专利名称：一种四元合金封接材料的制作方法
技术领域：
本发明涉及真空电子行业中真空电子管的封接材料，尤其是涉及一种Ag、Cu、Ge、Co四元合金封接材料。
背景技术：
在真空电子管封接行业中，由于真空电子管使用频率高，且一直要保持真空状态，因此对真空电子管的封接材料，特别是对陶瓷与金属、金属与金属的封接材料要求都比较高。现有常规的封接材料对使用频率极高的真空电子管来说效果不太理想，如常规焊料封接后的器件气密性不够好、在长期的高频率操作下抗氧化及防腐蚀性较差等
发明内容
针对现有技术存在的上述问题，本申请人提供了一种四元合金封接材料。本发明清洁度高，防腐蚀、抗氧化性能好。本发明的技术方案如下
一种四元合金封接材料，其组分及各组分的质量百分比为-.Ag :65^73% ；Cu :25 30% ；Ge 0. 5 5% ；Co 0. Γ . 0%。具体制备方式如下
(1)将Ag、Cu、Ge、Co按配比放入真空熔炼炉内，炉内抽真空至O.4^0. 04Pa，再加热到120(Tl400°C ；
(2)待Ag、Cu、Ge、Co在真空熔炼炉内彻底熔化形成熔融液后，降温至100(Tl100°C，将熔融液倒至定型模具内，待温度降到室温后，再将定型模具从真空熔炼炉内拿出，得到加工本封接材料所需的铸锭；
(3)将铸锭进行轧机压延，厚度达到f2mm时，打卷置入真空热处理炉升温至60(T70(TC保温2飞小时，然后降至常温，取出后经轧机压延至厚度为O. 03、. 2mm，经修整冲压成所需形状即可。本发明有益的技术效果在于
本发明将Ag、Cu、Ge、C0按一定的比例配合，经真空熔炼、冷加工变形，最终得到本四元合金封装材料。本发明中，由于组分中有Ge、Co元素，而真空熔炼合金焊料时所采用的大都是含碳极高的石墨坩锅，同时由于Ge元素与碳不发生反应，因此可使封接材料的清洁度大大提高，从而使封接后的产品的气密性更加良好。本发明组分中的Ge、Co元素在空气中都十分稳定，不受氧的侵蚀，同时Ge、Co元素对碱和部分酸都有很好的防腐作用，因此本封接材料和常规银铜合金焊料相比，其抗氧化能力和防腐蚀能力大大提高，从而延长了产品的使用寿命。
具体实施例方式实施例I(1)将Ag、Cu、Ge、Co按配比放入真空熔炼炉内，炉内抽真空至O.04Pa,再加热到1280 0C ；
(2)待Ag、Cu、Ge、Co在真空熔炼炉内彻底熔化形成熔融液后，降温至1000°C，将熔融液倒至定型模具内，待温度降到室温后，再将定型模具从真空熔炼炉内拿出，得到加工本封接材料所需的铸锭；
(3)将铸锭进行轧机压延，厚度达到Imm时，打卷置入真空热处理炉升温至650°C保温3小时，然后降至常温，取出后经轧机压延至厚度为O. 1_，经修整冲压成所需形状即可。实施例2
(lMfAg、Cu、Ge、Co按配比放入真空熔炼炉内，炉内抽真空至O. 2Pa，再加热到1200°C;
(2)待Ag、Cu、Ge、Co在真空熔炼炉内彻底熔化形成熔融液后，降温至1050°C，将熔融液倒至定型模具内，待温度降到室温后，再将定型模具从真空熔炼炉内拿出，得到加工本封接材料所需的铸锭；
(3)将铸锭进行轧机压延，厚度达到I.5mm时，打卷置入真空热处理炉升温至600°C保温2小时，然后降至常温，取出后经轧机压延至厚度为O. 04mm，经修整冲压成所需形状即可。实施例3
(lMfAg、Cu、Ge、Co按配比放入真空熔炼炉内，炉内抽真空至O. 4Pa，再加热到1350°C;
(2)待Ag、Cu、Ge、Co在真空熔炼炉内彻底熔化形成熔融液后，降温至1100°C，将熔融液倒至定型模具内，待温度降到室温后，再将定型模具从真空熔炼炉内拿出，得到加工本封接材料所需的铸锭；
(3)将铸锭进行轧机压延，厚度达到2mm时，打卷置入真空热处理炉升温至700°C保温4小时，然后降至常温，取出后经轧机压延至厚度为O. 2_，经修整冲压成所需形状即可。实施例f 3所用的Ag、Cu、Ge、Co的质量如表I所示，单位为kg。表I
权利要求
1.一种四元合金封接材料，其特征在于其组分及各组分的质量百分比为Ag:65 73%;Cu :25 30% ；Ge :0. 5 5% ；Co :0. I I. 0%。
2.根据权利要求I所述的四元合金封接材料，其特征在于具体制备方式如下 (1)将Ag、Cu、Ge、Co按配比放入真空熔炼炉内，炉内抽真空至0.4^0. 04Pa，再加热到120(Tl400°C ； (2)待Ag、Cu、Ge、Co在真空熔炼炉内彻底熔化形成熔融液后，降温至KKKTlKKTC，将熔融液倒至定型模具内，待温度降到室温后，再将定型模具从真空熔炼炉内拿出，得到加工本封接材料所需的铸锭； (3)将铸锭进行轧机压延，厚度达到f2mm时，打卷置入真空热处理炉升温至60(T70(TC保温2飞小时，然后降至常温，取出后经轧机压延至厚度为0. 03、. 2mm，经修整冲压成所需形状即可。
全文摘要
一种四元合金封接材料，其组分及各组分的质量百分比为Ag65~73%；Cu25~30%；Ge0.5~5%；Co0.1~1.0%；具体制备方式如下(1)将Ag、Cu、Ge、Co按配比放入真空熔炼炉内，炉内抽真空至0.4~0.04Pa，再加热到1200~1400℃；(2)待Ag、Cu、Ge、Co在真空熔炼炉内彻底熔化形成熔融液后，降温至1000~1100℃，将熔融液倒至定型模具内，待温度降到室温后，再将定型模具从真空熔炼炉内拿出，得到加工本封接材料所需的铸锭；(3)将铸锭进行轧机压延，厚度达到1~2mm时，打卷置入真空热处理炉升温至600~700℃保温2~5小时，然后降至常温，取出后经轧机压延至厚度为0.03~0.2mm，经修整冲压成所需形状即可。本发明清洁度高，防腐蚀、抗氧化性能好。
文档编号C22F1/14GK102808104SQ20121032218
公开日2012年12月5日 申请日期2012年9月4日 优先权日2012年9月4日
发明者晏弘 申请人:无锡日月合金材料有限公司