用于气相传输沉积系统的给料器系统和给料方法
【专利摘要】一种改进了的用于气相传输沉积系统的给料器系统和给料方法，其包括载气旁路流线，以在将粉末材料和载气供应至蒸发器单元的振动单元不能工作时使载气连续地流至蒸发器单元。当粉末材料包括材料混合物中的粉末掺杂剂时，可以包括到达振动单元的工艺气体流线。
【专利说明】用于气相传输沉积系统的给料器系统和给料方法
【技术领域】
[0001]公开的实施例涉及光伏器件生产的领域，更具体地说，涉及用于气相传输沉积(VTD)系统的给料器系统及其使用方法。
【背景技术】
[0002]光伏器件可以包括利用各种生产系统沉积在基底上方的半导体材料，例如，利用VTD系统将硫化镉(CdS)或碲化镉(CdTe)薄膜沉积在基底上方。典型的VTD系统可以使用粉末传输单元、粉末蒸发和分配单元以及真空沉积单元。粉末传输单元可以包括振动粉末给料器。
[0003]振动粉末给料器被设计为将原料粉末传输至蒸发器单元。在传统的振动粉末给料器中，半导体原料粉末被装载到给料器中。将受控量的载气引导至给料器中，以助于粉末的流动。然后，粉末和载气流至蒸发器单元。载气通常是惰性的并且不与粉末化学反应。载气的目的是帮助将粉末传输至蒸发器单元。
[0004]图1示出了在薄膜太阳能模块的制造中使用的传统的用于将半导体材料(例如，CdTe)传输和沉积到基底13 (例如，玻璃基底)上的气相传输沉积系统11的示例。蒸发器单元15具有由可以被AC电源29加热的电阻材料形成的壁，并且使通过对应的入口 17和19从蒸发器单元15的相对端接收的CdTe半导体材料粉末蒸发，入口 17和19从对应的振动粉末给料器21和23接收半导体材料粉末。惰性载气源25和27 (例如，氦气(He)源)分别将载气供应至粉末 给料器21和23，以通过入口 17和19将半导体材料传输至蒸发器单元，蒸发器单元蒸发半导体材料粉末，以将半导体材料沉积在基底13上。在图1中示出的类型的气相传输沉积系统的更详细的示例可以从均转让给第一太阳能公司的第5，945，165号美国专利、第6，037，241号美国专利和第7，780, 787号美国专利中找到。
[0005]由于蒸发器单元15由沿蒸发器单元15的长度方向连接到一起的电阻材料(例如，SiC)的三个单独的部分形成，所以蒸发器单元15的加热沿其长度方向是不均匀的。因此，如图2A中所示，通过部分31在蒸发器单元15的长度的大部分提供了热区，而通过部分33在蒸发器单元15的对应的端部处提供了低温较冷区。因此，一些被蒸发的半导体材料在较冷区中凝结并聚集成为凝结半导体材料35。当载气源25或27在重新填充粉末或用于维护粉末给料器21和23的一者或二者的过程中被关闭时，积累的凝结半导体材料35能够再升华并扩散回入口 17和19中，导致如图2B所示的堵塞。疏通入口 17和19耗时并且成本高。另外，当载气源25和27中的一个或两个被关闭时,在气相传输沉积系统中的诸如氧气
(O2)和水蒸气(H2O)的反应物的分压会改变。当载气源25和27中的一个或两个随后被打开时，用于涂覆沉积物的气体环境与之前当载气源25和27中的一个或两个被关闭时的气体环境不同。这产生了不稳定的流场和气体组分。当载气源25或27的流被重新启动时，不稳定的流场和气体组分导致基底13上的沉积变化。
[0006]此外，期望特定的沉积以将掺杂剂引入到半导体材料中，在沉积过程期间，掺杂剂可以在蒸发器单元15中与半导体材料反应并形成气相化合物。为了提供这种掺杂，还将例如给料器压缩干空气(O2)的工艺气体引入到蒸发器15中，以提供与掺杂剂的可反应的混合。将掺杂剂和工艺气体引入到蒸发器单元15中可以导致气相产物和固相产物的形成。虽然气体能够穿过蒸发器单元15的多孔壁以沉积在基底13上(图1)，但是固体不能，并且固体被限制在蒸发器中，导致蒸发器孔堵塞。对工艺气体进入蒸发器单元15的流的控制通过控制掺杂剂、工艺气体反应而提供了调节掺杂浓度的机制。这种掺杂浓度控制对于制造工艺来讲是重要的。因此，需要建立并保持掺杂剂和反应气体的受控的流(其有助于气态产物的形成而不是固态产物的形成)，以执行半导体沉积物的掺杂并避免蒸发器孔堵塞。
[0007]期望使注意到的问题的影响降低的改进的给料器系统。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1是具有多个振动粉末给料器的传统的气相传输沉积(VTD)系统的不意图；
[0009]图2A和图2B示出了图1中示出的蒸发器单元的内部操作；
[0010]图3是气相传输沉积(VTD)系统的实施例的不意图。
【具体实施方式】
[0011]在下面的详细描述中将参照附图，附图形成了详细描述的一部分，并且示出了本发明的特定实施例。这些实施例被足够详细地描述，以使本领域普通技术人员制造并使用它们。还应理解的 是，可以对这里公开的特定实施例进行结构、逻辑或程序上的改变。
[0012]根据一个示例实施例，提供了一种包括载气旁路线的改进的给料器系统和给料方法。在重新填充或维护相关的振动粉末给料器的过程中，载气旁路线使载气连续地流至蒸发器单元。载气到蒸发器单元的连续流动防止了进入蒸发器单元的入口的堵塞，并且保持在蒸发器单元中的稳定的流场。
[0013]另外，在应用了 Si掺杂的半导体材料的另一示例实施例中，振动粉末给料器还可以包括工艺气体输入流线。工艺气体输入流线有助于除了传统的惰性载气之外的工艺气体(例如，给料器压缩干空气(FCDA))的流进入到振动粉末给料器中。工艺气体、载气和粉末的组合随后从振动粉末给料器流动至蒸发器单元。
[0014]在另一个示例实施例中，改进的给料器系统可以包括在如上所述的包括Si掺杂的传统的VTD工艺期间使用的工艺气体输入流线。该工艺气体输入流线可以用于具有允许载气在重新填充或维护振动粉末给料器的过程中连续地流入到蒸发器单元中的载气旁路线的实施例中，以防止进入蒸发器单元的入口堵塞。
[0015]另外，还可关于上面描述的实施例提供互锁系统。互锁系统控制振动粉末给料器的关键组件的操作，以防止无意的操作错误并改善在重新填充和维护振动粉末给料器的过程中的安全性。
[0016]在开始时，应当注意图3描绘了上面描述的实施例中的每个组合使用的结构。因此，如下面所解释的，图3示出了载气旁路流线和相关的结构、工艺气体输入流线和相关的结构以及互锁系统。虽然在图3的结构中示出了载气旁路流线和工艺气体输入流线被一起使用，但是它们中的每个也可以在不存在另一个的情况下使用，并且它们中的每个也可以在具有或不具有互锁系统的情况下使用。
[0017]图3示出了沉积系统，其中，蒸发器单元1600在两端具有入口 1650A、1650B，以接收从材料和气体流供应器1500AU500B分别供应的粉末材料和气体流。供应器1500A、1500B中的每个包括对应的半导体材料振动单元150AU50B，其容纳半导体材料粉末以流至蒸发器单元1600。供应器1500A、1500B中的每个还包括对应的载气输入流线810A、810B，其中，载气输入流线810A、810B分别通过载气质量流控制器800A、800B接收载气。载气分别在输入线805A、805B处供应到载气质量流控制器800A、800B。气体流供应器1500AU500B中的每个还包括对应的载气旁路流线850A、850B，载气旁路流线850A、850B分别从载气旁路质量流控制器840A、840B接收旁路载气，并且分别连接到输入线805A、805B的输入侧处。载气旁路输入线850A、850B通过对应的颗粒过滤器880A、880B分别连接到供应器1500A、1500B的输出线890A、890B。输出线还通过对应的流阀860A、860B分别从振动单元150A、150B接收载气和半导体材料。流阀860A、860B可以是断流阀，所述断流阀打开或关闭以阻止或允许载气和半导体材料的流从振动单元150AU50B进入至输出线890A、890B中。颗粒过滤器880A、880B防止半导体材料粉末回流至载气旁路输入线850A、850B。输出线890A、890B分别通过流阀895A、895B连接到蒸发器入口 1650A、1650B。流阀895A、895B可以是断流阀，所述断流阀打开或关闭以阻止或允许载气和/或半导体材料的流从输出线890A、890B进入至蒸发器入口 1650A、1650B中。
[0018]通过粉末振动单元150A、150B处理成为粉末的原料可以是半导体，例如，过渡金属(第12族)和硫族化合物(第18族)，例如硫化镉(CdS)或碲化镉(CdTe)。粉末可以包括平均尺寸范围为例如大约10微米至大约600微米的多个颗粒。可以用于形成半导体膜的附加材料可以用于这些系统和方法。掺杂剂还可以用于改善沉积和沉积的产品的性质。合适的掺杂剂可以包括娃(Si)。
[0019]惰性载气输入线805A、805B可以连接到氦气源，已经发现氦气源提高玻璃温度范围和压力范围，以提供诸如沉积密度和好的粘合性的膜特性。惰性载气还可以是诸如氮气、氖气、氩气或氪气或者这些气体的组合的另一惰性的气体。载气还可能混合有并且包含一些量的能够对材料的生长特性起有益效果的反应气体，例如氧气。已经确定大约0.3slpm至大约IOslpm的流量的载气足够帮助粉末的流离开粉末振动单元150AU50B和到达蒸发器单元1600。
[0020]图3还示出了可以将诸如Si的掺杂剂材料包括在被供给至蒸发器单元1600的粉末混合物中的实施例。在这种情况下，工艺气体分别在载气流线810A、810B中被添加到载气中。对于Si掺杂剂，工艺气体是通过对应的工艺气体质量流控制器820A、820B分别在入口 807A、807B处进入到供应器1500AU500B的给料器压缩干空气(FCDA)。工艺气体质量流控制器820A、820B的输出物通过对应的阀830A、830B分别流入到振动单元150A、150B中。工艺气体还可以是水蒸气。如果工艺气体是FCDA,则已经确定大约Osccm至大约20sccm的流量的工艺气体足够产生期望的SiTex (气体)和SiO2 (固体)的混合物。如果工艺气体是在载气中的水蒸气，则已经确定大约0.3slpm至大约IOslpm的流量的工艺气体和载气的混合物是足够的。
[0021]根据公开的实施例，振动粉末给料器系统还可以包括互锁系统。互锁系统可以控制振动粉末给料器的特定组件。互锁系统可以连接到振动粉末给料器的至少任意两个组件，包括但不限于各个半导体材料振动单元150A和150B、各个载气质量流控制器800A和800B、各个工艺气体质量流控制器820A和820B、各个载气旁路质量流控制器840A和840B以及各个阀830A和830B。互锁系统可以使用基于硬件的控制模块或者基于软件的控制模块，来控制振动粉末给料器的组件。可以确定互锁装置是否使振动粉末给料器的组件启动或停止的特定条件可以包括另一个组件的激活(开/关)、由组件中的传感器测量的另一组件中的压力、由组件中的传感器测量的另一组件中的温度、由组件中的传感器测量的另一组件中的流量。
[0022]在图3中不出的实施例中，振动粉末给料器系统包括互锁系统1700。互锁系统1700包括连接到供应器1500A、1500B的组件的多个控制模块1710A、1710B、1710C和1710D。控制模块1710A、1710B、1710C和1710D中的每个控制模块连接到供应器1500A、1500B的单独的组件。在示出的实施例中，第一控制模块1710A连接到工艺气体质量流控制器820A，第二控制模块1710B连接到工艺气体质量流控制器820B，第三控制模块1710C连接到第一载气旁路质量流控制器840A，第四控制模块1710D连接到第二载气旁路质量流控制器840B。应该注意，虽然示出了单独的模块1710A、1710B、1710C和1710D，但是它们可以组合为更少的控制模块或组合为提供了控制模块1710A、1710B、1710C和1710D中的每个控制模块的功能的单个控制模块。另外，可以以硬件、软件或软硬件的结合来实现控制模块1710A、1710B、1710C 和 1710D 的功能。
[0023]控制模块1710A、1710B使用分别感测(a)对应的载气质量流控制器800A和800B是打开还是关闭以及(b)对应的流阀860A、860B是打开还是关闭的传感器来分别控制工艺气体质量流控制器820A、820B。当对应的载气质量流控制器800A、800B关闭时或者当对应的流阀860A、860B关闭时，控制模块1710AU710B将关闭工艺气体质量流控制器820A、820B。
[0024]控制模块1710C、1710D分别控制载体旁路质量流控制器840A、840B并感测(a)载气流线810A、810B或载气旁路流线850A、850B中的压力(通过压力传感器来感测)、(b)对应的流阀860A、860B的开 关状态以及(c)蒸发器单元1600的温度。当对应的输出线890A、890B中的压力超过预定值时或者当对应的流阀860A、860B打开时，控制模块1710CU710D分别关闭旁路质量流控制器840A、840B。可选地，当蒸发器单元1600的温度小于预定值时，控制模块1710C、1710D也可以分别关闭材料振动单元150A、150B，或者当手动输入或数/模信号指示技术人员在检查蒸发器单元1600的泄漏时，控制模块1710CU710D可以分别关闭质量流控制器800A、800B。
[0025]当相关的振动单元150A、150B因为维护或重新填充粉末材料的目的而被关闭时，载气旁路质量流控制器840A、840B和相关的供应线850A、850B用于将载气供应到蒸发器入口 1650AU650B。这减轻了上面参照图2A和图2B描述的回流和堵塞问题。另外，如果诸如Si的掺杂剂被添加到在振动单元150AU50B中的粉末中，则质量流控制器820A、820B和相关的输入线810A、810B将适当量的工艺气体供应到振动单元150A、150B中，以得到蒸发器1600中的掺杂剂材料的期望的气固比。
[0026]虽然已经详细地描述了实施例，但是应当容易理解的是，本发明不限于公开的实施例。相反，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，实施例可以被修改为包括任意数量的在此之前未公开的变化、替换物、替代物或等同布置。
【权利要求】
1.一种系统，所述系统包括: 粉末振动单元，用于提供粉末材料； 载气输入流线，用于将载气引导到粉末振动单元中； 输出流线，用于将粉末振动单元的输出物引导至蒸发器单元；以及 载气旁路流线，用于选择性地将气体引导至蒸发器单元中并绕开粉末振动单元。
2.如权利要求1所述的系统，所述系统还包括: 第一质量流控制器，结合到载气输入流线，以调节载气到粉末振动单元中的流；以及 第二质量流控制器，结合到载气旁路流线，以调节旁路载气到蒸发器单元中的流。
3.如权利要求2所述的系统，所述系统还包括: 流阀，结合到输出流线，以调节排出粉末振动单元的载气和粉末的组合的流。
4.如权利要求3所述的系统，其中，流阀是断流阀，以阻止或允许载气和粉末的组合的流排出粉末振动单元。
5.如权利要求2所述的系统，所述系统还包括: 阀，结合到输出流线并结合到载气旁路流线，以调节进入到蒸发器单元的载气和/或粉末的流。
6.如权利要求2所述的系统，所述系统还包括: 颗粒过滤器，结合到载气旁路流线，以防止粉末从输出流线流入到载气旁路流线中。
7.如权利要求2所述的系统，所述系统还包括: 互锁系统，用于控制系统的组件的操作。
8.如权利要求7所述的系统，其中，互锁系统控制第一质量流控制器和第二质量流控制器的操作。
9.一种系统，所述系统包括: 粉末振动单元，用于提供粉末半导体材料； 载气输入流线，用于将载气引导至粉末振动单元； 工艺气体输入流线，用于将工艺气体引导至粉末振动单元中；以及 输出流线，用于将粉末振动单元的输出物引导至蒸发器单元。
10.如权利要求9所述的系统，所述系统还包括: 载气旁路流线，用于选择性地将气体引导至蒸发器单元并绕开粉末振动单元。
11.如权利要求10所述的系统，所述系统还包括: 第一质量流控制器，结合到载气输入流线，以调节载气到粉末振动单元中的流；以及 第二质量流控制器，结合到工艺气体输入流线，以调节工艺气体到粉末振动单元中的流。
12.如权利要求10所述的系统，所述系统还包括: 第一质量流控制器，结合到载气输入流线，以调节载气到粉末振动单元中的流； 第二质量流控制器，结合到工艺气体输入流线，以调节工艺气体到粉末振动单元中的流；以及 第三质量流控制器，结合到载气旁路流线，以调节旁路载气到蒸发器单元中的流。
13.如权利要求12所述的系统，所述系统还包括: 流阀，结合到输出流线，以调节排出粉末振动单元的载气和粉末的组合的流。
14.如权利要求13所述的系统，其中，流阀是断流阀，以阻止或允许载气和粉末的组合的流排出粉末振动单元。
15.如权利要求12所述的系统，所述系统还包括: 阀，结合到输出流线并结合到载气旁路流线，以调节进入到蒸发器单元的载气和/或粉末的流。
16.如权利要求12所述的系统，所述系统还包括: 颗粒过滤器，结合到载气旁路流线，以防止粉末从输出流线回流至载气旁路流线中。
17.如权利要求12所述的系统，所述系统还包括: 互锁系统，用于控制所述粉末振动单元、第一质量流控制器、第二质量流控制器和第三质量流控制器中的至少一个的操作。
18.如权利要求17所述的系统，其中，互锁系统还包括用于感测所述第一质量流控制器是打开还是关闭的传感器，其中，当第一质量流控制器关闭时，互锁系统关闭第二质量流控制器。
19.如权利要求17所述的系统，其中，互锁系统还包括用于感测载气旁路流线中的压力的压力传感器，其中，当压力传感器感测到载气旁路流线中的压力超过预定值时，互锁系统关闭第三质量流控制器。
20.如权利要求17所述的系统，其中，互锁系统还包括用于感测蒸发器单元的温度的传感器，其中，当传感器感测到蒸发器单元的平均温度低于预定值时，互锁系统关闭粉末振动单元。
21.如权利要求9所述的系统,其中,载气是氦气。
22.如权利要求9所述的系统，其中，工艺气体是压缩干空气。
23.—种用于将原料输送至气相传输沉积系统的系统,所述系统包括: 蒸发器单元； 第一粉末振动单元，用于提供第一粉末半导体材料； 第一工艺气体输入流线，用于将工艺气体引导至第一粉末振动单元中； 第一载气输入流线，用于将载气引导至第一粉末振动单兀中； 第一输出流线，用于将第一粉末振动单兀的输出物引导至蒸发器单兀的第一入口 ；以及 第一载气旁路流线，用于通过绕开第一粉末振动单元来将载气引导至蒸发器单元的第一A 口。
24.如权利要求23所述的系统，所述系统还包括: 第二粉末振动单元，用于提供第二粉末半导体材料； 第二工艺气体输入流线，用于将工艺气体引导至第二粉末振动单元中； 第二载气输入流线，用于将载气引导至第二粉末振动单元中； 第二输出流线，用于将第二粉末振动单元的输出物引导至蒸发器单元的第二入口 ；以及 第二载气旁路流线，用于通过绕开第二粉末振动单元来将载气引导至蒸发器单元的第二入口。
25.如权利要求23所述的系统，所述系统还包括:工艺气体质量流控制器，用于调节工艺气体到第一粉末振动单元中的流； 载气质量流控制器，用于调节载气到第一粉末振动单元中的流；以及 载气旁路质量流控制器，用于调节载气到进入蒸发器单元中的第一入口中的流。
26.如权利要求24所述的系统，所述系统还包括: 工艺气体质量流控制器，用于调节工艺气体到第二粉末振动单元中的流； 载气质量流控制器，用于调节载气到第二粉末振动单元中的流；以及 载气旁路质量流控制器，用于调节载气到进入蒸发器单元中的第二入口中的流。
27.如权利要求26所述的系统，所述系统还包括: 互锁系统，用于控制所述第一振动单元、第二振动单元、工艺气体质量流控制器、载气质量流控制器和载气旁路质量流控制器中的至少一个的操作。
28.如权利要求27所述的系统，其中，互锁系统还包括用于感测所述载气质量流控制器是打开还是关闭的传感器，其中，当载气质量流控制器打开时，互锁系统关闭工艺气体质量流控制器。
29.如权利要求27所述的系统，其中，互锁系统还包括用于感测第二载气旁路流线中的压力的压力传感器，其中，当压力传感器感测到第二载气旁路流线中的压力超过预定值时，互锁系统关闭载气旁路质量流控制器。
30.如权利要求27所述的系统，其中，互锁系统还包括用于感测蒸发器单元的温度的传感器，其中，当传感器感测到蒸发器单元的平均温度低于预定值时，互锁系统关闭第一粉末振动单元和第二粉末振动单元。
31.如权利要求26所述的系统，其中，原料包括CdTe。
32.如权利要求26所述的系统，其中，原料包括CdTe和掺杂剂。
33.一种系统,所述系 统包括: 粉末振动单元，用于容纳粉末材料； 蒸发器单元，用于使粉末材料蒸发； 输出流线，用于将粉末振动单元的输出物引导至蒸发器单元；以及 载气供应器，用于选择性地将载气引导至蒸发器单元中或粉末振动单元中。
34.如权利要求33所述的系统，所述系统还包括: 流阀，结合到输出流线，以调节从粉末振动单元排出到蒸发器单元的流。
35.如权利要求34所述的系统，其中，流阀是断流阀，以阻止或允许粉末振动单元排出到蒸发器单元的流。
36.如权利要求34所述的系统，所述系统还包括: 阀，结合到载气供应器，以调节载气到蒸发器单元中或者到粉末振动单元中的流。
37.如权利要求33所述的系统，所述系统还包括: 颗粒过滤器，结合到载气供应器，以防止粉末从输出流线流至载气供应器中。
38.一种在气相传输沉积工艺中的原料输送的方法,所述方法包括: 将载气输送至包含粉末原料的粉末振动单兀中； 将载气和粉末的组合输送出粉末振动单兀并输送至蒸发器单兀。
39.如权利要求38所述的方法，所述方法还包括:当不从振动单元输送载气和粉末时，通过绕开粉末振动单元来选择性地将载气输送至蒸发器单元。
40.一种在气相传输沉积工艺中的原料输送的方法,所述方法包括: 将工艺气体输送至包含粉末原料的粉末振动单元中； 将载气输送至粉末振动单兀中； 将工艺气体、载气和粉末的组合输送出粉末振动单元并输送至蒸发器单元。
41.如权利要求40所述的方法，所述方法还包括:通过绕开粉末振动单元来选择性地将载气输送至蒸发器单元中。
42.如权利要求41所述的方法，其中，载气是氦气。
43.如权利要求41所述的方法，其中，工艺气体是压缩干空气。
44.如权利要求41所述的方法，其中，原料包括CdTe。
45.如权利要求41所述的方法，其中，原料包括CdTe和掺杂剂。
46.如权利要求41所述的方法，所述方法还包括:利用工艺气体质量流控制器来控制输送至粉末振动单元中的工艺气体的流。
47.如权利要求41所述的方法，所述方法还包括:利用载气质量流控制器来控制输送至粉末振动单元中的载气的流。
48.如权利要求47所述的方法，所述方法还包括:利用断流阀来控制排出粉末振动单元的工艺气体、载气和粉末的组合的流。
49.如权利要求48所述的方法，所述方法还包括:通过绕开粉末振动单元来利用载气旁路质量流控制器控制载气到蒸发器单元中的流。
50.如权利要求49所述的方法，所述方法还包括:利用互锁系统来控制粉末振动单元、工艺气体质量流控制器、载气质量流控制器和载气旁路质量流控制器中的至少一个。
51.如权利要求50所述的方法，所述方法还包括: 利用传感器来感测载气质量流控制器是打开还是关闭； 当载气质量流控制器关闭时，利用互锁系统来关闭工艺气体质量流控制器。
52.如权利要求50所述的方法，所述方法还包括: 利用压力传感器来感测输送至蒸发器单元中的气体的压力； 当压力传感器感测到压力超过预定值时，利用互锁系统来关闭载气旁路质量流控制器。
53.如权利要求50所述的方法，所述方法还包括: 利用传感器来感测蒸发器单元的温度； 当传感器感测到平均温度低于预定值时，利用互锁系统关闭粉末振动单元。
54.—种在气相传输沉积工艺中的连续原料输送的方法,所述方法包括: 利用第一振动粉末给料器向蒸发器单兀供应载气、工艺气体和粉末； 利用第二振动粉末给料器向蒸发器单元供应载气、工艺气体和粉末； 当第一振动粉末给料器不能操作时，选择性地利用第一载气旁路线向蒸发器单元供应载气； 当第二振动粉末给料器不能操作时，选择性地利用第二载气旁路线向蒸发器单元供应载气。
55.如权利要求54所述的方法，其中，载气是氦气。
56.如权利要求54所述的方法,其中，工艺气体是压缩干空气。
57.如权利要求54所述的方法，其中，原料包括CdTe。
58.如权利要求54所述的方法，其中，原料包括CdTe和掺杂剂。
59.如权利要求54所述的方法，所述方法还包括:利用互锁系统来控制载气和工艺气体中的至少一种是 否被供应至蒸发器单元。
【文档编号】C23C14/22GK104024469SQ201280053651
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2012年8月22日 优先权日:2011年9月2日
【发明者】熊刚, 廖峰, 瑞克·C·鲍威尔 申请人:第一太阳能有限公司