专利名称：真空处理系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种在能够保持为真空的搬送室中配置处理室的真空 处理系统。
背景技术：
在半导体器件的制造工序中，在作为被处理基板的半导体晶片(以 下简记为晶片)上，为了形成接触结构或布线结构，进行形成多层金属 膜的工艺。此种成膜处理是在保持为真空的处理室内进行的，然而最近， 从处理的有效化的观点、以及抑制氧化或污染物等污染的观点出发，如
下的群集工具(cluster tool)型的多腔室系统备受关注，即，将多个处 理室借助门阀与保持为真空的搬送室连结，从而能够利用设于该搬送室 中的搬送装置向各处理室搬送晶片(例如日本特开平3-19252号公报)。 此种多腔室系统中，由于可以使晶片不暴露于大气中，连续地形成多个 膜，因此可以进行极为有效并且污染极少的处理。
但是，在此种群集工具型的多腔室系统上连接了进行CVD ( Chemical Vappor Deposition )处理的CVD处理室的情况下，在将门阀 打开搬送晶片时，因CVD处理而产生的未反应气体或副产物气体等污 染成分扩散到搬送室中，有可能向其他的处理室扩散而引起交叉污染。
作为防止这种情况的技术，提出过如下的技术，即构成为可以向搬 送室导入清扫气体，在将作为处理对象物的晶片向处理室搬送时，使搬 送室的压力高于该处理室的压力，从搬送室侧向处理室侧形成清扫气体 流(例如日本特开平10-270527号公报)。
另外，还提出过如下的技术，即，通过在搬送室的门阀附近，设置 排气口，从此处局部地排气，来迅速地排出来自处理室的污染成分(例 如日本特开2007-149948号7>才艮)。
但是，在为上述利用压力差从搬送室侧向处理室侧形成清扫气体流 的技术的情况下，通常来说，从搬送室的一个部位导入清扫气体，因而流向处理室的清扫气体流的密度低，容易变得不均匀，存在来自处理室 的污染成分的流入的防止效果不够充分的缺点。
另外，为在门阀附近设置排气口的技术的情况下，由于搬送室自身 是真空状态，因此难以形成足够的排气流，其效果受到限制。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种可以有效地抑制污染成分从处理室向 搬送室的流入的真空处理系统。
根据本发明的第一观点，提供一种真空处理系统，其特征在于，具
备处理室，其在真空下对被处理基板进行规定的处理；搬送室，其具 有搬入/搬出被处理基板的搬入搬出口 ，经由能够使上述搬入搬出口开 闭的门阀与上述处理室连接，该搬送室内部保持为真空状态；搬送机构， 其设于上述搬送室内，将被处理基板经由上述搬入搬出口相对于上述处 理室搬入搬出；清扫气体喷出构件，其设于上述搬入搬出口附近，在将 上述门阀打开而将上述搬送室与上述处理室连通的状态下，经由上述搬 入搬出口向上述处理室喷出清扫气体。
在上述第一观点的真空处理系统中，还具备控制上述搬送室的压力 的压力控制机构，上述压力控制机构可以将上述搬送室的压力控制为适 合于上述处理室的压力，该情况下，上述压力控制机构优选将上述搬送 室的压力控制为高于上述处理室的压力。
根据本发明的第二观点，提供一种真空处理系统，其特征在于，具 备多个处理室，其在真空下对被处理基板进行规定的处理；搬送室， 其具有多个将被处理基板搬入/搬出的搬入搬出口 ，经由能够将上述搬 入搬出口开闭的门阀将上述处理室分别与各搬入搬出口连接，该搬送室 内部保持为真空状态；搬送机构，其设于上述搬送室内，将被处理基板 经由上述任一个搬入搬出口相对于上述任一个处理室选择性地搬入搬 出；多个清扫气体喷出构件，其分别设于上述多个搬入搬出口附近，能 够向对应的搬入搬出口喷出清扫气体；控制部，其进行以下控制在将 上述任一个门阀打开而将上述搬送室与上述任一个处理室连通时，从与 该连通了的处理室对应的清扫气体喷出构件经由对应的搬入搬出口向
6该连通了的处理室喷出清扫气体。
在上述第二观点的真空处理系统中，还具备控制上述搬送室的压力 的压力控制机构，上述压力控制机构可以将上述搬送室的压力控制为适 合于上述多个处理室中的与上述搬送室连通的处理室的压力，该情况 下，上述压力控制机构优选将上述搬送室的压力控制为比上述多个处理 室中的与上述搬送室连通的处理室的压力高的压力。
在上述第 一及第二观点的真空处理系统中，上述压力控制机构具有 将上述搬送室真空排气的排气机构、向上述搬送室中导入气体的气体导 入机构、控制它们的控制器，通过利用上述控制器，控制上述排气机构 的排气和上述气体导入机构的气体导入，就可以控制上述搬送室内的压 力。该情况下，上述气体导入机构具有上述清扫气体喷出构件，可以将
体使用。
在上述第 一及第二观点的真空处理系统中，上述清扫气体喷出构件 优选沿着上述搬入搬出口的宽度方向延伸，以带状喷出清扫气体。另夕卜， 上述清扫气体喷出构件优选设于上述搬送室内的被处理基板的搬送路 径的下方。此外，上述清扫气体喷出构件优选具有过滤器功能。作为上 述清扫气体喷出构件，优选由多孔陶瓷构成。
在上述第一及第二观点的真空处理系统中，作为上述处理室，可以
应用于用于进行以金属卤化物作为原料的CVD的CVD处理室，该 CVD处理室用于进行以金属卣化物作为原料的CVD 。
根据本发明，由于在搬送室的搬入搬出口附近设置清扫气体喷出构 件，在将门阀打开而将搬送室与处理室连通的状态下，从清扫气体喷出 构件经由搬入搬出口向处理室喷出清扫气体，因此可以将高密度的清扫 气体经由搬入搬出口导入处理室，即使在处理室中存在污染成分，也可 以有效地抑制这种污染成分向搬送室逆扩散。
图l是表示本发明的一个实施方式的多腔室类型的真空处理系统的 俯视图。图2是表示图1的真空处理系统的搬送室的剖面图。
图3是表示图1的真空处理系统的搬送室的俯视图。
图4是表示搬送室的清扫气体喷出构件与搬入搬出口的位置关系的 示意图。
图5是表示图1的真空处理系统的CVD处理室的剖面图。
图6是表示利用从清扫气体喷出构件中喷出的清扫气体形成了从搬 送室向CVD处理室的清扫气体流的状态的示意图。
具体实施例方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行具体说明。
图l是表示本发明的一个实施方式的多腔室类型的真空处理系统的 俯视图。
真空处理系统1具有具备进行CVD处理的多个处理室的处理部2、 搬入搬出部3、处理部2与搬入搬出部3之间的真空互锁室6a、 6b，从 而可以对晶片W实施规定的金属成膜。
处理部2具有平面形状为六边形的搬送室11、与该搬送室11的4 个边连接的4个CVD处理室12、 13、 14、 15。在搬送室11的另外2 个边上，分别连接有真空互锁室6a、 6b。 CVD处理室12-15及真空互 锁室6a、 6b经由门阀G与搬送室11的各边连接，它们通过将对应的门 阀开放而与搬送室11连通，通过将对应的门阀G关闭而与搬送室11 隔断。在搬送室11内，设有相对于CVD处理室12~15、真空互锁室6a、 6b进行晶片W的搬入搬出的搬送机构16。该搬送机构16配设于搬送 室11的大致中央，在能够旋转及伸缩的旋转/伸缩部17的头端设有支承 晶片W的2个支承臂18a、 18b，这2个支承臂18a、 18b被相互朝向 相反方向地安装于旋转/伸缩部17上。该搬送室11内如后所述，保持为 规定的真空度。
搬入搬出部3夹着上述真空互锁室6a、 6b设于与处理部2相反一 侧，具有连接真空互锁室6a、 6b的搬入搬出室21。在真空互锁室6a、
86b与搬入搬出室21之间设有门阀G。在搬入搬出室21的与连接真空 互锁室6a、 6b的一边相面对的一边上设有2个连接口 22、 23,其连接 收容作为被处理基板的晶片W的承载架C。在这些连接口 22、 23上分 别设有未图示的闸门，在这些连接口 22、 23上直接安装收容了晶片W 的状态的或空的承载架C，此时闸门打开在防止外部气体的侵入的同时 与搬入搬出室21连通。另外，在搬入搬出室21的侧面设有对准室24， 在这里进行晶片W的对准。在搬入搬出室21内设有搬入搬出用搬送机 构26，该搬入搬出用搬送机构26进行晶片W相对于承栽架C的搬入 搬出及晶片W相对于真空互锁室6a、 6b的搬入搬出。该搬入搬出用搬 送机构26具有2个多关节臂，能够沿着承载架C的排列方向在滑轨28 上行走，从而在各自的前端的手27上承载着晶片W，进行其搬送。
下面，对搬送室11进行详细说明。
图2是示意性地表示搬送室11的剖面图，图3是其俯视图。在搬 送室11的侧壁上，设有用于与CVD处理室12-15之间搬入搬出晶片W 的搬入搬出口 31,该搬入搬出口 31可以利用门阀G开闭。各门阀G由 执行机构32开闭。
对于搬送室11，由于在如上所述地向CVD处理室12 15中的任一 个搬送晶片W时，与该CVD处理室连通，因此出于使之适合各CVD 处理室的压力的目的，设有排气机构40和气体导入机构50。具体来说， 通过控制排气机构40的排气和气体导入机构50的气体导入，而将搬送 室11的压力控制为适合所连通的CVD处理室的压力。
排气机构40具有与设于搬送室11的底部的排气口 41连接的排气 配管42、设于排气配管42上的排气速度调整阀43、与排气配管42连 接的真空泵44。这样，通过在控制排气速度调整阀43的同时，利用真 空泵44经由排气配管42将搬送室11抽真空，就可以抽真空至规定的 压力。
气体导入机构50具有清扫气体喷出构件51，其分别设于搬送室 11的各处理室的搬入搬出口 31的下侧附近，喷出清扫气体；与各清扫 气体喷出构件51连接的清扫气体配管52;设于清扫气体配管52上的开 闭阀53;将这些清扫气体配管52集合而成的集合配管54; i殳于集合配
9管54上的压力调整阀55;与集合配管54连接的清扫气体供给源56。
清扫气体喷出构件51如图2、 3所示，在比晶片W的搬送通道的 高度低的位置沿着搬入搬出口 31的长度方向延伸设置，具有晶片W的 口径长度或在其以上的长度，能够以带状喷出清扫气体。设于比晶片W 的搬送通道的高度低的位置是为了减少在晶片W上附着颗粒的可能性， 在不需要考虑颗粒的附着的情况下，也可以设于比晶片W的搬送通道 的高度高的位置。
该清扫气体喷出构件51具有向CVD处理室12-15喷出清扫气体的 功能、为了进行压力调整而喷出清扫气体的功能。如图4所示，从清扫 气体喷出构件51中，朝向搬入搬出口 31喷出清扫气体，例如Ar气， 在使之发挥向CVD处理室12-15喷出清扫气体的功能的情况下，打开 门阀G而将搬送室11设为与CVD处理室连通的状态，形成朝向与该 搬入搬出口 31连接的CVD处理室的清扫气流。该情况下，从形成均匀 的气流并且防止颗粒的导入的观点出发，清扫气体喷出构件51优选由 具有过滤器功能的材料构成。作为具有过滤器功能的材料的合适的例 子，可以举出多孔陶瓷。
在使用排气机构40及气体导入机构50控制搬送室11的压力时，通 过打开门阀G而将搬送室11设为与规定的CVD处理室连通的状态， 利用后述的控制器101,控制排气速度调整阀43及压力调整阀55，控 制排气机构40的排气及气体导入机构的气体导入，设为适合该CVD处 理室的压力。此时，清扫气体喷出构件51具有利用清扫气体的喷出来 调整搬送室11内的压力的功能。
下面，参照图5的剖面图对处理室2的CVD处理室12进行说明。 该CVD处理室12形成CVD处理装置60的一部分，在其中进行CVD 处理。即，在构成CVD处理装置60的CVD处理室12的内部，配置有 载放晶片W的载置台61,在该载置台61内设有加热器62。该加热器 62通过由加热器电源63供电而发热。
在CVD处理室12的顶壁上，与载置台61相面对地设有用于将用 于CVD处理的处理气体以喷淋状向CVD处理室12内导入的喷淋头64。 喷淋头64在其上部具有气体导入口 65，在其内部形成气体扩散空间66，在其底面形成多个气体喷出孔67。在气体导入口 65上连接有气体供给 配管68，另外，在气体供给配管68上连接有处理气体供给系统69,该 处理气体供给系统69用于供给用于CVD处理的处理气体，即用于进行 反应而形成规定的薄膜的原料气体。从而可以从处理气体供给系统69 经由气体供给配管68及喷淋头64向CVD处理室12内供给处理气体。 在CVD处理室12的底部，设有排气口 70，在该排气口 70上连接有排 气配管71,在排气配管71上设有真空泵72。这样，通过一边供给处理 气体一边使该真空泵72动作，而将CVD处理室12内保持为1 x 101 1 x 103Pa (约1 x 10 、1 x 10工Torr)左右。
在上述载置台61上，设有能够相对于载置台61的表面突出没入的 晶片搬送用的3根(仅图示了 2根)晶片支承销钉73,这些晶片支承销 钉73被固定于支承板74上。这样，通过利用气缸等驱动机构76来升 降杆75，晶片支承销钉73就被借助支承板74升降。而且，符号77是 波紋管。另一方面，在CVD处理室12的侧壁上，形成有晶片搬入搬出 口 78，在将门阀G打开的状态下与搬送室11之间进行晶片W的搬入 搬出。
此外，在一边将CVD处理室12内利用真空泵72排气， 一边利用 加热器62隔着载置台61将晶片W加热为规定温度的状态下，从处理 气体供给系统69经由气体供给配管68及喷淋头64向CVD处理室12 内导入处理气体。这样，就会在晶片W上进行处理气体的反应，在晶 片W的表面形成规定的薄膜。为了促进反应，也可以利用适当的机构 来生成等离子体。
作为在CVD处理室12内进行的CVD处理，可以例示出Ti膜、TiN 膜、W膜、WSi膜等以金属g化物作为原料气体的成膜。CVD处理是 在晶片上使原料气体发生化学反应而在晶片上形成规定的膜的处理，例 如对于Ti膜的情况，通过将TiCl4气体用H2气还原而形成Ti膜，然而 参与反应的气体的比例少，仍未反应的未反应气体或副产物气体等污染 成分大量地产生而残存于处理室内。
而且，CVD处理室13-15也具有基本上与上述CVD处理室12相 同的结构。真空互锁室6a、 6b是用于在大气气氛的搬入搬出室21与真空气氛 的搬送室ll之间搬送晶片W的腔室，具有排气机构和气体供给机构(都 未图示)，能够在短时间内使其中在大气气氛和适合于搬送室11的真空 气氛之间切换，在与搬入搬出室21之间的晶片W的转交时，在以密闭 状态变为大气气氛后与搬入搬出室21连通，在与搬送室ll之间的晶片 的转交时，在以密闭状态变为真空气氛后与搬送室ll连通。
该真空处理系统1具有用于控制各构成部的控制部100。该控制部 100具备控制器101，其由执行各构成部的控制的微处理器(计算机) 构成；用户接口 102,其由操作者为了管理真空处理系统l而进行命令 的输入操作等的键盘、将真空处理系统的工作状况可视化地显示的显示 器等构成；存储部103，其存储有用于将由真空处理系统l执行的各种 处理利用控制器101的控制来实现的控制程序、用于与各种数据及处理 条件对应地使处理装置的各构成部执行处理的程序即处理配方。而且， 用户接口 102及存储部103与控制器101连接。
上述处理配方存储于存储部103中的存储介质中。存储介质既可以 是硬盘，也可以是CDROM、 DVD、闪存存储器等移动式的介质。另夕卜， 也可以从其他的装置例如经由专用线路适当地传输配方。
这样，通过根据需要，利用来自用户接口 102的指示等将任意的配 方从存储部103中调出而使控制器101执行，就可以在控制器101的控 制下，进行利用真空处理系统l的所需的处理。
特别是，本实施方式中，如上述图2、 3所示，控制器101通过控 制门阀G的执行机构32、气体导入机构50的开闭阀53或压力调整阀 55、排气机构40的排气速度调整阀43，进行晶片W相对于任一个CVD 处理室的搬入搬出时的门阀的开闭控制及搬送室11的压力控制及气流 控制。
下面，对这种真空处理系统1的处理动作进行说明。
该真空处理系统l既可以是CVD处理室12-15都形成相同的膜的 单膜形成用的系统，也可以是用于形成多种膜的系统(例如形成Ti膜 和TiN膜的叠层膜的系统)。对于后者的情况，例如可以将CVD处理室
1212、 13设为Ti膜成膜用，将CVD处理室14、 15设为TiN膜成膜用。
在成膜时，首先，从任一个承载架C利用搬入搬出用搬送机构26取出晶片W并搬入到真空互锁室6a。然后将真空互锁室6a设为密闭状态，进行真空排气，在设为与搬送室11相同程度的压力后，打开搬送室ll侧的门阀G，利用搬送机构16将真空互锁室6a的晶片W取出到搬送室11内。其后，利用排气机构40及气体导入机构50，将搬送室11的压力控制为适合CVD处理室12 15中的应当搬入晶片W的腔室的压力，打开与该CVD处理室对应的门阀G，经由搬入搬出口 31向该CVD处理室中搬入晶片W。此后，在其中进行规定的CVD成膜处理，例如进4亍Ti膜的成膜。
在规定的CVD成膜处理结束后，在为单膜成膜的情况下，打开与进行了处理的CVD处理室对应的门阀G，利用搬送机构16从该CVD处理室中将晶片W取出到第一搬送室ll，接下来将晶片W搬入真空互锁室6b，将真空互锁室6b内设为大气压后，利用搬入搬出用搬送机构26将晶片W收纳于任一个承载架C上。
在为形成2层叠层膜的情况下，在上述一个CVD处理室中的CVD成膜处理结束后，打开与CVD处理室对应的门阀G,利用搬送机构16从该CVD处理室中将晶片W取入到第一搬送室11，接下来，打开与下面用于进行成膜处理的CVD处理室对应的门阀G，在该CVD处理室内进行与最初的膜不同的膜，例如TiN膜的成膜。在3层以上的情况下，同样地也是重复进行在其他的CVD处理室中的成膜处理。此后，打开与最后的CVD处理室对应的门阀G，利用搬送机构16从该CVD处理室中将晶片W取入到第一搬送室ll，接下来将晶片W搬入到真空互锁室6b，在将真空互锁室6b内设为大气压后，利用搬入搬出用搬送机构26将晶片W收纳于任一个承载架C上。
但是，CVD处理如上所述，是在晶片上使原料气体发生化学反应而在晶片上形成规定的膜的处理，在Ti膜、TiN膜等的成膜中，未反应气体或副产物气体等污染成分大量地存在于腔室内，被保持为1 x 101 1x 103Pa (约1 x 10"~1 x l0lrToiT)左右这样比较高的压力，在打开了门阀G时，如果污染成分(污染物)向搬送室11内逆扩散，则有可能与其他的CVD处理室之间产生交叉污染。从防止此种污染成分的逆扩散的观点出发，以往技术中，从搬送室
11的一处导入气体并保持为比CVD处理室12-15中的想要连通的腔室略高的压力，以便在为了向CVD处理室搬入搬出晶片而打开门阀时，形成从搬送室11朝向CVD处理室的气流，从而抑制从CVD处理室向搬送室11的逆扩散。
但是，此种技术中，由于朝向搬送室11的气体供给口为一处，因此在打开作为对象的CVD处理室与搬送室11之间的门阀G而使它们连通时，从搬送室向该CVD处理室的清扫气体流的密度低，并且容易变得不均匀，从而产生不一定能够充分地抑制从连通的CVD处理室向搬送室11的污染成分的逆扩散的情况。
所以，本实施方式中，将清扫气体喷出构件51设于各CVD处理室的紧邻位置，具体来说，设于与各CVD处理室连通的搬入搬出口 31的附近，从对应于与搬送室11连通的CVD处理室的清扫气体喷出构件51向搬入搬出口 31喷出清扫气体。像这样，由于喷出清扫气体的清扫气体喷出构件51设于搬入搬出口 31的附近，因此可以利用从清扫气体喷出构件51中喷出的清扫气体，如图6所示，形成从搬送室ll朝向与之连通的CVD处理单元(图6的例子中是CVD处理单元12)的高密度的气流，可以有效地抑制来自CVD处理室的污染成分的逆扩散。另外，由于清扫气体喷出构件51沿着搬入搬出口 31的长度方向延伸，具有晶片W的口径长度或在其以上的长度，因此可以形成从搬送室ll朝向CVD处理室的均匀的清扫气流，可以更为可靠地抑制污染成分的逆扩散。
此外，由于在CVD处理室12~15上分别i殳置清扫气体喷出构件51，可以利用阀的切换选择性地喷出清扫气体，因此可以仅在与搬送室连通的应当防止污染成分的逆扩散的CVD处理室中形成清扫气体。
此时，优选利用排气机构40及气体导入机构50进行压力控制，使得搬送室11的压力达到比CVD处理室12 15中的连通的处理室更高的压力。这样，就可以更为有效地防止污染成分的逆扩散。
此外，通过作为清扫气体喷出构件51,使用多孔陶瓷等具有过滤器功能的材料，就可以形成更为均匀的气流，并且可以防止颗粒的导入。而且，本发明并不限定于上述实施方式，可以在本发明的思想的范围内进行各种变形。例如，虽然在上述实施方式中对在搬送室中设置了
4个CVD处理室的情况进行了说明，然而该个数并不限于4个，只要是l个以上即可。另外，虽然作为清扫气体喷出构件使用了沿着搬入搬出口延伸的构件，但是并不限定于此，例如为了朝向搬入搬出口获得均匀的气流，也可以制成环状。
此外，虽然在上述实施方式中，对每个CVD处理室设置了清扫气体喷出构件，然而也可以仅在特定的CVD处理中设置气体喷出构件。
此外，虽然在上述实施方式中，作为真空处理以进行CVD成膜处理的情况为例进行说明，然而并不限于CVD成膜处理，对于其他的真空处理也可以同样地适用。
1权利要求
1.一种真空处理系统，具备处理室，其在真空下对被处理基板进行规定的处理；搬送室，其具有搬入/搬出被处理基板的搬入搬出口，经由能够使所述搬入搬出口开闭的门阀与所述处理室连接，该搬送室内部保持为真空状态；搬送机构，其设于所述搬送室内，将被处理基板经由所述搬入搬出口相对于所述处理室搬入搬出；及清扫气体喷出构件，其设于所述搬入搬出口附近，在打开所述门阀而将所述搬送室与所述处理室连通的状态下，经由所述搬入搬出口向所述处理室喷出清扫气体。
2. 根据权利要求l所述的真空处理系统，其特征在于，还具备控制 所述搬送室的压力的压力控制机构，所述压力控制机构将所述搬送室的 压力控制为适合于所述处理室的压力。
3. 根据权利要求2所述的真空处理系统，其特征在于，所述压力控 制机构将所述搬送室的压力控制为高于所述处理室的压力。
4. 根据权利要求2所述的真空处理系统，其特征在于，所述压力控 制机构具有使所述搬送室真空排气的排气机构、向所述搬送室中导入气 体的气体导入机构、控制所述排气机构和所述气体导入机构的控制器， 通过利用所述控制器，控制所述排气机构的排气和所述气体导入机构的 气体导入，来控制所述搬送室内的压力。
5. 根据权利要求4所述的真空处理系统，其特征在于，所述气体导 入机构具有所述清扫气体喷出构件，将从所述清扫气体喷出构件中喷出 的清扫气体作为压力控制用的导入气体使用。
6. 根据权利要求l所述的真空处理系统，其特征在于，所述清扫气 体喷出构件沿着所述搬入搬出口的宽度方向延伸，以带状喷出清扫气 体。
7. 根据权利要求l所述的真空处理系统，其特征在于，所述清扫气 体喷出构件设于所述搬送室内的被处理基板的搬送路径的下方。
8. 根据权利要求l所述的真空处理系统，其特征在于，所述清扫气 体喷出构件具有过滤器功能。
9. 根据权利要求8所述的真空处理系统，其特征在于，所述清扫气 体喷出构件由多孔陶瓷构成。
10. 根据权利要求1所述的真空处理系统，其特征在于，所述处理 室是用于进行以金属卣化物作为原料的CVD的CVD处理室。
11. 一种真空处理系统，具备多个处理室，其在真空下对被处理基板进行规定的处理；搬送室，其具有多个将被处理基板搬入/搬出的搬入搬出口，经由能 够使所述搬入搬出口开闭的门阀将所述处理室分别与各搬入搬出口连 接，该搬送室内部保持为真空状态；搬送机构，其设于所述搬送室内，将被处理基板经由所述任一个搬 入搬出口相对于所述任一个处理室选择性地搬入搬出；多个清扫气体喷出构件，其分别设于所述多个搬入搬出口附近，能 够向对应的搬入搬出口喷出清扫气体；及控制部，其进行以下控制在打开所述任一个门阀而将所述搬送室 与所述任一个处理室连通时，从与该连通了的处理室对应的清扫气体喷 出构件经由对应的搬入搬出口向该连通了的处理室喷出清扫气体。
12. 根据权利要求ll所述的真空处理系统，其特征在于，还具备控 制所述搬送室的压力的压力控制机构，所述压力控制机构将所述搬送室 的压力控制为适合于所述多个处理室中的与所述搬送室连通的处理室 的压力。
13. 根据权利要求12所述的真空处理系统，其特征在于，所述压力 控制机构将所述搬送室的压力控制为比所述多个处理室中的与所述搬 送室连通的处理室的压力高的压力。
14. 根据权利要求12所述的真空处理系统，其特征在于，所述压力 控制机构具有将所述搬送室真空排气的排气机构、向所述搬送室中导入 气体的气体导入机构、控制所述排气机构和所述气体导入机构的控制器，通过利用所述控制器，控制所述排气机构的排气和所述气体导入机 构的气体导入，来控制所述搬送室内的压力。
15. 根据权利要求14所述的真空处理系统，其特征在于，所述气体 导入机构具有所述清扫气体喷出构件，将从所述清扫气体喷出构件中喷 出的清扫气体作为压力控制用的导入气体使用。
16. 根据权利要求ll所述的真空处理系统，其特征在于，所述清扫 气体喷出构件沿着所述搬入搬出口的宽度方向延伸，以带状喷出清扫气 体。
17. 根据权利要求ll所述的真空处理系统，其特征在于，所述清扫 气体喷出构件设于所述搬送室内的被处理基板的搬送路径的下方。
18. 根据权利要求ll所述的真空处理系统，其特征在于，所述清扫 气体喷出构件具有过滤器功能。
19. 根据权利要求ll所述的真空处理系统，其特征在于，所述清扫 气体喷出构件由多孔陶瓷构成。
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20.根据权利要求ll所述的真空处理系统，其特征在于，所述处理 室是用于进行以金属卤化物作为原料的CVD的CVD处理室。
全文摘要
本发明提供一种真空处理系统(1)，其具备CVD处理室(12～15)，其在真空下对晶片(W)进行CVD处理；搬送室(11)，其具有搬入/搬出晶片(W)的搬入搬出口(31)，经由能够使搬入搬出口(31)开闭的门阀(G)连接CVD处理室(12～15)，具备将晶片(W)经由搬入搬出口(31)相对于CVD处理室(12～15)搬入搬出的搬送机构(16)，该处理室内部保持为真空状态；清扫气体喷出构件(51)，其设于搬入搬出口(31)附近，在打开门阀(G)而将搬送室(11)与任一个CVD处理室连通的状态下，经由搬入搬出口(31)向该CVD处理室喷出清扫气体。
文档编号C23C16/44GK101688303SQ200880022749
公开日2010年3月31日 申请日期2008年8月22日 优先权日2007年9月3日
发明者多田宪伦, 宫下哲也 申请人:东京毅力科创株式会社