专利名称：氧化物烧结体及其制造方法,以及溅射靶及透明导电膜的制作方法
技术领域：
本发明涉及氧化物烧结体及其制造方法，以及采用它的溅射靶，为了形成透明导电膜，将该氧化物烧结体用于溅射法或离子镀覆法中使用的溅射靶或溅射片；特别是，用于LCD(液晶显示器)、有机EL显示器等FPD(平板显示器)的透明电极形成的那些。
背景技术：
氧化铟-氧化锡(In2O3-SnO2的复合氧化物，下面称作ITO)膜的可见光透过性高，并且导电性高，因此在液晶显示器或防玻璃结露用发热膜、红外线反射膜等中广泛用作透明导电膜。例如，对于平板显示器(FPD)中使用的透明导电膜，选择低电阻(电阻率2×10-4Ω·cm左右)的那些。
在这种情况下，有人提出以氧化铟作为主成分，向其中掺杂氧化锡与氧化硅或/及氧化铝的透明导电膜具有高电阻及良好的透明性(参见专利文献1)。
然而，按照该公报的实施例，形成透明导电膜的溅射靶不是烧结体而是压粉体，而具有高电阻，不能使用DC磁控管。
另一方面，作为具有能在DC磁控溅射装置中使用程度的体积电阻、形成的透明导电膜电阻高及光透过率高的溅射靶，本申请人首先开发出添加了氧化硅等绝缘性氧化物的高电阻透明导电膜用溅射靶(参见专利文献2)。另外，公开了以氧化铟及氧化锡作为主成分，含有氧化硅或氧化钛的至少1种的溅射靶(参见专利文献3)。还提出了采用含氧化硅但不存在高电阻物质的氧化硅相的溅射靶，以形成低电阻的透明导电膜的成膜技术(参见专利文献4)。
然而，通过其后的研究，当连续长期溅射放电时，由于存在氧化硅那样的绝缘层，容易产生异常放电，产生不能将稳定的溅射放电保持到最后的问题。
例如，专利文献3中记载的技术，由于添加用于提高电阻的绝缘体氧化硅，在烧结体内存在由氧化硅构成的绝缘体，而成为因充电电荷引起的绝缘破坏而产生的异常放电的原因，故该技术存在得不到长时间的稳定溅射放电的问题。另外，进而还存在由于异常放电导致生成颗粒、设备等的生产性也下降的问题。另外，专利文献4的实施例中记载的烧结体也是低密度，含针孔多，长期使用也会容易产生异常放电的问题。
另外在以前，对于在ITO中的添加了氧化硅的靶，用其进行溅射形成的透明导电膜为无定形的，通过湿法刻蚀的残渣比ITO优异，但仍不充分。
还有，通过这种以前的溅射靶形成的透明导电膜表面平滑性不好，所以存在的问题是向其尖端的过电流可能对显示装置产生不良影响。特别是在表面平滑性中，当最大高低差Ry大时，容易成为过电流的起点。
该透明导电膜的表面平滑性特别在有机EL领域是重要的膜特性，LCD中使用的ITO膜呈现的LCD用的膜特性，例如，Ra＝0.74nm、Ry＝11.3nm的表面平滑性，其不能满足有机EL用的膜特性。
另外，在LCD中，现有的ITO膜的表面平滑性很好，但当Ra、Ry变小时，刻蚀的残渣减少，进而使采用更高精度的湿法刻蚀进行图案加工成为可能。
因此，有机EL或高精细LCD等中使用的Ra或Ry小的透明导电膜以及用于实现它而产生的溅射靶的出现是人们所希望的。
特开平4-206403号公报(用于解决问题的措施等)[专利文献2]特开2003-105532号公报(用于解决问题的措施等)[专利文献3]特开2003-277921号公报(权利要求的范围等)[专利文献4]特开2004-123479号公报(发明的实施方案等)
发明内容
鉴于上述情况，本发明提供一种氧化物烧结体，当作为溅射靶使用时，从使用初期至末期可得到稳定的溅射放电，另外实现了有机EL或高精细LCD等中使用的Ra或Ry小的透明导电膜，本发明还提供了其制造方法以及溅射靶及透明导电膜。
用于解决上述课题的本发明第一方案涉及一种氧化物烧结体，其特征在于，其为含有氧化铟以及根据需要含有氧化锡，且一同含有氧化硅的氧化物烧结体，其相对密度为102％以上。
该第一方案中，通过形成相对密度为102％以上的氧化物烧结体，例如在作为溅射靶时，可以得到从使用初期至末期的稳定的溅射放电，另外，可以得到表面平滑的透明导电膜。
本发明的第二方案涉及氧化物烧结体，其特征在于，在第一方案中记载的氧化物烧结体中，该烧结体内的费伦(フエレ一)直径2μm以上的针孔数为每单位面积50个/mm2以下。
该第二方案中，由于烧结体内针孔数少，例如，在作为溅射靶时，难以产生异常放电。
本发明的第三方案涉及一种氧化物烧结体，其特征在于，在第一或第二方案记载的氧化物烧结体中，用显微镜观察该烧结体的任意断面时，析出相的比例按面积比为40％以上。
该第三方案中，由于析出相比例大到40％以上，例如，在作为溅射靶时，可以得到直到使用末期特性稳定的膜。
本发明的第四方案涉及氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，含有氧化铟以及根据需要含有氧化锡，并一同含有氧化硅的氧化物烧结体制造方法中，氧化硅原料粉的平均粒径为0.2μm～0.6μm，在与其他原料粉混合后，于烧成温度1400℃以上进行烧结。
该第四方案中，由于氧化硅原料粉以规定粒径进行烧结，故烧结体的烧结密度显著上升，例如，在作为溅射靶时，可以得到从使用初期至末期的稳定的溅射放电，另外，可以得到能获得表面平滑的透明导电膜的氧化物烧结体。
本发明的第五方案涉及氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，在第四方案记载的氧化物烧结体的制造方法中，所得到的氧化物烧结体的相对相密度为102％以上。
该第五方案中，可以得到相对相密度为102％以上的氧化物烧结体，例如，在作为溅射靶时，可以得到从使用初期至末期的稳定的溅射放电，另外，可以得到表面平滑的透明导电膜。
本发明的第六方案涉及溅射靶，其特征在于，将第一至第三任何一个方案记载的氧化物烧结体结合于背板。
该第六方案中，在作为溅射靶时，可以得到从使用初期至末期的稳定的溅射放电。
本发明的第七方案涉及溅射靶，其特征在于，在第六方案记载的溅射靶中，在玻璃基板上通过溅射形成的膜厚200nm的透明导电膜的表面平滑性为最大高低差Ry在6.0nm以下。
该第七方案中，可以得到最大高低差Ry为6.0nm以下的透明导电膜，可以防止过电流的发生。
本发明的第八方案涉及透明导电膜，其特征在于，其是采用第六方案或第七方案记载的溅射靶通过溅射形成的透明导电膜，在玻璃基板上通过溅射形成的膜厚200nm的透明导电膜的表面平滑性为最大高低差Ry在6.0nm以下。
该第八方案中，形成最大高低差Ry为6.0nm以下的透明导电膜，可以防止过流电的发生。
本发明产生的效果在于提供了一种氧化物烧结体，在例如用作溅射靶时，其可以得到从使用初期至末期的稳定的溅射放电，另外，另外实现了有机EL或高精细LCD等中使用的Ra或Ry小的透明导电膜，还提供了该氧化物烧结体的制造方法以及溅射靶及透明导电膜。
图1是表示实施例1的SEM图像的照片。
图2是表示实施例2的SEM图像的照片。
图3是表示比较例2的SEM图像的照片。
图4是表示比较例5的SEM图像的照片。
具体实施例方式
本发明涉及的氧化物烧结体，是含有氧化铟以及根据需要含有氧化锡，并一同含有氧化硅的氧化物烧结体，其特征在于相对密度为102％以上，例如，在作为溅射靶使用时，可以得到从使用初期至末期的稳定的溅射放电。
在这里，所谓稳定的溅射放电，意指尽量不发生异常放电，借此，不产生颗粒也不产生靶的裂纹、裂痕或缺陷，且通过溅射形成的溅射膜特性从使用初期至末期的随时间的变化小。
因此，相对密度为102％以上的氧化物烧结体，其机械强度提高、难以产生裂纹或缺陷，可以得到稳定的溅射放电。另外的优点是，在该氧化物烧结体溅射时，所得到的溅射膜表面非常平滑。
还有，当相对密度为低于102％时，机械强度比102％以上的低，容易发生裂纹或缺陷，另外，溅射膜的表面平滑性有恶化的倾向。
这里的所谓平滑，意指例如表面平滑性的最大高低差Ry在10.0nm以下、优选6.0nm以下。如上所述，最大高低差Ry在10.0nm以下、优选6.0nm以下更平滑，则可以防止进入溅射膜的尖端的过电流，可以排除由进入尖端的过电流产生的对有机EL显示元件的不良影响。另外，在高精细LCD制造步骤中，可以减少湿法刻蚀引起的残渣。
另外，所谓相对密度，意指相对于理论密度算出的密度。理论密度的计算一例如下。作为各原料的In2O3的密度为7.179g/cm3、SnO2的密度为6.950g/cm3、SiO2的密度为2.200g/cm3时，则通过加权平均算出的密度为理论密度，并将其作为100％。例如，85重量％的In2O3-10重量％的SnO2-5重量％的SiO2的情况下的理论密度为6.43g/cm3，该组成的相对密度为100％时的实际密度为6.43g/cm3。
另外，所述相对密度显著高的氧化物烧结体的针孔数小，异常放电难发生，在优选的情况下，该烧结体内的费伦直径2μm以上的针孔数为每单位面积50个/mm2以下。因此，当该烧结体内的费伦直径2μm以上的针孔数为每单位面积50个/mm2以下时，可以从靶的使用初期至末期抑制异常放电，另外，所得到的溅射膜非常平滑。
而且，当烧结体内部的费伦直径2μm以上的针孔数多于50个/mm2时，从靶使用初期至末期的异常放电有多发的倾向，因而是不理想的，另外，所得到的溅射膜的平滑性也有下降的倾向。
在这里，所谓费伦直径，意指当把针孔作为粒子观察时，夹住粒子的某一定方向的平行线间隔。例如，可通过放大倍数100倍的SEM图像进行观察计测。具体的是，把该烧结体的任意断面进行研磨，使达到镜面状态，通过对放大倍数100倍的SEM图像进行2值化处理、确定针孔、用图像处理软件(粒子解析IIIエ一ァイソフト社制造)来计数费伦直径2μm以上的针孔数。
另外，对于本发明的氧化物烧结体，在优选的情况下，把该烧结体的任意断面用显微镜观察时的析出相比例按面积比为40％以上。因此，当析出相为40％以上时，例如，在用作溅射靶时，从靶使用初期至末期的溅射膜的特性稳定，另外，溅射膜有变得更加平滑的倾向。
还有，当析出相比例按面积比为小于40％时，在用作溅射靶使用时，从靶使用初期至末期，溅射膜的特性变化大的倾向增加，因而是不理想的，另外，溅射膜的平滑性呈现下降的倾向。
在这里，所谓析出相，意指在氧化物烧结体内部作为结晶相析出的那些，可通过显微镜观察任意的断面而检出。例如，可通过观察放大倍数5000倍的SEM图像的观察检出。在本发明中，规定任意断面中的析出相面积比，其为40％以上是优选的。
具体地说，为了产生任意断面，研磨断面直到达到镜面状态，再用酸加以刻蚀，然后，通过观察断面(例如放大5000倍的SEM图像)，可以算出析出相的面积比。还有，如下所述，通过X线的衍射结果，认为该析出相是In2Si2O7相。
本发明的氧化物烧结体，根据需要可以含锡(Sn)。当含锡时，其范围对1摩尔铟为0.001～0.3摩尔、优选0.01～0.15摩尔、更优选0.05～0.1摩尔的范围。如处于该范围内，可适当控制溅射靶的载流电子密度及迁移率，从而使导电性保持在良好的范围内。另外，当超过该范围添加时，溅射靶的载流电子迁移率下降，同时有使导电性劣化的倾向，是不理想的。
本发明的氧化物烧结体的制造方法说明如下。
作为构成氧化物烧结体的起始原料，一般采用In2O3、SnO2、SiO2粉末，但这些的单体、化合物、复合氧化物等也可以作原料。在使用单体、化合物时，要通过一定工艺使其预先变成氧化物。还有，这里重要的是氧化硅的原料粉的平均粒径要为0.2μm～0.6μm。
即，对于本发明的氧化物烧结体的优选制造方法，在含有氧化铟以及根据需要含有氧化锡并一同含有氧化硅的氧化物烧结体的制造方法中，氧化硅的原料粉的平均粒径为0.2μm～0.6μm，在与其他原料粉混合后，在烧成温度1400℃以上进行烧结。更详细地说，首先，在含氧化铟与根据需要含优选的5～15重量％氧化锡，并一同含优选2～8重量％氧化硅的氧化物烧结体的制造方法中，氧化硅原料粉的平均粒径为0.2μm～0.6μm，在与其他的原料粉通过干式球磨机混合5～48小时后，向得到的混合粉中添加#1500PVA粘合剂，其相对混合粉重量为3～8重量％，并通过研钵等进行混合。在将其用20～30目的筛等筛分后，均匀填充至模具中，通过冷压法等，以500kg/cm2～5ton/cm2压力进行压制成型。当低于500kg/cm2时，成型密度下降，烧结的进行不充分，烧结密度下降。当大于5ton/cm2时，设备体积庞大，因而是不理想的。把该成型体在烧成温度1400℃以上进行大气中烧成，关于升温，对于室温～800℃，以40℃～100℃/小时升温，为使烧成体内温度分布均匀，根据烧成体尺寸，根据需要于800℃保持4小时以上，对于800～1300℃，以50～450℃/小时升温，对于1300℃～设定温度(例如1450℃)，以50～100℃/小时升温，在设定温度保持4小时以上。对于降温，以50～400℃/小时冷却至室温。
因此，氧化硅的原料粉的平均粒径为0.2μm～0.6μm，通过使烧成温度为1400℃以上，可以使氧化物烧结体的密度显著提高，烧结体内部的针孔减少，析出相增加。
另外，当氧化硅的原料粉的平均粒径小于0.2μm，特别是平均粒径在0.05μm以下时，烧成后密度下降，因而是不理想的，另外，当平均粒径大于0.6μm时，烧结密度降低，析出相下降，因此是不优选的。
在这里，对氧化硅原料以外的原料粉粒径未作特别限定，但可以采用平均粒径0.3～1.5μm左右、优选0.4～1.1μm左右的那些。
当烧结温度达到1400℃以上时，由于相对密度提高而是优选的；另外，可以提高溅射膜的平滑性，因而是优选的，但为了进一步提高相对密度、降低因烧成引起的烧结体弯曲度，1450℃～1550℃是更优选的。还有，当高于1550℃时，特别是在1600℃以上烧成时，效果的提高不显著，烧成炉的设备费及运行成本昂贵，是不理想的倾向。另一方面，当低于1400℃时，由于相对密度下降而是不理想的。
还有，在本发明中，对原料粉所希望的配合比例、混合方法、成型方法未作特别限定，可以采用此前公知的各种湿法或干法。
作为干法，可以举出冷压法(Cold Press)或热压法(Hot Press)等。在冷压法中，把混合粉填充到成型模具中制作成型体，在大气气氛中或氧气气氛中进行烧成·烧结。在热压法中，混合粉在成型模具中直接烧结。
作为湿法，例如，采用过滤式成型法(参见特开平11-286002号公报)是优选的。对于该过滤式成型法，为了从陶瓷原料浆料减压排水而得到成型体，而由非水溶性材料构成的过滤式成型模具，其构成为具有1个以上抽水孔的成型用下模、在该成型用下模上设置的具有透水性的过滤器、通过用于密封该过滤器的密封材料，从上面侧夹持的成型模具框架；上述成型用下模、成型模具框架、密封材料以及过滤器认可分别分解地进行组装，采用仅从该过滤器面侧的减压排出浆料中的水分的过滤式成型模具，配制由混合粉、离子交换水与有机添加剂构成的浆料，把该浆料注入过滤式成型模具，仅从该过滤器面侧减压排出浆料中水分从而制成成型体，把得到的陶瓷成型体干燥脱脂后进行烧成。
在各方法中，烧结后实施机械加工，从而成型加工成所定的尺寸，例如制成靶。
实施例下面通过具体的实施例说明本发明。
实施例1把平均粒径0.48μm的氧化铟粉末与平均粒径0.91μm的氧化锡粉末与平均粒径0.2μm的氧化硅粉末，以重量比85∶10∶5的比例混合。将其放入树脂制坩埚中，通过干式球磨混合21小时。在该干式球磨时，采用氧化锆制球作介质。通过筛分，把介质与原料粉分级，在得到的混合粉中添加规定量的浓度4％的PVA粘合剂后进行混合。把该粉填充至236×440尺寸的模具内，通过冷压法在800kg/cm2的压力下成型。把该成型体在大气气氛中如下进行烧结。从室温～1400℃以60℃/小时升温，于1400℃保持5小时，以200℃/小时降温至1200℃，得到烧结体。把该烧结体加工成直径6英寸(15.24cm)、厚5mm。将其金属结合到无氧铜制背板上而得到溅射靶。加工时，溅射面通过170号磨石进行平面磨削。
实施例2除把成型体的烧成条件按下列方法改变以外，采用与实施例1完全同样的方法制作烧结体，并得到溅射靶。
从室温～800℃以50℃/小时升温，于800℃保持4小时后，以400℃/小时升温至1300℃，以50℃/小时升温至1450℃，于1450℃保持8小时后，以50℃/小时降温至800℃。烧成在大气气氛中进行。
实施例3除氧化硅粉末的平均粒径为0.6μm、成型体的烧成条件按下列方法改变外，采用与实施例1完全同样的方法制作烧结体，并得到溅射靶。
从室温～800℃以50℃/小时升温，于800℃保持4小时后，以400℃/小时升温至1300℃，以50℃/小时升温至1450℃，于1450℃保持8小时后，以50℃/小时降温至800℃。烧成在大气气氛中进行。
比较例1除氧化硅粉末的平均粒径为0.05μm以外，采用与实施例1完全同样的方法制作烧结体，并得到溅射靶。
比较例2除氧化硅粉末的平均粒径为0.9μm以外，采用与实施例1完全同样的方法制作烧结体，并得到溅射靶。
比较例3除氧化硅粉末的平均粒径为1.5μm以外，采用与实施例1完全同样的方法制作烧结体，并得到溅射靶。
比较例4除氧化硅粉末的平均粒径为1.5μm、成型体的烧成条件按下列方法改变外，采用与实施例1完全同样的方法制作烧结体、得到溅射靶。
从室温～800℃以50℃/小时升温，于800℃保持4小时后，以400℃/小时升温至1300℃，以50℃/小时升温至1450℃，于1450℃保持8小时后，以50℃/小时降温至800℃。烧成在大气气氛中进行。
比较例5除把成型体的烧成条件按下列方法改变外，采用与实施例1完全同样的方法制作烧结体，并得到溅射靶。
以60℃/小时升温至1100℃，于1100℃保持5小时，以200℃/小时降温至1000℃，得到烧结体。烧成在大气气氛中进行。
比较例6除把成型体的烧成条件按下列方法改变外，采用与实施例1完全同样的方法制作烧结体，并得到溅射靶。
以60℃/小时升温至1100℃，于1100℃保持5小时，以200℃/小时降温至1000℃，得到烧结体。烧成在氧气氛中进行。
相对密度评价对实施例1～比较例6的烧结体，由用电子称测定的重量及阿基米德法测定的体积，算出相对密度。此时，各原料In2O3的密度为7.179g/cm3、SnO2的密度为6.950g/cm3、SiO2的密度为2.200g/cm3，通过加权平均算出的密度作为100％。例如，当In2O3为85重量％、SnO2为10重量％、SiO2为5重量％的原料比时，6.430g/cm3为相对密度100％。相对密度的结果示于表1。
机械强度评价对实施例1～比较例6的烧结体，用抗弯试验器按照JIS R1601进行抗弯强度评价。抗弯强度的结果示于表1。
针孔评价对实施例1～比较例6的烧结体进行粉碎，对断面采用#2000砂纸通过旋转研磨器进行研磨，达到镜面状态，用放大倍数100倍的SEM图像进行2值图像处理，采用图像处理软件，对视野内存在的费伦直径2μm以上针孔数进行计数。针孔评价结果示于表1。
析出相的面积比评价对实施例1～比较例6的烧结体进行粉碎，对断面采用#2000砂纸通过旋转研磨器进行研磨，达到镜面状态，在保持于40℃的酸(HCl∶H2O∶HNO3＝1∶1∶0.08重量比)中浸入9分钟，对烧结体表面进行刻蚀后，在放大倍数5000倍拍摄SEM图像。作为评价结果的例子，实施例1、2与比较例2、5的SEM图像示于图1～图4。通过刻蚀的残渣而出现了如图1～图3所示的析出相。
把该SEM图像进行图像处理，进行2值图像化，通过图像处理软件算出相对于全体的析出相面积比。面积比的结果示于表1。另外，对这些烧结体，通过X线衍射装置分析的结果是，除比较例5与6以外，呈现In2O3相与In2Si2O7相的峰。而比较例5与6未出现In2Si2O7相的峰。从这些SEM与XRD的结果可以认为上述析出相为In2Si2O7相。
异常放电评价对实施例1～比较例6的靶，采用德波达乌(デポダウン)方式的直流磁控溅射装置及电弧(异常放电)计数器来对异常放电计数。采用下列溅射条件，在73小时的连续溅射放电中发生的异常放电的累计次数示于表1。但是，对比较例5的靶，由于从放电开始至38小时后的异常放电频率急剧增大，故中止放电，并暴露于大气，观察靶的结果可以确认靶的裂纹，在裂纹部位有异常放电的痕迹。对于比较例5以外的靶，对73小时放电后的靶残留厚度用三元测定器测定，其结果可以确认任何一种均在0.5mmt以下，并使用直到靶的使用寿命末期。另外，用肉眼观察靶的结果是，任何靶也未发生裂纹、裂痕及缺陷。
溅射条件工作压力 1×10-4pa加热温度 100℃导入氩气分压 0.5Pa导入氧分压 5×10-3Pa直流功率 300W放电时间 73小时玻璃基板 コ一ニング社制造，#1737(两面研磨品)
膜特性随时间的变化在上述连续放电中，从放电开始至经过10小时、40小时、70小时后，在玻璃基板上形成200nm的ITO膜。对其用四探针法测定薄膜电阻值，评价随时间的变化。结果示于表1。
膜的表面平滑性对实施例1～3及比较例1、2、4、5，对上述经过40小时后形成的200nm的膜，用表面形状测定器AFM评价10μm□内的表面粗糙度。结果示于表1。
评价仪器电子秤 GP3400IP Sartorius社制造SEM JSM-6380A JEOL社制造图像处理软件 粒子解析III エ一·ァイ·ソフト社制造X线衍射装置 MXP3 MAC Science社制造X线衍射 测定条件射线源CuKα1λ＝1.5405管电压40kV管电流30mA测定范围20～40°取样间隔0.02°扫描速度4°/分发散狭缝1°散射狭缝1°接收狭缝0.3mm抗弯试验器オ一トグラフ岛津社制造电弧计数器Arc Monitorランドマ一ク社制造三元测定器GJ1000D东京精密薄膜电阻测定器MCP-TP06Pダイァインスツルメント社制造表面形状测定器AFM SPI3700(SII社制造)
表1
试验结果从表1所示的结果可知，氧化硅原料粉的平均粒径为0.2～0.6μm、烧成温度1400℃以上的实施例1～3，烧结体密度提高，同时烧结体内部的针孔减少，另外，析出相增加。
因此，通过提高烧结体密度，机械强度加大，可以抑制异常放电时或热冲击时的烧结体的裂纹或缺陷，进一步还确认通过溅射得到Ra、Ry小的平滑膜。另外，通过针孔减少，可以抑制溅射时异常放电，进一步确认通过溅射得到Ra、Ry小的平滑膜。另外，通过析出相的增加，溅射膜的特性从靶使用初期至末期的随时间变化变小，进一步确认通过溅射得到Ra、Ry小的平滑膜。
另一方面，在氧化硅原料粉的平均粒径为0.05μm的比较例1以及平均粒径为0.9μm及1.5μm的比较例2、4中，相对密度低于102％，另外，产生的针孔数多，析出相也低于40％，膜的Ry大。另外，既使当氧化硅原料粉的平均粒径为0.2μm时，当烧成温度为1100℃的低温情况下，相对密度显著变小，同时针孔数显著增多，异常放电也显著增多，形成Ra、Ry大的膜。
权利要求
1.氧化物烧结体，其特征在于，其是含有氧化铟与根据需要的氧化锡并一同含有氧化硅的氧化物烧结体，其相对密度为102％以上。
2.按照权利要求1中所述的氧化物烧结体，其特征在于，在该烧结体内费伦直径2μm以上的针孔数为每单位面积50个/mm2以下。
3.按照权利要求1中所述的氧化物烧结体，其特征在于，用显微镜观察该烧结体的任意断面时，析出相比例按面积比为40％以上。
4.按照权利要求2中所述的氧化物烧结体，其特征在于，用显微镜观察该烧结体的任意断面时，析出相比例按面积比为40％以上。
5.氧化物烧结体的制造方法，其为含有氧化铟与根据需要的氧化锡并一同含有氧化硅的氧化物烧结体制造方法，其特征在于，氧化硅原料粉的平均粒径为0.2μm～0.6μm，在与其他原料粉混合后，于烧成温度1400℃以上进行烧结。
6.按照权利要求5中所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，所得到的氧化物烧结体的相对密度为102％以上。
7.溅射靶，其特征在于，将权利要求1～4中任何一项所述的氧化物烧结体结合于背板。
8.按照权利要求7中所述的溅射靶，其特征在于，在玻璃基板上通过溅射形成的膜厚200nm的透明导电膜的表面平滑性为最大高低差Ry在6.0nm以下。
9.透明导电膜，其是采用权利要求7中所述的溅射靶通过溅射形成的透明导电膜，其特征在于，在玻璃基板上通过溅射形成的膜厚200nm的透明导电膜的表面平滑性为最大高低差Ry在6.0nm以下。
全文摘要
本发明提供一种氧化物烧结体，当其用作溅射靶时，可得到从使用初期至末期的稳定溅射放电，另外，可以得到在有机EL及高精细LCD等中使用的Ra及Ry小的透明导电膜，本发明还提供该氧化物烧结体的制造方法以及溅射靶及透明导电膜。含有氧化铟与根据需要的氧化锡并一同含有氧化硅的氧化物烧结体，其相对密度为102％以上。
文档编号C23C14/34GK1990422SQ20061014257
公开日2007年7月4日 申请日期2006年10月30日 优先权日2005年12月26日
发明者森中泰三, 尾野直纪 申请人:三井金属矿业株式会社