一种Ti3SiC2增强Ag基电触头材料的制备方法与流程

文档序号:12109610阅读:712来源:国知局
一种Ti3SiC2增强Ag基电触头材料的制备方法与流程

本发明涉及一种金属基复合材料,即Ti3SiC2增强Ag基电触头材料的制备方法。



背景技术:

电触头是电器开关、仪器仪表等的接触元件,主要承担接通、分断电路及负载电流的作用。在现代电气和电子工业中,对电触头材料的稳定性、可靠性、寿命、生态环保等要求逐渐提高。传统的Ag-CdO材料,抗磨损、抗熔焊、耐电弧侵蚀等性能优越,但是在使用过程中产生的Cd蒸汽会对生态坏境及人体造成危害(Dev S C,et al.J Mater Sci,1993,28(24):6540-6544.)。Ag-SnO2材料具有优良的抗电弧侵蚀性、耐磨损性、抗熔焊性和低的材料转移特性,很有潜力作为Ag-CdO的替代材料。但是Ag基体和SnO2润湿性差,从而会影响粉末冶金法制备Ag-SnO2复合材料的机械性能。此外,在电弧多次作用后,SnO2成分富集于触头表面导致接触电阻增大,温升很高,严重影响电触头的电气接触性能(Swingler J,et al.IEEE T Compon Pack Technol,1996,19(3):404-415.)。另外,在Ag-CdO和Ag-SnO2中,增强相的添加量较小(6%-15%),贵金属Ag的含量较高,从而导致成本较高。因此,新型环保、节Ag电触头材料的研发成为该领域的迫切课题。

MAX材料兼具金属材料优良的导热、导电性,和陶瓷材料的高弹性模量、低密度、高热稳定性以及良好的抗氧化性能等特点(Z.M.Sun.Int Mater Rev 2011,56(3),143-166)。如果作为Ag基复合材料的增强相,预期对复合材料的电学性能和热学性能影响较小,是一种具有潜力的增强相。本发明选用Ti3SiC2材料作为增强相,其具有较低的电阻率(22.7×10-3mΩ·cm),与Ag、Cu等金属材料复合后预计具有良好的导电性。Ti3SiC2导热系数较大(37.0W·m-1·K-1),有利于在触头开断过程中控制温升。其次,Ti3SiC2适中的硬度(4.0GPa)能够起到强化作用,同时也能保证良好的切削性。特别地,Ti3SiC2超低磨损系数和自润滑性能也是电触头材料不可或缺的关键特性。因此,使用Ti3SiC2作为增强相与Ag复合制备的电触头材料具有广阔的应用前景,是可以替代Ag-CdO的新型环保触头材料。倪树春等人采用在Ti3SiC2表面化学镀Ag,然后冷等静压成型,再将所烧结制备的电触头材料热挤压成型与时效处理来制备Ag/Ti3SiC2电接触材料(CN 101343700 A)。虽然该材料性能优良,但工艺复杂且耗能大,成本高。本发明采用无压烧结制备的Ag-Ti3SiC2电触头材料,性能优良、成本低廉。



技术实现要素:

技术问题:本发明旨在提供一种新型电触头复合材料的制备方法,通过改善传统材料的抗磨损、抗熔焊和耐电弧侵蚀等性能,以无压烧结取代昂贵的热压、SPS技术,制备出性能优异的Ag-Ti3SiC2电触头材料。

技术方案:本发明是一种Ti3SiC2增强Ag基电触头材料的制备方法,该制备方法包括以下步骤:

1)配料:采用100目筛子过筛Ti3SiC2和Ag粉末为原料,其中Ti3SiC2为增强相质量百分数为1-40%,Ag粉质量百分数为60-99%,得到混合料;

2)将步骤1中混合料湿法球磨5-120min后置于烘箱中干燥24h得到均匀的混合粉末;

3)将干燥后的粉末在100-800MPa下冷压成型;

4)将步骤3中压制成型的坯体置于烧结炉中,以5-20℃/min的升温速率升温至700-1100℃,整个烧结过程在保护性气氛或者真空中进行;

5)将坯体在步骤4中烧结温度处保温1-12h;最终得到Ti3SiC2增强Ag基的电触头材料。

有益效果:本发明具有以下优点:

1.本发明制备原材料组分少,设备简单且高效,成本低廉。

2.本发明烧结工艺简单快捷,生产周期短,对原始块体尺寸限制小,不仅能够满足现有市场需求,并且可以进行大规模生产。

3.本发明烧结温度低:700-1100℃,且采用无压烧结或真空烧结,节约能源,降低生产成本。

4.当Ti3SiC2增强相质量百分数高达40%时,仍然可以制备物相分布均匀、电阻率较小的样品,从而达到节Ag的目的。

附图说明

图1是本发明实施例二所制备的Ag-5wt.%Ti3SiC2电触头材料的光学显微照片;

图2是本发明实施例三所制备的Ag-20wt.%Ti3SiC2电触头材料的光学显微照片;

具体实施方式

实施例一

首先,称取Ti3SiC2粉0.1g、Ag粉9.9g作为制备Ag-Ti3SiC2电触头材料的原料,湿法球磨5min之后烘干得混合粉末,将其在100MPa下冷压成型制得坯体,最后在烧结炉中,Ar气氛保护下烧结,烧结温度700℃,升温速率5℃/min,烧结时间12h,得到Ag-1wt.%Ti3SiC2电触头材料。相对密度达90.3%,硬度达HV55,电阻率为1.87×10-3mΩ·cm。

实施例二

首先,称取Ti3SiC2粉0.5g、Ag粉9.5g作为制备Ag-Ti3SiC2电触头材料的原料,湿法球磨90min之后烘干得混合粉末,将其在600MPa下冷压成型制成坯体,最后在烧结炉中,Ar气氛保护下烧结,烧结温度800℃,升温速率5℃/min,烧结时间6h,得到Ag-5wt.%Ti3SiC2电触头材料。相对密度达95.77%,硬度达HV53,电阻率为2.35×10-3mΩ·cm。

实施例三

首先,称取Ti3SiC2粉2.0g、Ag粉8.0g作为制备Ag-Ti3SiC2电触头材料的原料,湿法球磨60min之后烘干得混合粉末,将其在550MPa下冷压成型制得坯体,最后在烧结炉中,Ar气氛保护下烧结,烧结温度900℃,升温速率10℃/min,烧结时间4h,得到Ag-20wt.%Ti3SiC2电触头材料。相对密度达93.5%,硬度达HV71,电阻率为5.98×10-3mΩ·cm。

实施例四

首先,称取Ti3SiC2粉3.0g、Ag粉7.0g作为制备Ag-Ti3SiC2电触头材料的原料,湿法球磨100min之后烘干得混合粉末,将其在700MPa下冷压成型制得坯体,最后在烧结炉中真空烧结,烧结温度1000℃,升温速率15℃/min,烧结时间3h,得到Ag-30wt.%Ti3SiC2电触头材料。相对密度达94.9%,硬度达HV117,电阻率为12.63×10-3mΩ·cm。

实施例五

首先,称取Ti3SiC2粉4.0g、Ag粉6.0g作为制备Ag-Ti3SiC2电触头材料的原料,湿法球磨120min之后烘干得混合粉末,将其在800MPa下冷压成型制得坯体,最后在烧结炉中,N2气氛保护下烧结,烧结温度1100℃,升温速率20℃/min,烧结时间1h,得到Ag-40wt.%Ti3SiC2电触头材料。相对密度达91.1%,硬度达HV150,电阻率为29.58×10-3mΩ·cm。

除上述实施例外,本发明还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均属于本发明要求的保护范围。

当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1