技术总结
本发明涉及一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其方法如下：(1)通过金刚线切片机将多晶硅锭切割成多晶硅片；（2）预清，清除多晶硅片表面残留物，随后烘干；（3）将多晶硅片至于喷砂流水线，进行喷砂粗糙处理，将碳化硅均匀喷涂于多晶硅片表面，使多晶硅片表面形成厚度为2um~6um的单面粗糙面；（4）化学清洗清除多晶硅片表面金属离子残留；（5）由自动分选机筛选；本发明利于提高金刚线多晶硅片光电转换效率，降低电池制造端的投入成本。
技术研发人员：陆继波;王海庆;路景刚;王禄宝
受保护的技术使用者：江苏美科硅能源有限公司
文档号码：201610844815
技术研发日：2016.09.23
技术公布日：2017.02.15