专利名称：气体排放单元以及包括其的薄膜沉积装置的制作方法
技术领域：
本公开涉及薄膜沉积装置，更具体地，涉及包括气体排放单元的薄膜沉积装置。
背景技术：
化学气相沉积(CVD)装置用于通过化学反应在沉积对象(例如，诸如半导体晶片的衬底)上形成薄膜。CVD装置通常配置为通过在真空腔室(其中布置衬底)中注入具有高蒸汽压的反应气体而利用反应气体在衬底上生长薄膜。近来，随着高集成和高性能的半导体器件的开发，诸如金属有机CVD (MOCVD)法的CVD方法已变得普遍。特别地，在制造高效率/高输出的发光器件(LED)时，采用MOCVD装置
发明内容
本发明提供薄膜沉积装置，其具有良好的耐用性并使气体排放单元易于维护。其它的方面将在以下的描述中部分地阐述，并将部分地从该描述而变得明显，或者可以通过实践给出的示例而获知。示例性薄膜沉积装置包括:反应腔室；主盘(main disk),安装在反应腔室中；以及气体排放单元，设置在主盘外部，重新收集反应腔室中的气体。气体排放单元包括:基底件(base member)，包括外侧壁、内侧壁以及连接外侧壁和内侧壁的下壁，是具有开口上部的环形件，其中至少一个通孔形成在下壁中；排放套管(discharge sleeve),配置为插入到通孔中，其中在排放套管中形成气体出口 ；以及上盖，是覆盖基底件的开口上部的环形件，其中在上盖中形成多个气体入口。排放套管包括插入部以及从插入部延伸的翼部(wing portion)，插入部配置为插入到至少一个通孔中。上盖包括沿圆周方向设置的多个上盖片段(upper cover fragment)。绝缘材料可以插置在多个上盖片段之间。多个上盖片段可以由石墨制成，硅碳化物涂层可以设置在多个上盖片段的表面上。示例性薄膜沉积装置还包括:扩散阻隔物(diffusion barrier),设置在主盘下面，配置为防止气体扩散到主盘下面的区域；以及扩散阻隔盖(diffusion barriercover),设置在主盘外部，配置为覆盖扩散阻隔物的上表面。扩散阻隔盖可以由石墨制成。扩散阻隔盖包括沿圆周方向设置的多个扩散阻隔盖片段。绝缘材料可以插置在扩散阻隔盖片段之间。多个上盖片段可以由石墨制成，并且硅碳化物涂层可以形成在多个上盖片段的表面上。扩散阻隔盖也可以与上盖是一体的，包括盖部(cover portion)和阻隔部(barrier portion),该盖部覆盖基底件的开口上部并包括气体入口，该阻隔部覆盖扩散阻隔物的上表面。与上盖一体的扩散阻隔盖可以包括沿圆周方向设置的多个片段。绝缘材料可以插置在多个片段之间。多个片段可以由石墨制成，硅碳化物涂层可以形成在片段的表面上。示例性薄膜沉积装置还包括:壳体(housing)，包括具有开口上部的凹入容器形式的下壳体以及覆盖开口上部的盖部，其中壳体围绕反应腔室；侧壁件，设置在壳体中，以形成反应腔室的侧壁，其中侧壁件被基底件的外侧壁支撑并且向上延伸；以及上密封件，耦接到盖部并附接到侧壁件，以形成反应腔室的上壁。另一示例性薄膜沉积装置包括:反应腔室；主盘，安装在反应腔室中；扩散阻隔物，设置在主盘下面，配置为防止气体扩散到主盘下面的部分；以及扩散阻隔盖，由石墨制成并且是环形的，设置在主盘外部以覆盖扩散阻隔物的上表面。扩散阻隔盖可以包括沿圆周方向设置的多个扩散阻隔盖片段。绝缘材料可以插置在多个扩散阻隔盖片段之间。硅碳化物涂层可以设置在多个扩散阻隔盖片段的表面上。示例性薄膜沉积装置还包括:基底件，包括外侧壁、内侧壁以及连接外侧壁和内侧壁的下壁，是具有开口上部的环形件，其中至少一个通孔设置在下壁中；以及排放套管，配置为插入到通孔中，其中在排放套管中形成气体出口，其中扩散阻隔盖延伸到基底件上方的部分以覆盖开口上部从而形成收集空间，连接到该收集空间的多个气体入口形成在扩散阻隔盖中。扩散阻隔盖可以包括沿圆周方向设置的多个片段。绝缘材料可以插置在多个片段之间。另一示例性实施例包括化学气相沉积装置中的气体排放单元,该气体排放单元包括基底件、排放套管以及上盖。基底件包括下壁、开口上部以及设置在基底件的下壁中的至少一个通孔。排放套管配置为插入到 至少一个通孔中。上盖包括多个上盖片段，每个上盖片段包括一个或更多气体入口，并且每个上盖片段可独立于其它上盖片段更换。排放套管包括插入部、翼部以及穿过插入部和翼部形成用于气体流动通道的气体出口。气体排放单元还可以包括设置在多个上盖片段的表面上的涂层。此外，绝缘材料可以设置在多个上盖片段中相邻的上盖片段之间。
从以下结合附图对示例的描述，本发明构思的这些和/或其它的方面将变得显然并更易于理解，在附图中，相似的附图标记可以在不同的视图中表示相同或相似的部件。图1是示出根据本发明构思的实施例的薄膜沉积装置的示意截面图；图2是示出图1的薄膜沉积装置的俯视平面图，盖部从该薄膜沉积装置移除；图3是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1的主盘的俯视平面图；图4A是示出图1的示例性气体排放单元的详细截面图；图4B是示出图4A所示的示例性气体排放单元的修改示例的截面图；图5是不出图4A所不的基底件的俯视平面图；图6是示出为了更换套管而彼此分离的盖部、侧壁件以及上盖的截面图；图7是示出根据本发明构思的示例性实施例的由多个片段形成的上盖的俯视平面图；图8是示出根据本发明构思的示例性实施例的由多个片段形成的扩散阻隔盖的俯视平面图；图9A是示出彼此一体地耦接的上盖和扩散阻隔盖的截面图9B是示出图9A所示的示例性气体排放单元的修改示例的截面图；图10是图9A的示例性气体排放单元的俯视平面图；以及图11是示出上盖和扩散阻隔盖的俯视平面图，该上盖和该扩散阻隔盖一体地形成，并由布置在圆周方向上的多个片段形成。
具体实施例方式现在将具体参照示例性实施例，其示例在附图中示出，其中相似的附图标记始终表示相似的元件。在这一点上，示例性实施例可以具有不同的形式，而不应被解释为限制到这里阐述的描述。因此，下面通过参照附图仅描述示例性实施例，以解释本说明书的方面。在要素列表之前的表达“至少之一”修饰整个要素列表，而不修饰列表的单个要素。图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的薄膜沉积装置的示意截面图。图2是示出图1的薄膜沉积装置的平面图，盖部12从该薄膜沉积装置移除。参照图1和图2，薄膜沉积装置可以包括反应腔室100以及围绕反应腔室100的壳体10。壳体10可以是凹入容器，并可以包括具有开口上部的下壳体11以及覆盖下壳体11的开口上部的盖部12。壳体10可以具有整个的圆柱形。上密封件70设置在盖部12的内表面上。上密封件70被固定到盖部12。例如，上密封件70利用耦接单元80固定到盖部12。凸起13从盖部12的下表面突出，耦接单元80耦接到凸起13。例如， 内螺纹可以形成在凸起13的内表面上，外螺纹可以形成在耦接单元80的对应于凸起13的外圆周上。耦接单元80包括从下面支撑密封件70且面向凸起13的支撑翼81。因此，上密封件70以这种配置耦接到盖部12。上密封件70可以为例如由石英制成的板，但是不限于此。上密封件70形成反应腔室100的上壁。薄膜沉积装置还包括是气体注入部90，用于将反应气体供应到反应腔室100中。气体注入部90可以布置在反应腔室100的中心部中。例如，中空部82形成在耦接单元80中，气体注入部90耦接到中空部82。气体注入部90包括连接孔91，连接孔91穿过盖部12并连接到外部，使得反应气体能够经由连接孔91从反应气体供应单元(未示出)供应到反应腔室100中。主盘20设置在反应腔室100中。主盘20经由支撑部40被下壳体11可旋转地支撑。驱动电机45支撑并旋转支撑部40。因此，主盘20在反应腔室100中旋转。多个凹部(pocket)21形成在主盘20中，卫星盘(satellite disk)30设置在每个凹部21中。诸如半导体晶片的沉积对象将被安装在卫星盘30上。图3是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1的主盘20的俯视平面图。参照图3，多个螺旋流动槽22形成在凹部21的下表面上，流动气体出口 23形成在每个流动槽22中。第一气体流动通路51形成在支撑部40中，连接到第一气体流动通路51的第二气体流动通路52形成在主盘20中。根据上述示例性配置，流动气体经由第一气体流动通路51和第二气体流动通路52从流动气体供应单元(未示出)供应到主盘20中，如图1所示，并且如图3所示从流动气体出口 23排出。排出的流动气体沿着螺旋流动槽22从凹部21流动到外部，结果，设置在凹部21中的卫星盘30旋转，并略微浮置在凹部21中。由于卫星盘30在旋转的同时浮置在凹部21的下表面上方，所以凹部21的下表面与卫星盘30之间的摩擦可以由于流动气体的缓冲作用而减少，变得可忽略地微小。通过控制流动气体的速度和流速，可以由此控制卫星盘30的旋转速度。加热器60设置在主盘20下面。加热器60将主盘20加热至预定温度。例如，力口热器60可以将主盘20加热至约几百。C至约1000°C以上的温度。在生长例如基于GaN的生长层时，主盘20被加热至约700°C至约1300°C的温度。加热器60可以是被施加高频电流的线圈，在此情况下主盘20通过感应加热法加热。或者，加热器60可以是导线，热由于电阻加热从导线产生。 主盘20和卫星盘30配置为将加热器60的热传递到安装(或设置)在卫星盘30上的沉积对象。因此，主盘20和卫星盘30由耐加热器60产生的加热温度的材料制成。例如，主盘20和卫星盘30可以由石墨制成。为了增强薄膜沉积装置的耐用性，诸如硅碳化物(SiC)涂覆膜的硬度增强涂覆膜可以设置在主盘20和卫星盘30上。在示例性配置中，其上安装沉积对象的卫星盘30通过流动气体而在凹部21中旋转。包含源气体和运载气体的将沉积在沉积对象上的反应气体通过气体注入部90供应到反应腔室100中。沉积对象通过被加热器60加热的主盘20和卫星盘30而保持在高温。当反应气体接触沉积对象的上表面时，发生化学沉积反应，诸如GaN基化合物的预定材料沉积并生长在沉积对象上。图4A和图4B是示出图1的示例性气体排放单元的详细截面图。图5是示出图4A所示的基底件的俯视平面图。供应到反应腔室100中的反应气体的仅一部分被用于在沉积对象上形成沉积层，其余部分从反应腔室100排出。此外，流动气体在用于旋转卫星盘30之后需要从反应腔室200排出。为此，气体排放单元200设置在反应腔室100中。参照图1、图4A和图5，气体排放单元200包括设置在反应腔室100的边缘上的基底件210。基底件210包括外侧壁211、内侧壁212以及连接外侧壁211和内侧壁212的下壁213。基底件210是具有近似“U”形的截面区的环形件，具有开口上部。环形侧壁件220被支撑在基底件210的外侧壁211上，环形侧壁件220向上延伸并形成反应腔室100的侧壁。侧壁件220形成反应腔室100的侧壁。上密封件70安装在侧壁件220上。侧壁件220可以与外侧壁211为一体的(B卩，具有基底件210的向上延伸的外侧壁211)。基底件210被下壳体11支撑。通孔214形成在下壁213中。用于排放气体的排放套管230插入到通孔214中。在示例性实施例中,排放套管230经由基底件210的开口上部而插入到通孔214中。排放套管230包括将插入到通孔214中的插入部231以及从插入部231延伸到外部以与下壁213咬合的翼部232。气体出口 233形成为穿过翼部232和插入部231，使得气体从收集空间201排出到外部。形成多个通孔214，并且排放套管230插入到多个通孔214的每个中。虽然在图5中示出了八个通孔214，但是通孔214的数量不限于此。参照图2和图4A，上盖240覆盖基底件210的开口上部。上盖240是环形件，其中形成沿垂直方向穿过的多个气体入口 241。气体入口 241的数量可以与形成在基底件210中的通孔214的数量相同或大于通孔214的数量。当上盖240耦接到基底件210时，收集气体的收集空间210由上盖240与外侧壁211、内侧壁212和下壁213 —起形成。基底件210和上盖240可以由例如石墨制成。图4B是图4A所示的示例性气体排放单元的修改示例的截面图。参照图4B,上盖240向外延伸到基底件210上方的部分，侧壁件220设置在上盖240上方。因此，上盖240和侧壁件220可以通过将二者提起而一次移除。侧壁件220可以耦接到上盖240。在示例性配置中，当反应腔室100中的压力由于用于旋转卫星盘30的流动气体以及用于在沉积对象的表面上形成沉积层后留下的反应气体而增加时，流动气体和反应气体经由设置在上盖240中的气体入口 241而被吸入到收集空间201中。然后，流动气体和反应气体经由排放套管230的气体出口 233而被排放到外部。图6是示出为了更换套管而彼此分离的盖部、侧壁件以及上盖的截面图。如果薄膜沉积装置被使用较长一段时间，则经由反应气体形成的沉积材料会附着在气体入口 241和气体出口 233上，因此会阻碍平稳的气体排放。此外，气体入口 241和气体出口 233可能被沉积材料阻塞。为了平稳的气体排放，将进行气体入口 241和气体出口233的维护。在此情况下，需要拆卸薄膜沉积装置。参照图6，在示例性薄膜沉积装置中，由于上密封件70耦接至盖部12，当盖部12被分离时，气体排放单元200的上盖240被暴露。此外，如果需要，甚至侧壁件220可以被分离。在此情形下，在气体入口 241的内壁以及上盖240的上表面上沉积的沉积材料可以利用尖锐的针等移除。此外，可以更换上盖240。如果气体出口 233需要被清洁，当上盖240被分离时，基底件210的收集空间201和排放套管230被暴露。气体出口 233可以在排放套管230被插入到通孔214中时或者在排放套管230被向上拉而从通孔214分离时被清洁。另外，排放套管230可以用新的来更换。如上所述，在根据本发明构思的示例性实施例的薄膜沉积装置中，排放套管230安装在基底件210的下壁213中，其方式为使得排放套管230能够沿垂直方向从其分离，因此可以清洁气体出口 233或者可以更换排放套管230，而不用从下壳体11拆卸基底件210。因此，薄膜沉积装置的维护是容易的，并且维护时间可以减少，从而改善了薄膜沉积装置的生产率。 图7是示出根据本发明构思的示例性实施例的包括多个片段的上盖240a的俯视平面图。参照图7，上盖240a包括沿圆周方向设置的多个上盖片段242。当上盖片段242被耦接以覆盖基底件210的上部时，形成环形上盖240a。至少一个气体入口 241设置在每个上盖片段242中。当一个气体入口 241被阻塞时，可以仅更换包括相应被阻塞的气体入口 241的上盖片段242，从而减少了维护成本。虽然图7中示出了八个上盖片段242，但是本发明构思的实施例不限于此。此外，上盖片段242的尺寸不必相同，它们可以改变。上盖片段242的数量和尺寸可以考虑到薄膜沉积装置的尺寸和维护的便利性来选择。当加热器60利用感应加热法加热主盘20时，由于加热器60中产生的电磁场的影响，在上盖片段242之间可能发生放电，而上盖片段242可能被放电损坏。为了防止其发生，防放电涂层可以形成在上盖片段242的表面上。防放电涂层可以为例如硅碳化物(SiC)层。可选择地，绝缘材料271可以设置在上盖片段242之间以防止放电。如果反应气体到达主盘20下面的区域，则经由反应气体形成的沉积材料会沉积在加热器60等上，这会导致薄膜沉积装置的故障。参照图1，扩散阻隔物65因此设置在主盘20下面。扩散阻隔物65防止反应气体或者流动气体进入到主盘20下面。扩散阻隔物65与主盘20的下表面分隔预定的距离。扩散阻隔物65可以由例如石英制成。参照图1，由石英制成的扩散阻隔物65的上表面暴露到反应气体，因此沉积材料可以通过与反应气体的化学反应而沉积在扩散阻隔物65的上表面上。沉积材料可能不规则地沉积在扩散阻隔物65的上表面上，从而增加了扩散阻隔物65的不规则厚度。扩散阻隔物65在被加热器60加热时热膨胀，如果其厚度不规则，则由于附着在扩散阻隔物65的上表面上的沉积材料，热膨胀量在扩散阻隔物65的整个区域上是不均匀的。此外，由于沉积材料的热膨胀系数与扩散阻隔物65的热膨胀系数之间的差异，进一步增加热膨胀的不规则性。因此，可能导致扩散阻隔物65的翘曲(由于热膨胀的不规则性)。翘曲会导致扩散阻隔物65接触主盘20的下表面，使得扩散阻隔物65制动减速(brake)。因此，扩散阻隔物65会需要定期地更换，但是更换扩散阻隔物65是困难的，因为扩散阻隔物65设置在主盘20下面，所以为了更换扩散阻隔物65，甚至主盘20都不得不拆卸。为了解决以上问题，可以尽可能地阻止扩散阻隔物65与反应气体之间的接触，使得沉积材料不沉积在扩散阻隔物65的表面上。参照图1、图2和图4A，扩散阻隔盖250设置在扩散阻隔物65上。扩散阻隔盖250是环形件，该环形件包括与主盘20的外圆周部分相邻的内圆周部分。扩散阻隔盖250还包括与上盖240相邻的外圆周部分。扩散阻隔盖250的内圆周部分与主盘20的外圆周部分间隔开预定距离。扩散阻隔盖250的外圆周部分被支撑在上盖240上，或者可以与上盖240间·隔开预定距离，或者可以被支撑在基底件210上。如上所述，通过利用扩散阻隔盖250减少反应气体接触扩散阻隔物65的可能性，可以防止扩散阻隔物65的变形(即，翘曲)。这里，反应气体可以接触扩散阻隔盖250，使得沉积材料可以附着在扩散阻隔盖250的上表面上。扩散阻隔盖250可以通过分离盖部12而暴露到外部，并且可以易于更换而不用分离主盘20。因此，可以减少薄膜沉积装置的维护的时间和成本。扩散阻隔盖250可以由石英制成，但是由石英制成的扩散阻隔盖250可能由于反复的热应力而断裂。当石英的断裂碎片卡在主盘20与扩散阻隔物65之间时，会损坏主盘
20。此外，主盘20的旋转会由于石英的断裂碎片而受到阻碍。在示例性实施例中，扩散阻隔盖250由石墨制成。石墨具有比石英更大的强度，并非常耐热应力。因此，当使用石墨时，可以防止对扩散阻隔盖250的损坏。此外，为了增强扩散阻隔盖250的硬度，硅碳化物(SiC)涂层可以设置在石墨扩散阻隔盖250的表面上，从而进一步减少损坏扩散阻隔盖250的可能性。因此，可以减少薄膜沉积装置的维护成本。另外，可以增加薄膜沉积装置的操作可靠性。图8是示出根据本发明构思的示例性实施例的包括多个片段的扩散阻隔盖250a的俯视平面图。参照图8，扩散阻隔盖250a包括沿圆周方向设置的多个扩散阻隔盖片段251。当扩散阻隔盖片段251布置在扩散阻隔物65上方时，形成环形扩散阻隔盖250a。在使用薄膜沉积装置期间，当规则地或不规则地过度附着了沉积材料时或者形成裂纹时，扩散阻隔盖片段251能够被选择性地更换，因此可以减少维护成本。虽然在图8中示出八个扩散阻隔盖片段251，但是本发明构思的实施例不限于此。此外，可以改变扩散阻隔盖片段251的尺寸。扩散阻隔盖片段251的数量和尺寸可以考虑到薄膜沉积装置的尺寸以及维护的便利性或类似因素来选择。当加热器60通过感应加热法加热主盘20时，由于在加热器60中产生的电磁场的影响，在扩散阻隔盖片段251之间可能发生放电，并且扩散阻隔盖片段251可能被放电损坏。为了防止其发生，防放电涂层设置在扩散阻隔盖片段251的表面上。防放电涂层可以为例如硅碳化物(SiC)层。可选择地，绝缘材料272可以设置在扩散阻隔盖片段251之间以防止放电。图7所示的扩散阻隔盖250可以用图8所示的扩散阻隔盖250a代替。在此情况下，扩散阻隔盖片段251的数量和上盖片段242的数量不必相同。图9A是示出彼此一体地耦接的上盖和扩散阻隔盖的截面图。图10是图9A的气体排放单元的俯视平面图。扩散阻隔盖250和上盖240可以一体地形成。参照图9A和图10，在示例性实施例中，包括扩散阻隔盖250和上盖240的上盖240b (或扩散阻隔盖250b)一体地形成(图4A)。上盖240b (或扩散阻隔盖250b)可以包括覆盖扩散阻隔物65的阻隔部262以及覆盖基底件210的开口上部的盖部261。气体入口 241设置在盖部261中。根据此示例性配置，由于图4A所示的扩散阻隔盖250和上盖240被一体地形成，所以可以减少部件的数量，当需要更换时，可以迅速地进行更换操作，因此可以减少部件的成本以及维护时间。此外，排放套管230可以通过分离上盖240b (或扩散阻隔盖250b)而更换，因此可以减少用于维护排放套管230的时间和成本。图9B是示出图9A所示的气体排放单元的修改示例的截面图。参照图9B，上盖240b (或扩散阻隔盖250b)可以向外延伸到基底件210上方的部分，侧壁件220设置在上盖240b上方。因此，上盖240b (或扩散阻隔盖250b)以及侧壁件220可以被一次提起而移除。侧壁件220可以耦接到上盖240b (或扩散阻隔盖250b)。
上盖240a (图7)以及扩散阻隔盖250a (图8)也可以一体地形成。图11是示出上盖和扩散阻隔盖的平面图，该上盖和该扩散阻隔盖一体地形成并由沿圆周方向布置的多个片段形成。参照图11，示出通过一体地形成上盖240a和扩散阻隔盖250a而形成的上盖240c (或250c)。上盖240c (或250c)包括沿圆周方向设置的多个片段280。片段280的截面图如图9A所示。片段280可以每个包括覆盖扩散阻隔物65的阻隔部262以及覆盖基底件210的开口上部的盖部261。气体入口 241设置在盖部261中。由于多个片段280设置在基底件210和扩散阻隔物65上方，所以设置环形的上盖240c (或扩散阻隔盖250c)。当加热器60通过感应加热法加热主盘20时，由于加热器60中产生的电磁场的影响，在片段280之间可能发生放电，片段280可能被放电损坏。为了防止其发生，防放电涂层设置在片段280的表面上。防放电涂层可以为例如硅碳化物(SiC)层。可选择地，绝缘材料273可以设置在上盖片段242之间以防止放电。根据此示例性配置，仅具有堵塞的气体入口 241的片段280(或者具有过度附着的沉积材料的片段280)需要被更换，从而减少维护成本。尽管已经示出和描述了本发明构思的示例性实施例，但是本领域技术人员将理解，可以进行改变而不脱离本发明构思的原理和精神，本发明构思的范围由权利要求来限定。本申请要求于2012年I月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请N0.10-2012-0007795的优先权，其公开内容通过引用整体结合于此。
权利要求
1.一种薄膜沉积装置，包括: 反应腔室； 主盘，安装在所述反应腔室中；以及 气体排放单元，设置在所述主盘外部，配置为重新收集所述反应腔室中的气体， 其中所述气体排放单元包括: 基底件，包括外侧壁、内侧壁以及连接所述外侧壁和所述内侧壁的下壁，其中所述基底件包括具有开口上部的环形件，至少一个通孔设置在所述下壁中； 排放套管，插入到所述至少一个通孔中，其中在所述排放套管中形成气体出口 ；以及上盖，包括覆盖所述基底件的所述开口上部的环形件，其中在所述上盖中形成多个气体入口。
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中所述气体排放单元的所述排放套管包括插入部以及从所述插入部延伸的翼部，所述插入部配置为插入到所述至少一个通孔中。
3.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中所述气体排放单元的所述上盖包括沿圆周方向设置的多个上盖片段。
4.根据权利要求3所述的薄膜沉积装置，其中绝缘材料插置在所述多个上盖片段之间。
5.根据权利要求3所述的薄膜沉积装置，其中所述多个上盖片段包括石墨，硅碳化物涂层设置在所述多个上盖片段的表面上。
6.根据权利要求1所述的薄膜`沉积装置，还包括: 扩散阻隔物，设置在所述主盘下面，配置为防止气体扩散到所述主盘下面的区域；以及扩散阻隔盖，设置在所述主盘外部，配置为覆盖所述扩散阻隔物的上表面，其中所述扩散阻隔盖包括石墨。
7.根据权利要求6所述的薄膜沉积装置，其中所述扩散阻隔盖包括沿圆周方向设置的多个扩散阻隔盖片段，并且 绝缘材料插置在所述扩散阻隔盖片段之间。
8.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置，其中硅碳化物涂层设置在所述多个扩散阻隔盖片段的表面上。
9.根据权利要求6所述的薄膜沉积装置，其中所述扩散阻隔盖与所述上盖是一体的，所述扩散阻隔盖包括盖部和阻隔部，所述盖部覆盖所述基底件的所述开口上部并包括气体入口，所述阻隔部覆盖所述扩散阻隔物的上表面。
10.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，还包括: 壳体，包括具有开口上部的凹入容器形式的下壳体以及覆盖所述下壳体的开口上部的盖部，其中所述壳体围绕所述反应腔室； 侧壁件，设置在所述壳体中以形成所述反应腔室的侧壁，其中所述侧壁件被所述基底件的外侧壁支撑并向上延伸；以及 上密封件，耦接至所述盖部，并附接到所述侧壁件以形成所述反应腔室的上壁。
11.一种薄膜沉积装置，包括: 反应腔室； 主盘，安装在所述反应腔室中；以及扩散阻隔物，设置在所述主盘下面，配置为防止气体扩散到所述主盘下面的部分；以及扩散阻隔盖，包括石墨，其中所述扩散阻隔盖为环形的，并设置在所述主盘外部以覆盖所述扩散阻隔物的上表面。
12.根据权利要求11所述的薄膜沉积装置，其中: 所述扩散阻隔盖包括沿圆周方向设置的多个扩散阻隔盖片段，并且 绝缘材料插置在所述多个扩散阻隔盖片段之间。
13.根据权利要求12所述的薄膜沉积装置，其中硅碳化物涂层设置在所述多个扩散阻隔盖片段的表面上。
14.根据权利要求11所述的薄膜沉积装置，还包括: 基底件，包括外侧壁、内侧壁以及连接所述外侧壁和所述内侧壁的下壁，所述基底件是具有开口上部的环形件，其中至少一个通孔设置在所述下壁中；以及排放套管，配置为插入到所述至少一个通孔中，其中: 在所述排放套管中设置气体出口， 所述扩散阻隔盖延伸到所述基底件上方的部分以覆盖所述开口上部，从而形成收集空间，以及 在所述扩散阻隔盖中形成与所述收集空间流体连通的多个气体入口。
15.根据权利要求14所述的薄膜沉积装置，其中: 所述扩散阻隔盖包括沿圆周方向设置的多个片段，并且 绝缘材料插置在所述多个片段之间。
16.一种化学气相沉积装置中的气体排放单元，包括: 基底件，包括下壁、开口上部以及设置在所述基底件的所述下壁中的至少一个通孔； 排放套管，配置为插入到所述至少一个通孔中；以及 上盖，包括多个上盖片段，每个上盖片段包括一个或更多气体入口并可独立于其它上盖片段来更换。
17.根据权利要求16所述的气体排放单元，其中所述排放套管设置在所述基底件的所述下壁中，其方式为所述排放套管能够在不移除所述基底件的情况下分离。
18.根据权利要求16所述的气体排放单元，其中所述排放套管包括插入部、翼部以及穿过所述插入部和所述翼部形成用于气体流动通道的气体出口。
19.根据权利要求16所述的气体排放单元，还包括设置在所述多个上盖片段的表面上的涂层。
20.根据权利要求16所述的气体排放单元，其中绝缘材料设置在所述多个上盖片段中相邻的上盖片段之间。
全文摘要
本发明提供一种气体排放单元以及包括其的薄膜沉积装置。该薄膜沉积装置包括反应腔室；主盘，安装在反应腔室中；以及气体排放单元，设置在主盘外部。气体排放单元重新收集反应腔室中的气体，并包括基底件，包括外侧壁、内侧壁以及连接外侧壁和内侧壁的下壁，并且是具有开口上部的环形件。至少一个通孔形成在下壁中。排放套管配置为插入到通孔中，其中在排放套管中形成气体出口。环形的上盖覆盖基底件的开口上部。在上盖中形成多个气体入口。
文档编号C23C16/44GK103225072SQ20131003230
公开日2013年7月31日 申请日期2013年1月28日 优先权日2012年1月26日
发明者韩炅燉, 赵珍锡 申请人:三星电子株式会社