专利名称：溅射金属膜机台的制作方法
技术领域：
本实用新型属于半导体制造机械领域，特别涉及溅射金属膜机台。
技术背景现有技术中的賊射金属膜机台(如美国瓦里安公司磁控溅射机台M2i), 如图1所示，包括用于进行工艺反应的腔体11、腔体11外接的Ar (氩)气 体管路12。 Ar气体管路12另一端连接厂务气体系统，使得厂务气体系统提供 的Ar气体进入腔体11。 Ar气体管路12串接一电磁阀121，腔体11还外接去 除腔体真空的N2(氮)气体管路13，管路13的另一端连接厂务气体系统， 使得厂务气体系统提供的用于去除腔体真空的N2气体进入腔体11,不参与反 应，在管路13串接一电磁阀132。在需进行工艺反应时，打开电磁阀121，厂 务气体系统中的Ar气体经Ar气体管路12进入腔体11进行工艺反应。待工艺 反应完成后，为了保养腔体ll,关闭电磁阀121,抽出腔体11内的Ar气体， 此时腔体ll内处于真空状态，打开电磁阀132，厂务气体系统中去除腔体真空 的N2气体经管路13进入腔体11。现有M2i溅射金属膜机台，因为去除腔体 真空的N2气体本身参数(如浓度、纯度)的问题，仅是用于去除腔体真空， 不参加工艺反应，因此现有溅射金属膜机台不能进行生成TiN的工艺反应。实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题为现有溅射金属膜机台不能进行生成 TiN的工艺反应，为了实现利用现有溅射金属膜机台进行生成TiN的工艺反应。为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了 一种溅射金属膜机台， 包括用于进行工艺反应的腔体11,腔体11外接用于引入氩气气体的管路12和用于引入去除腔体真空的氮气气体的管路13，管路12上串接开关121,管 路13上串接开关132，其中上述管路13的靠近腔体部分131 —端与腔体11 相连，另一端通过三通4妄头14连接管路13的远离腔体部分133和用于引入用 于反应的氮气气体的管路15，管路15上串接开关151,开关121和开关151 与联动机构16相连，所述联动机构16用于当开关121打开时，打开开关151, 当开关121关闭时，关闭开关151，开关132串接于管路13的远离腔体部分 133。本实用新型的有益效果由上述本实用新型提供的具体实施方案可以看出， 正是由于新增用于接入N2反应气体的管路15，使得改造后的溅射金属膜机台 能够接入N2反应气体，并进行生成TiN的工艺反应。
图1为现有技术溅射金属膜机台结构图；图2为本实用新型提供的第一实施例溅射金属膜机台结构图。
具体实施方式
本实用新型通过新增用于接入N2反应气体的管路15,使得改造后的溅射 金属膜机台能够接入N2反应气体，并进行生成TiN的工艺反应。下面结合本实用新型的具体实施例和附图对本实用新型进行详细说明，本 实用新型提供的第一实施例是一种溅射金属膜机台，其结构如图2所示，包括 用于进行工艺反应的腔体11、腔体11外接用于引入Ar气体的管路12。 Ar气 体管路12另一端连接厂务气体系统，使得厂务气体系统提供的Ar气体进入腔 体ll， Ar气体管路12串接一电磁阀121。腔体11外接用于引入去除腔体真空 的N2气体的管路13，管路13的靠近腔体部分131—端与腔体11相连，另一 端通过三通接头14连接管路13的远离腔体部分133，远离腔体部分133串接 电磁阀132,远离腔体部分133的另一端连接厂务气体系统，使得厂务气体系统提供的用于去除腔体真空的N2气体进入腔体11，三通接头14的另一端连 接用于引入用于反应的N2气体的管路15,管路15上串接电磁阀151，电磁阀 121和电》兹阀151与联动4几构16相连，联动才几构16用于当电石兹阀121打开时， 打开电^f兹阀151,当电》兹阀121关闭时，关闭电》兹阀151。管if各15的另一端连 接厂务气体系统，使得厂务气体系统提供的N2反应气体进入腔体11 。为了增加对N2反应气体的过滤，管路15串接过滤器153和过滤器154， 为了对N2反应气体进行流量控制，管路15串接流量控制器152，过滤器153、 电磁阀151、流量控制器152和过滤器154的接口用Gaskit (金属密封圈)依 次连接起来，之后通过过滤器154与三通接头14连接，流量控制器152为节 -虎阀或减压阀。在需进行工艺反应时，开关电磁阀151的信号用的是开关电磁阀121的信 号。当开关电磁阀121的信号发生时，电磁阀151打开，厂务气体系统提供的 N2反应气体才会进入腔体11参加反应。打开电磁阀121和电磁阀151 (此时 电磁阀132为关闭状态)，厂务气体系统中的Ar气体经Ar气体管路12进入腔 体ll,厂务气体系统提供的N2反应气体经管路15进入腔体11, N2反应气体 和Ar气体一起进入腔体后，产生等离子轰击Ti靶材，被击出的Ti原子与电离 的N+反应生成TiN淀积在晶片上。待工艺反应完成后，为了保养腔体ll，关 闭电磁阀121和电磁阀151，抽出腔体ll内的Ar气体和N2反应气体，此时 腔体11内处于真空状态，打开电磁阀131，厂务气体系统中去除腔体真空的 N2气体经管路13进入腔体11。本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实 用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动 和变型在内。
权利要求1、一种溅射金属膜机台，包括用于进行工艺反应的腔体(11)，腔体(11)外接用于引入氩气气体的管路(12)和用于引入去除腔体真空的氮气气体的管路(13)，管路(12)上串接开关(121)，管路(13)上串接开关(132)，其特征在于，管路(13)的靠近腔体部分(131)一端与腔体(11)相连，另一端通过三通接头(14)连接管路(13)的远离腔体部分(133)和用于引入用于反应的氮气气体的管路(15)，管路(15)上串接开关(151)，开关(121)和开关(151)与联动机构(16)相连，所述联动机构(16)用于当开关(121)打开时，打开开关(151)，当开关(121)关闭时，关闭开关(151)，开关(132)串接于管路(13)的远离腔体部分(133)。
2、 如权利要求1所述的机台，其特征在于，所述开关(121 )、开关(132) 和开关(151 )为电石兹阀。
3、 如权利要求2所述的机台，其特征在于，所述管路(15)上还串接有 流量控制器(152)。
4、 如权利要求3所述的机台，其特征在于，流量控制器(152)为节流阀。
5、 如权利要求3所述的机台，其特征在于，流量控制器(152)为减压阀。
6、 如权利要求3所述的机台，其特征在于，所述管路(15)上还串接有 过滤器(153)。
7、 如权利要求6所述的机台，其特征在于，所述管路(15)上还串接有 过滤器(154),所述开关(151)位于过滤器(153)和过滤器(154)之间， 过滤器(154)与三通4妄头(14)相连接。
8、 如权利要求7所述的机台，其特征在于，过滤器(153)、开关(151)、 流量控制器(152 )和过滤器(154 )依次连接，过滤器(154 )与三通接头(14 ) 相连接。
9、 如权利要求8所述的机台，其特征在于，过滤器(153)、开关(151)、 流量控制器(152)和过滤器(154)通过金属密封圏连接。
专利摘要本实用新型公开了一种溅射金属膜机台，为了利用现有溅射金属膜机台进行生成TiN的工艺反应，该机台包括腔体11，腔体11外接用于引入氩气气体的管路12和用于引入去除腔体真空的氮气气体的管路13，管路12上串接开关121，管路13上串接开关132，管路13的靠近腔体部分131一端与腔体11相连，另一端通过三通接头14连接管路13的远离腔体部分133和用于引入用于反应的氮气气体的管路15，管路15上串接开关151，开关121和开关151与联动机构16相连，开关132串接于管路13的远离腔体部分133，由于新增管路15，使得改造后的溅射金属膜机台能够接入N2反应气体，并进行生成TiN的工艺反应。
文档编号C23C14/35GK201217691SQ20082008024
公开日2009年4月8日 申请日期2008年4月28日 优先权日2008年4月28日
发明者崔晓娟, 张明才, 亮 禤, 肖士悦 申请人:北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司