技术总结
本发明公开了一种在钨合金基底上制备钛酸钡薄膜的方法，该方法显著改善和控制了材料的组织结构，使得制备的钨合金与钛酸钡薄膜能达到完美的匹配，还可以增加BaTiO3薄膜面内压应力，因此可以起到降低介电损耗和提高介电常数的作用，解决了现有BaTiO3薄膜因制备、服役产生氧空位而导致漏电流、介电损耗增加，甚至失效的问题。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：苏州思创源博电子科技有限公司
文档号码：201610690514
技术研发日：2016.08.20
技术公布日：2017.01.11