1.一种低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料，其特征在于它是以金属钨纳米薄膜和单层石墨烯交叉层叠的多层复合结构。
2.根据权利要求1所述的一种低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料，其特征在于所述金属钨纳米薄膜的层数为N层，单层石墨烯的层数为N-1层，其中N为大于等于2的整数。
3.根据权利要求1所述的一种低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料，其特征在于所述的低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料的上下表层均为金属钨纳米薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料，其特征在于所述金属钨纳米薄膜为多晶的金属钨纳米薄膜，厚度在1～500nm范围。
5.根据权利要求1所述的一种低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料，其特征在于所述单层石墨烯为单个原子层的二维材料。
6.一种低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料的制备方法，其特征在于将金属钨纳米薄膜沉积在二氧化硅基底上，然后转移单层石墨烯到所述金属钨纳米薄膜的表面，之后交替沉积钨纳米薄膜和转移单层石墨烯，得到低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料。
7.根据权利要求6所述的一种低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料的制备方法，其特征在于所述沉积方式为磁控溅射方法沉积。
8.根据权利要求6所述的一种低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料的制备方法，其特征在于所述转移方法为湿法转移方法。
9.根据权利要求6所述的一种低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：
(1)在二氧化硅基底上沉积金属钨纳米薄膜；
(2)使用湿法转移方法将单层石墨烯转移到步骤(1)所述金属钨纳米薄膜表面；
(3)继续在步骤(2)所述单层石墨烯的表面沉积下一层金属钨纳米薄膜；
(4)根据需求循环重复步骤(2)和(3)M次，M为大于等于0的整数；
(5)去除步骤(4)所得多层复合材料中的二氧化硅基底，即得到低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料。
10.根据权利要求9所述的一种低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料的制备方法，其特征在于它所述单层石墨烯是在铜箔衬底上通过化学气相沉积法生长所得；所述湿法转移是将生长有单层石墨烯的铜箔中的铜箔刻蚀溶解，保留单层石墨烯，转移至金属钨纳米薄膜表面。