高密度钼合金顶头及其制备方法

文档序号:3400386阅读:615来源:国知局
专利名称:高密度钼合金顶头及其制备方法
技术领域
本发明涉及钼顶头领域,具体涉及一种高密度钼合金顶头及其制备方法。
背景技术
传统的钼合金顶头采用FMo-I原料添加稀土材料,经过混料成型、外形加工、高温 烧结等工序加工制成,成品密度彡9. 5g/cm3。主要用于不锈钢、钎钢、轴承钢和高温合金钢 等无缝钢管的穿孔工作,以及不同材质的无缝管在高温氧化环境下的热扎穿孔工作。专利号为200520107984X的中国专利公开了一种《穿孔钢管用的钼顶头》,“该钼顶 头顶端部的突部可使球块部与炽热的金属间不直接接触,可以减缓其磨损,而圆台形均整 部可降低其与管壁间的接触面,以提高其使用寿命”。专利号为2007100547117的中国专利,公开了《一种锻压钼顶头及其制备方法》。 通过选料、配合、混料、装料、整形、压制、车削成形、高温烧结,然后加热锻压成型、车削校 正,即得所述的锻压钼顶头。

发明内容
本发明的目的在于提供一种高密度钼合金顶头及其制备方法,成品密> 9. 7g/
3cm ο为达上述目的,本发明采用如下的技术方案本发明所述的具有高密度合金顶尖 的钼顶头含有如下重量组份的原料钼95. 8%、Ti 2%,ZrO. 2%,Nb 0. 15%,Cr 0. 55%,V 1. 1%> Ni 0. 05%, C 0. 15%,其制备方法为选配原材料、混料、压制成坯料、1850-1950°C
中频高温烧结、车削成型。本发明所述的一种高密度钼合金顶头经过车床车削校正,进行外观和密度的检 验,结果为平均密度大于9. 7g/cm3。本发明与现有普通钼顶头相比,具有如下优点1、配方中加入0. 05%的Ni,与其它材料充分结合,可使本发明的平均密度大于 9. 7g/cm3,比普通钼顶头提高2-6个百分点。维氏硬度可达350以上。2、由于其制备过程中,压制压力彡200MPa,并经在1970°C的中频高温炉烧结,可 以使钼顶头表层和内部的密度、硬度一致,因此,本发明具有的耐磨性强的优点,耐磨程度 可以提高60-80%。3、由于其硬度和密度的提高,其使用寿命大大增强,节约了用户的生产成本。
具体实施例方式本发明的具体实施方式
由以下的实施例进一步说明。本发明所述的具有高密度钼合金顶头含有如下重量组份的原料钼95.8%、Ti 2%, Zr 0. 2%, Nb 0. 15%, Cr 0. 55%, V 1. l%,Ni 0. 05%, C 0. 15%,制备方法为步骤一、选配原料按照以下重量组份的原料进行配制;Fmo-I标准、粒度为2-3 μ m 的钼粉 95. 8%, Ti 2%, Zr 0. 2%, Nb 0. 15%, CrO. 55%, V 1. 1%, Ni 0. 05%, C 0. 15% ;步骤二、将步骤一中所得的原料在混料机中搅拌24小时,并结合振动筛混合;步骤三、将步骤二中所得的混合料,装入压力成型设备施加200MPa压力压制成坯 料;步骤四、将步骤三中获得的压制坯料置于中频炉中,逐渐升温至1970°C,保持5小 时后降至室温;
步骤五、将步骤四中获取的钼顶头进行车削成型即成。
权利要求
一种高密度钼合金顶头及其制备方法,其特征在于所述的具有高密度合金顶尖的钼顶头含有如下重量组份的原料钼95.8%、Ti 2%、Zr 0.2%、Nb 0.15%、Cr 0.55%、V 1.1%、Ni 0.05%、C 0.15%,制备方法为步骤一、选配原料按照以下重量组份的原料进行配制;Fmo-1标准、粒度为2-3μm的钼粉95.8%、Ti 2%、Zr 0.2%、Nb 0.15%、Cr0.55%、V 1.1%、Ni 0.05%、C 0.15%;步骤二、将步骤一中所得的原料在混料机中搅拌24小时,并结合振动筛混合;步骤三、将步骤二中所得的混合料,装入压力成型设备施加200MPa压力压制成坯料;步骤四、将步骤三中获得的压制坯料置于中频炉中,逐渐升温至1970℃,保持5小时后降至室温;步骤五、将步骤四中获取的钼顶头进行车削成型即成。
全文摘要
本发明公开了一种高密度钼合金顶头及其制备方法,所述的钼顶头含有如下重量组份的原料钼95.8%、Ti 2%、Zr 0.2%、Nb 0.15%、Cr 0.55%、V 1.1%、Ni 0.05%、C 0.15%,其制备方法为选配原材料、混料、压制成坯料、1970℃中频高温烧结、车削成型。本发明与现有普通钼顶头相比,具有如下优点密度大于9.7g/cm3,比普通钼顶头提高2-6个百分点。维氏硬度可达350以上。由于其制备过程中,压制压力≥200MPa,并经在1970℃的中频高温炉烧结,可以使钼顶头表层和内部的密度、硬度一致,因此,本发明具有的耐磨性强的优点,耐磨程度可以提高60-80%。
文档编号B22F3/02GK101879593SQ20091006483
公开日2010年11月10日 申请日期2009年5月8日 优先权日2009年5月8日
发明者张松旺, 景永辉, 梁占坡, 王学杰, 陈建有, 陈玉山, 陈隧印 申请人:陈建有
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