1.多孔碳材料上生长单层石墨烯包裹铜纳米粒子的制备方法，其特征在于：是以三维石墨烯泡沫，多孔碳泡沫，或者多孔金属泡沫为导电基体，通过化学气相沉淀的方法在所述导电基体表面生长出单层石墨烯包裹的铜纳米粒子。
2.根据权利要求1所述的多孔碳材料上生长单层石墨烯包裹铜纳米粒子的制备方法，其特征在于：所述制备方法以具体步骤为：
(1)在管式炉(1)中装载大比表面积的金属铜泡沫或者铜网，升温到1000～1200℃，使铜升华，产生气化的铜原子气流，并与管式炉(1)中通入的氢气和甲烷气流混合；
(2)铜原子，氢气和甲烷混合气流到达管式炉(2)后，温度下降，铜原子沉积在装载与管式炉(2)中的多孔碳材料，同时铜原子表面发生复杂的催化反应，形成单层石墨烯包覆铜纳米粒子；
(3)通过调节真空泵的强度控制管式炉(1)、管式炉(2)内的真空度，以及调节管式炉(2)中单层石墨烯包裹铜纳米粒子的生长温度以及生长时间，得到不同负载率，不同铜粒径的单层石墨烯包裹铜纳米粒子。
3.根据权利要求2所述的多孔碳材料上生长单层石墨烯包裹铜纳米粒子的制备方法，其特征在于：所述管式炉(2)内的温度控制在600～800℃。
4.根据权利要求2所述的多孔碳材料上生长单层石墨烯包裹铜纳米粒子的制备方法，其特征在于：通过上述制备方法得到的铜纳米粒子粒径在5～50nm。