Ag类反射膜及其制作方法

专利名称：Ag类反射膜及其制作方法
技术领域：
本发明涉及Ag类反射膜及其制作方法，特别地涉及包括Ag类膜和覆盖层的Ag类反射膜及其制作方法。
背景技术：
一直以来，在显示装置中作为反射膜的Ag类薄膜倍受瞩目。众所周知该Ag类薄膜在耐蚀性方面具有问题。即，Ag类薄膜由于存在大气中或周围气体中的硫磺成分或氯成分等而变色，导致反射率降低，另外，由于与基板的密合性变差，需要设置上层保护膜和衬底密合层。
作为改善上述耐蚀性的方法，提出了使用由AgPd类或AgPdCu类的合金构成的膜作为Ag类薄膜(例如，参照专利文献1以及2)。但是，这种合金构成的膜，在硫化氢气体中，未必满足耐蚀性，同时与基板的密合性也不佳，需要由金属氧化物等构成的密合层。
另外，通过研究合金组成，提出了具有高反射率、与基板的密合性、耐蚀性都优异的Ag合金薄膜的制备方法以及制备该薄膜用的溅射靶(例如，参照专利文献3)。使用该靶制作Ag合金薄膜(由0.55at％的Au、0.27at％的Sn、其余部分为Ag组成的AgAuSn类合金膜膜厚1500)时，发现在高温高湿下(80℃、90％RH)，耐蚀性得到改善，即使在200小时后，波长400nm的反射率下降也被控制在3％左右(图1)，但是，在硫化氢中(40℃、80％RH)的试验中，反射率显著降低，对硫化氢的耐蚀性不佳(图2)。图1(高温高湿下的耐蚀实验)是刚成膜后(线a)、24小时(线b)、90小时(线c)、165小时(线d)、200小时(线e)后，绘制分别测得的反射率(波长400～700nm)的图，图2(在硫化氢中的耐蚀实验)是刚成膜后(线a)、1小时(线b)、2小时(线c)、4小时(线d)、8小时(线e)、16小时(线f)、24小时(线g)后，绘制分别测得的反射率的图(波长300～800nm)。
此外，已知由氧化物构成的衬底层、Ag类合金构成的反射层以及覆盖层所组成的层压结构的光反射层(例如，参照专利文献4)。该覆盖层由至少1层折射率为小于等于1.7的绝缘体层和至少2层含有铟以及铈的氧化物层的大于等于3层的层组成，存在不能避免绝时反射率降低、需要严格地使各层的膜厚分布一致，存覆盖层的制作成本提高的问题。
特开2000-109943号公报(权利要求书)[专利文献2]特开2000-285517号公报(权利要求书)[专利文献3]特开2004-197117号公报(权利要求书)[专利文献4]特开2003-195286号公报(权利要求书)发明内容本发明的课题是解决上述现有技术的问题，提供即使在硫化氢中的苛刻的耐蚀性实验中也不会恶化，仍可以维持高反射率的Ag类反射膜及其制作方法。
本发明者们针对在Ag类膜上形成的保护膜，对材料类、保护膜的膜厚等的最佳化进行了研究。结果发现即使将保护膜的膜厚设定得相当薄，在耐蚀性实验特别是在被认为苛刻的硫化氢中的耐蚀性试验中，也可以完全地抑制Ag类膜恶化。在这种情况下，对作为电极膜所必需的导电性材料和限定为用作反射膜的绝缘膜类材料两者进行研究。
本发明的Ag类反射膜，特征在于包括在Ag类膜上层压极薄的覆盖层而形成的层压膜。这样，通过在反射膜Ag类膜上设置透明性高、非常薄的作为阻挡层的覆盖层，可以在即使苛刻的腐蚀性气体中也不会使反射率降低、提高耐久性。为了尽可能抑制覆盖层的光吸收，期望使用透射率高的材料类，覆盖层的膜厚尽可能薄的结构。
前述的Ag类膜优选纯Ag膜和AgAu类、AgAuSn类、AgPd类以及AgPdCu类合金的任一种的Ag类合金膜。从反射率的观点来看，纯Ag是最优异的。
前述的Ag类合金膜，优选主要成分为Ag，并含有0.1～4.0at％的Au、0.1～2.5at％的Sn的AgAuSn类合金膜。该Ag类合金膜，在可见光区域反射率为大于等于90％，耐蚀性、与玻璃基板等的密合性优异。如果在上述组成范围外，Ag类反射膜不能满足反射率、耐蚀性、密合性全部。在该反射膜中，就耐蚀性来说，主要在于Au的添加和作为保护层的覆盖层，就密合性来说，主要在于Sn的添加。
前述的AgAuSn类合金膜，此外还可以含有0.1～3.0at％的氧。含有该范围内的氧的膜，与基板的密合性优异。
前述的覆盖层，优选是由选自ITO、ZnO、IZO以及SnO2的金属氧化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、硅氮化物、铝氮化物、和钛氮化物的材料构成的膜。
前述的覆盖层的膜厚，一般可以为3～50nm。在覆盖层的材料是金属氧化物时，该覆盖层的膜厚优选3nm～15nm。该覆盖层的膜厚越薄反射特性越好(参照后述图3)，如果在前述范围内，完全可以达到目的。另外，就耐久性来说，如果在前述膜厚范围内，在硫化氢气体中的反射率也几乎不随时间变化(参照后述图4)。
前述覆盖层，优选是利用真空蒸镀法、溅射法、CVD法的真空工艺制作的膜。
前述Ag类反射膜，优选是在大气中、真空中、惰性气体中的任一种的气体中进行后退火处理的膜。可以提供覆盖层的透射率增强和Ag类薄膜的结晶化加快的稳定的膜。
本发明的Ag类反射膜的制备方法，其特征在于使用具有与前述纯Ag膜或Ag类合金膜相应的组成的溅射靶，使用Ar气作为溅射气体，添加仅在成膜初期加入的选自O2、H2O以及H2+O2的至少一种含氧气体进行溅射，在基板上形成Ag类膜，接着，使用具有与前述覆盖层相应的组成的溅射靶，使用Ar作为溅射气体，适宜使用选自O2、H2O、H2+O2以及N2的至少一种气体作为添加气进行溅射，在Ag类膜上形成极薄的覆盖层。
前述这样形成极薄的覆盖层后，优选在大气中、真空中或者惰性气体中进行退火处理。这种成膜后的退火处理不一定是必要的，但是，通过退火处理，可以提高覆盖层的透射率，另外，Ag类薄膜的结晶化加快，膜稳定。
利用本发明的Ag类反射膜以及通过本发明的制作方法得到的Ag类反射膜，显示出这样的效果即使在硫化氢中的苛刻的耐蚀性实验中也不会恶化、可以维持高反射率。
附图的简要说明图1是表示现有的Ag类合金膜(Ag/Au/Sn合金膜)在高温高湿下的反射率随时间变化的图。
图2是表示现有的Ag类合金薄膜(Ag/Au/Sn合金膜)在硫化氢中的反射率随时间变化的图。
图3是表示由实施例1所得的Ag类反射膜的覆盖层的膜厚与反射率的相互关系的图。
图4是针对由实施例1所得的Ag类反射膜的耐久性，在硫化氢气体中，反射率随时间变化的图。
图5是表示实施例中使用的联机式溅射装置的简要结构的结构图。
图6是表示由实施例2所得的Ag类反射膜的覆盖层膜厚与反射率的相互关系的图。
图7是表示改变图6时的成膜压力所得的Ag类反射膜的覆盖层的膜厚与反射率的相互关系的图。
图8是针对由实施例2所得的Ag类反射膜的耐久性，在硫化氢气体中，反射率随时间变化的图。
图9是表示由实施例3所得Ag类反射膜的覆盖层的膜厚与反射率的相互关系的图。
图10是表示由实施例1所得的由ITO覆盖层(5nm)/Ag类合金膜(150nm)组成的2层膜在退火前后的反射率的图。
符号说明1、2、3溅射室 4、5、6闸门阀1a、2a、3a 阴极 1b、2b、3b靶7烟囱具体实施方式
作为本发明的Ag类反射膜的下层，只要是使用市售的材料、按照公知的方法得到的反射率高、耐蚀性良好的Ag类金属膜(以下，如果没有特别限制，称为Ag类合金膜)，就没有特别的限制，例如，优选纯Ag膜或选自AgAu类、AgAuSn类、AgPd类以及AgPdCu类合金的合金膜。
作为AgAuSn类合金膜，例如可以列举前述的合金膜。作为AgPd类合金膜，例如，可以列举以Ag作为主要成分、Pd含量为0.5～4.9at％的合金膜等。作为AgPdCu类合金膜，例如，可以列举前述AgPd类合金进一步含有0.1～3.5at％Cu的合金膜或以Ag作为主要成分、Pd含量为0.5～3.0wt％以及Cu含量为0.1～3.0wt％的合金膜等。
在本发明中，作为保护Ag类合金膜的覆盖层，可以是即使在硫化氢中的苛刻耐蚀试验中，也不会使下层的Ag类合金膜的反射率降低，可以维持高反射率这样的金属膜。如上所述，可以使用由各种金属氧化物或氮化物构成的超薄膜。
用于构成该覆盖层的材料中，具有导电性的ITO、ZnO、IZO以及SnO2等金属氧化物，可以形成透明导电膜，也可以作为反射电极使用。另外，由Si、Al、Ti、Ta等的氮化物、氧化物构成的膜由于是绝缘性薄膜，因此只限定用作反射膜。在制作Si、Al、Ti、Ta等氧化物构成的膜时，由于使用大量的氧，在使用溅射法或CVD法等等离子体的工艺时，因为引起Ag膜氧化，所以在制作作为覆盖层的氧化物膜时，不使用等离子体的蒸镀法等方法较合适。另外，ITO等透明导电膜制作时，由于添加少量氧就可以溅射，不会因为Ag类合金膜的氧化而恶化，因此不受其成膜工艺的限制。
覆盖层的膜厚，在使用导电性的金属氧化物时，优选3nm～15nm，更加优选3～10nm，最优选3～5nm。在使用绝缘性的金属氮化物或金属氧化物作覆盖层时，覆盖层的膜厚一般为3～50nm、优选3～15nm、更加优选3～10nm，最优选3～5nm。对覆盖层的膜厚和覆盖层的透射率、覆盖层/反射膜组成的层压膜的反射率、耐久性之间的相互关系进行研究，发现覆盖层的膜厚越薄，反射特性越好(参照后述图3)。针对耐久性，调查在硫化氢气体中的反射率经时间的变化，结果发现如果在前述膜厚范围内，反射率几乎没有变化，具有足够的耐久性(参照后述图4)。
另外，覆盖层优选是通过真空蒸镀法、溅射法、CVD法的真空工艺，按照公知的条件制作得到的薄膜。但是，覆盖层的膜厚控制由于需要在纳米水平，因而不能通过湿式法控制。因此，覆盖层的成膜工艺限定为利用蒸空的成膜法。
用于制作覆盖层的真空蒸镀法、CVD法(特别是等离子体CVD法)可以按照公知的条件进行，以下集中地表示其工艺条件的一个例子。
(1)使用真空蒸镀法制作ITO膜的工艺条件方式电子束(EB)蒸镀材料ITO(10wt％SnO2)片剂压力5×10-3Pa电压5kV电流50mA
O2ISCCM成膜速率0.5nm/秒在上述成膜条件下得到膜厚为5、10、20nm的ITO膜。
(2)通过真空蒸镀法制作SiO2膜的工艺条件方式电子束(EB)蒸镀材料SiO2片剂压力2×10-3Pa电压5kV电流100mA成膜速率0.5nm/秒在上述成膜条件下得到膜厚为5、10、20、40nm的SiO2膜。
(3)通过等离子CVD制作SiNx膜的工艺条件电源RF电源(13.56MHz)RF功率100WSiH45SCCMN2100SCCM成膜温度100℃成膜压力100Pa成膜速率0.2nm/秒在上述成膜条件下得到膜厚为5、10、20、40nm的SiNx膜。
如上述所得的各膜，在以下实施例描述的硫化氢暴露试验中，反射率没有降低。
为了形成覆盖层的透射率高，另外，下层的Ag类合金膜的结晶化快的稳定化的膜，优选在大气中、真空中、惰性气体中的任一种环境气体中，对所得的Ag类反射膜进行后退火处理。该退火处理，例如优选在200～300℃的温度下通过加热0.5～2小时进行。
本发明的Ag类反射膜，例如通过溅射成膜制作时，如前所述，通过如下过程制得使用含有与Ag类合金膜的组成相应的组成的溅射靶，使用作为溅射气的Ar气，添加仅在成膜初期加入的选自O2、H2O以及H2+O2的至少一种含氧气体作为添加气进行溅射，在基板上形成Ag合金膜，接着使用含有与覆盖层相应的组成的溅射靶，使用作为溅射气体的Ar，适宜使用选自O2、H2O、H2+O2和N2的至少一种气体作为添加气进行溅射，形成极薄的覆盖层。这种情况下成膜，可以在室温～350℃的温度下进行。另外，在溅射靶中含有Sn的合金膜，通过使用微量的O2、H2O、H2+O2的添加气，在膜中生成SnO2组分。这些添加气的最佳分压为2.7×10-3Pa～6.7×10-2Pa左右。该SnO2组分由于形成与基板的粘合剂，因此可以容易地提供密合性优异的Ag类金属膜。另外，从反射率、电阻率的观点来看，这些氧化剂的添加气的导入更优选仅在与基板靠近的界面(Ag类薄膜形成初期)进行。
作为在本发明中可以使用的基板，可以结合应用Ag类反射膜的用途而适当地选择，例如，可以使用玻璃、硅、还有塑料薄膜等。
在本发明的说明书中，重点记载了反射膜的用途，由于所得的Ag类反射膜是可以保持高反射率，并且即使在苛刻的条件下耐蚀性也优异的膜，因此可以作为光学用途的高反射膜、逆光或LCD用途的反射膜、LCD或有机EL的反射电极膜等。
以下，参照


本发明的实施例。
首先，图5表示在实施例中使用的联机式(in-line)溅射装置的简要构造。该溅射装置具有第1～第3溅射室1～3。各个溅射室分别通过闸门阀4、5、6隔开。闸门阀4隔开投料室(L/UL)和溅射室1。闸门阀5隔开溅射室1和溅射室2，闸门阀6隔开溅射室2和溅射室3。各溅射室分别可以形成与真空排气系统以及气体导入系统连接的结构，投料室也装有真空排气系统。该气体导入系统形成除了可以导入Ar外，还可以导入O2、H2O、H2+O2、N2等这样的结构。在各个溅射室内部，分别配置具有磁回路的阴极电极1a、2a、3a，在这些阴极电极上，分别安装靶1b、2b、3b。安装也在Ag类膜形成用的Ag类合金靶作为第一溅射室的靶1b，以ITO为代表的金属氧化物靶作为第2溅射室2的靶2b，Si靶或金属靶作为第3溅射室3的靶3b。这些靶分别地形成可以外加DC偏压的结构。作为这些靶，可以使用作为目标的Ag类膜或由根据覆盖层组成适宜选择的一定比例的金属构成。
在第2、第3溅射室2、3的靶2b、3b的上方，为了可以控制薄膜的膜厚，相对于进行方向，安装具有期望的口径宽度、例如20mm左右口径宽度的烟囱7。
图5中，8是基板搬送支架或基板基座，S是基板。
实施例1<ITO覆盖层>
在第1溅射室1的靶1b中，安放以Ag作为主成分、添加0.55at％(1.0wt％)Au、0.27at％(0.3wt％)Sn的Ag类合金靶、在第2溅射室2的靶2b中，安装ITO(10wt％SnO2)靶。
将200SCCM的氩气、0.5SCCM氧气(O2分压6.65E-3Pa)导入到第1溅射室中，将功率2000W的DC(功率密度3.88W/cm3)投入到靶1b中。溅射压力设定为0.667Pa左右。支撑洗净的玻璃基板S(圆锥形1737)的支架8从投料室向第1溅射室1移动，在运输速度为31cm/min、室温下进行通过成膜。在支架8通过靶1b的时间点，形成膜厚为50nm的Ag类合金膜。接着，停止氧气导入，仅在氩气下放电，沿相反方向以31cm/min的运输速度移动支架8，支架8通过靶1b后，再沿进行方向移动，成膜至膜厚100nm。在基板S上形成合计膜厚150nm的Ag类合金膜。
接着，将200SCCM的Ar气导入到第2溅射室2，调整溅射压力至0.667Pa，将功率为580W的DC(功率密度为1W/cm2)投入到溅射室2b中。其后，将支架8从溅射室1向溅射室2移动，在运输速度为40cm/min、室温下进行通过成膜，在Ag类合金膜上形成膜厚5nm的ITO膜作为覆盖层。放电完毕后，停止供应Ar气，支架8返回到投料室，取出基板。这样得到由ITO覆盖层(5nm)/Ag类合金膜(150nm)构成的2层膜。
而且，调整在上述溅射室2的输送速度，用同样的方法制作具有ITO膜厚为10、20、40nm覆盖层的Ag类合金膜(150nm)。
测定所得的由覆盖层/Ag类合金膜组成的2层膜的绝对反射率(波长300～800nm)，与没有覆盖层时的反射率作比较。所得结果如图3所示。从图3可以清楚地看出，随着作为覆盖层的ITO膜的膜厚变厚，反射率降低。膜厚为5nm的ITO膜，其反射率的降低是最少的。
对形成了ITO覆盖层的Ag类合金膜进行硫化氢老化试验。在H2S浓度为10ppm、温度为40℃、湿度80％的条件下，测定放置1、2、4、8、16、24小时后的试样的绝对反射率(波长300～800nm)。所得结果如图4所示。由于所得结果在基本一条曲线上，因此如图4所示没有用虚线、点划线分别描绘每个放置时间，但是从该图可以看出是24小时后反射率也没有下降，耐蚀性优异的膜。
另外，使用以Ag作为主要成分，添加0.28at％(0.5wt％)的Au、0.46at％(0.5wt％)的Sn的靶，在与上述同样的条件下，在玻璃基板上形成由ITO覆盖层(5nm)/Ag类合金膜(150nm)组成的2层膜，并时该膜进行24小时的硫化氢的老化试验。其结果反射率完全没有随时间变化，显示良好的耐蚀性。
在上述方法中，使用管道式(in-line)的成膜方法，也可以使用固定基板的间歇式、单张式、基板旋转式等成膜装置。
实施例2<SiNx覆盖层>
在第一溅射室1的靶1b中，与实施例1相同，安装以Ag作为主要成分、添加0.55at％(1.0wt％)的Au、0.27at％(0.3wt％)的Sn的Ag类合金靶，在第3溅射室3的靶3b中安装Si靶。
使用该Ag类合金靶，通过与实施例1同样的操作，在玻璃基板上形成150nm膜厚的Ag类合金膜后，把基板输送到第2溅射室2中。接着，将60SCCM的Ar气、40SCCM的N2气导入到第3溅射室3中，调整溅射压力至0.4Pa，将功率2000W的DC(功率密度3.88W/cm2)投入到Si靶中。打开第2溅射室2与第3溅射室3之间的闸门阀6，以输送速度为80cm/min移动支架8，在室温下进行通过成膜，在Ag类合金膜上形成作为覆盖层的膜厚为5nm的SiNx膜。放电完毕后，停止供气，支架8返回投料室，取出基板。可以得到由SiNx覆盖层(5nm)/Ag类合金膜(150nm)组成的2层膜。
除了改变输送速度外，其余与上述相同，制作具有SiNx膜厚为10nm、40nm覆盖层的Ag类合金膜。SiNx膜厚对由SiNx覆盖层/Ag类合金膜组成的2层膜的反射率的依赖性如图6所示。另外，SiNx成膜时的压力为0.93Pa、与上述相同，制作由SiNx覆盖层/Ag类合金膜组成的2层膜。SiNx膜厚对该2层膜的反射率的依赖性如图7所示。由图6以及图7可以清楚地看出由SiNx膜组成的覆盖层与ITO覆盖层同样，覆盖层的膜厚越薄，越显示良好的反射率特性。SiNx的成膜压力为0.93Pa时，在短波长的反射率下降少。认为这是由于折射率不同的缘故。
对形成了SiNx覆盖层的Ag类合金膜进行硫化氢老化试验。在H2S浓度为10ppm、温度为40℃、湿度80％的条件下，测定放置1、2、4、8、16、24小时后的试样的绝对反射率(波长300～800nm)。所得结果如图8所示。由于所得结果基本在一条曲线上，因此看出是在24小时后反射率也没有降低，耐蚀性优异的膜。
实施例3<SiOx覆盖层>
在第一溅射室的靶1b中，安装以Ag作为主要成分、添加0.55at％(1.0wt％)的Au、0.27at％(0.3wt％)的Sn的靶，在第3溅射室的靶3b中安装Si靶。
使用该Ag类合金靶，通过与实施例2同样的操作，在玻璃基板上形成150nm膜厚的Ag类合金膜后，把基板输送到第2溅射室2中。接着，将70SCCM的Ar气、30SCCM的O2气导入到第3溅射室3中，调整溅射压力至0.4Pa，将功率2000W的DC投入到Si靶中。打开第2溅射室2与第3溅射室3之间的闸门阀6，以输送速度为80cm/min移动支架8，在室温下进行通过成膜，在Ag类合金膜上形成作为覆盖层的膜厚为5nm的SiOx膜。放电完毕后，停止供气，支架8返回投料室，取出基板。可以得到由SiOx覆盖层(5nm)/Ag类合金膜(150nm)组成的2层膜。
除了改变输送速度外，其余与上述相同，制作具有SiOx膜厚为40nm的覆盖层的Ag类合金膜。SiOx膜厚对由SiOx覆盖层/Ag类合金膜组成的2层膜的反射率的依赖性如图9所示。
由图9可以清楚地看出与实施例2的SiNx覆盖层不同，由SiOx覆盖层和Ag类合金膜组成的2层膜的反射率(波长300～800nm)与Ag单膜(膜厚150nm)相比，大幅度地降低。认为这是由于大量地使用氧的工艺，氧等离子体使Ag类合金膜氧化的缘故。
将O2导入到Ag类合金膜上，调整氧分压，使溅射成膜工艺中的Ag类合金膜没有氧化。其结果发现如果在小于等于0.065Pa成膜，所得的2层膜的反射率没有降低，若是在该氧分压范围内形成的氧化物膜，是可以作为Ag类合金膜的覆盖层使用的膜。
实施例4<成膜后的退火处理>
在大气中、250℃下，对实施例1记载的由ITO覆盖层(5nm)/Ag类合金膜(150nm)组成的2层膜进行1个小时的退火处理。图10表示退火前后的反射率(波长300～800nm)。通过退火处理，反射率提高2～4％左右。其原因认为是ITO覆盖层的透射率得到改善，另外，通过退火处理，促进了Ag类合金膜的结晶化，表面更平滑，其结果是反射率提高。
在上述实施例2以及实施例3所记载的方法中也对在基板温度为室温下成膜的膜进行了说明，进行基板加热成膜或者与实施例4相同在室温成膜后进行退火处理，都可以得到具有与实施例4同样的高反射率的膜。该成膜温度在室温～350℃下，可以得到同样的结果。对于进行退火处理的情况，认为与室温成膜的膜相比，反射率提高了2～3％左右。
在上述实施例中，重点地记载了AgAuSn类合金膜作为Ag类合金膜，纯Ag膜或AgPd类、AgPdCu类、AgAu类合金膜的情况也与AgAuSn类合金膜的情况相同，以同样的相当薄的膜厚应用ITO覆盖层或SiNx覆盖层或SiOx覆盖层，衬底的纯Ag膜或Ag类合金膜的反射率，即使在对硫化氢的耐蚀性试验中也不会劣化，可以维持高的反射率。
另外，使用ITO膜以外的AZO、IZO、SnO2等膜作为覆盖层也可以取得同样的效果。作为氮化物膜，使用Si靶以外的Al、Ti、Ta等靶制作氮化物膜也可以取得同样的效果。
根据本发明，由于可以提供以下的Ag类反射膜、即通过在Ag类膜上积层相当薄的覆盖层，Ag类膜的反射率，即使在硫化氢的耐蚀性实验中也不会劣化，并且可以维持高的反射率，本发明可以在显示用的反射膜或光学相关的反射膜等领域使用。另外，设置覆盖层的Ag类膜由于是不仅可以保持高反射率、而且耐蚀性优异的膜，因此，也可以在光学用途的高反射膜、逆光或LCD用途的反射膜、LCD、有机EL的反射电极膜领域使用。
权利要求
1.Ag类反射膜，特征在于具有在Ag类膜上层压极薄的覆盖层形成的层压膜。
2.如权利要求1所述的Ag类反射膜，特征在于所述的Ag类膜是纯Ag膜、选自AgCu类、AgAuSn类、AgPd类以及AgPdCu类合金的Ag类合金膜。
3.如权利要求1所述的Ag类反射膜，特征在于所述的Ag类合金膜是以Ag为主要成分，含有0.1～4.0at％的Au、0.1～2.5at％的Sn而形成的AgAuSn类合金膜。
4.如权利要求3所述的Ag类反射膜，特征在于所述的AgAuSn类合金膜还含有0.1～3.0at％的氧。
5.如权利要求1～4任一项所述的Ag类反射膜，特征在于所述的覆盖层的膜厚为3～50nm。
6.如权利要求1～5任一项所述的Ag类反射膜，特征在于所述的覆盖层是由选自ITO、ZnO、IZO以及SnO2的金属氧化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、硅氮化物、铝氮化物、钛氮化物和钽氮化物的材料构成的膜。
7.如权利要求1～4以及权利要求6的任一项所述的Ag类反射膜，特征在于当所述的覆盖层是所述的金属氧化物膜时，所述覆盖层的膜厚为大于等于3nm、不足15nm。
8.如权利要求1～7任一项所述的Ag类反射膜，特征在于所述的覆盖层是通过真空蒸镀法、溅射法、CVD法的真空工艺制作的膜。
9.如权利要求1～8任一项所述的Ag类反射膜，特征在于在大气中、真空中、惰性气体中的任意一种环境气氛中，上述Ag类反射膜进行后退火处理。
10.一种Ag类反射膜的制作方法，特征在于使用具有与权得要求2所述的纯Ag膜或Ag类合金膜、或权利要求3所述的AgAuSn类合金膜相应的组成的溅射靶、使用Ar气作为溅射气体，仅在成膜初期添加选自O2、H2O以及H2+O2的至少一种含有氧的气体作为添加气，进行溅射，形成Ag类膜，接着，使用具有与权利要求6所述的覆盖层相应的组成的溅射靶，使用Ar作为溅射气体，适宜使用选自O2、H2O、H2+O2以及N2的至少一种气体作为添加气进行溅射，在Ag类膜上形成极薄的覆盖层。
11.如权利要求10所述的Ag类反射膜的制作方法，特征在于在形成所述的极薄的覆盖层后，在大气中、真空中或者惰性气体中进行退火处理。
全文摘要
本发明提供一种即使在苛刻的耐蚀性试验中，反射率也不会劣化的Ag类合金膜及其制作方法。在纯Ag膜或AgAu类、AgAuSn类、AgPd类、AgPdCu类合金膜上，层压由选自ITO、ZnO、IZO以及SnO
文档编号C23C14/14GK1818136SQ20051012168
公开日2006年8月16日 申请日期2005年9月29日 优先权日2004年9月30日
发明者浮岛祯之, 石桥晓, 斋藤茂, 金丰 申请人:株式会社爱发科, 爱发科材料股份有限公司