专利名称：电子材料用Cu-Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法
技术领域：
本发明涉及析出硬化型铜合金，尤其涉及适用于各种电子部件的Cu-Ni-Si-Co系铜合金。
背景技术：
对于连接器、开关、继电器、插脚、端子、引线框等各种电子部件所使用的电子材料用铜合金，要求兼具作为基本特性的高强度和高导电性(或导热性)。近年来，电子部件的高集成化和小型化、薄壁化快速发展，与此相对应，对于电子器械部件中使用的铜合金的要求水平也逐渐地提高。从高强度和高导电性的角度考虑，作为电子材料用铜合金，析出硬化型铜合金的使用量正在增加，以代替以往以磷青铜、黄铜等为代表的固溶强化型铜合金。对于析出硬化型铜合金，通过对经固溶化处理的过饱和固溶体进行时效处理，而使微细的析出物均勻地分散，合金的强度提高，同时铜中的固溶元素量减少，导电性提高。因此，可以得到强度、弹性等机械性质优异且导电性、导热性良好的材料。析出硬化型铜合金中，一般被称为科森系合金的Cu-Ni-Si系铜合金是兼具较高导电性、强度和弯曲加工性的代表性铜合金，且是业界中目前正蓬勃开发的合金之一。该铜合金通过使微细的Ni-Si系金属间化合物粒子在铜基质中析出，来实现强度和导电率的提
尚ο为了更进一步提高科森合金的特性，正进行以下各种技术的开发添加Ni及Si以外的合金成分，排除对特性有不良影响的成分，结晶组织的最优化，析出粒子的最优化。例如，已知通过添加Co、或控制母相中析出的第二相粒子来提高特性，作为Cu-Ni-Si-Co系铜合金最近的改良技术可列举如下的内容。日本特表2005-532477号公报(专利文献1)中记载了一种锻造铜合金，以重量计，其包含镍1% 2. 5%、钴0. 5 2. 0%、硅0. 5% 1. 5%和作为剩余部分的铜及不可避免的杂质，镍与钴的合计含量为1. 7% 4. 3%，(Ni + Co) / Si的比例为2 :1 7 :1，该锻造铜合金具有超过40%IACS的导电性。钴与硅相组合，可限制粒子生长且提高抗软化性， 因此形成有助于时效硬化的硅化物。并且该专利文献记载了在其制造工序中，包含依次进行下述处理的工序在固溶化处理后不进行中间冷加工，而是以对析出第2相有效的第一时效退火温度和第二时间长度，对实质上为单一相的上述合金实施第一时效退火，而形成具有硅化物的多相合金，并对多相合金实施冷加工，进行第二的截面积减少，以对增大析出粒子的容积分率有效的温度(其中，第二时效退火温度比第一时效退火温度低)和时间长度，对多相合金实施第二时效退火(段落0018)。此外，该专利文献还记载了固溶化处理以 750°C 1050°C的温度进行10秒 1小时(段落0042)；第一时效退火以350°C 600°C 的温度进行30分钟 30小时；以5 50%的加工度进行冷加工；第二时效退火是在温度 350°C 600°C下进行10秒 30小时(段落0045 0047)。日本特开2007-169765号公报(专利文献2)中，公开了一种强度、导电率、弯曲加工性、应力松弛特性优异的铜合金，其特征在于含有Ni 0. 5 4. 0质量％、Co 0. 5 2. 0 质量％、Si :0. 3 1. 5质量％，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成；Ni量与Co量之和， 与Si量的比例(Ni + Co) / Si为2 7，第2相的密度(每单位面积的个数)为IO8 IO12个/ mm2 ；其中，50 IOOOnm大小的第2相密度为IO4 IO8个/ mm2。根据该专利文献，通过使第2相的密度(每单位面积的个数)为IO8 IO12个/ mm2，可实现优异的各特性(段落0019)。此外，通过使50 IOOOnm大小的第2相的密度为 IO4 IO8个/ mm2，可使第2相分散，由此在850°C以上等高温下的固溶化热处理中，可抑制结晶粒径的粗大化，从而能够改善弯曲加工性(段落0022)。另一方面，当第2相的大小小于50nm时，抑制粒子生长的效果较低，因而不优选(段落0023)。还记载了上述铜合金可以通过在900°C以上进行铸块的均质化热处理，且在之后的热加工中以0. 5 4°C /秒的冷却速度冷却至850°C，然后各进行1次以上的热处理和冷加工来制造(段落00 )。现有技术文献专利文献
专利文献1 日本特表2005-532477号公报专利文献2 日本特开2007-169765号公报。
发明内容
发明要解决的课题
专利文献1记载的铜合金虽然可得到较高的强度、导电率和弯曲加工性，但仍有特性改善的空间。特别是，对于用作弹簧材料时所产生的永久变形的抗永久变形性仍有不足的问题。专利文献2虽然针对第2相粒子的分布对合金特性的影响进行了考察，并限定了第 2相粒子的分布状态，但仍不能说是充分的。由于抗永久变形性的改善关系到作为弹簧材料的可靠性的提高，因此如果可改善抗永久变形性，则是有利的。因此，本发明的课题之一在于提供Cu-Ni-Si-Co系铜合金，其可实现高的强度、导电率和弯曲加工性，同时抗永久变形性也优异。此外，本发明的另一课题在于提供这种Cu-Ni-Si-Co系合金的制造方法。用于解决课题的手段
本发明人为了解决上述课题，进行了深入研究，观察Cu-Ni-Si-Co系合金的组织时发现专利文献2中被认为存在本身即为不优选的粒径为50nm以下左右的极微细的第二相粒子的个数密度对强度、导电率和抗永久变形性的提高产生重要的影响。此外，还发现其中具有5nm以上、小于20nm范围的粒径的第二相粒子有助于强度和初期抗永久变形性的提高；具有20nm以上50nm以下范围的粒径的第二相粒子有助于反复抗永久变形性的提高，因此通过控制上述个数密度和比例，可均衡性良好地提高强度以及抗永久变形性。基于上述发现而完成的本发明一方面是提供电子材料用铜合金，其是含有M 1. 0 2. 5质量％、Co 0. 5 2. 5质量％、Si :0. 3 1. 2质量％，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成的电子材料用铜合金，其中，母相中析出的第二相粒子中，粒径为5nm以上、50nm以下的粒子的个数密度为IX IO12 IX IO14个/ mm3 ；粒径为5nm以上、小于20nm 的粒子的个数密度以相对于粒径为20nm以上、50nm以下的粒子的个数密度的比例来表示，为3 6。在本发明的铜合金的一个实施方式中，粒径为5nm以上且小于20nm的第二相粒子的个数密度为2X1012 7X1013，粒径为20nm以上、50nm以下的第二相粒子的个数密度为 3X1011 2X1013。在本发明的铜合金的一个实施方式中，进一步含有最大0. 5质量％的Cr。在本发明的铜合金的另一个实施方式中，进一步含有合计最大2.0质量％的选自 Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn 和 Ag 中的 1 种或 2 种以上。本发明的另一方面在于提供电子材料用铜合金的制造方法，其包含依次进行以下
工序
一熔融铸造具有所需组成的铸锭的工序1 ；
一使材料温度为950°C以上、1050°C以下进行1小时以上的加热，然后进行热轧的工序
2 ；
一任意的冷轧工序3 ；
一进行将材料温度加热至950°C以上、1050°C以下的固溶化处理的工序4 ； 一使材料温度在400°C以上、500°C以下加热1 12小时的第一时效处理工序5 ； 一压下率为30 50%的冷轧工序6 ；
一使材料温度在300°C以上、400°C以下加热3 36小时，使该加热时间为第一时效处理中的加热时间的3 10倍的第二时效处理工序7。进一步地，本发明的另一方面是包含本发明所述铜合金的伸铜制品(伸銅品)。进一步地，本发明的另一方面是具有本发明所述铜合金的电子部件。发明效果
根据本发明，可以得到强度、导电率、弯曲加工性和抗永久变形性的均衡性提高的 Cu-Ni-Si-Co系铜合金。
[图1]抗永久变形性试验的说明图。
具体实施例方式Ni、Co和Si的添加量
Ni、Co和Si，可通过实施适当的热处理而形成金属间化合物，不使导电率劣化而实现
高强度化。Ni、Co和Si的添加量各自为Ni 小于1. 0质量％、Co 小于0. 5质量％、Si 小于 0. 3质量％则无法得到所需的强度，相反，为Ni 超过2. 5质量％、Co 超过2. 5质量％、Si 超过1.2质量％则虽可实现高强度化，但导电率明显降低，进而热加工性劣化。因此，使Ni、 Co和Si的添加量为Ni :1. 0 2. 5质量％、Co :0. 5 2. 5质量％、Si :0. 3 1. 2质量％。 Ni、Co和Si的添加量优选为Ni :1. 5 2. 0质量％、Co :0. 5 2. 0质量％、Si :0. 5 1. 0 质量％。Cr的添加量
Cr由于在熔融铸造时的冷却过程中会在晶界中优先析出，因此可强化晶界，可使热加工时的裂痕难以产生，而抑制成品率降低。即，熔融铸造时晶界析出的Cr通过固溶化处理等进行再固溶，在接着的时效析出时，生成以Cr为主成分的bcc结构的析出粒子或与Si的化合物。对于通常的Cu-Ni-Si系合金，添加的Si量中，无助于时效析出的Si可在固溶于母相中的状态下抑制导电率的上升，但通过添加作为硅化物形成元素的Cr而进一步使硅化物析出，可减少固溶Si量，可在不损害强度的情况下提高导电率。但是，如果Cr浓度超过 0. 5质量％，则容易形成粗大的第二相粒子，损害产品特性。因此，在本发明的Cu-Ni-Si-Co 系合金中，最大可添加0. 5质量％的Cr。但如果小于0. 03质量％，则其效果较小，因而优选添加0. 03 0. 5质量％，更优选添加0. 09 0. 3质量％。Mg、Mn、Ag 禾口 P 的添力口量
Mg、Mn、Ag和P以微量添加，可在不损害导电率的情况下改善强度、应力松弛特性等产品特性。添加的效果主要通过向母相中的固溶而得以发挥，但也可以通过在第二相粒子中含有而发挥更进一步的效果。但是，如果Mg、Mn、Ag和P的浓度的合计超过2. 0质量％，则特性改善效果饱和，且会损害制造性。因此，在本发明所述的Cu-Ni-Si-Co系合金中，优选添加合计最大为2. 0质量％的选自Mg、Mn、Ag和P中的1种或2种以上。但如果小于0. 01质量％，则其效果较小，更优选合计添加0. 01 2. 0质量％，进而更优选合计添加0. 02 0. 5 质量％，典型地合计添加0. 04 0. 2质量％。Sn和Si的添加量
即使对于Sn和Zn，如果以微量添加，也可在不损害导电率的情况下改善强度、应力松弛特性、镀敷性等产品特性。添加的效果主要通过向母相中的固溶而得以发挥。但是，如果 Sn和Si的合计超过2. 0质量％，则特性改善效果饱和，且会损害制造性。因此，在本发明所述的Cu-Ni-Si-Co系合金中，可添加合计最大为2. 0质量％的选自Sn和中的1种或2 种。但如果小于0. 05质量％，则其效果较小，因此优选合计添加0. 05 2. 0质量％，更优选合计添加0. 5 1.0质量％。As、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al 禾口 Fe 的添力口量
对于As、Sb、Be、B、Ti、&、Al和狗，根据所要求的产品特性而对添加量进行调节，由此可改善导电率、强度、应力松弛特性、镀敷性等产品特性。添加的效果主要通过向母相中的固溶而得以发挥，但也可以通过在第二相粒子中含有、或者形成新的组成的第二相粒子而发挥更进一步的效果。但如果这些元素的合计超过2. 0质量％，则特性改善效果饱和，且会损害制造性。因此，在本发明所述的Cu-Ni-Si-Co系合金中，可添加合计最大为2. 0质量％ 的选自As、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al和Fe中的1种或2种以上。但如果小于0. 001质量％，则其效果较小，因此优选合计添加0. 001 2. 0质量％，更优选合计添加0. 05 1. 0质量％。如果上述Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn 和 Ag 的添加量合计超过 2. 0%，则易损害制造性，因而优选它们的合计为2. 0质量％以下，更优选1. 5质量％以下，进而更优选1.0质量％以下。第二相粒子的分布条件
本发明中，第二相粒子主要是指硅化物，但并不限于此，也可指熔融铸造的凝固过程中产生的结晶物和在之后的冷却过程中产生的析出物、热轧后的冷却过程中产生的析出物、 固溶化处理后的冷却过程中产生的析出物、以及时效处理过程中所产生的析出物。对于一般的科森合金，已知通过实施适当的时效处理，以金属间化合物为主体的纳米级别(一般小于0.1 μ m)的微细的第二相粒子析出，可在不使导电率劣化的情况下实现高强度化。但是，未曾发现下述事实，即，该微细的第二相粒子中存在容易有助于强度的粒径范围、和容易有助于抗永久变形性的粒径范围，通过适当地控制它们的析出状态，可进一步均衡性良好地提高强度和抗永久变形性。本发明人发现，粒径为50nm以下左右的极微细的第二相粒子的个数密度可对强度、导电率和抗永久变形性的提高产生重要的影响。此外，还发现其中具有5nm以上、小于20nm范围的粒径的第二相粒子有助于强度和初期抗永久变形性的提高；具有20nm以上、 50nm以下范围的粒径的第二相粒子有助于反复抗永久变形性的提高，因此通过控制它们的个数密度和比例，可均衡性良好地提高强度和抗永久变形性。具体而言，首先重要的是将粒径为5nm以上、50nm以下的第二相粒子的个数密度控制为IXlO12 IX IOw个/ mm3、优选5X1012 5X1013个/ mm3。如果该第二相粒子的个数密度小于IXlO12 / mm3，则几乎无法得到由析出强化带来的好处，因而无法得到所需的强度和导电率，抗永久变形性也变差。另一方面，认为该第二相粒子的个数密度在可实现的水平上越高则特性越提高，但如果促进第二相粒子的析出以提高个数密度，则第二相粒子易于变得粗大化，而难以制作出超过IXlO14 / mm3的个数密度。此外，为了均衡性良好地提高强度和抗永久变形性，需要控制容易有助于强度提高的粒径5nm以上、小于20nm的第二相粒子的个数密度与容易有助于抗永久变形性提高的粒径20nm以上、50nm以下的第二相粒子的个数密度的比例。具体而言，将粒径为5nm以上、 小于20nm的第二相粒子的个数密度以相对于粒径为20nm以上、50nm以下的第二相粒子的个数密度的比例表示，控制为3 6。如果该比例低于3，则有助于强度的第二相粒子的比例过于变小，强度和抗永久变形性的平衡性变差，因此强度降低，进而初期抗永久变形性也变差。另一方面，如果该比率大于6，则有助于抗永久变形性的第二相粒子的比例过于变小， 强度和抗永久变形性的平衡性仍会变差，因此反复抗永久变形性变差。在一个优选的实施方式中，粒径为5nm以上、小于20nm的第二相粒子的个数密度为2X1012 7X1013个/ mm3 ；粒径为20nm以上、50nm以下的第二相粒子的个数密度为 3X1011 2X1013 个 / mm3。此外，强度由粒径超过50nm的第二相粒子的个数密度而定，通过如上述那样控制粒径为5nm以上、50nm以下的第二相粒子的个数密度，粒径超过50nm的第二相粒子的个数密度自然落入适当的范围内。本发明所述的铜合金在一个优选的实施方式中，依照JIS H 3130，进行Badway的 W弯曲试验时的、不发生裂纹的最小半径(MBR)相对于板厚(t)的比例，即MBR / t值为2.0 以下。MBR / t值典型地可设为1. 0 2. 0的范围。制造方法
在科森系铜合金的一般制造工艺中，首先使用大气熔化炉，将电解铜、Ni、Si、Co等原料熔化，得到所需组成的熔融物。然后，将该熔融物铸造成铸锭。其后，进行热轧，并反复进行冷轧和热处理，精加工成具有所需厚度和特性的条、箔。热处理包括固溶化处理和时效处理。固溶化处理中，以约700 约1000°C的高温进行加热，使第二相粒子固溶于Cu基质中， 同时使Cu基质重结晶。有时也用热轧兼作固溶化处理。时效处理中，以约350 约550°C 的温度范围加热1小时以上，使在固溶化处理中固溶的第二相粒子作为纳米级的微细粒子而析出。在该时效处理中，强度和导电率上升。为了得到更高的强度，有时在时效前和/或时效后进行冷轧。另外，在时效后进行冷轧时，有时会在冷轧后进行去应变退火(低温退火)。在上述各工序之间，可适当地进行用以除去表面氧化锈皮的磨削、抛光和喷丸酸洗等。本发明所述的铜合金基本上经过上述制造工艺，但为了在最终得到的铜合金中使第二相粒子的分布形态为本发明中限定的范围，严格控制热轧、固溶化处理和时效处理条件来进行是重要的。与以往的Cu-Ni-Si系科森合金不同，本发明的Cu-Ni-Co-Si系合金积极地添加有容易使第二相粒子粗大化的Co (根据情况进而添加Cr)来作为用于时效析出硬化的必需成分。其理由在于，添加的Co与Ni、Si共同形成的第二相粒子的生成和生长速度，对于热处理时的保持温度和冷却速度敏感。首先，由于在铸造时的凝固过程中不可避免地生成粗大的结晶物，而在其冷却过程中不可避免地产生粗大的析出物，因此在之后的工序中需要将这些第二相粒子固溶于母相中。如果在950°C 1050°C保持1小时以上后进行热轧，且使热轧结束时的温度为850°C 以上，则即使添加了 Co，进而添加了 Cr时，也可以固溶于母相中。950°C以上的温度条件与其它科森系合金的情况相比为高的温度设定。如果热轧前的保持温度小于950°C，则固溶不充分，如果超过1050°C，则存在材料熔化的可能性。另外，如果热轧结束时的温度小于850°C，则固溶的元素会再次析出，因而难以得到高强度。因此，为了获得高强度，优选在 850°C结束热轧，并进行骤冷。骤冷可通过水冷来实现。对于固溶化处理，其目的是使熔融铸造时的结晶粒子、或热轧后的析出粒子固溶， 提高固溶化处理以后的时效硬化能力。此时，对于控制第二相粒子的个数密度，固溶化处理时的保持温度和时间是重要的。当保持时间为一定时，如果提高保持温度，则可使熔融铸造时的结晶粒子、或热轧后的析出粒子固溶，可降低面积率。具体而言，如果固溶化处理温度小于950°C，则固溶不充分，无法得到所需的强度，另一方面如果固溶化处理温度超过 1050°C，则材料有熔化的可能性。因此，优选进行将材料温度加热至950°C以上、1050°C以下的固溶化处理。固溶化处理的时间优选为60秒 1小时。为了防止固溶的第二相粒子的析出，固溶化处理后的冷却速度优选为骤冷。制造本发明所述的Cu-Ni-Co-Si系合金时，固溶化处理后将轻度的时效处理分成 2阶段进行，在2次时效处理间进行冷轧是有效的。由此，可抑制析出物的粗大化，得到本发明所限定的第二相粒子的分布状态。首先，在第一时效处理中选择与有用于析出物微细化的惯用进行的条件相比稍低的温度，一边促进微细的第二相粒子的析出，一边防止第2固溶化中有可能析出的析出物的粗大化。如果使第一时效处理低于400°C，则提高反复抗永久变形性的20nm 50nm大小的第二相粒子的密度容易变低，另一方面，如果使第一次的时效超过500°C，则成为过时效条件，有助于强度和初期抗永久变形性的5nm 20nm大小的第二相粒子的密度容易变低。 因此，第一时效处理优选在400°C以上、500°C以下的温度范围进行1 12小时，更优选在 4500C以上、480°C以下的温度范围进行3 9小时。第一时效处理后进行冷轧。该冷轧可通过加工硬化对第一时效处理中不足的时效硬化进行补充。此时的压下率如果为30%以下，则析出位置的形变少，因此第二次的时效中析出的第二相粒子难以均勻地析出。冷轧的加工度如果为50%以上，则弯曲加工性容易变差。另外，第一次时效中析出的第二相粒子会发生再固溶。因此，第一时效处理后的冷轧的压下率优选为为30 50%，更优选35 40%。对于第二时效处理，其目的是不使第一时效处理中析出的第二相粒子极力生长， 而使比第一时效处理中析出的第二相粒子更为微细的第二相粒子重新析出。如果第二时效温度设定较高，则已析出的第二相粒子过度生长，不能得到本发明所需的第二相粒子的个数密度发布。因此第二时效处理需注意在低温下进行。但第二时效处理的温度即使过低， 新的第二相粒子也不会析出。因此，第二时效处理优选在300°C以上、400°C以下的温度范围进行3 36小时，更优选在300°C以上、350°C以下的温度范围进行9 30小时。对于将粒径为5nm以上、小于20nm的第二相粒子的个数密度以相对于粒径为20nm 以上、50nm以下的第二相粒子的个数密度的比例表示、控制为3 6这方面，第二时效处理的时间与第一时效处理的时间的关系也是重要的。具体而言，通过使第二时效处理的时间为第一时效处理的时间的3倍以上，可使粒径为5nm以上、小于20nm的第二相粒子相对较多地析出，可使上述个数密度比为3以上。如果第二时效处理的时间小于第一时效处理的时间的3倍，则粒径为5nm以上、小于20nm的第二相粒子相对变少，上述个数密度比容易小于3。但是，当第二时效处理的时间与第一时效处理的时间相比非常长时(例如10倍以上)，粒径为5nm以上、小于20nm的第二相粒子虽然增加，但由于第一次的时效处理中析出的析出物的生长和第二次的时效处理中析出的析出物的生长，导致粒径为20nm以上、50nm 以下的第二相粒子也在增加，因此上述个数密度比仍然容易小于3。因此，第二时效处理的时间优选设为第一时效处理的时间的3 10倍，更优选
3 5倍。本发明的Cu-Ni-Si-Co系合金可加工为各种伸铜制品，例如板、条、管、棒和线，进一步地，本发明所述的Cu-Ni-Si-Co系铜合金可用于引线框、连接器、插脚、端子、继电器、 开关、二次电池用箔材等电子部件中，特别适于作弹簧材料使用。
实施例以下将本发明的实施例与比较例一同表示，但这些实施例是提供用于更好地理解本发明和其优点的，并非用以限定本发明。1.本发明的实施例
在高频熔化炉中，在1300°C下将表1中记载的各种成分组成的铜合金熔炼，铸造成厚度为30mm的铸锭。接着，将该铸锭在1000°C加热3小时后，再以完成温度(热轧结束温度) 为900°C进行热轧，直至板厚为10mm，热轧结束后迅速水冷至室温。接着，为了除去表面的锈皮，施行平面切削至厚度为9mm后，通过冷轧制成厚度为0. 15mm的板。然后进行各种温度和时间的固溶化处理，固溶化处理结束后迅速水冷至室温。接着，在惰性气氛中实施各种温度和时间的第一时效处理，进行各压下率的冷轧，最后，在惰性气氛中进行各种温度和时间的第二时效处理，制造各试验片。[表 1]
权利要求
1.电子材料用铜合金，其是含有Ni:1.0 2.5质量％、&) :0. 5 2. 5质量％、Si :0. 3 1. 2质量％，且剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金，其中，母相中析出的第二相粒子中，粒径为5nm以上、50nm以下的粒子的个数密度为1X IO12 1 X IO14个/ mm3 ；粒径为5nm以上、小于20nm的粒子的个数密度以相对于粒径为 20nm以上、50nm以下的粒子的个数密度的比例来表示，为3 6。
2.权利要求1所述的电子材料用铜合金，其中，粒径为5nm以上、小于20nm的第二相粒子的个数密度为2 X IO12 7 X IO13 ；粒径为20nm以上、50nm以下的第二相粒子的个数密度为 3X1011 2X IO130
3.权利要求1或2所述的电子材料用铜合金，其中，进一步含有最大0.5质量％的Cr。
4.权利要求1 3中任一项所述的电子材料用铜合金，其中，进一步含有合计最大2.0 质量 ％ 的选自 Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn 和 Ag 中的 1 种或 2 种以上。
5.电子材料用铜合金的制造方法，其包括依次进行以下工序 一熔融铸造具有所需组成的铸锭的工序1 ；一使材料温度为950°C以上、1050°C以下进行1小时以上的加热，然后进行热轧的工序2；一任意的冷轧工序3;一进行将材料温度加热至950°C以上、1050°C以下的固溶化处理的工序4 ； 一使材料温度在400°C以上、500°C以下加热1 12小时的第一时效处理工序5 ； 一压下率为30 50%的冷轧工序6 ；和一使材料温度在300°C以上、400°C以下加热3 36小时，使该加热时间为第一时效处理中的加热时间的3 10倍的第二时效处理工序7。
6.伸铜制品，其包含权利要求1 4中任一项所述的电子材料用铜合金。
7.电子部件，其具备权利要求1 4中任一项所述的电子材料用铜合金。
全文摘要
本发明提供Cu-Ni-Si-Co系铜合金，其能够以高水平实现强度与导电率，同时抗永久变形性也优异。电子材料用铜合金，其是含有Ni1.0～2.5质量%、Co0.5～2.5质量%、Si0.3～1.2质量%，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成的电子材料用铜合金，其中，母相中析出的第二相粒子中，粒径为5nm以上、50nm以下的粒子的个数密度为1×1012～1×1014个／mm3；粒径为5nm以上、小于20nm的粒子的个数密度以相对于粒径为20nm以上、50nm以下的粒子的个数密度的比例来表示，为3～6。
文档编号C22C9/10GK102227510SQ20098014790
公开日2011年10月26日 申请日期2009年11月20日 优先权日2008年12月1日
发明者桑垣宽 申请人:Jx日矿日石金属株式会社