含量，在腐蚀时可以不产生过量溶解、高密度且均匀地产生蚀坑、增大扩面率。然后，通过这种扩面率的增大可以谋求增大静电容量。
Ti具有增大蚀坑产生的效果，被添加入权利要求3～5，12～16，17～21，27～38的铝材料中。Ti含量若不到1ppm则缺乏上述效果，超过30ppm时晶粒边界腐蚀增强、坑产生不均匀，所以规定为1～30ppm的范围。Ti含量的优选下限值为5ppm，优选上限值为20ppm。
因此，在添加了规定量的Ti的铝材料中，还可以进一步增大蚀坑的产生、谋求扩面率增大。
Mn组元素Mn、Ga、Mg及Ca具有使蚀坑的产生分布均匀化的效果，在权利要求6～8，12～16，22～26，27～38的铝材料中添加。这些元素，若至少含有一种可以得到上述效果，至少一种单独使用不到1ppm时缺乏上述效果、总计超过50ppm时引起表面溶解，降低静电容量，所以单独在1ppm或以上且总含量在1～50ppm的范围内。这些元素优选的下限值为单独或总计为3ppm、优选的上限值为总计30ppm。
因此，在添加了规定量的Mn组元素的铝材料中，还可以进一步谋求蚀坑的分布均匀化、扩面率增大。
In组元素的In、Sn及Sb，具有在最终退火时在箔表面浓化、在腐蚀初期蚀坑的产生均匀化、抑制局部产生蚀坑的效果，在权利要求9～11，17～21，22～26，27～38的铝材料中添加。这些元素，若至少含有一种可得到上述效果，至少一种单独使用不到1ppm则缺乏上述效果，总计超过30ppm时箔表面的溶解变剧烈、但是静电容量却降低，所以总含量为1～30ppm的范围。这些元素优选的下限值为单独或总计2ppm、优选的上限值为总计15ppm。
因此，在添加了规定量的In组元素的铝材料中，箔轧制后的最终退火时在箔表面浓化，还可以进一步谋求腐蚀初期蚀坑的产生均匀化、扩面率增大。
本发明的电解电容器电极用铝材料，是作为电解电容器电极材料规定化学组成的材料，其形状既包括通过轧制得到的箔、也包括轧制前的板坯和轧制的中间过程的材料。
另外，本发明的铝材料为箔时，可以按照本发明的方法进行适合的制造。
即，本发明的电解电容器电极用铝箔的制造方法是在箔轧制后，在430～580℃下进行最终退火。在该条件下，通过最终退火，使箔调整为立方体方位、同时使Pb、In、Sn、Sb在箔表层部分浓化，可以通过腐蚀确实地使扩面率增大。最终退火在430～580℃的范围内进行。若不到430℃，则生成Al-Fe系的析出物，由于析出物首先被腐蚀、坑的产生变得不均匀。另一方面，若超过580℃，箔之间贴合。退火温度的优选下限值为500℃，优选上限值为560℃。另外，优选退火在真空中或在惰性气体中的非氧化氛围气中进行。另外，烧结时间优选为1～24小时，更优选为4～12小时。
本发明到最终退火为止的工序没有特别的限制，这些工序按照常规方法进行。作为到最终退火为止的一般的箔制造工序，可以列举所需要组成的铝板坯的制造、表面加工、恒热处理、热轧、含有中间退火的冷轧、箔轧制、脱脂洗涤。
进一步，本发明的电解电容器，作为电极材料通过使用特定化学组成的铝箔，可以高密度且均匀地形成蚀坑、可以使扩面率增大。通过这种扩面率的增大可以得到高的静电容量。
本发明的电解电容器中，包含阳极、阴极的任意一方为用上述组成的铝箔制成的电容器、两极都用上述组成的铝箔制成的电容器这三者。另外，铝箔的化学组成以外的条件，例如箔的厚度、腐蚀方法、形成被膜组成等没有任何限制。
发明的最佳实施方案制造箔时，首先，用小型的铰链式铸型，相对于铝浓度99.99％的高浓度铝添加表1和表2所示的元素、制造该组成的锭。然后，对这些锭，按照常规方法、经过表面加工、热轧、冷轧、中间退火在轧制成厚度100μm的箔，脱脂洗涤后，在惰性气体中，在520℃、5小时的条件下进行最终退火。
然后，对各个箔使用80℃、5wt％盐酸+20wt％硫酸的混合浴、在0.2A/cm2、100秒直流电解下进行第1次腐蚀后，在相同的溶液中进行第2次的化学腐蚀。调节时间使化学腐蚀的腐蚀溶解量为35±1％。
然后，对于这些腐蚀箔，在5％硼酸浴中、在350V下进行化合处理后，测定在3wt％硼酸铵中的静电容量。将比较例1中的静电容量作为100％，用相对值在表1及表2中表示静电容量。表1
表2
由表1、2的结果可以确认，通过控制箔的化学组成，可以使扩面率增大、得到高的静电容量。
产业上的可利用性如上所述，由于本发明的电解电容器电极用铝材料、和根据本发明的方法制造的电解电容器电极用铝箔，通过扩面率的增大而得到高静电容量，所以适合作为在各种电子机器、特别是小型化电子机器中使用的电解电容器的电极材料。
本发明中使用的术语及表达是为了说明而使用的、并不是为了限定的解释而使用的，必须确认不排除这里所表示和叙述的特征事项的任何均等物，也容许本发明权利要求范围内的各种变形。
权利要求
1.一种电解电容器电极用铝材料，其特征在于，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。
2.如权利要求1记载的电解电容器电极用铝材料，Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、B含量为1ppm或以下。
3.一种电解电容器电极用铝材料，其特征在于，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Ti1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。
4.如权利要求3记载的电解电容器电极用铝材料，Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、B含量为1ppm或以下。
5.如权利要求3或4记载的电解电容器电极用铝材料，Ti含量为5～20ppm。
6.一种电解电容器电极用铝材料，其特征在于，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～50ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。
7.如权利要求6记载的电解电容器电极用铝材料，Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、B含量为1ppm或以下。
8.如权利要求6或7记载的电解电容器电极用铝材料，Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种的含量在3ppm或以上、Mn、Ga、Mg和Ca的总含量为3～30ppm。
9.一种电解电容器电极用铝材料，其特征在于，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有In、Sn、Sb中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。
10.如权利要求9记载的电解电容器电极用铝材料，Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、B含量为1ppm或以下。
11.如权利要求9或10记载的电解电容器电极用铝材料，In、Sn、Sb中至少一种含量在2ppm或以上、In、Sn及Sb的总含量为2～15ppm。
12.一种电解电容器电极用铝材料，其特征在于，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Ti1～30ppm、还含有Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～50ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。
13.如权利要求12记载的电解电容器电极用铝材料，Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、B含量为1ppm或以下。
14.如权利要求12或13记载的电解电容器电极用铝材料，Ti含量为5～20ppm。
15.如权利要求12或13记载的电解电容器电极用铝材料，Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种的含量在3ppm或以上、Mn、Ga、Mg和Ca的总含量为3～30ppm。
16.如权利要求12记载的电解电容器电极用铝材料，Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、Ti含量为5～20ppm、Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种的含量在3ppm或以上、Mn、Ga、Mg和Ca的总含量为3～30ppm、B含量为1ppm或以下。
17.一种电解电容器电极用铝材料，其特征在于，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Ti1～30ppm、还含有In、Sn、Sb中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。
18.如权利要求17记载的电解电容器电极用铝材料，Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、B含量为1ppm或以下。
19.如权利要求17或18记载的电解电容器电极用铝材料，Ti含量为5～20ppm。
20.如权利要求17或18记载的电解电容器电极用铝材料，In、Sn、Sb中至少一种的含量在2ppm或以上、In、Sn和Sb的总量为2～15ppm。
21.如权利要求17记载的电解电容器电极用铝材料，Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、Ti含量为5～20ppm、In、Sn、Sb中至少一种的含量在2ppm或以上、In、Sn和Sb的总量为2～15ppm、B含量为1ppm或以下。
22.一种电解电容器电极用铝材料，其特征在于，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～50ppm、还含有In、Sn、Sb中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。
23.如权利要求22记载的电解电容器电极用铝材料，Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、B含量为1ppm或以下。
24.如权利要求22或23记载的电解电容器用铝材料，Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种的含量在3ppm或以上、Mn、Ga、Mg和Ca的总量为3～30ppm。
25.如权利要求22或23记载的电解电容器电极用铝材料，In、Sn、Sb中至少一种的含量在2ppm或以上、In、Sn和Sb的总含量为2～15ppm。
26.如权利要求22记载的电解电容器电极用铝材料，Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种的含量在3ppm或以上、Mn、Ga、Mg和Ca的总量为3～30ppm、In、Sn、Sb中至少一种的含量在2ppm或以上、In、Sn和Sb的总含量为2～15ppm、B含量为1ppm或以下。
27.一种电解电容器电极用铝材料，其特征在于，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Ti1～30ppm、还含有Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～50ppm、还含有In、Sn、Sb中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。
28.如权利要求27记载的电解电容器电极用铝材料，Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、B含量为1ppm或以下。
29.如权利要求27或28记载的电解电容器电极用铝材料，Ti含量为5～20ppm。
30.如权利要求27或28记载的电解电容器电极用铝材料，Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种的含量在3ppm或以上、Mn、Ga、Mg和Ca的总含量为3～30ppm。
31.如权利要求27或28记载的电解电容器电极用铝材料，In、Sn、Sb中至少一种的含量在2ppm或以上、In、Sn和Sb的总含量为2～15ppm。
32.如权利要求27记载的电解电容器电极用铝材料，Ti含量为5～20ppm、Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种的含量在3ppm或以上、Mn、Ga、Mg和Ca的总含量为3～30ppm。
33.如权利要求27记载的电解电容器电极用铝材料，Ti含量为5～20ppm、In、Sn、Sb中至少一种的含量在2ppm或以上、In、Sn和Sb的总含量为2～15ppm。
34.如权利要求27记载的电解电容器电极用铝材料，Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种的含量在3ppm或以上、Mn、Ga、Mg和Ca的总含量为3～30ppm、In、Sn、Sb中至少一种的含量在2ppm或以上、In、Sn和Sb的总含量为2～15ppm。
35.如权利要求27记载的电解电容器电极用铝材料，Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、Ti含量为5～20ppm、Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种的含量在3ppm或以上、Mn、Ga、Mg和Ca的总含量为3～30ppm、B含量为1ppm或以下。
36.如权利要求27记载的电解电容器电极用铝材料，Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、Ti含量为5～20ppm、In、Sn、Sb中至少一种的含量在2ppm或以上、In、Sn和Sb的总含量为2～15ppm、B含量为1ppm或以下。
37.如权利要求27记载的电解电容器电极用铝材料，Ti含量为5～20ppm、Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种的含量在3ppm或以上、Mn、Ga、Mg和Ca的总含量为3～300ppm、In、Sn、Sb中至少一种的含量在2ppm或以上、In、Sn和Sb的总含量为2～15ppm。
38.如权利要求27记载的电解电容器电极用铝材料，Si含量为5～20ppm、Fe含量为5～20ppm、Cu含量为30～100ppm、Zn含量为10～50ppm、Pb含量为0.3～2ppm、Zr、V中至少一种的含量在20ppm或以上、Zr和V的总含量为20～70ppm、Ti含量为5～20ppm、Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种的含量在3ppm或以上、Mn、Ga、Mg和Ca的总含量为3～30ppm、In、Sn、Sb中至少一种的含量在2ppm或以上、In、Sn和Sb的总含量为2～15ppm、B含量为1ppm或以下。
39.一种电解电容器电极用铝箔的制造方法，其特征在于，箔轧制在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成的铝材料后、在430～580℃下进行最终退火。
40.一种电解电容器电极用铝箔的制造方法，其特征在于，箔轧制在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Ti1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成的铝材料后、在430～580℃下进行最终退火。
41.一种电解电容器电极用铝箔的制造方法，其特征在于，箔轧制在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～50ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成的铝材料后、在430～580℃下进行最终退火。
42.一种电解电容器电极用铝箔的制造方法，其特征在于，箔轧制在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有In、Sn、Sb中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成的铝材料后、在430～580℃下进行最终退火。
43.一种电解电容器电极用铝箔的制造方法，其特征在于，箔轧制在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Ti1～30ppm、还含有Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～50ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成的铝材料后、在430～580℃下进行最终退火。
44.一种电解电容器电极用铝箔的制造方法，其特征在于，箔轧制在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Ti1～30ppm、还含有In、Sn、Sb中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成的铝材料后、在430～580℃下进行最终退火。
45.一种电解电容器电极用铝箔的制造方法，其特征在于，箔轧制在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～50ppm、还含有In、Sn、Sb中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成的铝材料后、在430～580℃下进行最终退火。
46.一种电解电容器电极用铝箔的制造方法，其特征在于，箔轧制在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Ti1～30ppm、还含有Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～50ppm、还含有In、Sn、Sb中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成的铝材料后、在430～580℃下进行最终退火。
47.一种电解电容器，其特征在于，阳极或阴极的至少一方由，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成的铝箔构成。
48.一种电解电容器，其特征在于，阳极或阴极的至少一方由，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Ti1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成的铝箔构成。
49.一种电解电容器，其特征在于，阳极或阴极的至少一方由，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～50ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成的铝箔构成。
50.一种电解电容器，其特征在于，阳极或阴极的至少一方由，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有In、Sn、Sb中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成的铝箔构成。
51.一种电解电容器，其特征在于，阳极或阴极的至少一方由，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Ti1～30ppm、还含有Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～50ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成的铝箔构成。
52.一种电解电容器，其特征在于，阳极或阴极的至少一方由，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Ti1～30ppm、还含有In、Sn、Sb中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成的铝箔构成。
53.一种电解电容器，其特征在于，阳极或阴极的至少一方由，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～50ppm、还含有In、Sn、Sb中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成的铝箔构成。
54.一种电解电容器，其特征在于，阳极或阴极的至少一方由，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，进一步，含有Ti1～30ppm、还含有Mn、Ga、Mg、Ca中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～50ppm、还含有In、Sn、Sb中至少一种在1ppm或以上且总计含有1～30ppm、B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成的铝箔构成。
全文摘要
本发明的电解电容器电极用铝材料，在化学组成中，Al纯度99.9％或以上、在含有Si2～50ppm、Fe2～50ppm、Cu15～150ppm、Zn1～80ppm和Pb0.1～3ppm的同时，含有Zr、V中至少一种在11ppm或以上且总计含有11～100ppm，B含量被限制在2ppm或以下，剩余部分由铝及杂质组成。另外，在上述组成中，可以选择地添加1～30ppm的Ti、总计1～50ppm的Mn组元素(Mn、Ga、Mg、Ca中的一种或以上)、总计1～30ppm的In组元素(In、Sn、Sb中的一种或以上)。本发明的电解电容器电极用铝箔的制造方法，其特征在于，箔轧制上述化学组成的铝材料后、在430～580℃下进行最终退火。
文档编号C22F1/04GK1458982SQ01815777
公开日2003年11月26日 申请日期2001年9月20日 优先权日2000年9月20日
发明者加藤太郎, 小山彰, 赤尾昌人, 藤平忠雄, 山井智明, 张进 申请人:尼吉康株式会社, 昭和电工株式会社