专利名称：升降销、用于加工基板的装置以及加工基板的方法
技术领域：
本发明的示例性实施例涉及一种升降销、用于加工基板的装置 以及加工基才反的方法。更具体地i兌，本发明的示例性实施例涉及一 种用于沿预定方向移动基板以将基板放置在卡盘上的升降销、包含 所迷升降销的用于加工基板的装置，以及使用所述装置加工基板的 方法。
背景技术：
通常通过诸如用于形成层的沉积工艺、光学处理(photo process )、光刻工艺、扩散工艺等一系列工艺制造半导体元件。至 于用于在基板上形成层的沉积工艺，已研发出多种工艺，例如溅射 工艺、电镀工艺、蒸发工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、分子束 外延工艺、原子层沉积(ALD)工艺等。
由于CVD工艺提供了具有卓越特征的层，因此CVD工艺已广 泛用于在基板上形成期望层。CVD工艺通常包括低压化学气相沉积 (LPCVD)工艺、常压4匕学气相沉积(APCVD)工艺、4氐温4匕学
气相沉积(LTCVD)工艺、等离子增强化学气相沉积(PECVD) 工艺等。
传统化学气相沉积(CVD)装置通常包4舌腔室、静电卡盘 (ESC)、喷头、以及升降销。其中形成有层的基板装载在腔室中。 该基板被安放在安置于腔室中的ESC上。喷头定位在ESC上方以 便向基板上提供反应气体。升降销被插入到穿过ESC竖直形成的通 路中，以使基板沿向上方向或向下方向移动。例如，在第2005-42965 号韩国公开专利公布中公开了具有升降销的传统CVD装置。
传统CVD装置中的升降销在穿过ESC形成的通路中上下移 动，因此升降销具有小于通路直径的直径。特别地，由于传统CVD 装置的升降销具有恒定的直径，从而在升降销与通路的内表面之间 产生间隙。因此，当在基板上形成层时，用于形成层的反应气体通 过该间隙流入到通路中。另外，反应副产物通过在升降销与通路之 间的该间隙流入到通^^中。因此，在通路的内表面上形成了不希望 出现的层。形成在通路上的该不希望出现的层可能充当了导致半导 体元件各种故障的孩史粒。而且，不希望出现的层连续不断地形成在 通道的内表面上，因而通路的直径不断地减小，从而防止了升降销 上下移动。
发明内容
本发明的示例性实施例提出了 一种能够防止反应气体向卡盘 的通3各流入的升降销。
本发明的示例性实施例提出了一种用于加工基板的装置，该装 置包括能够防止反应气体向卡盘的通路流入的升降销。
本发明的示例性实施例提出了 一种使用上述装置加工基板的 方法，该装置包括能够防止反应气体向卡盘的通路流入的升降销。
冲艮据本发明的一个方面，提出了一种升降销，其包4舌杆部和头 部。该杆部可以在穿过卡盘形成的通路中移动，该卡盘上具有使用
反应气体加工的物体(object )。该头部可以i殳在4f部上，以与该物 体接触。该头部可以封闭通路，以防止反应气体流入到通路中。
在本发明的示例性实施例中，该头部可以具有与卡盘通路的顶 面相4妾触的下部。
在本发明的示例性实施例中，容納凹槽可以i殳在卡盘上以容纳 头部。这里，头部可以具有与容纳凹槽的内表面相隔开的侧部，该 容纳凹4曹与通i 各相通。
在本发明的示例性实施例中，容纳凹槽可以设在卡盘上以容纳 头部。这里，头部可以具有与容纳凹槽的内表面4妄触的侧面，该容 纳凹槽与通^各相通。
在本发明的示例性实施例中，该头部的上部可以基本上小于该 头部的下部。例如，该头部可以具有拱形4黄截面、半圓形4黄截面、 三角形4黄截面、矩形4黄截面、梯形4黄截面或漏斗形4黄截面。
根据本发明的另 一个方面，提供了 一种用于加工基板的装置。 该装置包括腔室、卡盘、喷头、以及升降销。该腔室可以将基玲反容 纳于其中。卡盘可以设置在腔室中以支撑基板。卡盘可以具有基本
上沿垂直于基板的方向形成的通路。喷头可以设置在卡盘上方以《更 向基板上提供反应气体。升P争销可以设置在通路中，以使基板沿向 上方向和向下方向移动。升降销可以包4舌在通路中移动的#干部和形 成在才干部上以防止反应气体流入到通^各中的头部。
在本发明的示例性实施例中，升降销的头部的上部可以基本上 小于该头部的下部。该头部可以具有才共形^黄截面、半圆形才黄截面、 多边形4黄截面或漏斗形4黄截面。 在本发明的示例性实施例中，卡盘可以具有容纳凹槽，头部容 纳在该容纳凹槽中。容纳凹槽具有的深度可以基本上与头部的厚度 相同或大于该厚度。容纳凹槽可以具有与头部的侧面接触的内表 面。可替换地，容纳凹槽可以具有与头部的侧面相隔开的内表面。
在本发明的示例性实施例中，卡盘可以包括静电卡盘，并且腔
室包括化学气相沉积(CVD )腔室。
根据本发明的另一方面，提供了一种加工基板的方法。在加工 基板的该方法中，可以将基板装载于腔室中。可以使用升降销将基 4反安》丈在卡盘上，该升降销在穿过卡盘形成的通路中移动。可以由 升降销的头部封闭卡盘的通路。可以使用反应气体在腔室中加工该 基板。可以从该腔室中去除在加工基板期间产生的反应副产物。
根据本发明的示例性实施例，在加工基板期间，反应气体可以 移动到腔室中，之后可以从反应气体中产生等离子以在基板上形成 层。
在本发明的示例性实施例中，可以^吏用升降销-使得基板从卡盘 处向上移动，然后可将基板从腔室中卸下。
根据本发明的示例性实施例，升降销包括能够充分地封闭卡盘 的通^各(升降销在该通^各中上下移动)的头部，因此升降销可有效 地防止反应副产物和/或反应气体流入到卡盘的通路中。因此，当在 物体(诸如基板)上形成期望层时，由于升降销可以防止在通路上 形成不期望出现的层，因而可有效地避免充当颗粒的不期望出现的 层所导致的半导体元件的故障。而且，由于可以防止形成不期望出 现的层因而用于清洁卡盘的周期变长，因此可降〗氐半导体元件的制 造成本并且还可提高卡盘的使用寿命。
结合附图参照以下详细描述，本发明的上述和其它特4正及优点
将变得更容易理解，在附图中
图l是^f黄截面图，示出了根据本发明示例性实施例的升降销；
图2是放大横截面图，示出了图1中的"n"部分；
图3是横截面图，示出了根据本发明示例性实施例的升降销；
图4是横截面图，示出了根据本发明示例性实施例的升降销；
图5是横截面图，示出了根据本发明示例性实施例的升降销；
图6是横截面图，示出了根据本发明示例性实施例的升降销；
图7是横截面图，示出了根据本发明示例性实施例的升降销；
图8是横截面图，示出了才艮据本发明示例性实施例的用于加工 基板的装置；以及
图9是流程图，示出了根据本发明示例性实施例的加工基板的 方法。
具体实施例方式
在下文中，将参照示出了本发明示例性实施例的附图更全面地 描述本发明。然而，可以以许多不同的形式来实现本发明，并且不 应认为本发明局限于文中所述的示例性实施例。更确切地，提供这 些实施例是为了使本公开更全面和完整，并向本领域中技术人员充
分传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，层和区域的尺寸 及相对尺寸可以^皮扩大。
可以理解，当指出一个元件或层"位于"、"连接至，，或"耦合至，， 另一元件或层时，它可以直接位于、直4妄连接或耦合至另一元件或 层，或者其间可以存在插入元件或层。相反，当指出一个元件"直 接位于"、"直接连接至"或"直接耦合至"另一元件或层时，则不存在 插入元件或层。在整个说明书中，相同参考标号表示相同的元件。 当在文中使用时，术语"和/或"包括一个或多个相关所列条目中的任 一个以及所有组合。
可以理解，尽管这里可以4吏用术语第一、第二、第三等等来描 述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、 层和/或部分不应该受限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、 部件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分区分开来。因此， 在不背离本发明教导的前提下，下面所讨论的第一元件、部件、区 域、层或部分也可以称作第二元件、部件、区域、层或部分。
为了便于描述，这里可以使用空间相对关系术语，诸如"下面 的"、"下方的"、"下部的"、"上方的"、"上部的"及类似词，以描述 附图所示的 一个元件或特4正相对于其它元件或特4正的关系。可以理 解，空间相对关系术语旨在，除了包含附图中示出的方位外，还包 含装置在使用或工作中的不同方位。例如，如果将附图中的装置翻 转，那么被描述为在其它元件或特征"下方"或"下面"的元件将被定 位在其它元件或特征"上方"。因此，示例性术语"下方的"可以包括 "下方的，，和"上方的"两个方位。可以将装置以其它方式定位(旋转
90。或处于其它方位)，并且相应地对此处使用的空间相对关系术语 进行解释。
这里所^吏用的术语〗又用于描述特定实施例的目的，而并非旨在 限制本发明。除非文中清楚地指明是其它情况，否则这里所使用的
单数形式"一个"("a""an"和"the")也旨在包括复数形式。还可以理 解，当术语"含有(comprises和/或comprising )，，或者"包括(include 和/或including)"用于本说明书中时，表明存在所述的特征、整体、 步骤、操作、元件、和/或部件，但并不排除存在或附加有一个或多
个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、部件、和/或它们所构成 的组。
以下，将参照作为本发明理想实施例(和中间结构)的示意图 的横截面图，描述本发明的实施例。同样地，可以预期由于例如制 造技术和/或公差所导致的图中形状上的变化。由此，本发明的示例 性实施例不应该被理解为限于这里所示区域的特定形状，而应包括 例如由于制造所导致的形4犬上的偏差。例如，帔示为矩形的注入区 域通常可以具有圓滑的或弯曲的特征，和/或在其边缘具有注入浓度 梯度，而不是从注入区到非注入区的二元变化。类似地，通过注入 形成的掩埋区域可能会在该掩埋区域与通过其进行注入的表面之 间的区域内产生某些注入。因此，附图中所示的区域实质上是示意 性的，并且它们的形状并非为了描述器件的区域的精确形状，也不 是为了限定本发明的范围。
除非另有限定，否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和 科学术语)均具有与本发明所属领域技术人员的通常理解相同的含 义。还可以理解，诸如常用词典中定义的那些术语的术语，应该祐_ 解释为具有与它们在相关技术领域的背景中的含义一致的含义，而
不应该解释为理想化的或过于正式的含义，除非这里清楚地如此定 义。
图1是示出了根据本发明示例性实施例的升降销的横截面图，
以及图2是示出了图i中"ir部分的放大横截面图。
参照图1和图2，升降销100包括杆部110和头部120。在示 例性实施例中，升降销100可以插入到卡盘210中，物体(未示出，
诸如基板)放置于该卡盘上。
升降销100的杆部110可以插入到穿过卡盘210设置的通路216 中。可以沿基本上垂直于卡盘210的方向形成通^各216，以1"更可相 对于卡盘210设置杆部110。杆部110可在通路216中沿向上的方 向和向下的方向移动。杆部110具有的宽度可基本上小于通路216 宽度。在示例性实施例中，升降销100的杆部IIO可以具有预定宽 度。杆部IIO可以具有圆柱形结构。
升降销100的头部12(H殳在片干部110的一个端部。头部120可 以与4干部110整体形成。头部120可以^)夺物体(-渚如基^反)安方文在 卡盘210上，或者头部120可以沿向上方向或向下方向乂人卡盘210 处移动该物体。由于升降销100的头部120与该物体接触，因此头 部120可以具有所需上部以减小升降销100与该物体之间的4妄触面 积。当头部120具有缩减的上部面积时，可有效地防止产生物体的 JR疯(例^口 ， 4勿体的污点或5赶点)。
在本发明的示例性实施例中，升降销100的头部120可以具有 4共形结构或半^求形结构。另外，头部120可以具有诸如弧形或半圆 形的横截面。当头部120具有拱形结构或半球形结构时，头部120 可以充分地封闭通3各216。因此，头部可具有的下部宽度基本上大 于通路216的上部宽度。在示例性实施例中，当在物体(诸如基板) 上形成期望层时，头部120可以密封通路216的上部。因此，具有 上述结构的头部120可以有效地防止反应气体(该反应气体能够形 成期望层)流入到通^各216中。
在本发明的示例性实施例中，容纳凹槽217设在卡盘210的上 部。升降销100的头部120可以插入到容纳凹槽217中。容纳凹槽
217可以与通路216相通。由于物体安方文在卡盘210上，因此升降 销100的头部120不可突出于卡盘210的顶面。因此，容纳凹槽217 具有的深度可以基本上大于头部120厚度。可替换地，容纳凹槽217 的深度可以与头部120的厚度基本上相同。容纳凹槽217可以具有 多边形横截面，例如矩形横截面。这里，头部120可以与容纳凹槽 217的侧面相隔开。也就是i兌，容纳凹^曹217可以具有基本上大于 头部120的下部宽度的宽度。
卡盘210提供了与通路216的下部相通的空间218。支持器(未 示出)定位在空间218中以支撑升降销100的下部。例如，该支持 器可以支撑杆部110的下部。在物体上形成层的过程中，当反应气 体通过通i 各216流入到空间218中时，不期望出J见的层可能形成在 通路216的内表面以及空间218的内表面上。然而，头部120可以
因此，由于头部120对通路216的密封，因而不期望出现的层不可 能形成在通^各216的内表面以及空间218的内表面上。
在本发明的示例性实施例中，升降销100的头部120可以封闭 卡盘210的通路216以防止反应气体流入到通路216和空间218中。 因此，通过防止反应气体通过通路216流入到空间218中，使得不 期望出王见的层不可能形成在通^各216的内表面以及空间218的内表 面上。
图3是示出了根据本发明示例性实施例的升降销的横截面图。 在图3中，除头部120a外，升降销100a具有的结构可以与参照图 1和图2描述的升降销100的结构基本上相^f以或基本上相同。
参照图3,升降销100a的头部120a可以具有梯形4黄截面。该 头部120a具有的下部宽度可以充分覆盖卡盘210的通路216上部。 因此，头部120a可以具有基本上比其上部更宽的下部。f灸句话i兌， 头部120a的下部宽度可以基本上大于头部120a的上部宽度。
在本发明的示例性实施例中，头部120a容納在卡盘210的容 纳凹槽217中。当将物体装栽在升降销100a上时，头部120a可以 乂人容纳凹槽217处向上移动。另外，当将物体安》文在卡盘210上时， 头部120a可以与容纳凹槽217的底部接触。容納凹槽217可以具 有多边形横截面，诸如矩形4黄截面。头部120a的侧面可以与容納 凹槽217的内表面隔开预定距离。因此，头部120a具有的下部宽 度可以基本上小于容纳凹槽217宽度。
图4是示出了根据本发明示例性实施例的升降销的横截面图。 在图4中，除头部120b外，升降销100b具有的结构可以与参照图 1和图2描述的升降销100的结构基本上相似或基本上相同。
参照图4,升降销100b包括具有多边形冲黄截面(诸如三角形斗黄 截面)的头部120b。该头部120b具有的下部宽度可以基本上大于 卡盘210的通路216上部宽度，从而当在物体(诸如基板)上形成 期望层时充分地封闭通路216。
在本发明的示例性实施例中，头部120b容纳在卡盘210的容 纳凹冲會217中。头部120b可以与容纳凹才曹217的底部4矣触且还可 以从容纳凹槽217处移动。容纳凹槽217可以具有矩形横截面。由 于头部120b具有的下部宽度可以基本上小于容纳凹槽217宽度， 因此容纳凹槽217的内表面可以与头部120b的侧面隔开。
图5和图6是示出了根据本发明示例性实施例的升降销的横截 面图。在图5和图6中，除头部120c外，升降销100c具有的结构 可以与参照图1和图2描述的升降销100的结构基本上相似或基本 上相同。
参照图5，升降销100c的头部120c可以具有多边形横截面， 例如头巨形纟黄截面。该头部120c具有的下部宽度可以基本上大于卡 盘210的通路216上部宽度，以使得当在物体上形成层时反应气体 不会流入到卡盘210的通路216和空间218中。也就是i兌，头部120c 可以充分地封闭通路216，从而防止在通路216和空间218上形成 不期望出现的层。
在本发明的一些示例性实施例中，提供了卡盘210的容纳凹槽 217以容纳升降销100c的头部120c。容纳凹槽217可以具有多边形 ;镜截面，诸如矩形橫截面。由于头部120c具有的下部宽度可以基 本上小于容纳凹槽217宽度，因此头部120c可以具有与容納凹槽 217的内表面相隔开的侧面。
在本发明的其它示例性实施例中，头部120c可以与容纳凹冲曹 217c相接触。也就是说，头部120c的侧面可以与容纳凹槽217c的 内表面相4妄触。这里，容纳凹槽217c具有的宽度可以略大于头部 120c下部宽度，因而确4呆头部120c的向上移动。当头部120c与容 纳凹槽217c相4妄触时，可更有效;也防止反应气体流入到通^各216 中。
图7是示出了根据本发明示例性实施例的升降销的横截面图。 在图7中，除头部120d外，升降销100d具有的结构可以与参照图 1和图2描述的升降销100的结构基本上相似或基本上相同。另夕卜， 卡盘210包括根据头部120d的结构而被调节的容纳凹槽217d。
参照图7，升降销100d的头部120d可以具有漏斗形横截面。 也就是说，该头部120d具有上部宽度可以基本上大于其下部宽度 的。然而，头部120d的下部宽度可以基本上大于卡盘210的通3各 216的上部宽度以充分地封闭通路216。
在本发明的示例性实施例中，头部120d容纳在卡盘210的容 纳凹槽217d中。容纳凹槽217d具有的上部宽度也可以基本上大于 其下部宽度。例如，容纳凹槽217d可以具有漏斗形一黄截面。升卩争 销100d的头部120d可以与卡盘210的容纳凹槽217d接触。也就 是说，头部120d的侧面可以与容纳凹槽217d的内表面接触。容纳 凹槽217d具有的上部宽度可以略大于头部120d上部宽度，并且容 纳凹槽217d的下部宽度也略大于头部120d的下部宽度。因此，由 于容纳凹槽217d与头部120d紧密地彼此依附，因此当在物体上形 成期望层时可更有效地防止反应气体流入到卡盘210的通路216和 空间218中。
图8是示出了根据本发明示例性实施例的用于加工基板的装置 的横截面图。在图8中，尽管示出了诸如化学气相沉积(CVD)装 置的装置，但是根据本发明示例性实施例的装置也可对应于使用本 发明上述升降销的其它装置。
参照图8,用于加工基板的装置200包括腔室230、卡盘210、 喷头220、以及升降销100。
腔室230可以具有放置基板的空间。基板可以包括半导体基一反， 诸如硅基板、锗基板、硅-锗基板等。入口 240设在腔室230的上部。 用于在基板上形成期望层的反应气体可通过入口 240引入到腔室 230中。出口 (未示出)i殳在腔室230的下部。在进4亍了用于在基 板上形成层的沉积过程之后，反应副产物和剩余反应气体可通过该 出口从腔室230中排出。
卡盘210安置在腔室230中。卡盘210可以包括使用静电力支 撑基板的静电卡盘。卡盘210包括板212和定位在板212下面的加 热器214。基板可以放置在板212上并可以由加热器214加热至预 定温度。卡盘210可进一步包括电连接于板212的电源(未示出)。
当在基板上形成层时，板212可以起到用于从腔室230中的反应气 体中产生等离子的下部电才及的作用。卡盘210具有的结构可以与参 照图1描述的卡盘的结构基本上相似或基本上相同。可替换地，卡 盘210具有的结构可以与参照图3至图7描述的卡盘的结构基本上 相似或基本上相同。
升P争销100可以^皮插入到卡盘210中以在卡盘210的通i 各中^多 动。例如，升降销100可以沿向上方向或向下方向移动。在一些示 例性实施例中，升降销IOO具有的结构可以与参照图1和图2描述 的升降销的结构基本上相似或基本上相同。在其它示例性实施例 中，升降销IOO具有的结构可以与参照图3至图7描述的升降销的 结构基本上相似或基本上相同。
在腔室230中，喷头220定位在卡盘210的上方。喷头220可 以与入口 240相通以均匀地将反应气体提供于装载在卡盘210上的 基4反上。喷头220可以电连4妾于电源(未示出)，从而当在基斧反上 形成层时起到用于从腔室230中的反应气体中产生等离子的上部电 才及的作用。
在下文中，将参照附图详细描述使用上述装置加工基板的方法。
图9是示出了根据本发明示例性实施例的加工基板的方法的流 程图。在图9中，可以使用图8中所示的用于加工基板的装置才丸行 力口工基才反的该方法。
参照图8和图9，在步骤S310中，将基板(诸如半导体基4反) 装载于腔室230中。可以使用传送装置(例如，机械手)将基玲反4翁 入到月空室230中。 在步骤S320中，升降销100在卡盘210的通路中向上移动以 使升降销100的头部120与基板的底部接触。也就是说，将基拓j文 置在升降销100的头部120上。
在步骤S330中，升降销100在卡盘210的通3各中向下移动以 4吏基纟反装载在卡盘210上。
在步骤S340中，升降销100的头部120容纳在卡盘210的容 纳凹槽中。因而，卡盘210的通路可以由升降销100的头部120封闭。
在步骤S350中，通过入口 240将反应气体引入到腔室230中。 反应气体可以通过喷头220均匀地分布在腔室230中。
在步骤S360中，将电压施加于喷头220和卡盘210以从腔室 230中均匀分布的反应气体中产生等离子。可以将等离子提供到由 卡盘210支撑的基板上，从而在基板上产生期望层。当在基板上形 成层时，升降销100的头部120可封闭卡盘210的通路的上部。因 此，腔室230中的剩余反应气体和反应副产物不可能流入到卡盘210 的通路中。
在步骤S370中，在基板上形成层之后，反应副产物和剩余反 应气体通过出口从腔室230中排出。可以使用真空泵将反应副产物 和剩余反应气体从腔室230中去除。
在步骤S380中，在去除了反应副产物和剩余反应气体之后， 随着升降销100沿向上方向移动，基纟反从卡盘210处向上移动。由 于通过出口从腔室230中去除了反应副产物和剩余反应气体，因此 当升降销100的头部120打开卡盘210的通3各时，反应副产物和剩 余反应气体也不可能流入到卡盘210的通路中。
在步骤SWO中，将基板从腔室230中卸下。可以使用传送装 置(例如，机械手)将基板从腔室230中取出。
根据本发明的示例性实施例，尽管升降销是与用于加工基板的 装置中的卡盘一起使用的，但是有利的是，该升降销也可以与用于 支撑物体(诸如用于液晶显示装置的各种基板)的其它装置结合4吏 用。
根据本发明的示例性实施例，升降销包括能够充分地封闭卡盘 的通路(升降销在该通路中上下移动)的头部，因此升降销可有刻: 地防止反应副产物和/或反应气体流入到卡盘的通路中。因此，当在 物体(诸如基板)上形成期望层时，由于升降销可以防止在通路上 形成不期望出现的层，因而可有效地避免充当颗粒的不期望出现的 层所导致的半导体元件的故障。而且，由于防止形成不期望出现的 层因而可以花费更多时间来清洁卡盘，因此可降低半导体元件的制 造成本并且还可提高卡盘的使用寿命。
尽管已经描述了本发明的一些示例性实施例，然而，本领域普通才支 术人员应该容易理解，在不显著背离本发明的新颖性教导和优点的 前冲是下，在示例性实施例中可以进4亍许多修改。因此，所有所述》务 改均确定为包含在如权利要求中所限定的本发明的保护范围内。在 权利要求中，装置加功能条款旨在覆盖文中所述的执行所述功能的 结构，且不仅是结构上等效的而且是等效结构的。因此，应该理解
的是，K
的具体实施例，
确定为包含在所附权利要求的范围内。本发明由所附权利要求(其 中权利要求的等同物也包含在内)限定。
权利要求
1. 一种升降销，包括杆部，所述杆部在穿过卡盘而形成的通路中移动，所述卡盘上具有使用反应气体加工的物体；以及头部，所述头部设在所述杆部上，以便与所述物体接触，其中，所述头部封闭所述通路，以防止反应气体流入到所述通路中。
2. 根据权利要求1所述的升降销，其中，所述头部具有与所迷卡 盘的所述通路的顶面相4妄触的下部。
3. 根据权利要求1所述的升降销，其中，容纳凹槽设在所述卡盘 上，以容纳所述头部，并且所述头部具有与所述容纳凹槽的内 表面相隔开的侧面，所述容纳凹槽与所述通^各相通。
4. 根据权利要求1所述的升降销，其中，容纳凹槽设在所述卡盘 上，以容纳所述头部，并且所述头部具有与所述容纳凹槽的内 表面相接触的侧面，所述容纳凹槽与所述通路相通。
5. 根据权利要求1所述的升降销，其中，所述头部的上部基本上 小于所述头部的下部。
6. 根据权利要求5所述的升降销，其中，所述头部具有拱形横截 面、半圆形冲黄截面、三角形4黄截面、矩形才黄截面、梯形横截面、 或漏斗形纟黄截面。
7. —种用于加工基板的装置，所述装置包括腔室，用于容纳基板；卡盘，所述卡盘设置在所述腔室中，以支撑所述基板， 其中所述卡盘具有沿基本上垂直于所述基板的方向形成的通 路；喷头，所述喷头设置在所述卡盘上方，以便向所述基板 上提供反应气体；以及升降销，所述升降销设置在所述通路中，以使所述基板 沿向上方向和向下方向移动，其中，所述升降销包4舌在所述通 3各中移动的斥干部和形成在所述4干部上以防止所述反应气体;充 入到所述通3各中的头部。
8. 根据权利要求7所述的用于加工基板的装置，其中，所述升降 销的头部的上部基本上小于所述头部的下部。
9. 根据权利要求8所述的用于加工基板的装置，其中，所述头部 具有4共形4黄截面、半圆形-镜截面、多边形4黄截面、或漏斗形才黄截面o
10. 根据权利要求7所述的用于加工基板的装置，其中，所述卡盘 具有容纳凹槽，所述头部容纳在所述容纳凹槽中。
11. 根据权利要求10所述的用于加工基板的装置，其中，所述容 纳凹槽具有的深度基本上与所述头部的厚度相同或大于所述 厚度。
12. 根据权利要求IO所述的用于加工基板的装置，其中，所述容 纳凹槽具有与所述头部的侧面相接触的内表面。
13. 根据权利要求10所述的用于加工基板的装置，其中，所述容 纳凹槽具有与所述头部的侧面相隔开的内表面。
14. 根据权利要求7所述的用于加工基板的装置，其中，所述卡盘 包括静电卡盘。
15. 根据权利要求7所述的用于加工基板的装置，其中，所述腔室 包括化学气相沉积(CVD)腔室。
16. —种力n工基^反的方法，所述方法包4舌将基板装载于腔室中；使用升降销将所述基板安放在卡盘上，所述升降销在穿 过所述卡盘而形成的通路中移动；由所述升降销的头部封闭所述通路；使用反应气体在所述腔室中加工所述基板；以及由所述腔室中去除在加工所述基板期间产生的反应副产物。
17. 根据权利要求16所述的加工基板的方法，其中，加工所述基 板的步骤包括将所述反应气体引入到所述腔室中；以及从所述反应气体中产生等离子，以在所述基板上形成层。
18. 根据权利要求16所述的加工基板的方法，还包括使用所述升降销使得所述基板从所述卡盘处向上移动；以及将所述基才反乂人所述腔室中卸下。
全文摘要
本发明公开了一种升降销、用于加工基板的装置以及加工基板的方法。升降销包括杆部和头部。该杆部可以在穿过卡盘形成的通路中移动，该卡盘具有使用反应气体加工的基板。该头部设在杆部上以便与该基板接触。该头部可以封闭通路以防止反应气体流入到通路中。
文档编号C23C16/50GK101205606SQ20071013586
公开日2008年6月25日 申请日期2007年7月30日 优先权日2006年12月22日
发明者郑淳彬 申请人:细美事有限公司