专利名称：表面波等离子体cvd设备以及成膜方法
技术领域：
本发明涉及表面波等离子体CVD设备和使用该设备的成膜方法。
背景技术：
从现有技术(参照专利文献#1和专利文献#2)实质已知利用表面波等离子体的 CVD设备。在这样的表面波等离子体CVD设备中，微波通过设置至真空室的电介质窗导入， 并且微波沿着等离子体和电介质窗之间的界面传播为表面波。结果，在电介质窗附近产生高密度等离子体。上面要形成膜(即，将是成膜对象)的基板以固定的配置布置在与电介质窗相对的位置处。引用列表专利文献专利文献#1 日本特开2005-142448号公报；专利文献#2 日本特开2007-317499号公报。
发明内容
发明要解决的问题然而，等离子体的密度分布不一定是空间均勻的例如，密度可以在室的壁面旁边的外周区域中降低。由此，必要的是，将电介质板的面积设定成比将是成膜对象的基板的面积大，并且难以将设备控制成在例如液晶玻璃基板的大于大约2. 5m2等的面积上产生均勻的高密度等离子体，并且这还可以构成成本增加的原因。此外，在诸如室壁之类的导体存在于电介质板的边缘处时，表面波等离子体中的电子被该导体吸收，结果，等离子体的密度在导体的表面附近降低。此外，存在如下问题由于电子被导体吸收，因此等离子体的平均密度还在整个等离子体区域上降低。用于解决问题的方案(1)根据本发明的第一方面，一种表面波等离子体CVD设备，其包括波导，所述波导连接于微波源，多个槽缝天线形成在所述波导的磁场平面上；电介质板，所述电介质板用于将从所述多个槽缝天线发射的微波引导到等离子体处理室中，从而产生表面波等离子体；绝缘遮蔽构件，所述绝缘遮蔽构件配置成包围产生所述表面波等离子体的成膜处理区域；以及气体喷射部，所述气体喷射部将处理材料气体喷射到所述成膜处理区域中。(2)根据本发明的第二方面，在根据第一方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，所述绝缘遮蔽构件由板状的绝缘材料制成，并且所述表面波等离子体CVD设备还包括配置在所述成膜处理区域的端部的支撑构件；所述绝缘遮蔽构件能拆装地装配于所述支撑构件的朝向所述成膜处理区域的侧面。(3)根据本发明的第三方面，在根据第二方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，所述绝缘遮蔽构件是薄玻璃板。(4)根据本发明的第四方面，在根据第二方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，所述绝缘遮蔽构件是表面涂敷有绝缘膜的薄金属板。(5)根据本发明的第五方面，在根据第二方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，所述绝缘遮蔽构件是薄绝缘塑料板。(6)根据本发明的第六方面，在根据第一方面至第五方面中的任一方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，所述气体喷射部设置至所述支撑构件。(7)根据本发明的第七方面，根据第一方面至第六方面中的任一方面的表面波等离子体CVD设备优选地还包括移动装置，所述移动装置执行将是成膜对象的板状基板的来回运动，使得将是成膜对象的所述基板经过所述成膜处理区域，以及控制装置，所述控制装置根据成膜条件控制由所述移动装置进行的将是成膜对象的所述基板的所述来回运动。(8)根据本发明的第八方面，在根据第一方面至第五方面中的任一方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，所述电介质板近似地形成为矩形，并且所述绝缘遮蔽构件配置成将所述成膜处理区域包围成矩形形状；并且所述表面波等离子体CVD设备还包括 多个气体喷射部，所述多个气体喷射部沿着所述成膜处理区域的至少一个长边设置，所述多个气体喷射部将处理材料气体喷射到所述成膜处理区域中；移动装置，所述移动装置执行将是成膜对象的板状基板的在与被所述绝缘遮蔽构件包围成矩形形状的所述成膜处理区域的所述长边正交的方向上的来回运动，使得将是成膜对象的所述基板经过所述成膜处理区域；以及控制装置，所述控制装置根据成膜条件控制由所述移动装置进行的将是成膜对象的所述基板的所述来回运动。(9)根据本发明的第九方面，在根据第一方面至第五方面中的任一方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，所述电介质板由近似矩形的第一电介质板和近似矩形的第二电介质板组成，所述第一电介质板和所述第二电介质板以它们的长边彼此相邻的方式并排地配置，并且所述绝缘遮蔽构件配置成将所述成膜处理区域包围成矩形形状；并且所述表面波等离子体CVD设备还包括分隔壁，所述分隔壁配置在并排地配置的第一矩形电介质板和第二矩形电介质板之间，并且所述分隔壁将所述成膜处理区域分成沿着所述来回运动的方向并排地配置的第一分隔区域和第二分隔区域；多个气体喷射部，所述多个气体喷射部沿着所述成膜处理区域的相应长边设置，所述多个气体喷射部将处理材料气体喷射到所述第一分隔区域和所述第二分隔区域二者中；移动装置，所述移动装置执行将是成膜对象的板状基板的在与被所述绝缘遮蔽构件包围成矩形形状的所述成膜处理区域的所述长边正交的方向上的来回运动，使得将是成膜对象的所述基板经过所述成膜处理区域；以及控制装置，所述控制装置根据成膜条件控制由所述移动装置进行的将是成膜对象的所述基板的所述来回运动。(10)根据本发明的第十方面，根据第九方面的表面波等离子体CVD设备优选地还包括第一微波控制部件，所述第一微波控制部件控制微波的通过所述第一矩形电介质板的供应；第二微波控制部件，所述第二微波控制部件控制微波的通过所述第二矩形电介质板的供应；第一气体控制部件，所述第一气体控制部件控制处理材料气体的向所述第一分隔区域的供应；以及第二气体控制部件，所述第二气体控制部件控制处理材料气体的向所述第二分隔区域的供应。(11)根据本发明的第十一方面，在根据第七方面至第十方面中的任一方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，第一等待区域和第二等待区域沿着将是成膜对象的所述基板的移动路径设置在所述等离子体处理室内的所述成膜处理区域的相对两侧，并且所述移动装置在所述第一等待区域和所述第二等待区域之间执行将是成膜对象的所述基板的所述来回运动。(12)根据本发明的第十二方面，在根据第七方面至第十一方面中的任一方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，控制将是成膜对象的所述基板的温度的背板布置在由所述移动装置进行的将是成膜对象的所述基板的移动的路径中。(13)根据本发明的第十三方面，根据第七方面至第十二方面中的任一方面的表面波等离子体CVD设备优选地还包括第一真空容器，所述移动装置和背板布置在所述第一真空容器内，并且所述第一真空容器具有定位成与在其中执行将是成膜对象的所述基板的所述来回运动的区域相对的开口 ；以及第二真空容器，所述第二真空容器经由所述开口连接于所述第一真空容器，并且所述电介质板和所述绝缘遮蔽构件布置在所述第二真空容器内°(14)根据本发明的第十四方面，根据第一方面的表面波等离子体CVD设备优选地还包括移动装置，所述移动装置使将是成膜对象的膜状基板移动，使得所述膜状基板经过所述成膜处理区域；以及圆筒形背板，所述圆筒形背板控制该成膜对象的温度。(15)根据本发明的第十五方面，在根据第十四方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，所述圆筒形背板在与所述电介质板相对的区域中支撑所述膜状基板，并且所述移动装置在预定区段上执行所述膜状基板的来回运动以便执行多层形式的成膜。(16)根据本发明的第十六方面，一种成膜方法，所述成膜方法用于利用根据第七方面至第十五方面中的任一方面所述的表面波等离子体CVD设备在所述成膜对象上形成膜，其中，所述成膜对象包括基板上的功能元件，并且，形成保护膜用于所述功能元件的保护。(17)根据本发明的第十七方面，一种成膜方法，所述成膜方法用于利用根据第七方面至第十五方面中的任一方面所述的表面波等离子体CVD设备在所述成膜对象上形成膜，其中，在用于所述来回运动的前往路径和返回路径的不同成膜条件下形成薄膜，并且通过将在不同成膜条件下形成的所述膜层叠在一起而执行薄膜的形成。发明的效果根据本发明，可以在整个成膜处理区域产生和保持高密度的等离子体，并且可以以低成本制造特性和厚度均勻的薄膜。
[图1]图1是用于说明本发明的第一实施方式的图，并且示出了表面波等离子体 CVD设备的大致结构；[图2]图2是图1的设备的沿着图1中的箭头A-A示出的平面截取的截面图；[图3]图3是图1的设备的沿着图1中的箭头B-B示出的平面截取的截面图；[图4]图4的(a)是示出绝缘遮蔽件装配于成膜处理区域的支撑构件的内侧的方式的图，图4的(b)和图4的(c)示出了该绝缘遮蔽件的有利效果；[图5]图5是示出第二实施方式的图；[图6]图6是示出将本发明的实施方式应用于不执行基板的往复式来回运动的现有技术的表面波等离子体CVD装置的实施例的图，图6的(a)是其俯视图，而图6的(b)是其正视图；[图7]图7是示出处理气体中的氮气的流量比和氮化硅膜中的内部应力之间的关系的图；[图8]图8是示出层叠薄膜100的横截面的图，其中，交替地层叠压应力下的氮化硅膜和张应力下的氮化硅膜；[图9]图9是形成在塑料膜基板上的有机EL元件的截面图；[图10]图10是示出变形例的图；[图11]图11是图10的沿着图10中的箭头B2-B2示出的平面截取的截面图；[图12]图12是示出第三实施方式的图；[图13]图13是示出第四实施方式的图；[图14]图14是图13的沿着图13中的箭头B3-B3示出的平面截取的截面图；以及[图15]图15是示出实施方式#1的变形例的图。
具体实施例方式现在将参照
用于实施本发明的实施方式。实施方式#1图1至图4是用于说明本发明的第一实施方式的图，并且示出了表面波等离子体 CVD设备的大致结构。图1是设备的从前方看到的截面图，图2是设备的沿着图1中的箭头A-A示出的平面截取的截面图，并且图3是设备的沿着图1中的箭头B-B示出的平面截取的截面图。该表面波等离子体CVD设备包括真空室1、微波输出单元2、波导3、电介质板 4、气体供应装置5、基板移动装置6以及控制装置20，其中在真空室1中执行成膜处理，微波输出单元2在产生表面波等离子体时供应微波。电介质板4形成为由石英等制成的平板，并且设置在真空室1的上部上面。与电介质板4相对的以附图标记R表示的区域是成膜处理区域，在该成膜处理区域中执行在基板11上的成膜。该成膜处理区域R是被绝缘遮蔽构件Ib包围的空间，绝缘遮蔽构件Ib设置成包围电介质板4。该绝缘遮蔽构件Ib可以是例如通过爪形金属凸耳可移除地附接的板状绝缘构件。波导3安装在电介质板4上面，并且来自微波输出单元2的微波(可以是例如频率为2. 45GHz的微波)输入至波导3。微波输出单元2包括微波电源、微波振荡器、隔离器、方向耦合器以及阻抗匹配装置。如图2中的虚线示出的，电介质板4形成为沿着Y方向延伸的长矩形的形状。如图1所示，电介质板4的上表面接触波导3的底板3a。许多槽缝天线S形成在底板3a的接触电介质板4的部分中，槽缝天线S是用于微波发射的孔。从微波输出单元2输入的微波在波导3内形成驻波。应当理解，如专利文献#2所述，该多个槽缝天线S在波导3内形成在微波的驻波的磁场平面上。如图3所示，从气体供应装置5供应的用于等离子体产生的气体和用于成膜的处理材料气体经由气体供应导管51a和51b引入到真空室1中。支撑构件Ia围绕电介质板 4的外周设置在真空室1内，并且气体供应导管51a和51b固定于该支撑构件la。等离子CN 102549194 A体产生在电介质板4的正下方。来自气体供应装置5的气体从气体喷射部52喷出到等离子体区域中。气体供应装置5设置有用于每种气体的质量流量控制器，并且可以在控制装置20的控制下通过这些质量流量控制器执行每个气体的打开和关闭以及其流量的控制。从设置在靠近电介质板4的位置的气体供应导管51a供应诸如N2、N2O, NH3> H2等之类的充当反应活性种的原材料的气体和诸如Ar等之类的惰性气体。此外，从气体供应导管51b供应诸如TE0S、Si2H6、SiH4等之类的气体作为处理材料气体，气体供应导管51b设置在距电介质板4的距离比气体供应导管51a的距电介质板4的距离大的位置。气体供应导管51a和51b的距电介质板4的距离是不同的，并且气体供应导管51a的距电介质板4的距离较小。在该实施方式中，气体供应导管51a和51b配置在支撑构件Ia外部。因为等离子体产生在被绝缘遮蔽构件Ib包围的区域中，所以气体供应导管51a和51b不暴露于等离子体，使得不出现如在现有技术中那样的，由于气体供应导管配置在等离子体区域中而产生的膜形成在气体供应导管上的问题或者由于这样的膜的剥离而产生颗粒的问题。如图1所示，真空室1的内部通过经由导通阀(conductance valve) 8连接于真空室的真空抽吸装置9排空。涡轮分子泵用在真空抽吸装置9中。将是成膜对象的基板11 载置在托盘12上，并且该托盘12经由闸阀10被传送到真空室1的内部中并在设置在真空室1内的基板移动装置6的传送带6a上。此外，在已经完成膜的在基板11上面的形成时， 基板11在仍处于载置在托盘12上面的状态下经由闸阀10从真空室1移除。应当理解，还将能够接受的是，将基板11直接载置在传送带6a上而不使用任何托盘12。在成膜期间，基板移动装置6使传送带6a上的托盘12在图1中的左右方向上 (即，沿着X方向，该X方向是长度方向)来回地移动。如图3所示，电介质板4形成为矩形，其中，电介质板的短边的延伸方向与基板11的移动方向(即，X方向，该X方向是长度方向)平行。电介质板4的长边尺寸(即，其Y方向上的尺寸)hl被设定成比基板11的在 Y方向上的尺寸h2大。换言之，该尺寸hi被设定成使得hi >h2。另一方面，基板11的长度方向尺寸w2与电介质板4的长度方向尺寸wl没有关系，但是w2与移动距离成正比。背板7设置用于调节基板11的温度，并且虽然未在图中示出加热器或冷却装置， 但是可以通过设置加热器或冷却装置来调节基板的温度。例如，可以通过将热施加于托盘 12和基板11而获得期望的CVD处理条件，由此控制基板11和托盘12的温度。此外，可以通过使冷却装置的制冷剂循环而控制基板11和托盘12的温度的上升。驱动装置7a设置至背板7以用于驱动背板7的在上下方向上(即，在Z方向上)的位置，并且可以通过驱动该驱动装置7a而执行背板7和托盘12之间的间隙的调节。控制装置20控制微波输出单元2、气体供应装置5、基板移动装置6、驱动装置7a、导通阀8、真空抽吸装置9以及闸阀10 的操作。〈操作说明〉接下来，将从形成氮化硅膜的实施例的角度说明成膜操作。在该情况下，从气体供应导管51a供应Ar气体和NH3气体或队气体，并且从气体供应导管51b供应SiH4气体。当从波导3的槽缝天线S发射的微波穿过电介质板4到达真空室1中时，气体分子通过微波电离和/或离解，从而产生等离子体。而且，如果微波入射的表面附近的等离子体内的电子的密度比微波的截止密度大，则微波不再穿透到等离子体中，而是作为表面波沿着等离子体和电介质板4之间的界面传播。因此，表面波等离子体形成为靠近电介质板4，其中，能量经由表面波供应至电介质板4。由于表面波等离子体，电子温度在电介质板4的附近高，而随着距电介质板4的距离增加，电子温度变低。因为根据距电介质板4的距离以该方式建立高能区域和低能区域， 所以在高能区域中执行自由基(radical)的生产，并且由于被导入低能区域中作为材料气体的SiH4,因此可以高效地生产自由基，并且低温下且高速下的低损伤的高效成膜成为可能。图4示出了由绝缘遮蔽构件Ib提供的有利效果，根据本发明，绝缘遮蔽构件Ib在成膜处理区域的侧面装配在支撑构件Ia上。图4的(a)示出了绝缘遮蔽构件Ib在支撑构件Ia的面向成膜处理区域的侧面(在电介质板4侧)装配于支撑构件Ia的方式。通常，支撑构件Ia由导电金属制成。只要绝缘遮蔽构件Ib由绝缘材料制成，则不特别地限制用于绝缘遮蔽构件Ib的材料，但是期望的是使绝缘遮蔽构件Ib由薄玻璃板或薄绝缘塑料板制成，使得在真空状态下没有不期望的发射从绝缘遮蔽构件Ib发出。如图4的(a)所示，如果支撑构件Ia设置成与电介质板4的边缘部稍微分开，则还期望绝缘遮蔽构件Ic在真空室1中配置在支撑构件Ia和电介质板4之间的室侧表面上。应当理解，在图4的(a)中， 为了使附图变得更容易理解，省略了气体供应导管51a和51b以及气体喷射部52。图4的(b)是示意性地示出气体从气体喷射部52喷射出的图。例如，如果不使用绝缘遮蔽构件lb，并且成膜处理区域被由导电材料制成的支撑构件Ia简单地包围，则在支撑构件1附近，等离子体中的电子将被迅速地吸收，并且电子密度将在该区域中降低，据此，等离子体的密度也将在该区域中降低。等离子体密度的在该区域中的该降低将影响整个等离子体，使得整个等离子体质量密度也将降低(见图4 (d))。相比之下，如果绝缘遮蔽件Ib设置至支撑构件la，则等离子体中的电子甚至在靠近绝缘遮蔽构件Ib的位置也不被吸收，因此，抑制等离子体密度的在该区域中的降低，从而也抑制整个等离子体密度的降低。不仅绝缘遮蔽构件Ib的存在以以上描述的方式抑制等离子体密度的降低，而且通过使用可以移除的绝缘构件，获得可以容易地执行设备的维修的附加有利效果。应当理解，如图15所示，另外，还将能够接受的是，设置第二绝缘遮蔽件le。对于该实施方式的表面波等离子体CVD设备，如果电介质板4和基板11之间的距离为L，并且绝缘遮蔽件Ie和基板11之间的间隙为S，则期望的是，S小于或等于L的10%。如果图15中示出的间隙S是大的，则成膜的范围由于泄漏的等离子体和自由基的影响而变大。在该情况下，有时可能发生的是，形成在等离子体密度低的区域中的薄膜的质量与形成在由图15中的参考标记R表示的膜处理区域范围中的膜的质量不同。由此，绝缘遮蔽件Ie的设置和将其配置成使得间隙S变得尽可能小确保生产的膜的质量将是均勻的。此外，通过绝缘遮蔽件Ie的设置使间隙S变小并因此抑制等离子体和自由基的泄漏，可以通过使基板的等待位置和基板的成膜位置较接近而使设备更紧凑。在该实施方式中，如果L = 200mm,则间隙S被设定成等于IOmm至15mm。应当理解，在调节沿着Z方向驱动基板11的位置的驱动装置7a时，通过根据尺寸 L和S调节绝缘遮蔽件Ie而执行部件更换。可选地，还将可接受的是，使绝缘遮蔽件Ie能够在Z方向上移动，使得其可以配置成与驱动驱动装置7a连动地调节绝缘遮蔽件Ie的在 Z方向上的位置。
在预处理中，基板11通过热的施加而被预先加热到预定温度，并且在载置在托盘 12上面的状态下被传送到传送带6a上。接着，基板移动装置6开始来回地驱动托盘12。 由于该往复移动操作，因此基板11在真空室1内的超过等离子体区域的左侧的位置(由图 1中的实线示出的第一等待位置)和超过等离子体区域的右侧的位置(由图1中的虚线示出的第二等待位置)之间来回地移动。在左等待位置和右等待位置中的任何一个位置，基板11均处于已经完全穿过基板与被绝缘遮蔽构件Ib包围的等离子体区域相对的区域的状态。当基板11在产生表面波等离子体的、被绝缘遮蔽构件Ib包围的区域正下方经过时，氮化硅薄膜形成在基板11上。此时形成的氮化硅膜的厚度取决于基板11移动的速度。 例如，移动速度可以被设定为大约10mm/sec至300mm/sec。在基板11的在其当前的前进方向上的后缘部经过支撑构件Ia下方的成膜区域之后，基板移动装置6执行减速操作并且使基板11的运动停止。接着，基板11的移动方向改变，并且在其新的前进方向上的前缘部到达支撑构件Ia下方的成膜区域之前，基板11加速直到达到以上描述的移动速度。换言之， 基板11在以恒定速度移动的状态下穿过支撑构件Ia下方的成膜区域。由此，每当基板11 在支撑构件Ia的正下方经过一次，都在基板11上形成具有根据该移动速度的均勻厚度的氮化硅薄膜。最后，在基板11上形成在数量上等于基板11来回地经过的总次数的许多层氮化硅。在一些情况下，诸如为了设置抵抗水蒸气或一些其它的气体的障碍，要求形成由许多非常薄的膜构成的膜，即使该许多非常薄的膜的厚度是相同的，它们的形态也是不同的，从而必要的是通过在来回往复运动期间形成许多这样的薄膜并使它们组合。虽然在一些情况下，在诸如溅射或CVD之类的真空成膜处理期间，可以发生的是在薄膜的形成过程中遗传地继承底膜(foundation)的状态，但是另一方面，就来回地移动时的成膜而言，与在静止基板上的成膜相比，在形成的薄膜的状态中底膜的状态的该遗传继承被缓和。应当理解，简单且容易的是，通过在前往路径和返回路径之间积极地改变例如硅烷气体和氨气的供应比例而执行对将不同类型的非常薄的膜层叠在一起的进一步控制。应当理解，对于电容耦合等离子体CVD设备或电感耦合等离子CVD设备，为了获得稳定放电，具有阴极和阳极之间的稳定的电耦合是必不可少的。由此，如果基板(位于阳极侧)在放电期间移动，则电极之间的电势的平衡改变，并且不能获得稳定放电，使得出现不能获得均勻的膜质量、膜厚度以及成膜速度的问题。此外，已知在基板移动时，引起诸如电弧等之类的异常放电，还使得出现产率由于膜质量的恶化和颗粒的产生而显著地降低的问题。另一方面，对于如在该实施方式中使用的表面波等离子体CVD方法，因为不存在电极放电，所以即使在执行基板移动等时，也不存在发生像以上描述的问题一样的问题的危险。此外，表面波等离子体是具有高密度和低电子温度的等离子体，使得由等离子体引起的对半导体装置的损害极低。由此，甚至对于具有低的温度耐性和低的等离子体耐性的、诸如薄有机膜装置之类的半导体器件，也可以使无机绝缘薄膜形成在该半导体器件上作为保护膜。应当理解，虽然对于图1和图3中示出的设备，气体喷射部52配置成以电介质板4 位于它们之间的方式面向彼此，但是还将能够接受的是，将气体喷射部52全部安装在矩形支撑构件Ia的一个边缘上。图10和图11中示出的设备是该类型的实施例，并且在该设备中，多个气体喷射部52沿着形成为矩形的电介质板4的长边中的一个长边布置。图10是与图1相似的正视图。图11是与图3相似的截面图，该截面图是沿着图10中的箭头B2-B2 示出的平面截取的横截面图。应当理解，对于该图10和图11的设备的与图1和图3中示出的设备的相似结构元件对应的结构元件，附上相同的附图标记，并且下列说明将集中在与图1和图3中示出的设备的部分不同的部分上。就图10和图11中示出的设备而言，气体供应导管51a和51b的气体喷射部52全部沿着支撑构件Ia的一个长边(在图11中看到的左侧的长边)配置。设置至气体供应导管51a和51b的多个气体喷射部52沿着该长边配置。在图10和图11中示出的实施例中， 托盘12形成为在与其移动方向正交的方向上较长的矩形，并且就矩形基板11而言，该矩形基板11以其长度方向与其移动方向正交的方式载置在托盘12上。由此，如果将处理比图1和图3中示出的设备处理的基板宽的基板，则电介质板4 的在Y方向上的尺寸变长。就该类型的结构而言，如果与图3中示出的设备一样，气体供应导管51a设置在支撑构件Ia的短边部处(即，在如在图11中看到的其顶部和底部的部分处)，则从气体供应导管51a的气体喷射部52到基板的中心的距离变长，并且气体的有利效果将在基板的中心处降低并且沿着该基板进一步减小。因此，就Y方向而论，形成的膜的均勻性将丧失。另一方面，对于图10和图11中示出的设备，所有的气体喷射部52仅沿着支撑构件Ia的一个长边部设置。因为多个气体喷射部52全部沿着一个长边配置，所以就X方向和 Y方向二者而论，可以更均勻地供应气体。此外，在该情况下，气体喷射的位置和气体喷射部 52的数量优化成使得可以获得均勻的成膜。应当理解，虽然在该情况下，气体喷射部52仅沿着一对长边部中的一个长边部设置，但是因为成膜处理区域R的在X方向上的宽度窄，所以仍可以通过在使基板11在X方向上移动的情况下执行成膜而获得状态均勻的(即，该膜的厚度和成分是均勻的)膜。此外，在该设备与图1中示出的设备相比时，因为基板11在基板11的宽度窄的方向上移动，所以可以使基板11来回地移动时的移动距离变短。由此，即使用于使基板移动的速度是相同的，也可以期望用于使基板来回地移动的时间段缩短，换言之，使成膜所需的时间缩短。应当理解，关于绝缘遮蔽构件Ib和lc，获得与图1和图3中示出的设备的情况相同的操作期间的有利效果。实施方式#2虽然在以上描述的实施方式#1中，形成膜的对象是诸如玻璃基板之类的平面基板，但是在该第二实施方式中，在像图5中示出的基板一样的由柔性膜制成的基板(在下文中被称为膜基板)上执行薄膜的形成。电介质板4和波导3设置在真空室1的上部处。支撑构件Ia和矩形绝缘遮蔽构件Ib以包围电介质板4的方式设置在真空室1内。而且，气体供应导管51a和51b连接于支撑构件la。膜基板100缠绕在在图中看到的左侧的供给卷轴101上，并且在膜基板100上形成膜之后，膜基板100卷绕在在图中看到的右侧的卷轴102上。卷轴101和102还起到用于使膜基板100来回地移动的移动装置的作用。圆筒形背板103设置在与电介质板4相对的位置，并且位于卷轴101和102之间，膜基板100越过该背板103的上表面并且抵靠该背板103的上表面。背板103与膜基板100的移动一起转动。而且，104表示用于调节膜基板100的张紧的惰轮。卷轴101和102以及惰轮104容纳在壳体105内。除了形成有用于膜基板100进入和退出的狭缝之外，该壳体105与真空室1隔离。壳体105内的内部空间是与真空室1 分开地抽吸至真空，并且壳体105内的压力被设定成略低于真空室1内的压力。换言之，通过将壳体105内的压力设定成相对于真空室1内的压力是负的而防止壳体105内的颗粒沉积到膜基板100上。就图5中示出的设备而言，将可以配置成在使膜基板100仅在一个方向上移动的同时使薄膜形成在膜基板100的表面上；或者，可选地，还将能够接受的是，配置成通过使膜基板100的预定区段来回地移动而执行若干次成膜以形成多层层叠部，由此利用换位 (index)处理膜基板100。通过执行该往复式来回运动，如在上述实施方式#1中的情况一样，获得相似的有利效果。如在以上描述的第一实施方式中那样，通过使膜基板11来回地移动而执行成膜的表面波等离子体CVD装置，第二实施方式具有下列有利操作效果。应当理解，在该第二实施方式中，与第一实施方式的情况不同的仅仅是成膜的对象和用于使该对象移动的装置的形式，因此，如在实施方式#1中的情况一样，利用实施方式#2的该表面波等离子体CVD装置获得相同的有利操作效果，将在下面从实施方式#1的描述的角度说明该相同的有利操作效果。(1)因为在使基板11来回地移动时执行成膜，使得基板11在等离子体区域下方重复地穿过，换言之，在与电介质板4相对的成膜处理区域下方穿过，因此，如图3所示，电介质板4的沿着基板11移动的方向(即，沿着X方向)的尺寸W2可以被设定成小于基板11 的在其移动方向上的尺寸W1，使得可以使设备的等离子体产生部更紧凑，因此，可以期待成本的降低。特别地，可以通过使基板11的长度方向与其移动方向一致而执行较大基板11 上的成膜。(2)此外，因为在使基板11相对于电介质板4移动的同时执行膜的形成，所以即使由于X方向上的位置而出现成膜速度的不同，该成膜处理区域上的不均勻性仍在基板11上面达到平均，因此，可以形成均勻厚度的薄膜。(3)此外，特别是对于本发明，由于设置至支撑构件Ia的绝缘遮蔽构件Ib的有利效果，因此可以在成膜处理区域中实现等离子体的密度的增大和等离子体密度的均勻性的加强，由此，进一步改进成膜的均勻性和成膜的速度。图6是示出现有技术的表面波等离子体CVD设备的实施例的图，在该现有技术的表面波等离子体CVD设备中不执行基板的往复式来回运动，并且本发明的绝缘遮蔽构件Ib 和Ic已经装配于该现有技术的表面波等离子体CVD设备。基板11载置在背板7上，并且在该状态下执行成膜。如果不设置该绝缘遮蔽构件，则等离子体的密度在室壁附近急剧降低。在现有技术中，考虑到等离子体密度的在室的边缘附近的该降低，电介质板4( S卩，等离子体产生部)被设定为在大小上充分大于基板的面积。当不使用绝缘遮蔽构件时，图6中示出的基板是大小适当的基板。然而，如果使用本发明的绝缘遮蔽构件，则可以处理比图6 中示出的基板大的基板，并且可以更有效地利用价格高的电介质板4。此外，在现有技术中，如果将在大基板上执行成膜，则必要的是提供大小与该大基板对应的电介质板4，并且如果电介质板4的面积是大的，则必要的是使安装的波导的数量增大。虽然在图6中未示出波导，但是以箭头标记示出引入微波的方向。因此，对于以该方式在固定基板上执行成膜的现有技术的设备，在基板的面积增大时，因为等离子体产生部的电介质板4也根据基板的面积的增大在大小上增大，并且波导的数量和微波电源系统的数量也不可避免地增大，所以不可避免成本的增加。此外，为了在整个基板上面执行均勻的成膜，必要的是在整个等离子体区域上均勻地供应材料气体，但是在电介质板的大小增大时，均勻地引入气体的难度增加。由于如上所述的关于污染的问题，因此不期望的是将用于气体的引入的气体供应导管布置在产生等离子体的空间内。然而，如图6所示，如果X方向上的成膜的范围是大的，则为了使供应的气体的分布变得均勻，不可避免的是气体供应导管必须布置在等离子体产生区域内。(4)另一方面，对于根据本发明的实施方式#1的设备，因为可以使得电介质板的在基板移动方向上的尺寸比现有技术中的电介质板的尺寸小，所以如图3所示，通过将气体供应导管配置在绝缘遮蔽构件Ib外面和通过从该绝缘遮蔽构件Ib的外周供应气体，即使气体供应导管不布置在等离子体内，也可以均勻地供应气体。因此，获得可以避免由气体供应导管配置在等离子体内引起的污染问题的有利操作效果。(5)此外，除了以上描述的有利操作效果之外，因为设备配置成在使基板11相对于与电介质板4相对的成膜处理区域往复地来回移动的同时执行连续的成膜，所以通过改变使基板11在一个方向上(即，在图1中的向右方向上)移动时的处理条件(诸如气体流量的比值和压力等)和使基板11在另一个方向上(即，在该图中的向左方向上)往回移动时的处理条件，执行诸如折射率和内部应力等之类的特性不同的薄膜的形成是简单且容易的。图7是示出处理气体内的氮气的流量比和形成的氮化硅膜中的内部应力之间的关系的图，并且示出了氮气的流量在SiH4的流量保持恒定的状态下变化时的内部应力的变化。如果氮气的流量小于或等于150sCCm，则内部应力变成正的，并且这对应于张应力。相反地，如果氮气的流量大于等于leOsccm，则内部应力变成负的，并且这对应于压应力。通过利用该种特性，可以在成膜处理期间在一个方向上将氮气流量设定为大于或等于leOsccm以便形成具有压缩方向上的内部应力的氮化硅膜(具有几纳米的厚度)，并且在成膜处理期间在另一个方向上将氮气流量设定为小于或等于150sCCm以便形成具有伸张方向上的内部应力的氮化硅膜(也具有几纳米的厚度)；接着，如图8所示，形成层叠薄膜100，其中，压应力下的氮化硅膜和张应力下的氮化硅膜交替地层叠在一起。因此，可以形成内部应力低的薄膜。当然，即使利用现有技术型的表面波等离子体CVD装置，也可以形成多层交替膜， 其中，交替地独立处理具有张应力的膜和具有压应力的膜。然而，对于本实施方式的表面波等离子体CVD装置，因为通过使基板11相对于与电介质板4相对的成膜处理区域来回地移动而执行成膜处理，所以可以通过使移动的速度增大而以简单且容易的方式形成一系列极其薄的膜。因此，可以使单层膜的厚度变得极其薄，此外，通过连续地形成许多层膜，可以使每个连续层的膜和下一个连接层的膜之间的界面处的应力反向以便保持低的总应力，因此，可以获得非常稳定的薄膜。例如，可以将该类型的层叠膜用作有机EL元件的功能元件或磁头的元件等的保护膜。就有机EL元件而言，当在一些情况下，氮化硅膜形成为用于使湿气或氧气远离有机EL膜的保护膜时，因为这种有机EL膜不是机械坚固膜，所以存在如下问题如果氮化硅膜中的内部应力是高的，则氮化硅膜可能剥离。然而，对于该类型的保护膜，可以通过使用如图8所示的内部应力极其低的以上层叠薄膜100来防止该氮化硅膜的剥离。图9是示出有机EL元件111形成在塑料膜基板110上的情况的实施例的图。无机保护膜112形成在塑料膜基板110上，接着，有机EL元件111形成在该无机保护膜112 上面。此外，无机保护膜113形成为覆盖在该有机EL元件111上面。如上所述的氮化硅膜用于这样的层叠薄膜作为无机保护膜112和113。对于以上描述的层叠薄膜100，通过将形成条件(即，氮气流量)不同的许多层层叠在一起而形成内部应力低的保护膜。以相似的方式，通过使用形成条件略有不同的膜交替地叠加的多层构造，可以形成与相同厚度的单层保护膜相比关于湿气或氧气的渗透的保护功能高的保护膜。虽然在以上描述的实施例中，描述了不同构造的氮化硅膜交替地层叠在一起的多层结构的实施例，但是也可以将本发明应用于诸如多个氮氧化硅膜和氮化硅膜之类的不同成分的薄膜交替地层叠在一起的多层结构。在形成氮化硅膜时，以与以上描述的方式相似的方式从气体供应导管51a供应NH3气体和队气体，并且从气体供应导管51b供应SiH4气体。另一方面，在形成氮氧化硅膜时，供应SiH4气体和队0气体，或TEOS气体和氧气。而且，每当基板11穿过电介质板4下方的区域时，执行供应的气体的改变。实施方式#3图12是用于说明本发明的第三实施方式的图，该第三实施方式是基于图10和图 11中示出的表面波等离子体CVD装置的改进。图12是该表面波等离子体CVD装置的如从前面看到的截面图。虽然未提供与图12对应的截面图，但是应当理解，与Y方向有关的图 12中的电介质板4、绝缘遮蔽构件lb、气体供应导管51a和51b以及气体喷射部52的形状与图11中示出的这些部件的形状相同。此外，应当理解，对于该图12的设备的与图10和图11中示出的设备的相似结构元件对应的结构元件，附上相同的附图标记，并且下列说明将集中在与图10和图11中示出的设备的部分不同的部分上。对于图12中示出的设备，真空室1由第一室1000和第二室1001组成，基板移动装置6布置在第一室1000中，电介质板4、气体喷射部52以及绝缘遮蔽构件Ib和Ic布置在第二室1001中。第一室1000和第二室1001经由开口 1002连接成相互连通。对于图10中示出的设备，由于使基板11在X方向上来回地移动的机构的存在，因此基板移动装置6的X方向上的尺寸和Y方向上的尺寸是非常大的。另一方面，与基板移动装置6的X方向上的尺寸相比，电介质板4以及绝缘遮蔽构件Ib和Ic布置在其中的区域的X方向上的尺寸显著较小。由此，与图10中示出的设备的情况相比，如在该第三实施方式中的，通过根据两个室1000和1001将包含的结构元件的大小将真空室1分成两个室 1000和1001，可以使真空室1的总体积减小。因此，可以期望，使真空室1的内部排空的真空抽吸装置9上的载荷将减小。应当理解，虽然气体喷射部52沿着朝向成形为矩形的成膜处理区域R的移动方向的下游侧的长边设置，但是还将能够接受的是，使它们沿着朝向移动方向的上游侧的长边设置或使它们沿着这两个长边设置。对于图10中示出的设备的情况，该特征也是如此。实施方式#4
图13和图14是用于说明本发明的第四实施方式的图，并且示出如下设备，该设备是对图10和图11中示出的表面波等离子体CVD装置的进一步改进。图13是如从前面看到的设备的截面图，而图14是沿着图13中的箭头B3-B3示出的线截取的该设备的截面图。 在该实施方式中，通过将被绝缘遮蔽构件Ib包围的空间分成沿着基板11移动的方向并排地配置的两个空间而形成两个成膜处理区域RA和RB。换言之，两个近似矩形的电介质板4A 和4B以它们之间留有间隙的方式布置在真空室1的上表面上，使得电介质板4A和4B的长边彼此相邻。电介质板4A和4B沿着基板11移动的方向(即，沿着X方向)并排地布置。 波导3A和微波输出单元2A设置用于电介质板4A，并且波导:3B和微波输出单元2B设置用于电介质板4B。另一方面，绝缘遮蔽构件Ib配置在真空室1内以便包围由分别与电介质板4A和 4B相对的成膜处理区域RA和RB限定的矩形形状。该绝缘遮蔽构件Ib可移除地附接于形成为矩形形状的支撑构件Ia的内周侧，换言之，它们附接于支承构件Ia的面向成膜处理区域RA和RB的侧面。此外，在Y方向上延伸的等离子体遮蔽构件Id在真空室1内设置在电介质板4A和4B之间。该等离子体遮蔽构件Id被赋予充当分隔壁的功能，该分隔壁将限定在与电介质板4A和4B相对的区域中的成膜区域分成沿着基板的来回运动的方向并排地配置的两个成膜处理区域RA和RB，并且构件Id还起到气体挡板的作用。该等离子体遮蔽构件Id可以由金属等制成，因此是导电构件，或者可以由与用于绝缘遮蔽构件Ib的材料相似的绝缘材料制成。通过气体供应装置5A执行用于等离子体产生的气体和用于成膜的处理材料气体的至成膜处理区域RA的供应。另一方面，通过与气体供应装置5A分开的气体供应装置5B 执行用于等离子体产生的气体和用于成膜的处理材料气体的至成膜处理区域RB的供应。 通过如下的多个气体喷射部52执行气体的到成膜处理区域RA中的喷射，该多个气体喷射部52设置成沿着绝缘遮蔽构件Ib的配置在形成为矩形形状的成膜处理区域4A的图的左侧的长边上的部分延伸。另一方面，通过如下的多个气体喷射部52执行气体的到成膜处理区域RB中的喷射，该多个气体喷射部52设置成沿着绝缘遮蔽构件Ib的配置在形成为矩形形状的成膜处理区域4B的图的右侧的长边上的部分延伸。因为，对于该第四实施方式的设备，如图13和图14所示，该设备配置成经由气体喷射部52执行气体的至成膜处理区域4A和4B的供应，气体喷射部52配置在成膜处理区域4A的左侧和成膜处理区域4B的右侧二者，所以可以使成膜处理区域4A和成膜处理区域 4B之间的间隙尽可能缩小，并且可以按靠近彼此的并排构造配置两个等离子体源(即，成膜处理区域4A和4B)。此外，可以分别执行与成膜处理区域RA有关的微波输出单元2A和气体供应装置 5A的控制以及与成膜处理区域RB有关的微波输出单元2B和气体供应装置5B的控制。由此，可以使基板11穿过成膜处理区域RA时的成膜条件和基板11穿过成膜处理区域RB时的成膜条件彼此不同，从而可以在基板的在一个方向上的单一移动阶段形成形成条件彼此不同的两个薄膜。当然，也可以在相同的成膜条件下在两个区域RA和RB中执行成膜，在该情况下，可以甚至在不使用较大面积的电介质板的情况下使等离子体源变得较宽，从而可以期望，用于成膜的时间段将通过使基板11的移动速度增大而缩短。应当理解，同样对于以上描述的第三实施方式和第四实施方式，为了防止等离子体密度的降低，设置绝缘遮蔽构件。然而，虽然在如果即使存在等离子体密度的一些降低也将不引起任何问题时可以省略绝缘遮蔽构件，但是即使以该方式省略了绝缘遮蔽构件，仍将可以通过设置两个分开的成膜处理区域RA和RB和通过独立地控制两区域中的成膜条件而获得以上描述的有利操作效果。以相似的方式，即使省略第三实施方式中的绝缘遮蔽构件，仍将可以获得室体积减小的以上描述的有利操作效果。虽然在以上描述的实施方式中，如图1和图10所示，仅在载置在托盘12上的一个大基板上执行成膜，但是还将能够接受的是，配置成在全部一起载置在托盘12上的多个较小基板上执行成膜。在该情况下，该多个较小基板载置的范围将与用于成膜的对象的相同范围对应。此外，虽然该设备配置成经由设置在真空室1的左侧处的闸阀10执行基板11的引入和移除，但是还将能够接受的是，使用闸阀10仅用于基板11的引入，此外，在真空室1 的图中右侧设置专用于基板11的移除的另一个闸阀。通过设置该类型的结构，可以期望， 装载和卸载基板11所花费的时间可以缩短。应当理解，已经在以上描述中说明的本发明的绝缘遮蔽构件Ib可以制造为可以拆卸的板状绝缘构件。此外，还将能够接受的是，通过处理由铝合金或不锈钢合金等制成的金属板的表面而形成绝缘材料膜，并且将该绝缘材料膜用作绝缘遮蔽构件。在该情况下，仅在金属板的成膜处理区域侧的表面上形成绝缘材料膜就足够了，或可选地，不在金属板的该整个表面上形成绝缘材料膜。这是由于如下事实假如在金属板的表面的接触成膜处理区域中的等离子体的部分上存在绝缘材料，如先前描述的，将防止等离子体中的电子的吸收，从而将避免等离子体密度的降低。合适的表面涂敷处理的类型是例如通过氧化形成氧化膜、通过成膜处理形成由氧化硅或氮化硅等组成的绝缘材料膜或者涂布绝缘材料等。虽然在图4的(a)中，绝缘遮蔽构件Ib按其与电介质板4稍微分开的构造设置，但是还将能够接受的是，将绝缘遮蔽构件Ib设置成非常靠近电介质板4。虽然已经在以上描述中说明了各种实施方式和变形例，但是本发明不应当被认为受其细节限制。此外，可以单独地或任意组合地使用以上描述的各种实施方式。这是因为可以单独地或协同地获得实施方式中的每一个实施方式的有利效果。此外，被认为落入本发明的技术思想的范围内的其它实施模式也将被认为在本发明的范围内。作为本申请的优先权的如下申请的公开内容通过引用包含于此PCT/JP2009/67355 (2009 年 10 月 5 日提交)。
权利要求
1.一种表面波等离子体CVD设备，其包括波导，所述波导连接于微波源，多个槽缝天线形成于所述波导的磁场平面上；电介质板，所述电介质板用于将从所述多个槽缝天线发射的微波引导到等离子体处理室中，从而产生表面波等离子体；绝缘遮蔽构件，所述绝缘遮蔽构件配置成包围产生所述表面波等离子体的成膜处理区域；以及气体喷射部，所述气体喷射部将处理材料气体喷射到所述成膜处理区域中。
2.根据权利要求1所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，所述绝缘遮蔽构件由板状的绝缘材料制成，并且所述表面波等离子体CVD设备还包括配置在所述成膜处理区域的端部的支撑构件；所述绝缘遮蔽构件能拆装地装配于所述支撑构件的朝向所述成膜处理区域的侧面。
3.根据权利要求2所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，所述绝缘遮蔽构件是薄玻璃板。
4.根据权利要求2所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，所述绝缘遮蔽构件是表面涂敷有绝缘膜的薄金属板。
5.根据权利要求2所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，所述绝缘遮蔽构件是薄绝缘塑料板。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，所述气体喷射部设置至所述支撑构件。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，所述表面波等离子体CVD设备还包括移动装置，所述移动装置执行将是成膜对象的板状基板的来回运动，使得将是成膜对象的所述基板经过所述成膜处理区域，以及控制装置，所述控制装置根据成膜条件控制由所述移动装置进行的将是成膜对象的所述基板的所述来回运动。
8.根据权利要求1至5中的任一项所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，所述电介质板近似地形成为矩形，并且所述绝缘遮蔽构件配置成将所述成膜处理区域包围成矩形形状；并且所述表面波等离子体CVD设备还包括多个气体喷射部，所述多个气体喷射部沿着所述成膜处理区域的至少一个长边设置， 所述多个气体喷射部将处理材料气体喷射到所述成膜处理区域中；移动装置，所述移动装置执行将是成膜对象的板状基板的在与被所述绝缘遮蔽构件包围成矩形形状的所述成膜处理区域的所述长边正交的方向上的来回运动，使得将是成膜对象的所述基板经过所述成膜处理区域；以及控制装置，所述控制装置根据成膜条件控制由所述移动装置进行的将是成膜对象的所述基板的所述来回运动。
9.根据权利要求1至5中的任一项所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，所述电介质板由近似矩形的第一电介质板和近似矩形的第二电介质板组成，所述第一电介质板和所述第二电介质板以它们的长边彼此相邻的方式并排地配置，并且所述绝缘遮蔽构件配置成将所述成膜处理区域包围成矩形形状；并且所述表面波等离子体CVD设备还包括分隔壁，所述分隔壁配置在并排地配置的第一矩形电介质板和第二矩形电介质板之间，并且所述分隔壁将所述成膜处理区域分成沿着所述来回运动的方向并排地配置的第一分隔区域和第二分隔区域；多个气体喷射部，所述多个气体喷射部沿着所述成膜处理区域的相应长边设置，所述多个气体喷射部将处理材料气体喷射到所述第一分隔区域和所述第二分隔区域二者中；移动装置，所述移动装置执行将是成膜对象的板状基板的在与被所述绝缘遮蔽构件包围成矩形形状的所述成膜处理区域的所述长边正交的方向上的来回运动，使得将是成膜对象的所述基板经过所述成膜处理区域；以及控制装置，所述控制装置根据成膜条件控制由所述移动装置进行的将是成膜对象的所述基板的所述来回运动。
10.根据权利要求9所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，所述表面波等离子体CVD设备还包括第一微波控制部件，所述第一微波控制部件控制微波的通过所述第一矩形电介质板的供应；第二微波控制部件，所述第二微波控制部件控制微波的通过所述第二矩形电介质板的供应；第一气体控制部件，所述第一气体控制部件控制处理材料气体的向所述第一分隔区域的供应；以及第二气体控制部件，所述第二气体控制部件控制处理材料气体的向所述第二分隔区域的供应。
11.根据权利要求7至10中的任一项所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，第一等待区域和第二等待区域沿着将是成膜对象的所述基板的移动路径设置在所述等离子体处理室内的所述成膜处理区域的相对两侧，并且所述移动装置在所述第一等待区域和所述第二等待区域之间执行将是成膜对象的所述基板的所述来回运动。
12.根据权利要求7至11中的任一项所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，控制将是成膜对象的所述基板的温度的背板布置在由所述移动装置进行的将是成膜对象的所述基板的移动的路径中。
13.根据权利要求7至12中的任一项所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，所述表面波等离子体CVD设备还包括第一真空容器，所述移动装置和背板布置在所述第一真空容器内，并且所述第一真空容器具有定位成与在其中执行将是成膜对象的所述基板的所述来回运动的区域相对的开口 ；以及第二真空容器，所述第二真空容器经由所述开口连接于所述第一真空容器，并且所述电介质板和所述绝缘遮蔽构件布置在所述第二真空容器内。
14.根据权利要求1所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，所述表面波等离子体CVD设备还包括移动装置，所述移动装置使将是成膜对象的膜状基板移动，使得所述膜状基板经过所述成膜处理区域；以及圆筒形背板，所述圆筒形背板控制该成膜对象的温度。
15.根据权利要求14所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，所述圆筒形背板在与所述电介质板相对的区域中支撑所述膜状基板，并且所述移动装置在预定区段上执行所述膜状基板的来回运动以便执行多层形式的成膜。
16.一种成膜方法，所述成膜方法用于利用根据权利要求7至15中的任一项所述的表面波等离子体CVD设备在所述成膜对象上形成膜，其中，所述成膜对象包括基板上的功能元件，并且，形成保护膜用于所述功能元件的保护。
17.一种成膜方法，所述成膜方法用于利用根据权利要求7至15中的任一项所述的表面波等离子体CVD设备在所述成膜对象上形成膜，其中，在用于所述来回运动的前往路径和返回路径的不同成膜条件下形成薄膜，并且通过将在不同成膜条件下形成的所述膜层叠在一起而执行薄膜的形成。
全文摘要
一种表面波等离子体CVD设备，其包括波导(3)，该波导(3)连接于微波源(2)，多个槽缝天线(S)形成于波导的磁场平面上；电介质板(4)，该电介质板(4)用于将从多个槽缝天线(S)射出的微波引导至等离子体处理室(1)，从而产生表面波等离子体；绝缘遮蔽构件(1b)，该绝缘遮蔽构件(1b)配置成包围产生表面波等离子体的成膜处理区域(R)；以及气体喷射部(52)，该气体喷射部(52)将处理材料气体喷射至成膜处理区域(R)。
文档编号C23C16/511GK102549194SQ20108004403
公开日2012年7月4日 申请日期2010年10月4日 优先权日2009年10月5日
发明者铃木正康 申请人:株式会社岛津制作所