1.一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其特征为，其方法如下：
(1) 将多晶硅锭通过金刚线切片机，切割成多晶硅片；
（2）将多晶硅片预清洗，清除多晶硅片表面残留物，随后将多晶硅片烘干；
（3）将烘干后的多晶硅片至于喷砂流水线，进行喷砂粗糙处理，将碳化硅均匀喷涂于多晶硅片表面，使多晶硅片表面形成厚度为2um~6um的单面粗糙面；
（4）对喷砂粗糙处理后的多晶硅片进行化学清洗，清除多晶硅片表面金属离子残留，随后将多晶硅片烘干；
（5）将经步骤（4）的多晶硅片至于自动分选机上进行自动检测硅片表面质量，将表面无穿孔、边缘和表面无破损的多晶硅筛选出进行储存。
2.如权利要求1所述的一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其特征为，所述烘干温度为100~120℃，烘干时间为30~40min。
3.如权利要求1所述的一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其特征为，所述喷砂流水线包括转盘工作台、喷砂机构和精密过滤器，所述转盘工作台上设有若干漏孔，所述转盘工作台底部设有碳化硅回收室，所述碳化硅回收室与精密过滤器之间设有导料管，所述传送带顶部设有负压吸附装置，所述喷砂机构包括若干喷砂管和输料管，所述输料管分别与若干喷砂管和精密过滤器相连，所述输料管上设有气砂混合器，若干喷砂管上均设有若干导管，所述导管上设有喷头和偏心轮机构，所述喷头与转盘工作台垂直，且距离多晶硅片表面20mm，所述喷砂机构外设有护罩，所述护罩与碳化硅回收室位置对应设置。
4.如权利要求3所述的一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其特征为，所述漏孔直径为3mm。
5.如权利要求3所述的一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其特征为，所述负压吸附装置包括真空吸盘、吸气管和吸风机，所述吸气管一端穿过转盘工作台与真空吸盘相连，另一端与吸风机相连。
6.如权利要求3所述的一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其特征为，所述偏心轮机构包括偏心轮、连杆和往复轨道，所述偏心轮上设有转轴，所述转轴连接电动机，电动机带动转轴使偏心轮以150r/min速度旋转，所述往复轨道两端与护罩相连，所述往复轨道上设有支架，所述支架与导管相连，所述所述连杆分别与偏心轮和支架相连。
7.如权利要求1所述的一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其特征为，所述碳化硅粒径为6.7 um ~10.2um，碳化硅颗粒整体离散系数<23%。