专利名称：一种靶材真空溅射移位装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及真空磁控溅射靶材设备，准确地说是一种用于真空溅射靶材的磁场移动装置。
背景技术：
应用真空磁控溅射在ITO (氧化铟锡)透明导电玻璃生产中，由于等离子体受电场和磁场的约束，会在ITO靶材上轰击出一条闭环沟道(俗称溅射跑道)。在溅射跑道区域靶材物质被溅射出来并沉积到被镀基片表面形成膜层，实现有效利用。但是非溅射跑道区域的靶材不能利用，造成靶材利用率低，成本高。目前解决的方法主要在两个方面一是采用移动磁场，让溅射区域随着磁场的持续移动而在靶材表面往复移动，使得整个靶材表面都得到均衡的使用。这种方法原理上讲很有效，但是实现的技术难度大，需要考虑的具体细节及影响比较复杂。二是靶装置和磁场都不变，只对使用过的靶材进行拼接。具体操作为将使用过的靶材取下切割成数小块，再重新组合，将未使用的靶材部分移到磁控溅射区域，拼接绑定好后重复使用。这种方法目前应用较广泛，但是每使用一次就要重新切割成小块再拼接，操作繁琐。重复使用靶材越切越小，不但拼接困难而且形成大量的缝隙。这些缝隙在溅射工作中会对镀膜品质造成很大影响，产生膜层缺陷，特别限制其在高端产品生产中的使用。
发明内容鉴于此，本实用新型的首要目的是针对现有靶材使用技术存在的问题，提出一种新的既能提高靶材利用率又能保证镀膜品质的靶材真空溅射移位装置。本实用新型的另一个目地是提供是一种靶材真空溅射移位装置，该装置使得每次使用时溅射跑道位于靶材表面不同区域，且该装置结构简单，便于实现。为达到上述目地，本实用新型是按如下方式实现的。—种靶材真空溅射移位装置，其包括磁铁、ITO靶材、箱体、阳极罩，其特征在于箱体具有一开口，阳极罩设置于该开口的两侧处，ITO靶材安装于该开口的中间，ITO靶材背部具有磁铁，所述磁铁滑动设置于一导轨上，导轨位于箱体外，并与ITO靶材平行设置，通过导轨，磁场可以进行移位，便于控制对玻璃基板进行真空溅射，能够充分利用玻璃基板， 提供靶材的利用率。所述磁铁，为永久磁体，其产生磁场，实现真空溅射，其背面固定于金属板上，金属板则固定于一滑动块上，滑动块套系于导轨，能够沿着导轨进行滑动，便于磁场进行移位。通常情况下，磁铁外围有一圈，由多块磁铁排列形成长方形。中部有多块磁铁排列成一条。所述导轨，其并排设置有刻度板，刻度板上标明移位刻度，以明确移位的距离。上述滑动块，其前端伸出有固定块，固定块对准刻度板，以标明滑动块移位的幅度，也就是磁场移位的幅度。
3[0012]所述箱体，其具有向外伸出的支架，导轨固定在支架上，被支架支撑。本实用新型利用移动磁场，达到了充分利用靶材的效果。在保证镀膜品质的前提下，既提高了靶材利用率，又降低了实现的难度。由于靶材中部主要工作区域(也是产品镀膜的对应区域)不用切割拼接处理，没有产生缝隙，对溅射没有影响，保证了镀膜品质。溅射跑道只是每次使用时的位置不同，形成跑道的移位，而不是在使用中连续移动磁场，就避免了移动磁场方案工艺复杂，实现难度大的弊端；一套靶材可以重复使用数次，能达到50%以上利用率，能够降低ITO玻璃的制造成本。
图1为本实用新型实施的结构示意图。图2为本实用新型实现磁场移动形成4条溅射跑道的示意图。图3为本实用新型实现靶面磁场形成4条溅射跑道的示意图。
具体实施方式
下面，结合附图所示，对本实用新型的具体实施做详细说明。图1所示，本实用新型实现的装置包括有磁铁5、ITO靶材3、箱体4、阳极罩2，箱体4中部具有一开口，阳极罩2设置于该开口的两侧处，ITO靶材3安装于该开口的中间， ITO靶材3正对着玻璃基板1。ITO靶材3背部具有磁铁5，磁铁5固定于金属板10上，而金属板10则固定在滑动块8上，滑动块8滑动套设于一导轨6上；导轨6安装于箱体4外的支架11上，被支架11 支撑，并与ITO靶材3平行设置，通过导轨6，磁铁5可以进行平行移位。磁铁5，通常为永久磁体，通常情况下，磁铁外围有一圈，由多块磁铁排列形成长方形。中部有多块磁铁排列成一条。导轨6并排设置有刻度板9，刻度板9上标明移位刻度，刻度板9也固定在支架11 上，被支架11支撑；滑动块8的前端伸出处有两个固定块7，固定块7对准刻度板9，以明确滑动块8滑动的距离。在具体使用过程中，有如下两种使用方式。方案一根据靶材宽度设计一个适当宽度的磁场，通过导轨固定在真空镀膜机的靶装置上，在各次使用周期磁场在靶材表面移动，使溅射跑道依次错开。当磁场移动到底后，溅射跑道已经将整个靶材表面依次覆盖，实现整体利用。利用该方式制作的形成4条溅射跑道如图2所示。方案二 根据溅射跑道的排列，设计几种不同宽度的磁场，每次使用时选用合适宽度的磁场，形成不同位置的溅射区域，逐次将整个靶材表面覆盖，实现整体利用。靶面磁场变换形成4条溅射跑道的方式如图3所示。本实用新型利用计算磁场的尺寸以及每次溅射跑道的分布，可以在每次使用时对磁场准确定位，并根据每次溅射跑道的位置进行调整，能够完成一个靶材上多个溅射跑道的分布，需要注意的是在一个磁场使用周期结束后，要对靶材两端溅射跑道弧形区域进行调整，避免下次使用的跑道区域和之前的跑道交叉重叠。这样能大大提高真空溅射的效率，充分利用靶材，同时还能够保证了 ITO玻璃镀膜品质。 总之，以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例，并非用来限定本实用新型实施例的范围。即凡依本实用新型申请专利范围所作的均等变化及修饰，皆在本实用新型的专利范围内。
权利要求1.一种靶材真空溅射移位装置，其包括磁铁、ITO靶材、箱体、阳极罩，其特征在于箱体具有一开口，阳极罩设置于该开口的两侧处，ITO靶材安装于该开口的中间，ITO靶材背部具有磁铁，所述磁铁滑动设置于一导轨上，导轨位于箱体外，并与ITO靶材平行设置。
2.如权利要求1所述的靶材真空溅射移位装置，其特征在于所述磁铁，为永久磁体，其背面固定于金属板上，金属板则固定于一滑动块上，滑动块套系于导轨。
3.如权利要求1所述的靶材真空溅射移位装置，其特征在于所述导轨，其并排设置有刻度板，刻度板上标明移位刻度。
4.如权利要求3所述的靶材真空溅射移位装置，其特征在于上述滑动块，其前端伸出有固定块，固定块对准刻度板。
5.如权利要求1所述的靶材真空溅射移位装置，其特征在于所述箱体，其具有向外伸出的支架，导轨固定在支架上，被支架支撑。
专利摘要本实用新型是一种靶材真空溅射移位装置，其包括磁铁、ITO靶材、箱体、阳极罩，箱体具有一开口，阳极罩设置于该开口的两侧处，ITO靶材安装于该开口的中间，ITO靶材背部具有磁铁，所述磁铁滑动设置于一导轨上，导轨位于箱体外，并与ITO靶材平行设置，通过导轨，磁场可以进行移位，便于控制对靶材进行真空溅射，能够充分利用靶材)提高靶材的利用率。
文档编号C23C14/35GK202187059SQ201120272879
公开日2012年4月11日 申请日期2011年7月29日 优先权日2011年7月29日
发明者夏尚德, 徐龙海, 谢青华 申请人:深圳天泽镀膜有限公司