技术总结
本实用新型提供了一种磁流变双面抛光装置，利用以剪切形式为主要材料去除方式的磁流变进行双面抛光，消除了被抛光表面的表面及亚表面损伤，提高了被抛光表面的粗糙度及光洁度；本实用新型可以通过提高磁流变液的运输速度，即通过提高磁流变液的流量及主动轮的转速，显著提高抛光效率；可以通过减小运输带与被抛光表面之间的距离而提高抛光效率；可以通过增加喷嘴数量显著提高抛光效率。本实用新型通过改变磁场作用区域尺寸与形状、磁流变液运输带尺寸和磁流变液运输速度等可以适应不同口径平面或曲面元件的双面抛光，尤其适合大口径元件双面抛光。本实用新型的装置可以并联组合，实现高效率大规模生产。
技术研发人员：李龙响;薛栋林;张学军
受保护的技术使用者：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
文档号码：201621214266
技术研发日：2016.11.10
技术公布日：2017.07.07